CN217507338U - 一种显示面板及移动终端 - Google Patents

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CN217507338U CN202221420994.9U CN202221420994U CN217507338U CN 217507338 U CN217507338 U CN 217507338U CN 202221420994 U CN202221420994 U CN 202221420994U CN 217507338 U CN217507338 U CN 217507338U
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王兴华
徐乾坤
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Abstract

本申请提供一种显示面板及移动终端，通过设置金属层包括间隔设置的源极、漏极以及栅极，从而可以采用一道光罩制程同时制作源极、漏极以及栅极，进而节约制作成本、提高生产效率；并且通过设置栅极与有源段相对应，源极覆盖第一导体部，漏极覆盖第二导体部，栅极绝缘层位于有源层和栅极之间，栅极绝缘层在基底上的正投影位于有源层在基底上的正投影内，与现有的薄膜晶体管层制作工艺相比，本实施例无需通过刻蚀工艺开设接触过孔，使得所述薄膜晶体管层的所述源极和所述漏极通过接触过孔与所述有源层连接，进一步节省了制作成本。

Description

一种显示面板及移动终端
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及移动终端。
背景技术
薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)是目前液晶显示面板(LiquidCrystalDisplay，简称LCD)、有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode，简称OLED)移动终端及微发光二极管(Mini/MicroLightEmittingDiode，Mini/-LED/Micro-LED，合称MLED)等平板移动终端中的主要驱动元件，直接关系到高性能平板移动终端的发展方向。
在传统的薄膜晶体管制作方法中，需要制作多个膜层堆叠结构，且还需刻蚀接触过孔分别使得薄膜晶体管的源极和漏极与有源层连接，其工艺过程繁琐，严重降低了工业化制作产能，增加了成本。
实用新型内容
本申请实施例提供一种显示面板及移动终端，用以节省现有薄膜晶体管制作工艺的成本。
为实现上述功能，本申请实施例提供的技术方案如下：
本申请实施例提供一种显示面板，包括
基底：
薄膜晶体管层，位于所述基底上，所述薄膜晶体管层包括位于所述基底上的有源层、栅极绝缘层以及金属层，所述有源层包括第一导体部、第二导体部以及位于所述第一导体部和所述第二导体部之间的有源段；
其中，所述金属层包括间隔设置的源极、漏极以及栅极，所述源极覆盖所述第一导体部，所述漏极覆盖所述第二导体部，所述栅极与所述有源段相对应，所述栅极绝缘层位于所述有源层和所述栅极之间，所述栅极绝缘层在所述基底上的正投影位于所述有源层在所述基底上的正投影内。
在本申请实施例所提供的显示面板中，在所述栅极绝缘层靠近所述有源层的方向上，所述栅极绝缘层的宽度逐渐减小。
在本申请实施例所提供的显示面板中，在垂直于所述基底的方向上，所述栅极绝缘层的厚度大于或等于所述源极的厚度。
在本申请实施例所提供的显示面板中，在垂直于所述基底的方向上，所述栅极绝缘层的厚度等于所述源极的厚度。
在本申请实施例所提供的显示面板中，所述栅极在所述基底上的正投影与所述源极在所述基底上的正投影不重叠，所述栅极在所述基底上的正投影与所述漏极在所述基底上的正投影不重叠。
