CN217214651U - 基板处理装置 - Google Patents

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畠山真一
川上浩平
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Abstract

本实用新型涉及基板处理装置，其不提高排气压地防止自基板甩出的成膜处理液向液体接受部的外部泄漏。基板处理装置包括：保持基板并使其旋转的保持旋转部、向基板供给成膜处理液的供给部以及接受因旋转而自基板甩出的成膜处理液的液体接受部，液体接受部在上部具有供基板穿过并向上方的空间开口的孔，液体接受部的内部被排气，基板处理包含供给处理和干燥处理，基板处理装置还包括相对于液体接受部的上表面进退自如的圆环状的圆环构件，在供给处理时，圆环构件以封堵液体接受部的孔的周缘的方式设于液体接受部的上表面，在干燥处理时，圆环构件自液体接受部的上表面退避。

Description

基板处理装置
技术领域
本实用新型涉及基板处理装置。
背景技术
专利文献1中公开有一种在基板形成涂布膜的涂布装置。在该装置中，一边对放置基板的处理气氛进行排气，一边向绕铅垂轴线进行旋转的基板的表面喷出利用溶剂稀释了的抗蚀液，而形成由抗蚀液构成的涂布膜。接着，停止处理气氛的排气，在基板的外周部形成了在自基板的外缘部甩出的抗蚀液中产生的溶剂气氛的状态下，使基板绕铅垂轴线旋转，并且使该基板的表面的抗蚀液干燥。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特许6206316号公报
实用新型内容
实用新型要解决的问题
本实用新型的技术不提高对液体接受部的内部进行排气的排气压地防止自旋转的基板甩出的与液体接受部碰撞而成为雾状的成膜处理液向液体接受部的外部泄漏。
用于解决问题的方案
本实用新型的一技术方案是一种基板处理装置，其对基板进行处理，其特征在于，该基板处理装置包括：保持旋转部，其保持基板并使该基板旋转；供给部，其向被所述保持旋转部保持着的基板供给成膜处理液；以及液体接受部，其接受由于所述保持旋转部的旋转而自基板甩出的成膜处理液，所述液体接受部在上部具有孔，该孔供向所述保持旋转部保持的基板穿过并成为相对于上方的空间的开口，所述液体接受部的内部被排气，所述基板处理包含向基板供给成膜处理液并使该基板旋转的供给处理和在所述供给处理之后使基板旋转并使基板上的成膜处理液干燥的干燥处理，该基板处理装置还包括圆环状的圆环构件，该圆环构件构成为相对于所述液体接受部的上表面进退自如，在所述供给处理时，所述圆环构件以封堵所述液体接受部的所述孔的周缘的方式设置于所述液体接受部的上表面，在所述干燥处理时，所述圆环构件自所述液体接受部的上表面退避。
也可以是，所述液体接受部具有形成所述孔的顶壁，所述圆环构件在设置于所述液体接受部的上表面时成为自所述顶壁的内周端向内周侧延伸设置的状态。
也可以是，所述液体接受部具有供自所述基板向侧方甩出的处理液碰撞的侧方壁，所述顶壁以比所述侧方壁接近水平的角度自该侧方壁延伸。
也可以是，所述圆环构件的与被所述保持旋转部保持着的基板相对的面是以自外周侧朝向内周端逐渐降低的方式倾斜而成的倾斜面。
也可以是，所述圆环构件在与被所述保持旋转部保持着的基板相对的面的内周侧具有凸部，该凸部形成为与该圆环构件同心的圆环状并朝向该基板突出。
也可以是，所述圆环构件的上表面形成为平坦，所述上表面的内周端位于比被所述保持旋转部保持着的基板的外周端靠内侧的位置，所述上表面的外周端位于比所述液体接受部的所述孔的外周端靠外侧的位置。
也可以是，该基板处理装置还包括气流形成部，该气流形成部形成清洁气体的下降气流。
也可以是，所述圆环构件的内径为140mm以上且260mm以下。
也可以是，利用所述液体接受部的上表面和在该上表面设置的所述圆环构件的与该上表面相对的面形成迷宫构造。
也可以是，所述液体接受部具有密封部，该密封部将所述圆环构件的外周侧与所述液体接受部之间密封。
也可以是，该基板处理装置具有抽吸部，该抽吸部抽吸所述圆环构件与所述液体接受部之间的间隙的气体。
也可以是，所述干燥处理时的基板的旋转速度低于所述供给处理时的基板的旋转速度。
