KR20220111656A - 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 - Google Patents

Abstract

본 발명의 과제는, 회전하는 기판으로부터 털어내어진 액받이부에 충돌하여 미스트형이 된 성막 처리액이 액받이부의 외부로 누설되는 것을, 액받이부의 내부를 배기하는 배기압을 높이지 않고 막는 것이다.
본 발명에 따른 기판을 처리하는 기판 처리 장치는, 기판을 유지하여 회전시키는 유지 회전부와, 상기 유지 회전부에 유지된 기판에 대하여 성막 처리액을 공급하는 공급부와, 상기 유지 회전부에 의한 회전에 의해 기판으로부터 털어내어진 성막 처리액을 받는 액받이부와, 기판 처리에 관한 제어를 행하는 제어부를 구비하고, 상기 액받이부는, 상기 유지 회전부에 유지되는 기판이 통과하고 상방의 공간에 대한 개구가 되는 구멍을 상부에 가지며, 내부가 배기되고, 상기 기판 처리는, 기판에 대하여 성막 처리액을 공급하여 상기 기판을 회전시키는 공급 처리와, 상기 공급 처리의 후, 기판을 회전시켜 기판 상의 성막 처리액을 건조시키는 건조 처리를 포함하고, 상기 액받이부의 상면에 대하여 진퇴 가능하게 구성된 원환형의 원환 부재를 더 구비하고, 상기 제어부는, 상기 공급 처리시에는 상기 원환 부재가 상기 액받이부의 상기 구멍의 둘레 가장자리를 막도록 상기 액받이부의 상면에 설치되고, 상기 건조 처리시에는 상기 원환 부재가 상기 액받이부의 상면으로부터 후퇴하도록 제어를 행하는 것이다.

Description

기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND STORAGE MEDIUM}

본 개시는, 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체에 관한 것이다.

특허문헌 1에는, 기판에 도포막을 형성하는 도포 장치가 개시되어 있다. 이 장치에서는, 기판이 놓이는 처리 분위기를 배기하면서, 연직축 둘레로 회전하고 있는 기판의 표면에, 용제로 희석한 레지스트액을 토출하여, 레지스트액으로 이루어진 도포막을 형성한다. 이어서, 처리 분위기의 배기를 정지하여, 기판의 외연부로부터 털어내어진 레지스트액에 있어서 발생하는 용제 분위기를 기판의 외주부에 형성한 상태에서, 기판을 연직축 둘레로 회전시키고 상기 기판의 표면의 레지스트액을 건조시킨다.

특허문헌 1 : 일본특허 제6206316호 공보

본 개시에 따른 기술은, 회전하는 기판으로부터 털어내어진, 액받이부에 충돌하여 미스트형이 된 성막 처리액이 액받이부의 외부로 누설되는 것을, 액받이부의 내부를 배기하는 배기압을 높이지 않고 방지한다.

본 개시의 일 양태는, 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서, 기판을 유지하여 회전시키는 유지 회전부와, 상기 유지 회전부에 유지된 기판에 대하여 성막 처리액을 공급하는 공급부와, 상기 유지 회전부에 의한 회전에 의해 기판으로부터 털어내어진 성막 처리액을 받는 액받이부와, 기판 처리에 관한 제어를 행하는 제어부를 구비하고, 상기 액받이부는, 상기 유지 회전부에 유지되는 기판이 통과하고 상방의 공간에 대한 개구가 되는 구멍을 상부에 가지며, 내부가 배기되고, 상기 기판 처리는, 기판에 대하여 성막 처리액을 공급하여 상기 기판을 회전시키는 공급 처리와, 상기 공급 처리 후, 기판을 회전시켜 기판 상의 성막 처리액을 건조시키는 건조 처리를 포함하고, 상기 액받이부의 상면에 대하여 진퇴 가능하게 구성된 원환형의 원환 부재를 더 구비하고, 상기 제어부는, 상기 공급 처리시에는 상기 원환 부재가 상기 액받이부의 상기 구멍의 둘레 가장자리를 막도록 상기 액받이부의 상면에 설치되고, 상기 건조 처리시에는 상기 원환 부재가 상기 액받이부의 상면으로부터 후퇴하도록 제어를 행한다.