在本申请实施例所提供的显示面板中，所述栅极绝缘层具有与所述有源层接触的第一侧、及与所述栅极接触的第二侧，所述第一侧具有沿从所述第一导体部到所述第二导体部的方向的第一宽度，所述第二侧具有沿从所述第一导体部到所述第二导体部的方向的第二宽度，所述第二宽度大于所述第一宽度。
在本申请实施例所提供的显示面板中，在垂直于所述显示面板的方向上，所述栅极绝缘层的横截面的形状为倒梯形。
在本申请实施例所提供的显示面板中，所述显示面板还包括位于所述薄膜晶体管层远离所述基底一侧的钝化层、及位于所述钝化层远离所述钝化层一侧的电极层，所述电极层为像素电极、公共电极或阳极中的一种。
在本申请实施例所提供的显示面板中，所述显示面板还包括位于所述基底和所述薄膜晶体管层之间的遮光层和缓冲层，所述有源层在所述基底上的正投影位于所述遮光层在所述基底上的正投影内，所述缓冲层上开设有暴露部分所述遮光层的第一过孔，所述源极或者所述漏极通过所述第一过孔与所述遮光层连接。
本申请实施例提供一种移动终端，包括终端主体和上述任一所述的显示面板，所述终端主体与所述显示面板组合为一体。
本申请实施例的有益效果：本申请实施例提供一种显示面板及移动终端，所述显示面板包括层叠设置的基底和薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括位于所述基底上的有源层、钝化层以及金属层，所述有源层包括第一导体部、第二导体部以及位于所述第一导体部和所述第二导体部之间的有源段；其中，本申请实施例通过设置所述金属层包括源极、漏极以及栅极，从而可以采用一道光罩制程同时制作所述源极、所述漏极以及所述栅极，进而节约制作成本、提高生产效率；并且通过设置所述源极覆盖所述第一导体部，所述漏极覆盖所述第二导体部，所述栅极与所述有源段相对应，所述栅极绝缘层位于所述有源层和所述栅极之间，所述栅极绝缘层在所述基底上的正投影位于所述有源层在所述基底上的正投影内，与现有的薄膜晶体管层制作工艺相比，本实施例无需通过刻蚀工艺开设接触过孔，使得所述薄膜晶体管层的所述源极和所述漏极通过接触过孔与所述有源层连接，进一步节省了制作成本。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有显示面板的截面示意图；
图2为本申请实施例所提供的显示面板的第一种截面示意图；
图3为本申请实施例所提供的显示面板的第二种截面示意图；
图4为本申请实施例所提供显示面板的制作方法的流程图；
图5A至图5F为图4中显示面板制作的结构工艺流程图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
本申请实施例提供一种显示面板及移动终端。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
请参阅图2～图5F，本申请实施例提供一种显示面板及移动终端，所述显示面板1包括：
基底10；
薄膜晶体管层40，位于所述基底10上，所述薄膜晶体管层40包括位于所述基底10上的有源层41、栅极绝缘层42以及金属层43，所述有源层41包括第一导体部(图中未标出)、第二导体部(图中未标出)以及位于所述第一导体部和所述第二导体部之间的有源段(图中未标出)；
其中，所述金属层43包括间隔设置的源极43B、漏极43C以及栅极43A，所述源极43B覆盖所述第一导体部，所述漏极43C覆盖所述第二导体部，所述栅极43A与所述有源段相对应，所述栅极绝缘层42位于所述有源层41和所述栅极43A之间，所述栅极绝缘层42在所述基底10上的正投影位于所述有源层41在所述基底10上的正投影内。
可以理解的是，目前，在现有显示面板中，如图1所示，为现有显示面板的截面示意图，显示面板1包括基底10和层叠设置于所述基底10上的遮光层20、缓冲层30、薄膜晶体管层40、桥接层50D、发光器件层以及封装层90，其中，所述薄膜晶体管层40包括依次层叠设置于所述基底10上的有源层41、栅极绝缘层42、栅极43A、层间绝缘层44、源极43B、漏极43C以及钝化层45；其中，在传统的薄膜晶体管层40制作方法中，需要制作多个膜层堆叠结构，且还需在所述栅极绝缘层42上刻蚀接触过孔使得所述源极43B和所述漏极43C与所述有源层41连接，其工艺过程繁琐，严重降低了工业化制作产能，增加了制作成本。