实用新型的效果
根据本实用新型，能够不提高对液体接受部的内部进行排气的排气压地防止自旋转的基板甩出的与液体接受部碰撞而成为雾状的成膜处理液向液体接受部的外部泄漏。
附图说明
图1是示意性地表示作为本实施方式的基板处理装置的抗蚀膜形成装置的结构的概略的纵剖视图。
图2是示意性地表示作为本实施方式的基板处理装置的抗蚀膜形成装置的结构的概略的俯视图。
图3是示意性地表示作为本实施方式的基板处理装置的抗蚀膜形成装置的结构的概略的局部放大剖视图。
图4是表示以往的基板处理装置中的成膜处理液的雾粒子的运动的说明图。
图5是表示本实施方式的基板处理装置中的成膜处理液的雾粒子的运动的说明图。
图6是表示排气机构的排气压与在杯的外部检测出的雾状的成膜处理液的粒子数之间的关系的图表。
图7是表示圆环构件的其他例子的图。
图8是表示圆环构件的其他例子的图。
图9是表示圆环构件的其他例子的图。
图10是表示圆环构件的另一例子的图。
图11是表示杯的其他例子的图。
图12是表示杯的其他例子的图。
具体实施方式
在半导体器件等的制造工艺中，存在向半导体晶圆(以下，称作“晶圆”)等基板上供给涂布液等成膜处理液而形成抗蚀膜等期望的膜的处理。在该处理中，广泛使用向基板供给涂布液并且使基板旋转而利用离心力在基板整体涂布涂布液的所谓的旋转涂布(参照专利文献1)。另外，作为成膜处理液，除了涂布液以外，有时还使用在涂布液之前向基板供给的预湿液。
旋转涂布所使用的基板处理装置包括：保持旋转部，其保持基板并使其旋转；供给部，其向被保持旋转部保持着的基板供给成膜处理液；以及液体接受部，其接受由于保持旋转部的旋转而自基板甩出的成膜处理液。在液体接受部的上部设有成为相对于上方的空间的开口的孔，基板穿过成为该开口的孔而向保持旋转部载置并保持。另外，以在被保持旋转部保持着的基板表面上产生期望的气流等为目的，对液体接受部的内部进行排气。
另外，由于旋转而自基板甩出的成膜处理液与液体接受部碰撞而成为雾状，有时该雾状的成膜处理液经由成为上述开口的孔向液体接受部的外部泄漏。泄漏出的雾状的成膜处理液在液体接受部的外部向基板附着而成为缺陷的原因等，因此需要防止上述这样的泄漏。通过提高对液体接受部的内部进行排气的排气压，从而能够防止上述这样的泄漏，但若提高排气压，则会增加运行成本。
于是，本实用新型的技术不提高对液体接受部的内部进行排气的排气压地防止自旋转的基板甩出的与液体接受部碰撞而成为雾状的成膜处理液向液体接受部的外部泄漏。
以下，参照附图，说明本实施方式的基板处理装置和基板处理方法。此外，在本说明书和附图中，对实质上具有相同的功能结构的要素标注相同的附图标记，从而省略重复说明。
图1～图3分别是示意性地表示作为本实施方式的基板处理装置的抗蚀膜形成装置1的结构的概略的纵剖视图、俯视图以及局部放大剖视图。
抗蚀膜形成装置1包括作为保持旋转部的旋转卡盘11。旋转卡盘11保持晶圆W，具体而言，通过对例如直径为300mm的圆形的晶圆W的背面中央部进行真空吸附，从而将该晶圆W保持为水平。旋转卡盘11连接于具有马达等致动器的旋转机构12。利用旋转机构12使旋转卡盘11绕铅垂轴线旋转，从而被旋转卡盘11保持着的晶圆W也同样地进行旋转。
另外，以包围被旋转卡盘11保持着的晶圆W的方式设有作为液体接受部的杯14。杯14能够接受并回收由于旋转卡盘11的旋转而自晶圆W甩出的涂布液、预湿液等成膜处理液。
在该杯14的底部设有排液口15。另外，在杯14的底部设有排气管16，在排气管16连接有具有排气泵等的排气机构30。在晶圆W的处理中，借助排气管16利用排气机构30对杯14的内部进行排气。通过该杯14内的排气，自晶圆W的周围进行该晶圆W的表面上的排气。
而且，杯14在上部具有与旋转卡盘11同心的俯视时呈圆形状的孔17。该孔17成为杯14的相对于上方的空间的开口。晶圆W穿过成为该开口的孔17而向旋转卡盘11载置并保持。
另外，杯14具有供由于旋转卡盘11的旋转而自晶圆W向侧方甩出的处理液碰撞的侧方壁18。侧方壁18包含沿铅垂方向延伸的圆筒状的周壁18a和自周壁18a的上端朝向内侧上方遍及整周地延伸的倾斜壁18b。倾斜壁18b位于被旋转卡盘11保持着的晶圆W的侧方，自晶圆W向侧方甩出的处理液与倾斜壁18b碰撞。
