CN217568685U - 一种基于温度控制的合成反应装置 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及一种基于温度控制的合成反应装置,涉及物料合成设备技术领域,其包括筒体,筒体的外侧设有用于将筒体内温度传出的帕尔贴半导体层,帕尔贴半导体层周向均匀设置于筒体的外侧。本申请具有减少物料合成失败的效果。
Description
技术领域
本申请涉及物料合成设备技术领域,尤其是涉及一种基于温度控制的合成反应装置。
背景技术
目前通常使搅拌釜对物料进行搅拌混合,将物料导入至搅拌釜内,通过搅拌机构对物料进行混合搅拌,使物料之间充分接触,反应均匀。
相关技术可参考公告号为CN213791578U的中国专利公开了一种混合搅拌釜,包括釜体,釜体的内壁固定连接有固定架,且固定架为相互平行的两个,两个固定架相对的一侧共同固定连接有固定管,釜体的内部中心位置固定连接有三角支架,三角支架的顶部转动连接有主轴,固定管与釜体之间共同转动连接有搅拌杆,且搅拌杆为相互对称的四个,四个搅拌杆的外表面均固定连接有搅拌叶。
针对上述中的相关技术,发明人认为使用上述混合搅拌釜对物料进行搅拌混合时,物料之间发生反应产生热量,混合搅拌釜内的温度较高时,易破坏物料的组成结构,易使物料合成失败。
实用新型内容
为了减少物料合成失败的现象,本申请提供一种基于温度控制的合成反应装置。
本申请提供一种基于温度控制的合成反应装置,采用如下的技术方案:
一种基于温度控制的合成反应装置,包括筒体,所述筒体的外侧设有用于将筒体内温度传出的帕尔贴半导体层,所述帕尔贴半导体层周向均匀设置于筒体的外侧。
通过采用上述技术方案,当筒体内温度较高时,帕尔贴半导体层通电,帕尔贴半导体层将筒体内的热量传出,进而有利于对筒体内进行降温,进而有利于减少物料组成结构损坏的现象,减少了物料合成失败的风险。
可选的,所述帕尔贴半导体层的外侧设有套层,所述套层周向均匀设置于帕尔贴半导体层的外侧,所述套层开设有用于储存水的空腔,所述空腔周向均匀设置。
通过采用上述技术方案,帕尔贴半导体层将热量传递至套层内,套层内的水对热量进行吸收,进而便于将热量进行利用,有利于节约资源。
可选的,所述筒体内设有用于搅拌物料的搅拌叶片,所述筒体的内侧转动连接有用于连接搅拌叶片的搅拌杆,所述搅拌杆水平设置,所述搅拌叶片与所述搅拌杆垂直设置,所述筒体的外侧设有用于驱动搅拌杆转动的驱动电机。
通过采用上述技术方案,启动驱动电机,驱动电机的输出轴带动搅拌杆转动,搅拌杆电动搅拌叶片转动,搅拌叶片对物料进行搅拌混合,进而有利于加快物料之间的反应速率,提高了物料的合成效率。
可选的,所述驱动电机的外侧设有用于防止灰尘落至驱动电机内的防护罩,所述防护罩与筒体的外侧相连接。
通过采用上述技术方案,防护罩将驱动电机包裹住,有利于减少灰尘落至驱动电机内,进而有利于减少驱动电机损坏的现象,提高了驱动电机的使用寿命。
可选的,所述筒体的上端开设有通口,所述筒体固定连接有连接环,所述连接环周向均匀设置于筒体的通口处,所述连接环的上端铰接有用于打开或关闭通口的清洁门。
通过采用上述技术方案,打开清洁门,工人通过通口对筒体内进行清洁,便于对残留的物料进行清理。
可选的,所述清洁门与所述连接环之间设有用于防止物料溢出的密封垫片,所述密封垫片与所述连接环相连接。
通过采用上述技术方案,密封垫片有利于减少物料溢出的现象,进而有利于节约物料,降低了生产成本。
可选的,所述筒体的上端设有多个进料筒,所述进料筒与所述筒体之间设有进料管,所述进料管设有用于导通或阻断进料管的进料阀门。
通过采用上述技术方案,进料阀门导通进料管,进料筒内的物料通过进料管通入至筒体内。进料阀门阻断进料管,使物料停止进入筒体内,便于控制物料的加入量