承上，本实施通过设置所述金属层43包括间隔设置的源极43B、漏极43C以及栅极43A，从而可以采用一道光罩制程同时制作所述源极43B、所述漏极43C以及所述栅极43A，进而节约制作成本、提高生产效率；并且通过设置所述源极43B覆盖所述第一导体部，所述漏极43C覆盖所述第二导体部，所述栅极43A与所述有源段相对应，所述栅极绝缘层42位于所述有源层41和所述栅极43A之间，所述栅极绝缘层42在所述基底10上的正投影位于所述有源层41在所述基底10上的正投影内，与现有的薄膜晶体管层40制作工艺相比，本实施例无需通过刻蚀工艺开设接触过孔，使得所述薄膜晶体管层40的所述源极43B和所述漏极43C通过接触过孔与所述有源层41连接，进一步节省了制作成本。
现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。
在一实施例中，请参阅图2，为本申请实施例所提供的显示面板的第一种截面示意图。
本实施例提供一种显示面板1，所述显示面板1包括但不限于液晶显示面板(LiquidCrystalDisplay，简称LCD)、有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode，简称OLED)显示面板及微发光二极管(Mini/MicroLightEmittingDiode，Mini/-LED/Micro-LED，合称MLED)显示面板中的一种；需要说明的是，本实施例以所述显示面板为有机发光二极管显示面板为例对本申请的技术方案进行描述。
在本实施例中，所述显示面板1包括基底10、位于所述基底10上的遮光层20、位于所述遮光层20远离所述基底10一侧的缓冲层30、位于所述缓冲层30远离所述遮光层20一侧的薄膜晶体管层40、位于所述薄膜晶体管层40远离所述缓冲层30一侧的发光器件层以及位于所述发光器件层远离所述薄膜晶体管层40一侧的封装层90。
所述基底10包括依次层叠设置的第一衬底(图中未画出)、间隔层(图中未画出)以及第二衬底(图中未画出)，其中，所述第一衬底和所述第二衬底均可以包括刚性衬底或柔性衬底，本实施例对所述第一衬底、所述第二衬底以及所述间隔层的材料均不做限制。
所述薄膜晶体管层40包括位于所述基底10上的有源层41、栅极绝缘层42以及金属层43，所述有源层41包括第一导体部(图中未标记)、第二导体部(图中未标记)以及位于所述第一导体部和所述第二导体部之间的有源段(图中未标记)。
其中，所述有源层41的材料包括金属氧化物半导体，所述遮光层20的材料包括但不限于钼(Mo)、钛(Ti)、镍(Ni)其中的一种或多种合金，优选地，所述遮光层20的材料为钼钛合金(MoTi)，所述有源层41在所述基底10上的正投影位于所述遮光层20在所述基底10上的正投影内，可以理解的是，所述遮光层20可以对射向所述有源层41的光进行遮挡，从而减少因光照射所述有源层41产生的光生载流子导致的漏电流增加，进而保持所述显示面板1工作时的稳定性。
进一步地，所述金属层43包括间隔设置的源极43B、漏极43C以及栅极43A，所述源极43B覆盖所述第一导体部，所述漏极43C覆盖所述第二导体部，所述栅极43A与所述有源段相对应，所述栅极绝缘层42位于所述有源层41和所述栅极43A之间，所述栅极绝缘层42在所述基底10上的正投影位于所述有源层41在所述基底10上的正投影内；其中，所述缓冲层30上开设有暴露部分所述遮光层20的第一过孔31，所述源极43B或者所述漏极43C通过所述第一过孔31与所述遮光层20连接；优选地，在本实施例中，所述漏极43C通过所述第一过孔31与所述遮光层20连接。