而且，杯14具有自侧方壁18朝向内侧遍及整周地水平延伸并形成孔17的俯视时呈圆环状的顶壁19。在附图的例子中，顶壁19连接于倾斜壁18b的上端。顶壁19也可以是以比侧方壁18接近水平的角度自侧方壁18朝向内侧上方遍及整周地延伸的形状。
另外，在俯视时呈圆环状的顶壁19的内周端沿着该内周端遍及整周地设有朝向上侧垂直地延伸的凸部20。
在杯14的内部的、旋转卡盘11的周围配置有在内外具有斜面部21a、21b的环状的引导构件21。在引导构件21的顶部设有斜角清洗喷嘴24。斜角清洗喷嘴24向晶圆W的背面的周缘部喷出抗蚀液的溶剂，进行晶圆W的斜角部的清洗。斜角清洗喷嘴24连接于溶剂供给机构(未图示)。该溶剂供给机构具备泵、阀等，向斜角清洗喷嘴24供给抗蚀液的溶剂。
另外，在旋转卡盘11的周围配置有升降销31。该升降销31能够利用具有气缸等致动器的升降机构32在铅垂方向上升降，从而支承晶圆W并使其升降。由此，能够在旋转卡盘11与晶圆输送机构(未图示)之间交接晶圆W。
在杯14的孔17的上方设有作为气流形成部的风机过滤单元(FFU)31，该风机过滤单元31形成作为清洁气体的清洁的空气的下降气流，并将该空气经由孔17向杯14内供给。在杯14内供给到晶圆W的清洁的空气利用排气机构30向杯14外排气。
而且，如图1和图2所示，抗蚀膜形成装置1具备抗蚀液供给喷嘴41和溶剂供给喷嘴51作为向被旋转卡盘11保持着的晶圆W供给成膜处理液的供给部。
抗蚀液供给喷嘴41将作为涂布液的抗蚀液例如向铅垂方向下方喷出。该抗蚀液供给喷嘴41连接于抗蚀剂供给机构42。抗蚀剂供给机构42具备泵、阀等，向抗蚀液供给喷嘴41供给抗蚀液。
如图2所示，抗蚀液供给喷嘴41支承于臂43的顶端部，臂43的基端侧连接于移动机构44。移动机构44利用马达等致动器沿着导轨45在图中的往返箭头的方向上移动自如。另外，被臂43支承着的抗蚀液供给喷嘴41在铅垂方向上移动自如。抗蚀液供给喷嘴41能够在配置于杯14的外侧的待机部46待机。
溶剂供给喷嘴51将作为预湿液的有机溶剂例如向铅垂方向下方喷出。该溶剂供给喷嘴51连接于溶剂供给机构52。溶剂供给机构52具备泵、阀等，向溶剂供给喷嘴51供给有机溶剂。
溶剂供给喷嘴51支承于臂53的顶端部，臂53的基端侧连接于移动机构54。移动机构54利用马达等致动器沿着导轨55在图中的往返箭头的方向上移动自如。另外，被臂53支承着的溶剂供给喷嘴51在铅垂方向上移动自如。溶剂供给喷嘴51能够在配置于杯14的外侧的待机部56待机。
另外，如图1和图2所示，在抗蚀膜形成装置1设有俯视时呈圆环状的圆环构件60。
在不具有圆环构件60的以往的抗蚀膜形成装置中，若不提高对杯14的内部进行排气的排气压，则会使由于旋转而自晶圆W甩出并与杯14的倾斜壁18b的内周面碰撞而成为雾状的成膜处理液经由孔17向杯14的外部泄漏。
关于该泄漏，本发明人们深入地反复进行了模拟，其结果，明确了以下方面。即，明确了，在上述以往的抗蚀膜形成装置中，若使杯14的孔17的直径小于晶圆W，例如设为240mm，则即使不提高上述排气压，也能够防止雾状的成膜处理液向杯14的外部泄漏。但是，实际上无法使杯14的孔17的直径小于晶圆W。因为无法将晶圆W自杯14的外侧穿过孔17而向旋转卡盘11载置等。
于是，在本实施方式中，如上述这样设有圆环构件60。
圆环构件60在其中央形成直径比杯14的孔17小的孔60a。另外，圆环构件60借助支承构件61连接于具有气缸等致动器的作为退避机构的升降机构62。利用升降机构62，圆环构件60相对于杯14的上表面升降自如，具体而言，在图1中由点划线表示的第1位置与图1中由实线表示的第2位置之间升降自如。第1位置是圆环构件60以遍及整周地封堵杯14的孔17的周缘的方式在该杯14的上表面设置的位置。第2位置是第1位置的上方的位置，且是在借助升降销31进行晶圆输送机构(未图示)与旋转卡盘11之间的晶圆W的交接时与晶圆W不干扰的位置。此外，在本例子中，无论是第1位置还是第2位置，圆环构件60都与杯14的孔17和旋转卡盘11(被旋转卡盘11保持着的晶圆W)同心。
