CN217983388U - 一种led薄膜芯片的半导体基板 - Google Patents

Abstract

本实用新型属于半导体基板技术领域，尤其涉及一种LED薄膜芯片的半导体基板，包括第一接触层，第一接触层的底面固定连接有第一增阻层，第一增阻层远离第一接触层的一面固定连接有第一粘连层，第一粘连层的底面设置有电路机构。该LED薄膜芯片的半导体基板，通过电子元件层顶面固定连接的第一粘连层，半导体基板层底面固定连接的第二粘连层，其材质都为玻璃纤维布基CCL环氧树脂，且其材质漆膜附着力强，具有较好的耐热性和电绝缘性，从而使其粘连的更紧合，增加使用寿命，通过第一接触层底面固定连接的第一增阻层，第二接触层顶面固定连接的第二增阻层，其外壁都设置有增阻纹路，从而使阻力增加，更好的与其紧密贴合。

Description

一种LED薄膜芯片的半导体基板

技术领域

本实用新型涉及半导体基板技术领域，具体为一种LED薄膜芯片的半导体基板。

背景技术

基板是制造PCB的基本材料，一般情况下，基板就是覆铜箔层压板，单、双面印制板在制造中是在基板材料-覆铜箔层压板上，有选择地进行孔加工、化学镀铜、电镀铜、蚀刻等加工，得到所需电路图形。另一类多层印制板的制造，也是以内芯薄型覆铜箔板为底基，将导电图形层与半固化片交替地经一次性层压黏合在一起，形成3层以上导电图形层间互连。它具有导电、绝缘和支撑三个方面的功能。印制板的性能、质量、制造中的加工性、制造成本、制造水平等，在很大程度上取决于基板材料。随着工业的发展，用于制造基板的材料越来越多，为工业需求使用半导体制作半导体基板。

在专利号为CN203300704U的专利文件中提出了一种LED薄膜芯片的半导体基板，该实用新型是在半导体基板本体的上、下两面都加工有分别与键合金属和接触金属进行结合的上粗糙层和下粗糙层，上粗糙层和下粗糙层均为凹凸状，且上粗糙层的厚度≥0.3um，下粗糙层的厚度≥0.3um，这样就可以有效提高半导体基板本体与键合金属以及接触金属的结合力，使半导体基板本体与键合金属和接触金属充分结合，牢固不动，不会使附着在键合金属上的LED芯片在后续的芯片制作过程中随着键合金属一起从半导体基板本体上剥离或脱落下来，从而提高了产品的成品率和可靠性。半导体基板本体的表面粗糙化处理是通过拉毛、蒙砂、化学腐蚀、机械打磨中的一种或多种方法进行粗糙化处理。使用化学腐蚀的方法也很容易在半导体基板本体的表面形成一层厚度≥0.3um的粗糙层。但是其材质不够完善，不够环保，且使用寿命不长。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种LED薄膜芯片的半导体基板，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种LED薄膜芯片的半导体基板，包括第一接触层，所述第一接触层的底面固定连接有第一增阻层，所述第一增阻层远离第一接触层的一面固定连接有第一粘连层，所述第一粘连层的底面设置有电路机构。

所述电路机构包括电子元件层，所述电子元件层的顶面与第一粘连层的底面紧密贴合，所述电子元件层远离第一粘连层的一面固定连接有半导体基板层。

优选的，所述半导体基板层的底面固定连接有第二粘连层，所述第二粘连层远离半导体基板层的一面固定连接有第二增阻层，所述第二增阻层的底面固定连接有第二接触层。

优选的，所述第一增阻层的外壁设置了增阻纹路，所述第一粘连层的材质为玻璃纤维布基CCL环氧树脂。

优选的，所述第一接触层的厚度为5um，所述第一增阻层的厚度为2um，所述第一粘连层的厚度为0.5um。

优选的，所述半导体基板层的材质为覆铜板，厚度为800um，其顶面与电子元件层底面紧密贴合。

优选的，所述第二粘连层的材质为玻璃纤维布基CCL环氧树脂，所述第二增阻层的外壁设置了增阻纹路。

优选的，所述第二粘连层的厚度为0.5um，所述第二增阻层的厚度为2um，所述第二接触层的厚度为5um。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

1.该LED薄膜芯片的半导体基板，通过电子元件层顶面固定连接的第一粘连层，半导体基板层底面固定连接的第二粘连层，其材质都为玻璃纤维布基CCL环氧树脂，且其材质漆膜附着力强，具有较好的耐热性和电绝缘性，从而使其粘连的更紧合，增加使用寿命。