可选的,所述筒体设有检控电路,所述检控电路包括感应模块、比较模块和控制模块:
感应模块,包括温度传感器,温度传感器设于筒体内,温度传感器用于感应筒体内温度,并输出感应信号;
比较模块,比较模块与感应模块电连接,比较模块用于接收感应模块的感应信号,当比较模块接收到感应信号时,将感应信号对应的电压值与预设电压值相比较,如果感应信号对应的电压值大于预设电压值,则输出启动信号;
控制模块,控制模块与比较模块电连接,控制模块用于接收比较信息的启动信号,控制模块接收到启动信号时,输出控制信号,控制信号控制帕尔贴半导体层导通。
通过采用上述技术方案,温度传感器感应到筒体内的温度,并发出感应信号,比较模块接收到感应信号后,将感应信号对应的电压值与预设电压值相比较,如果感应信号对应的电压值大于预设电压值,则发出启动信号,控制模块接收到启动信号,输出控制信号,控制信号的控制帕尔贴半导体层导通,进料阀门关闭,进而便于对筒体内温度进行控制,有利于减少物料合成失败的现象。
综上所述,本申请包括以下至少一种基于温度控制的合成反应装置有益技术效果:
1.通过设置帕尔贴半导体层,帕尔贴半导体层导通,将筒体内的热量传递出,进而便于降低筒体内的温度,有利于减少物料合成失败的现象;
2.通过设置防护罩,防护罩将驱动电机包裹住,有利于减少灰尘落至驱动电机内的现象,使驱动电机不易损坏。
附图说明
图1是一种基于温度控制的合成反应装置的整体结构示意图。
图2是本申请实施例中凸显帕尔贴半导体层的结构示意图;
图3是本申请实施例中凸显感应模块、比较模块和报警模块的结构示意图;
图4是本申请实施例中凸显控制模块的结构示意图。
附图标记说明:1、储物机构;11、筒体;12、进料筒;13、进料管;14、进料阀门;15、排料管;16、排料阀门;17、连接环;18、清洁门;19、密封垫片;2、搅拌机构;21、搅拌叶片;22、搅拌杆;23、驱动电机;24、防护罩;3、传热机构;31、帕尔贴半导体层;32、套层;4、感应模块;5、比较模块;6、报警模块;7、控制模块;41、温度传感器;61、蜂鸣器。
具体实施方式
以下结合全部附图对本申请作进一步详细说明。
本申请实施例公开一种基于温度控制的合成反应装置。
参照图1和图2,一种基于温度控制的合成反应装置,包括储物机构1、搅拌机构2和传热机构3,储物机构1与搅拌机构2相连接,传热机构3位于储物机构1的外侧。将物料通入储物机构1内,搅拌机构2对物料进行搅拌混合,使物料充分反应。物料之间发生反应放出热量,传热机构3将储物机构1内的热量传出,使储物机构1内物料的组成结构不易被破坏。
参照图1和图2,储物机构1包括筒体11、三个进料筒12、三个进料管13、三个进料阀门14、排料管15和排料阀门16,筒体11的上端与进料管13相连通,进料管13与筒体11固定连接,进料管13远离筒体11的一端与进料筒12相连通,进料管13与进料筒12固定连接,进料阀门14设置于进料管13靠近进料筒12的一端,筒体11的下端与排料管15相连通,排料阀门16设置于排料管15靠近筒体11的一端。
参照图1和图2,打开进料阀门14,进料筒12中的物料通过进料管13导入至筒体11内,进料阀门14便于控制物料的进入,进而便于控制物料的加入量。打开出料阀门,合成后的物料通过排料管15排出,便于将加工完成的物料排出。
参照图1和图2,储物机构1还包括连接环17、清洁门18和密封垫片19,筒体11的上端开设有通口,连接环17周向均匀设置于筒体11的通口处,连接环17与筒体11固定连接,连接环17远离筒体11的一端与清洁门18铰接,清洁门18通过螺栓锁紧在连接环17上,密封垫片19位于连接环17与清洁门18之间,密封垫片19与连接环17的上端固定连接。