如图3所示，在产生了雾状的成膜处理液时，圆环构件60设置在杯14的上表面14a(具体而言是顶壁19的上表面)，即、配设于上述的第1位置(下方位置)。在像这样配设于第1位置时，圆环构件60封堵杯14的孔17的周缘，并成为自形成该孔17的顶壁19的内周端向内周侧延伸了的状态。也就是说，将圆环构件60的位置配设于第1位置(下方位置)，从而杯14的相对于上方空间的开口从杯14的孔17缩径成为直径比该孔17小的、圆环构件60的孔60a。因而，能够模拟地实现孔17的直径较小的杯14。
另外，在借助升降销31进行晶圆输送机构(未图示)与旋转卡盘11之间的晶圆W的交接时，圆环构件60配设于上述的第2位置(上方位置)。因而，在进行上述晶圆W的交接时，圆环构件60与晶圆W不会干扰。另外，在交接时以外的、不产生雾状的成膜处理液时，圆环构件60也配设于第2位置(上方位置)。
而且，如图2和图3所示，圆环构件60具有周缘覆盖部100和连结部110。
周缘覆盖部100形成为圆环板状，以成为水平的方式配设。周缘覆盖部100的外径略小于杯14的孔17的直径，周缘覆盖部100的内径小于晶圆W的直径，例如为140m～260mm。另外，周缘覆盖部100以与旋转卡盘11(被旋转卡盘11保持着的晶圆W)以及杯14的孔17在俯视时成为同心的方式配设。于是，在将圆环构件60设为上述的第1位置时，周缘覆盖部100遍及整周地封堵杯14的孔17的周缘，成为自形成该孔17的顶壁19的内周端向内周侧延伸了的状态。此外，本例子的周缘覆盖部100的下表面成为水平。
连结部110将周缘覆盖部100和支承构件61连结。该连结部110以自周缘覆盖部100的外周端朝向俯视时的外侧遍及整周地延伸的方式形成。另外，连结部110具有在将圆环构件60设于上述的第1位置时沿着杯14的上部的内周侧的部分这样的形状(具体而言，沿着顶壁19的内周侧上表面和凸部20的外周面、上表面以及内周面这样的形状)。具体而言，例如，连结部110具有与杯14的上部的内周侧的部分的形状对应地弯曲而成的弯曲面110a，在弯曲面110a所形成的凹部能够收容杯14的凸部20。连结部110如上述这样构成，因此，在将圆环构件60设于上述的第1位置时，圆环构件60与杯14之间的间隙较小。
而且，在抗蚀膜形成装置1设有控制部U。控制部U例如是具备CPU、存储器等的计算机，并具有程序存储部(未图示)。在程序存储部存储有控制抗蚀膜形成装置1中的晶圆W的处理的程序。所存储的程序以向抗蚀膜形成装置1的各部分发送控制信号而控制其动作的方式编入有命令(各步骤)。例如，控制部U控制利用旋转机构12进行的旋转卡盘11的转速即晶圆W的转速(旋转速度)的变更、抗蚀液供给喷嘴41和溶剂供给喷嘴51的移动。另外，控制部U还控制自抗蚀剂供给机构42向抗蚀液供给喷嘴41的抗蚀液的供给、停止、自溶剂供给机构52向溶剂供给喷嘴51的溶剂的供给、停止、自溶剂供给机构(未图示)向斜角清洗喷嘴24的抗蚀液的溶剂的供给、停止。而且，控制部U还控制圆环构件60的升降、排气机构30的排气量等。此外，上述的程序也可以存储于能够由计算机读取的非暂时性的存储介质，并从该存储介质加载到控制部U。程序的一部分或全部也可以由专用硬件(电路基板)实现。
接着，说明使用了抗蚀膜形成装置1的抗蚀膜形成方法的一个例子。
(晶圆W的载置和吸附保持)
首先，将晶圆W载置并吸附保持于旋转卡盘11。具体而言，将保持着晶圆W的晶圆输送装置(未图示)插入于抗蚀膜形成装置1的内部，在该晶圆输送装置与旋转卡盘11之间借助升降销31交接晶圆W，由此，将该晶圆W载置于旋转卡盘11。然后，将晶圆W吸附保持于旋转卡盘11。
在该工序中，圆环构件60位于上述的第2位置(上升位置)。此外，第2位置(上升位置)是在上述的晶圆W的交接时晶圆W以及晶圆输送装置与圆环构件60不干扰的位置、且是圆环构件60与FFU31不干扰的位置。第2位置(上升位置)例如是与被旋转卡盘11保持着的晶圆W相距40mm～70mm的位置。
(预湿)
接着，对晶圆W进行预湿处理。具体而言，使溶剂供给喷嘴51向被旋转卡盘11保持着的晶圆W的中心部上方移动，自该溶剂供给喷嘴51向晶圆W上供给有机溶剂。与此同时，使晶圆W以例如2000rpm以上这样的较高的转速旋转。在本例子中，晶圆W的转速设为2000rpm。另外，在该工序中，对杯14的内部进行排气的排气压力例如为21Pa。