可以理解的是，本实施例通过设置所述金属层43包括间隔设置的源极43B、漏极43C以及栅极43A，从而可以采用一道光罩制程同时制作所述源极43B、所述漏极43C以及所述栅极43A，进而节约制作成本、提高生产效率；并且通过设置所述源极43B覆盖所述第一导体部，所述漏极43C覆盖所述第二导体部，所述栅极43A与所述有源段相对应，所述栅极绝缘层42位于所述有源层41和所述栅极43A之间，所述栅极绝缘层42在所述基底10上的正投影位于所述有源层41在所述基底10上的正投影内，与现有的薄膜晶体管层40制作工艺相比，本实施例无需通过刻蚀工艺开设接触过孔，使得所述薄膜晶体管层40的所述源极43B和所述漏极43C通过接触过孔与所述有源层41连接，进一步节省了制作成本。
在本实施例中，在垂直于所述显示面板1的方向上，所述栅极绝缘层42的横截面可以为任何合适的形状和尺寸，所述合适的形状包括但不限于矩形、梯形和倒梯形，优选地，本实施例以在垂直于所述显示面板1的方向上，所述栅极绝缘层42的横截面为倒梯形为例对本申请的技术方案进行举例说明。
在本实施例中，在所述栅极绝缘层42靠近所述有源层41的方向上，所述栅极绝缘层42的宽度逐渐减小；具体地，所述栅极绝缘层42具有与所述有源层41接触的第一侧、及与所述栅极43A接触的第二侧，所述第一侧具有沿从所述第一导体部到所述第二导体部的方向的第一宽度，所述第二侧具有沿从所述第一导体部到所述第二导体部的方向的第二宽度，所述第二宽度大于所述第一宽度；可以理解的是，本实施例通过设置在垂直于所述显示面板1的方向上，所述栅极绝缘层42的横截面为倒梯形，从而使由同一所述金属层43制作的所述栅极43A、所述源极43B以及所述漏极43C可以在所述栅极绝缘层42处断开。
进一步地，在本实施例中，在垂直于所述基底10的方向上，所述栅极绝缘层42的厚度大于或等于所述源极43B的厚度；优选地，在垂直于所述基底10的方向上，所述栅极绝缘层42的厚度等于所述源极43B的厚度；具体地，在垂直于所述显示面板1的方向上，所述栅极绝缘层42的顶面所在的水平面于所述源极43B的顶面所在的水平面平齐，所述栅极绝缘层42的顶面所在的水平面于所述漏极43C的顶面所在的水平面平齐，从而利用所述栅极绝缘层42高度形成所述栅极43A与所述源极43B之间的隔断、及形成所述栅极43A与所述漏极43C之间的隔断，使所述栅极43A在所述基底10上的正投影与所述源极43B在所述基底10上的正投影不重叠，所述栅极43A在所述基底10上的正投影与所述漏极43C在所述基底10上的正投影不重叠，进而避免由同一所述金属层43制作的所述栅极43A、所述源极43B以及所述漏极43C会在栅极绝缘层42上部分接触，从而影响了所述薄膜晶体管层40的电学特性。
在本实施例中，所述显示面板1还包括位于所述薄膜晶体管层40和所述发光器件层之间的桥接层50D和平坦层46，所述平坦层46在所述基底10上的正投影覆盖所述桥接层50D，所述发光器件层包括层叠设置于所述平坦层46上的电极层50、发光层70以及阴极80；其中，所述薄膜晶体管层40还包括位于所述金属层43和所述桥接层50D之间的钝化层45，所述钝化层45覆盖所述金属层43和所述缓冲层30，所述电极层50为阳极50A，所述钝化层45上开设有暴露部分所述源极43B或所述漏极43C的第二过孔51，所述桥接层50D通过所述第二过孔51与所述源极43B或所述漏极43C连接，所述平坦层46开设有暴露部分所述桥接层50D的第三过孔52，所述阳极50A通过所述第三过孔52与所述桥接层50D连接，即，所述阳极50A通过所述桥接层50D与所述源极43B或所述漏极43C连接；优选地，在本实施例中，所述钝化层45上开设有暴露部分所述漏极43C的所述第二过孔51，所述桥接层50D通过所述第二过孔51与所述漏极43C连接，所述阳极50A通过所述桥接层50D与所述漏极43C连接。
需要说明的是，在本实施例中，所述显示面板1还包括位于所述电极层50远离所述平坦层46一侧的像素定义层60，所述像素定义层60上开设暴露所述电极层50的开孔(图中未标记)，所述发光层70位于所述开孔内，所述所述发光层70通过所述开孔与所述电极层50连接，所述阴极80通过所述开孔与所述发光层70连接。