2.该LED薄膜芯片的半导体基板，通过第一接触层底面固定连接的第一增阻层，第二接触层顶面固定连接的第二增阻层，其外壁都设置有增阻纹路，从而使阻力增加，更好的与其紧密贴合。

附图说明

图1为本实用新型的剖面结构示意图；

图2为本实用新型的增阻层顶视结构示意图。

图中：1、第一接触层；2、第一增阻层；3、第一粘连层；4、电路机构；401、电子元件层；402、半导体基板层；5、第二粘连层；6、第二增阻层；7、第二接触层。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1-2，本实用新型提供一种技术方案：一种LED薄膜芯片的半导体基板，包括第一接触层1，第一接触层1的厚度为5um，第一接触层1的底面固定连接有第一增阻层2，第一增阻层2的外壁设置了增阻纹路，第一增阻层2的厚度为2um，第一增阻层2远离第一接触层1的一面固定连接有第一粘连层3，第一粘连层3的厚度为0.5um，第一粘连层3的材质为玻璃纤维布基CCL环氧树脂，第一粘连层3的底面设置有电路机构4，电路机构4包括电子元件层401，电子元件层401的顶面与第一粘连层3的底面紧密贴合，电子元件层401远离第一粘连层3的一面固定连接有半导体基板层402，半导体基板层402的材质为覆铜板，厚度为800um，其顶面与电子元件层401底面紧密贴合，半导体基板层402的底面固定连接有第二粘连层5，第二粘连层5的材质为玻璃纤维布基CCL环氧树脂，第二粘连层5的厚度为0.5um，第二粘连层5远离半导体基板层402的一面固定连接有第二增阻层6，第二增阻层6的外壁设置了增阻纹路，第二增阻层6的厚度为2um，第二增阻层6的底面固定连接有第二接触层7，第二接触层7的厚度为5um，通过电子元件层401顶面固定连接的第一粘连层3，半导体基板层402底面固定连接的第二粘连层5，其材质都为玻璃纤维布基CCL环氧树脂，且其材质漆膜附着力强，具有较好的耐热性和电绝缘性，从而使其粘连的更紧合，增加使用寿命，通过第一接触层1底面固定连接的第一增阻层2，第二接触层7顶面固定连接的第二增阻层6，其外壁都设置有增阻纹路，从而使阻力增加，更好的与其紧密贴合。

在使用时，将电子元件与电路置于电子元件层401，第一粘连层3将第一增阻层2与电子元件层401紧密粘连，第二粘连层5将半导体基板层402与第二增阻层6紧密粘连，第一增阻层2与第二增阻层6外壁设置的增阻纹路增加阻力，使其与第一接触层1、第二接触层7不易分离。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个......”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

Claims (7)

1.一种LED薄膜芯片的半导体基板，包括第一接触层(1)，其特征在于：所述第一接触层(1)的底面固定连接有第一增阻层(2)，所述第一增阻层(2)远离第一接触层(1)的一面固定连接有第一粘连层(3)，所述第一粘连层(3)的底面设置有电路机构(4)；

所述电路机构(4)包括电子元件层(401)，所述电子元件层(401)的顶面与第一粘连层(3)的底面紧密贴合，所述电子元件层(401)远离第一粘连层(3)的一面固定连接有半导体基板层(402)。

2.根据权利要求1所述的一种LED薄膜芯片的半导体基板，其特征在于：所述半导体基板层(402)的底面固定连接有第二粘连层(5)，所述第二粘连层(5)远离半导体基板层(402)的一面固定连接有第二增阻层(6)，所述第二增阻层(6)的底面固定连接有第二接触层(7)。

3.根据权利要求1所述的一种LED薄膜芯片的半导体基板，其特征在于：所述第一增阻层(2)的外壁设置了增阻纹路，所述第一粘连层(3)的材质为玻璃纤维布基CCL环氧树脂。

4.根据权利要求1所述的一种LED薄膜芯片的半导体基板，其特征在于：所述第一接触层(1)的厚度为5um，所述第一增阻层(2)的厚度为2um，所述第一粘连层(3)的厚度为0.5um。

5.根据权利要求1所述的一种LED薄膜芯片的半导体基板，其特征在于：所述半导体基板层(402)的材质为覆铜板，其厚度为800um。

6.根据权利要求2所述的一种LED薄膜芯片的半导体基板，其特征在于：所述第二粘连层(5)的材质为玻璃纤维布基CCL环氧树脂，所述第二增阻层(6)的外壁设置了增阻纹路。

7.根据权利要求2所述的一种LED薄膜芯片的半导体基板，其特征在于：所述第二粘连层(5)的厚度为0.5um，所述第二增阻层(6)的厚度为2um，所述第二接触层(7)的厚度为5um。

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