在预湿处理时，晶圆W的转速如上所述较高，因此自晶圆W甩出的预湿液与杯14碰撞，而产生雾状的预湿液。因此，在该工序中，使圆环构件60位于上述的第1位置(下方位置)。由此，减小杯14的相对于上方的空间的开口，而防止雾状的预湿液经由上述开口泄漏。
(抗蚀液膜形成)
接着，对晶圆W进行形成抗蚀液的液膜的抗蚀液膜形成处理。具体而言，在使溶剂供给喷嘴51退避之后，使抗蚀液供给喷嘴41向被旋转卡盘11保持着的晶圆W的中心部上方移动，自该抗蚀液供给喷嘴41向晶圆W上供给抗蚀液。与此同时，使晶圆W以例如2000rpm以上这样的较高的转速旋转。由此，形成覆盖晶圆W的上表面整体的抗蚀液的液膜。此外，在本例子中，晶圆W的转速设为2500rpm。另外，在该工序中，对杯14的内部进行排气的排气压力例如也为21Pa。
在抗蚀液膜形成处理时，晶圆W的转速如上所述较高，因此自晶圆W甩出的抗蚀液与杯14碰撞，而产生雾状的抗蚀液。因此，在该工序中，在进行预湿处理的工序之后，继续使圆环构件60位于第1位置(下方位置)。由此，减小杯14的相对于上方的空间的开口的直径，而使雾状的抗蚀液不易经由上述开口泄漏。
(干燥)
接着，对晶圆W进行使抗蚀液的液膜干燥而在晶圆W上形成抗蚀膜的处理。具体而言，使抗蚀液供给喷嘴41退避，另外，使晶圆W以例如1500rpm以下这样的较低的转速旋转。由此，一边甩出多余的抗蚀液，一边使晶圆上的抗蚀液的液膜干燥，形成抗蚀膜。此外，在本例子中，晶圆W的转速设为1500rpm。另外，在该工序中，对杯14的内部进行排气的排气压力例如也为21Pa。换言之，在预湿处理、抗蚀液膜形成处理以及干燥处理中，上述排气压力不产生变化。
在干燥处理时，晶圆W的转速如上所述较低，因此自晶圆W甩出的抗蚀液不与杯14碰撞，而不产生雾状的抗蚀液。另外，在干燥处理时，通过对来自FFU31的空气进行排气而使在晶圆W的表面形成的气流对抗蚀膜的形状造成影响。因此，若在干燥处理时将圆环构件60设于上述的第1位置(下方位置)，则会对该抗蚀膜的膜厚分布带来仅抗蚀膜的周缘侧较厚等不良影响。因而，在该工序中，圆环构件60的位置设为上述的第2位置(上方位置)。
(斜角清洗)
然后，进行晶圆W的斜角部的清洗处理。具体而言，斜角清洗喷嘴24向晶圆W的背面的周缘部供给抗蚀液的溶剂。与此同时，使晶圆W旋转。由此，去除晶圆W的背面的周缘侧和斜角部的不需要的抗蚀膜。
(送出)
然后，按照与晶圆W的载置和吸附保持的工序相反的步骤，将晶圆W自抗蚀膜形成装置1送出。
如上所述，在本实施方式中，抗蚀膜形成装置1包括以相对于杯14的上表面升降自如的方式构成的圆环状的圆环构件60。
在该抗蚀膜形成装置1的、向晶圆W供给成膜处理液并使该晶圆W旋转的供给处理(即上述的预湿处理和抗蚀液膜形成处理)中，需要将成膜处理液向晶圆W的上表面整体扩散等，因而晶圆W的转速较高。因此，在上述供给处理中，有时自晶圆W甩出的成膜处理液与杯14碰撞而成为雾状。
在与本实施方式不同的、未设置圆环构件60的情况下，如图4所示，自杯14的供成膜处理液碰撞的位置即产生雾状的成膜处理液的位置到该情况下的杯14的作为相对于上方的空间的开口的孔17的边缘的距离较短。另外，顶壁19的下表面与晶圆W的表面之间的间隙较大，因此，穿过该间隙的来自FFU31的清洁的空气的流速处于较慢的倾向。因此，在上述供给处理时，若不提高排气机构30的排气压，则成膜处理液的雾粒子M不会与自杯14的内部排出的气体一起排出，而可能到达上述开口的边缘(即孔17的边缘)。因而，有时雾状的成膜处理液经由上述开口即孔17向杯14的外部泄漏。
相对于此，在本实施方式中，设有圆环构件60，在上述供给处理时，该圆环构件60设为上述的第1位置(下方位置)。也就是说，在上述供给处理时，圆环构件60以封堵杯14的孔17的周缘的方式设置于杯14的上表面14a。因此，在上述供给处理时，杯14的相对于上方的空间的开口成为比孔17小的、圆环构件60所形成的孔60a。其结果，如图5所示，自产生成膜处理液的雾的位置到杯14的相对于上方的空间的上述开口的边缘(即孔60a的边缘)的距离较长。另外，圆环构件60的下表面(具体而言周缘覆盖部100的下表面)与晶圆W的表面之间的间隙较小，因而穿过该间隙的来自FFU31的清洁的空气的流速处于较快的倾向。因而，在上述供给处理时，即使不提高排气机构30的排气压，成膜处理液的雾粒子M也不会到达上述开口的边缘(即孔60a的边缘)，而会与自杯14的内部排出的气体一起排出。因而，根据本实施方式，即使不提高排气机构30的排气压(即对杯14的内部进行排气的排气压)，在上述供给处理时，雾状的成膜处理液也不会向杯14的外部泄漏。另外，若提高上述供给处理时的排气机构30的排气压，则能够更可靠地防止在上述供给处理时雾状的成膜处理液向杯14的外部泄漏。也就是说，根据本实施方式，能够高效地防止在上述供给处理时雾状的成膜处理液向杯14的外部泄漏。