可以理解的是，在本实施例中，所述钝化层45、所述桥接层50D、所述平坦层46、所述阳极50A、所述发光层70、所述阴极80以及所述封装层90为现有技术中的常规膜层，本实施例对此不做过多赘叙。
在另一实施例中，请结合图3，为本申请实施例所提供的显示面板的第二种截面示意图。
在本实施例中，所述显示面板的结构与上述实施例所提供的显示面板结构相似/相同，具体请参照上述实施例中的显示面板的描述，此处不再赘述，两者的区别仅在于：
在本实施例中，所述显示面板1包括但不限于液晶显示面板1(LiquidCrystalDisplay，简称LCD)、有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode，简称OLED)显示面板1及微发光二极管(Mini/MicroLightEmittingDiode，Mini/-LED/Micro-LED，合称MLED)显示面板1中的一种；需要说明的是，本实施例以所述显示面板1为液晶显示面板1为例对本申请的技术方案进行描述。
在本实施例中，所述显示面板1包括相对设置的第一基板100、第二基板200以及设置于所述第一基板100与所述第二基板200之间的液晶层(图中未画出)；优选地，所述第一基板100为阵列基板，所述第二基板200为彩膜基板。
所述第一基板100包括基底10、位于所述基底10上的遮光层20、位于所述遮光层20远离所述基底10一侧的缓冲层30、位于所述缓冲层30远离所述遮光层20一侧的薄膜晶体管层40、位于所述薄膜晶体管层40远离所述缓冲层30一侧的电极层50。
所述薄膜晶体管层40包括位于所述基底10上的有源层41、栅极绝缘层42、金属层43以及钝化层45，所述电极层50包括位于所述钝化层45远离所述金属层43一侧的第一电极50B和第二电极50C，所述显示面板1还包括位于所述第一电极50B和第二电极50C之间的平坦层46。
其中，所述第一电极50B和所述第二电极50C中的一者为像素电极，所述第一电极50B和所述第二电极50C中的另一者为公共电极；优选地，在本实施例中，所述第一电极50B为像素电极，所述第二电极50C为公共电极；所述钝化层45上开设有暴露部分所述源极43B或所述漏极43C的第二过孔51，所述第一电极50B通过所述第二过孔51与所述源极43B或所述漏极43C连接，优选地，在本实施例中，所述钝化层45上开设有暴露部分所述漏极43C的第二过孔51，所述第一电极50B通过所述第二过孔51与所述漏极43C连接。
需要说明的是，在另一实施例中，所述第一电极50B可为公共电极，所述第二电极50C可为像素电极，所述第二电极50C可以通过所述第二过孔51与所述漏极43C连接，因此，本实施例对所述第一电极50B和所述第二电极50C的种类不做具体限制。
本申请实施例还提供一种显示面板的制作方法，请结合图2、图4以及图5A至图5F、所述显示面板的制作方法包括以下步骤：
步骤S100：提供一基底10，包括提供一第一衬底，以及依次形成于所述第一衬底上的间隔层、第二衬底、遮光层20以及缓冲层30；如图5A所示。
其中，当所述第一衬底和所述第二衬底均为刚性衬底时，材料可以是金属或玻璃，当所述第一衬底和所述第二衬底均为柔性衬底时，材料可以包括丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧基树脂、聚氨酯基树脂、纤维素树脂、硅氧烷树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酰胺基树脂中的至少一种；所述间隔层的材质包括但不限于氮化硅(SiNX)、硅氧化物(SiOX)等具有吸水性能的材质。
所述遮光层20的材料包括但不限于金属或不透光的非金属，在本实施例中，优选所述遮光层20的材料为金属材料，所金属材料包括但不限于钼(Mo)、钛(Ti)、镍(Ni)其中的一种或多种合金；具体地，本实施例通过在所述基底10上沉积金属材料层，使用第一道黄光工艺，采用湿法蚀刻(Wet)图形化所述金属材料层，从而形成具备走线及遮光作用的遮光层20图形。