参照图1和图2,密封垫片19起密封作用,有利于减少物料溢出的现象,进而有利于节约物料,降低了生产成本。将螺栓拆卸下,打开清洁门18,便于工人对筒体11内部进行清洁。
参照图1和图2,搅拌机构2包括若干搅拌叶片21、搅拌杆22、驱动电机23和防护罩24,筒体11的外侧与驱动电机23固定连接,驱动电机23的输出轴与搅拌杆22转动连接,搅拌杆22位于筒体11内,搅拌杆22与驱动电机23的输出轴固定连接,搅拌杆22水平设置,搅拌叶片21均匀设置于搅拌杆22上,搅拌叶片21与搅拌杆22垂直设置。防护罩24的一端固定连接有凸环,凸环沿防护罩24外侧周向设置,凸环通过螺栓与筒体11可拆卸连接,驱动电机23位于防护罩24内。
参照图1和图2,防护罩24对驱动电机23起防护作用,有利于减少灰尘落至驱动电机23内,使驱动电机23不易损坏。物料进入筒体11内,启动驱动电机23,驱动电机23的输出轴转动,带动搅拌杆22转动,搅拌杆22带动搅拌叶片21转动,搅拌叶片21对物料进行混合搅拌,便于提高物料的合成效率。
参照图1和图2,传热机构3包括帕尔贴半导体层31、套层32和检控电路,帕尔贴半导体层31固定连接于筒体11的外侧,帕尔贴半导体层31周向均匀设置,套层32固定连接于帕尔贴半导体层31的外侧,套层32周向均匀设置,套层32内开设有空腔,空腔周向均匀设置。
参照图3和图4,检控电路包括感应模块4、比较模块5、报警模块6和控制模块7:
感应模块4,包括温度传感器41,温度传感器41位于筒体11内,温度传感器41感应筒体11内的温度,当温度传感器41感应到机体内的温度时,输出感应信号;
比较模块5,包括:
比较器T,比较器T的正向输入端与温度传感器41的输出端电连接;
三极管Q,三极管Q的基极与比较器T的输出端电连接;
电阻R1,电阻R1的一端与三极管Q的集电极电连接,电阻R1的另一端与电源VCC电连接;
继电器的电磁线圈KA1,继电器的电磁线圈KA1的一端与三极管Q的发射极电连接;
电阻R2,电阻R2的一端与继电器的电磁线圈KA1远离三极管Q的一端电连接,电阻R2的另一端接地;
报警模块6,包括:
蜂鸣器61,蜂鸣器61的一端电连接与继电器的电磁线圈KA1和电阻R2之间;
电阻R3,电阻R3的一端与蜂鸣器61远离电阻R2的一端电连接,电阻R3的另一端接地;
控制模块7,包括:
继电器的常开开关KA1-1,继电器的常开开关KA1-1的一端与电源VCC点连接;
帕尔贴半导体层31,帕尔贴半导体层31的一端与继电器的常开开关KA1-1远离电源VCC的一端电连接;
进料阀门14,进料阀门14的一端与继电器的常开开关KA1-1远离电源VCC的一端电连接;
电阻R4,电阻R4的一端分别与帕尔贴半导体层31远离继电器的常开开关KA1-1的一端和进料阀门14远离继电器的常开开关KA1-1的一端电连接,电阻R4的另一端接地。
参照图3和图4,当温度传感器41感应到筒体11内的温度时,输出感应信号,比较器T收到到感应信号,将感应信号对应的电压值与预设电压值相比较,如果感应信号对应的电压值大于预设电压值,则输出启动信号,控制模块7接收到启动信号时,输出控制信号,控制信号控制帕尔贴半导体层31导通,同时控制进料阀门14关闭,进而便于对筒体11进行降温,同时使新的物料停止进入筒体11内,进而有利于对筒体11内温度进行控制,减少了物料合成失败的现象。帕尔贴半导体层31将热量传递至套层32内的空腔中,空腔中的水对热量进行吸收,进而便于对热量进行利用,有利于节约能源。