而且，在本实施方式中，在干燥处理时，圆环构件60设于上述的第2位置(上方位置)，自杯14的上表面14a分离。因而，圆环构件60不会对晶圆W上的抗蚀膜的膜厚分布带来不良影响。
此外，在使用具有与圆环构件60的外径相等的直径的俯视时呈圆形的圆板构件来代替圆环构件60的情况下，在抗蚀液膜形成处理工序等中，来自FFU31的清洁的空气无法向杯14的内部导入。其结果，抗蚀膜的膜厚变得面内不均匀。因此，不使用上述这样的圆板构件，而使用圆环构件60。
将本发明人们关于圆环构件60实际进行试验得到的结果表示在图6的图表中。在发明人所进行的试验中，进行了上述的预湿处理和抗蚀液膜形成处理这两者。另外，将预湿处理时和抗蚀液膜形成处理时的晶圆W的转速设为4000rpm。在图6的图表中，横轴表示排气机构30的排气压，纵轴表示在杯14的外部检测出的雾状的成膜处理液(有机溶剂和抗蚀液这两者)的粒子数。
如图6所示，在没有圆环构件60的情况下，即使将排气压提高到60Pa，仍在杯14的外部检测到成膜处理液的雾粒子。根据本发明人们所进行的试验，为了在没有圆环构件60的情况下在杯14的外部检测不到成膜处理液的雾粒子，需要65Pa以上这样的非常高的排气压。
相对于此，若设置内径为240mm的圆环构件60，并在预湿处理时和抗蚀液膜形成处理时将该圆环构件60设于上述的第1位置(下方位置)，则即使排气压较低，为15pa、10Pa，也未在杯14的外部检测到成膜处理液的雾粒子。
此外，在设有内径为260mm的圆环构件60的情况下，即使排气压较低，为25Pa～30Pa，也未在杯14的外部检测到成膜处理液的雾粒子。另外，在设有内径为280mm的圆环构件60的情况下，为了在杯14的外部检测不到成膜处理液的雾粒子，需要35Pa以上这样的比较高的排气压。
因而，圆环构件60的内径优选为260mm以下。
另外，根据本发明人们所进行的试验，在使圆环构件60的内径小于240mm的情况下，也与设为240mm时同样地，即使是较低的排气压，也未在杯14的外部检测到雾状的成膜处理液。但是，在设有内径小于140mm的圆环构件60的情况下，在干燥处理后在晶圆W上形成的抗蚀膜的膜厚分布会劣化。这考虑是因为，在干燥处理时，无法使来自FFU31的清洁的空气充分地进入杯14的内部，而无法在晶圆W的上表面形成期望的气流。
因而，圆环构件60的内径优选为140mm以上。
此外，对于圆环构件60的材料，例如使用树脂材料。通过将圆环构件60的材料设为树脂材料，从而与设为金属材料的情况相比，能够抑制重复进行处理时的、由雾状的成膜处理液的气化引起的圆环构件60的温度下降，能够防止圆环构件60结露。
另外，在本实施方式中，圆环构件60的连结部110具有在将圆环构件60设于上述的第1位置(下方位置)时沿着杯14的上部的内周侧的部分这样的形状(具体而言，沿着顶壁19的内周侧上表面和凸部20的外周面、上表面以及内周面这样的形状)。由此，在将圆环构件60设于上述的第1位置(下方位置)时，圆环构件60与杯14之间的间隙较小。如此，若该间隙较小，则能够防止雾状的成膜处理液经由该间隙向杯14的外部泄漏。在将圆环构件60设于上述的第1位置(下方位置)时，优选圆环构件60与杯14密合，以更可靠地防止经由上述间隙导致的泄漏。但是，如此，若使其密合，则可能在圆环构件60的升降时与杯14摩擦而发尘。
此外，在以上的例子中，通过使圆环构件60相对于上述的第1位置(下方位置)(即相对于杯14的上表面)升降而进退。也就是说，在以上的例子中，圆环构件60相对于上述的第1位置的进退方向是铅垂方向。上述进退方向也可以是大致水平方向。此外，只要进退方向不是铅垂方向、并且使圆环构件60自上述的第1位置退避了时的位置是该圆环构件60不妨碍来自FFU31的清洁的气体去向杯14的位置，那么圆环构件60的内径也可以小于140mm。