所述缓冲层30的材料包括但不限于单层氮化硅(Si3N4)、单层二氧化硅(SiO2),单层氮氧化硅(SiONx)，或是以上膜层的双层结构，所述缓冲层30的制作方法包括但不限于等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)。
步骤S200：所述基底10上依次形成有源层41、栅极绝缘层42以及金属层43，所述有源层41包括第一导体部、第二导体部以及位于所述第一导体部和所述第二导体部之间的有源段。
具体地，在本实施例中，所述步骤S200包括以下步骤：
步骤S201：在所述基底10上形成有源层41，所述有源层41包括但不限于金属氧化物半导体层，所述氧化物半导体层的材料包括但不限于氧化铟镓锌(Indium Gallium ZincOxide，IGZO)、氧化铟锡锌(Indium Tin Zinc Oxide，ITZO)或铟镓锌钛氧化物(IndiumGallium Zinc Tin Oxide，IGZTO)，具体地，采用物理气相沉积法(PVD)在所述缓冲层30上沉积金属氧化物半导体层，使用第二道黄光工艺图案化所述氧化物半导体层，从而形成有源层41，如图5B所示。
步骤S202：在所述有源层41远离所述基底10的一侧形成栅极绝缘材料层，所述栅极绝缘材料层的材料包括但不限于氧化硅(SiOX)。
步骤S203：对所述栅极绝缘材料层进行图案化处理形成所述栅极绝缘层42，其中，优选黄光和干法蚀刻对所述栅极绝缘材料层进行图案化处理，从而形成栅极绝缘层42，所述栅极绝缘层42在所述基底10上的正投影覆盖所述有源段，其中，在所述栅极绝缘层42靠近所述有源层41的方向上，所述栅极绝缘层42的宽度逐渐减小；具体地，在垂直于所述显示面板1的方向上，所述栅极绝缘层42的横截面为倒梯形；并且，同时通过上述黄光制程，在所述缓冲层30上开设暴露部分所述遮光层20的第一过孔31，如图5C所示。
所述栅极绝缘层42具有与所述有源层41接触的第一侧以及与所述栅极43A接触的第二侧，所述第一侧具有沿从所述第一导体部到所述第二导体部的方向的第一宽度；所述第二侧具有沿从所述第一导体部到所述第二导体部的方向的第二宽度，所述第二宽度大于所述第一宽度；可以理解的是，本实施例通过设置在垂直于所述显示面板1的方向上，所述栅极绝缘层42的横截面为倒梯形，从而适合用于后续制作流程中，对所述金属层43起到隔断作用，以使由同一所述金属层43制作的所述栅极43A、所述源极43B以及所述漏极43C可以在所述栅极绝缘层42处断开。
步骤S204：在所述栅极绝缘层42远离所述有源层41的一侧形成金属层43，所述金属层43的材料均包括但不限于钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钛(Ti)、钽(Ta)和钨(W)中的至少一种金属，本实施例对此不做具体限制。
步骤S300：对所述金属层43图案化处理，在所述基底10上形成间隔设置的源极43B、漏极43C以及栅极43A，其中，所述源极43B覆盖所述第一导体部，所述漏极43C覆盖所述第二导体部，所述栅极43A与所述有源段相对应，所述栅极绝缘层42位于所述有源层41和所述栅极43A之间，所述栅极绝缘层42在所述基底10上的正投影位于所述有源层41在所述基底10上的正投影内，如图5D所示；优选地，所述金属层43可以采用物理气象沉积工艺(PhysicalVaporDeposition,PVD)制作。
进一步地，在本实施例中，在垂直于所述基底10的方向上，所述栅极绝缘层42的厚度大于或等于所述源极43B的厚度；优选地，在垂直于所述基底10的方向上，所述栅极绝缘层42的厚度等于所述源极43B的厚度；具体地，在垂直于所述显示面板1的方向上，所述栅极绝缘层42的顶面所在的水平面于所述源极43B的顶面所在的水平面平齐，所述栅极绝缘层42的顶面所在的水平面于所述漏极43C的顶面所在的水平面平齐，从而利用所述栅极绝缘层42高度形成所述栅极43A与所述源极43B之间的隔断、及形成所述栅极43A与所述漏极43C之间的隔断，使所述栅极43A在所述基底10上的正投影与所述源极43B在所述基底10上的正投影不重叠，所述栅极43A在所述基底10上的正投影与所述漏极43C在所述基底10上的正投影不重叠，进而避免由同一所述金属层43制作的所述栅极43A、所述源极43B以及所述漏极43C会在栅极绝缘层42上部分接触，从而影响了所述薄膜晶体管层40的电学特性。