本申请实施例一种基于温度控制的合成反应装置的实施原理为:进料筒12中的物料通过进料管13进入筒体11内,启动驱动电机23,驱动电机23的输出轴带动搅拌杆22转动,搅拌杆22带动搅拌叶片21转动,搅拌叶片21搅拌物料。温度传感器41感应筒体11内的温度,输出感应信号,比较器T收到到感应信号,将感应信号对应的电压值与预设电压值相比较,如果感应信号对应的电压值大于预设电压值,则输出启动信号,控制模块7接收到启动信号时,输出控制信号,控制信号控制帕尔贴半导体层31导通,同时控制进料阀门14关闭,套层32空腔内的水吸收帕尔贴半导体层31传出的热量。
以上均为本申请的较佳实施例,并非依此限制本申请的保护范围,故:凡依本申请的结构、形状、原理所做的等效变化,均应涵盖于本申请的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种基于温度控制的合成反应装置,包括筒体(11),其特征在于:所述筒体(11)的外侧设有用于将筒体(11)内温度传出的帕尔贴半导体层(31),所述帕尔贴半导体层(31)周向均匀设置于筒体(11)的外侧,所述帕尔贴半导体层(31)的外侧设有套层(32),所述套层(32)周向均匀设置于所述帕尔贴半导体层(31)的外侧,所述套层(32)开设有用于储存水的空腔,所述空腔周向均匀设置。
2.根据权利要求1所述的一种基于温度控制的合成反应装置,其特征在于:所述筒体(11)内设有用于搅拌物料的搅拌叶片(21),所述筒体(11)的内侧转动连接有用于连接搅拌叶片(21)的搅拌杆(22),所述搅拌杆(22)水平设置,所述搅拌叶片(21)与所述搅拌杆(22)垂直设置,所述筒体(11)的外侧设有用于驱动搅拌杆(22)转动的驱动电机(23)。
3.根据权利要求2所述的一种基于温度控制的合成反应装置,其特征在于:所述驱动电机(23)的外侧设有用于防止灰尘落至驱动电机(23)内的防护罩(24),所述防护罩(24)与所述筒体(11)的外侧相连接。
4.根据权利要求1所述的一种基于温度控制的合成反应装置,其特征在于:所述筒体(11)的上端开设有通口,所述筒体(11)固定连接有连接环(17),所述连接环(17)周向均匀设置于筒体(11)的通口处,所述连接环(17)的上端铰接有用于打开或关闭通口的清洁门(18)。
5.根据权利要求4所述的一种基于温度控制的合成反应装置,其特征在于:所述清洁门(18)与连接环(17)之间设有用于防止物料溢出的密封垫片(19),所述密封垫片(19)与所述连接环(17)相连接。
6.根据权利要求1所述的一种基于温度控制的合成反应装置,其特征在于:所述筒体(11)的上端设有多个进料筒(12),所述进料筒(12)与所述筒体(11)之间设有进料管(13),所述进料管(13)设有用于导通或阻断进料管(13)的进料阀门(14)。
7.根据权利要求1所述的一种基于温度控制的合成反应装置,其特征在于:所述筒体(11)设有检控电路,所述检控电路包括感应模块(4)、比较模块(5)和控制模块(7):
感应模块(4),包括温度传感器(41),温度传感器(41)设于筒体(11)内,温度传感器(41)用于感应筒体(11)内温度,并输出感应信号;
比较模块(5),比较模块(5)与感应模块(4)电连接,比较模块(5)用于接收感应模块(4)的感应信号,当比较模块(5)接收到感应信号时,将感应信号对应的电压值与预设电压值相比较,如果感应信号对应的电压值大于预设电压值,则输出启动信号;
控制模块(7),控制模块(7)与比较模块(5)电连接,控制模块(7)用于接收比较信息的启动信号,控制模块(7)接收到启动信号时,输出控制信号,控制信号控制帕尔贴半导体层(31)导通。
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