图7～图9分别是表示圆环构件的其他例子的图。
在以上的例子中，圆环构件60的下表面(具体而言是周缘覆盖部100的下表面100a)即与被旋转卡盘11保持着的晶圆W相对的面为水平。圆环构件60的下表面的形状并不限定于此。例如，像图7的圆环构件200的周缘覆盖部201的下表面201a那样，也可以是以自外周侧(图7的例子中是外周端)朝向内周端逐渐降低的方式倾斜而成的倾斜面。由此，在将圆环构件200设于上述的第1位置(下方位置)时，圆环构件200与晶圆W之间的间隙较小。其结果，自FFU31供给来的清洁的空气在上述间隙进行流动时的流速较快。因而，能够更可靠地防止雾状的成膜处理液到达圆环构件200所形成的孔60a而经由该孔60a向杯14的外部泄漏。
另外，如图8所示，也可以是，圆环构件210在其周缘覆盖部211的下表面211a的内周侧具有凸部212，该凸部212形成为与该圆环构件210同心的圆环状并且朝向被旋转卡盘11保持着的晶圆W突出。由此，在将圆环构件210设于上述的第1位置(下方位置)时，圆环构件210与晶圆W之间的间隙较小。其结果，自FFU31供给来的清洁的空气在上述间隙进行流动时的速度较快。因而能够更可靠地防止雾状的成膜处理液到达圆环构件210所形成的孔60a而经由该孔60a向杯14的外部泄漏。
此外，如图9所示，也可以是，圆环构件220的周缘覆盖部221的内端形成为在垂直方向上壁厚比凸部20厚，圆环构件220的上表面222的整体成为水平的平坦面。而且，也可以是，圆环构件220的上表面222的内周端位于比被旋转卡盘11保持着的晶圆W的外周端靠内侧的位置，上述上表面222的外周端位于比杯14的孔17的外周端靠外侧的位置。由此，周缘覆盖部221的内端处的向下的整流作用较强，容易将其周边的空气引入，因此，自FFU31供给来的清洁的空气不会在圆环构件220的上表面222上滞留、向外周方向移动，而容易向杯14的内部导入。其结果，自FFU31供给来的清洁的空气中的向杯14的内部导入的空气的量较多。因而，能够更可靠地防止雾状的成膜处理液到达圆环构件220所形成的孔60a而经由该孔60a向杯14的外部泄漏。
图10是表示圆环构件的另一例子的图。
即使将圆环构件60设于上述的第1位置(下方位置)而利用周缘覆盖部100封堵杯14的孔17的周缘，也存在雾状的成膜处理液经由圆环构件60与杯14之间的间隙向杯14的外部泄漏的情况。为了抑制该泄漏，如图10所示，也可以利用设于上述的第1位置(下方位置)的圆环构件230的与杯14的上表面14a相对的面230a和杯14的上表面14a形成迷宫结构R。换言之，也可以利用在杯14的上表面14a设置的圆环构件230的与杯14的上表面14a相对的面(以下，称作“相对面”)230a和杯14的上表面14a形成迷宫结构R。附图的例子的迷宫结构R由圆环构件230的相对面230a所形成的向上方凹陷的多个(具体而言是两个)凹部和杯14所具有的以分别收容于上述凹部的方式自上表面14a向上方突出的多个(具体而言是两个)凸部300构成。
图11是表示杯的其他例子的图。
图11的杯400具有密封部401。密封部401将圆环构件240的外周侧与杯400的上表面14a(具体而言是顶壁19的上表面)之间密封，该密封部401形成于上述上表面14a。该密封部401具有槽402，该槽402收纳设于上述的第1位置(下方位置)的圆环构件240的外周侧下端，该槽402由水403填满。槽402形成为俯视时与杯14的孔17成为同心。通过设置这样的密封部401，能够防止雾状的成膜处理液经由圆环构件240与杯400之间的间隙向杯400的外部泄漏。
图12是表示杯的其他例子的图。
图12的杯500具有作为抽吸部的抽吸通路501。抽吸通路501用于抽吸圆环构件240与杯500之间的间隙的气体。抽吸通路501形成于形成杯500的壁内，具体而言，以跨越顶壁19和倾斜壁18b的方式形成于该顶壁19和倾斜壁18b内。抽吸通路501的一端向圆环构件240与杯500之间的空间开口，抽吸通路501的另一端连接于具有抽气泵的抽气机构(未图示)。
而且，杯500具有槽502，该槽502收纳设于上述的第1位置(下方位置)的圆环构件240的外周侧下端。槽502形成为俯视时与杯14的孔17成为同心。抽吸通路501的上述一端例如与该槽502连通。