可以理解的是，本实施例通过对所述金属层43图案化处理，在所述基底10上形成间隔设置的源极43B、漏极43C以及栅极43A，从而节约所示显示面板1的制作成本、提高生产效率；并且通过设置所述源极43B覆盖所述第一导体部，所述漏极43C覆盖所述第二导体部，所述栅极43A与所述有源段相对应，所述栅极绝缘层42位于所述有源层41和所述栅极43A之间，所述栅极绝缘层42在所述基底10上的正投影位于所述有源层41在所述基底10上的正投影内，与现有的薄膜晶体管层40制作工艺相比，本实施例无需通过刻蚀工艺开设接触过孔，使得所述薄膜晶体管层40的所述源极43B和所述漏极43C通过接触过孔与所述有源层41连接，进一步节省了制作成本。
在本实施例中，所述显示面板1的制作方法还包括以下步骤：
步骤S400：在所述金属层43远离所述栅极绝缘层42的一侧形成钝化层45，其中，所述钝化层45的材料包括但不限于氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等或其层叠，所述钝化层45的制作方法包括但不限于气相沉积法。
步骤S500：在所述钝化层45远离所述金属层43的一侧形成电极层50，所述电极层50为像素电极、公共电极或阳极50A中的一种；优选地，所述电极层50为阳极50A，所述电极层50的材料包括金属氧化物材料，所述金属氧化物材料包括但不限于氧化铟镓锌(IndiumGalliumZincOxide，IGZO)。
具体地，在所述步骤S500之前，所述显示面板1的制作方法还包括以下步骤：
步骤S410:对所述钝化层45图案化处理，形成暴露部分所述漏极43C的第二过孔51。
步骤S420:在所述钝化层45远离所述金属层43的一侧形成桥接层50D，所述桥接层50D的材料为金属材料，所述金属材料包括但不限于钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钛(Ti)、钽(Ta)和钨(W)中的至少一种金属，所述桥接层50D通过所述第二过孔51与所述漏极43C连接，如图5E所示。
步骤S430:在所述桥接层50D远离所述金属层43的一侧形成平坦层46，对所述平坦层46图案化处理，形成暴露部分所述桥接层50D的第三过孔52；优选地，所述平坦层46可以采用化学气相沉积法(ChemicalVaporDeposition，CVD)制作。
进一步地，所述电极层50位于所述平坦层46远离所述桥接层50D的一侧，所述电极层50通过所述第三过孔52与所述桥接层50D连接，所述电极层50通过所述桥接层50D与所述漏极43C连接，如图5F所示。
步骤S600:在所述电极层50远离所述平坦层46的一侧依次形成像素定义层60、发光层70、阴极80以及封装层90，如图2所示；其中，所述像素定义层60、所述发光层70、所述阴极80以及所述封装层90为现有技术中广泛使用的常规膜层，本实施例对此不再赘述。
本实施例提供一种移动终端，所述移动终端包括终端主体和上述任一实施例中所述的显示面板，所述终端主体与所述显示面板组合为一体。
可以理解的是，所述显示面板已经在上述实施例中进行了详细的说明，在此不在重复说明。
在具体应用时，所述移动终端可以为智能手机、平板电脑、笔记本电脑、智能手环、智能手表、智能眼镜、智能头盔、台式机电脑、智能电视或者数码相机等设备的显示屏，甚至可以应用在具有柔性显示屏的电子设备上。