通过设置上述这样的抽吸通路501，能够防止雾状的成膜处理液经由圆环构件240与杯500之间的间隙向杯500的外部泄漏。
此外，也可以将用于抽吸圆环构件与杯之间的间隙的气体的抽吸部设于圆环构件。
应该认为，此次公开了的实施方式在所有方面均为例示，并不是限制性的。上述的实施方式也可以在不脱离添附的权利要求书及其主旨的范围内以各种各样的形态进行省略、置换、变更。

Claims (12)

1.一种基板处理装置，其对基板进行处理，其特征在于，
该基板处理装置包括：
保持旋转部，其保持基板并使该基板旋转；
供给部，其向被所述保持旋转部保持着的基板供给成膜处理液；以及
液体接受部，其接受由于所述保持旋转部的旋转而自基板甩出的成膜处理液，
所述液体接受部在上部具有孔，该孔供向所述保持旋转部保持的基板穿过并成为相对于上方的空间的开口，所述液体接受部的内部被排气，
所述基板处理包含向基板供给成膜处理液并使该基板旋转的供给处理和在所述供给处理之后使基板旋转并使基板上的成膜处理液干燥的干燥处理，
该基板处理装置还包括圆环状的圆环构件，该圆环构件构成为相对于所述液体接受部的上表面进退自如，
在所述供给处理时，所述圆环构件以封堵所述液体接受部的所述孔的周缘的方式设置于所述液体接受部的上表面，在所述干燥处理时，所述圆环构件自所述液体接受部的上表面退避。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述液体接受部具有形成所述孔的顶壁，
所述圆环构件在设置于所述液体接受部的上表面时成为自所述顶壁的内周端向内周侧延伸设置的状态。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述液体接受部具有供自所述基板向侧方甩出的处理液碰撞的侧方壁，所述顶壁以比所述侧方壁接近水平的角度自该侧方壁延伸。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述圆环构件的与被所述保持旋转部保持着的基板相对的面是以自外周侧朝向内周端逐渐降低的方式倾斜而成的倾斜面。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述圆环构件在与被所述保持旋转部保持着的基板相对的面的内周侧具有凸部，该凸部形成为与该圆环构件同心的圆环状并朝向该基板突出。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述圆环构件的上表面形成为平坦，所述上表面的内周端位于比被所述保持旋转部保持着的基板的外周端靠内侧的位置，所述上表面的外周端位于比所述液体接受部的所述孔的外周端靠外侧的位置。
7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置还包括气流形成部，该气流形成部形成清洁气体的下降气流。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
所述圆环构件的内径为140mm以上且260mm以下。
9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
利用所述液体接受部的上表面和在该上表面设置的所述圆环构件的与该上表面相对的面形成迷宫构造。
10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述液体接受部具有密封部，该密封部将所述圆环构件的外周侧与所述液体接受部之间密封。
11.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
该基板处理装置具有抽吸部，该抽吸部抽吸所述圆环构件与所述液体接受部之间的间隙的气体。
12.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述干燥处理时的基板的旋转速度低于所述供给处理时的基板的旋转速度。
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