综上所述，本申请提供一种显示面板及移动终端，所述显示面板包括层叠设置的基底和薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括位于所述基底上的有源层、钝化层以及金属层，所述有源层包括第一导体部、第二导体部以及位于所述第一导体部和所述第二导体部之间的有源段；其中，本申请实施例通过设置所述金属层包括间隔设置的源极、漏极以及栅极，从而可以采用一道光罩制程同时制作所述源极、所述漏极以及所述栅极，进而节约制作成本、提高生产效率；并且通过设置所述源极覆盖所述第一导体部，所述漏极覆盖所述第二导体部，所述栅极与所述有源段相对应，所述栅极绝缘层位于所述有源层和所述栅极之间，所述栅极绝缘层在所述基底上的正投影位于所述有源层在所述基底上的正投影内，与现有的薄膜晶体管层制作工艺相比，本实施例无需通过刻蚀工艺开设接触过孔，使得所述薄膜晶体管层的所述源极和所述漏极通过接触过孔与所述有源层连接，进一步节省了制作成本。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及移动终端进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括
基底：
薄膜晶体管层，位于所述基底上，所述薄膜晶体管层包括位于所述基底上的有源层、栅极绝缘层以及金属层，所述有源层包括第一导体部、第二导体部以及位于所述第一导体部和所述第二导体部之间的有源段；
其中，所述金属层包括间隔设置的源极、漏极以及栅极，所述源极覆盖所述第一导体部，所述漏极覆盖所述第二导体部，所述栅极与所述有源段相对应，所述栅极绝缘层位于所述有源层和所述栅极之间，所述栅极绝缘层在所述基底上的正投影位于所述有源层在所述基底上的正投影内。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，在所述栅极绝缘层靠近所述有源层的方向上，所述栅极绝缘层的宽度逐渐减小。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，在垂直于所述基底的方向上，所述栅极绝缘层的厚度大于或等于所述源极的厚度。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，在垂直于所述基底的方向上，所述栅极绝缘层的厚度等于所述源极的厚度。
5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述栅极在所述基底上的正投影与所述源极在所述基底上的正投影不重叠，所述栅极在所述基底上的正投影与所述漏极在所述基底上的正投影不重叠。
6.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述栅极绝缘层具有与所述有源层接触的第一侧、及与所述栅极接触的第二侧，所述第一侧具有沿从所述第一导体部到所述第二导体部的方向的第一宽度，所述第二侧具有沿从所述第一导体部到所述第二导体部的方向的第二宽度，所述第二宽度大于所述第一宽度。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，在垂直于所述显示面板的方向上，所述栅极绝缘层的横截面的形状为倒梯形。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括位于所述薄膜晶体管层远离所述基底一侧的钝化层、及位于所述钝化层远离所述钝化层一侧的电极层，所述电极层为像素电极、公共电极或阳极中的一种。
9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括位于所述基底和所述薄膜晶体管层之间的遮光层和缓冲层，所述有源层在所述基底上的正投影位于所述遮光层在所述基底上的正投影内，所述缓冲层上开设有暴露部分所述遮光层的第一过孔，所述源极或者所述漏极通过所述第一过孔与所述遮光层连接。
10.一种移动终端，其特征在于，所述移动终端包括终端主体和如权利要求1-9中任一项所述的显示面板，所述终端主体与所述显示面板组合为一体。
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