본 개시에 의하면, 회전하는 기판으로부터 털어내어진 액받이부에 충돌하여 미스트형이 된 성막 처리액이 액받이부의 외부로 누설되는 것을, 액받이부의 내부를 배기하는 배기압을 높이지 않고 방지할 수 있다.

도 1은 본 실시형태에 따른 기판 처리 장치로서의 레지스트막 형성 장치의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 종단면도이다.
도 2는 본 실시형태에 따른 기판 처리 장치로서의 레지스트막 형성 장치의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 3은 본 실시형태에 따른 기판 처리 장치로서의 레지스트막 형성 장치의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 부분 확대 단면도이다.
도 4는 종래의 기판 처리 장치에서의, 성막 처리액의 미스트 입자의 움직임을 나타내는 설명도이다.
도 5는 본 실시형태에 따른 기판 처리 장치에서의, 성막 처리액의 미스트 입자의 움직임을 나타내는 설명도이다.
도 6은 배기 기구에 의한 배기압과, 컵의 외부에서 검출된 미스트형의 성막 처리액의 입자수의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 7은 원환 부재의 다른 예를 나타내는 도면이다.
도 8은 원환 부재의 다른 예를 나타내는 도면이다.
도 9는 원환 부재의 다른 예를 나타내는 도면이다.
도 10은 원환 부재의 별도의 예를 나타내는 도면이다.
도 11은 컵의 다른 예를 나타내는 도면이다.
도 12는 컵의 다른 예를 나타내는 도면이다.

반도체 디바이스 등의 제조 프로세스에는, 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라고 함) 등의 기판 상에 도포액 등의 성막 처리액을 공급하여 레지스트막 등의 원하는 막을 형성하는 처리가 있다. 이 처리에는, 도포액을 기판에 공급하고 기판을 회전시켜, 원심력에 의해 기판 전체에 도포액을 도포하는, 소위 스핀코팅이 널리 이용되고 있다(특허문헌 1 참조). 또한, 성막 처리액으로서, 도포액에 더하여, 도포액의 전에 기판에 공급되는 프리웨트액이 이용되는 경우가 있다.

스핀코팅에 이용되는 기판 처리 장치는, 기판을 유지하여 회전시키는 유지 회전부와, 유지 회전부에 유지된 기판에 성막 처리액을 공급하는 공급부와, 유지 회전부에 의한 회전에 의해 기판으로부터 털어내어진 성막 처리액을 받는 액받이부를 구비한다. 액받이부의 상부에는, 상방의 공간에 대한 개구가 되는 구멍이 마련되어 있고, 기판은, 이 개구가 되는 구멍을 통과하여, 유지 회전부에 배치되어 유지된다. 또한, 액받이부의 내부는, 유지 회전부에 유지된 기판 표면 상에 원하는 기류를 생기게 하는 것 등을 목적으로 배기되어 있다.

그런데, 회전에 의해 기판으로부터 털어내어진 성막 처리액이 액받이부에 충돌하여 미스트형이 되고, 그 미스트형의 성막 처리액이, 상기 개구가 되는 구멍을 통해 액받이부의 외부로 누설되는 경우가 있다. 누설된 미스트형의 성막 처리액이 액받이부의 외부에서 기판에 부착되면 결함의 원인이 되는 것 등 때문에, 전술한 바와 같은 누설을 방지할 필요가 있다. 액받이부의 내부를 배기하는 배기압을 높이는 것에 의해, 전술한 바와 같은 누설을 방지할 수 있지만, 배기압을 높이면 러닝 코스트가 높아져 버린다.

따라서, 본 개시에 관한 기술은, 회전하는 기판으로부터 털어내어진 액받이부에 충돌하여 미스트형이 된 성막 처리액이 액받이부의 외부로 누설되는 것을, 액받이부의 내부를 배기하는 배기압을 높이지 않고 방지한다.

이하, 본 실시형태에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관해, 도면을 참조하면서 설명한다. 또, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 기능 구성을 갖는 요소에 관해서는, 동일한 부호를 붙이는 것에 의해 중복 설명을 생략한다.

도 1~도 3은 각각, 본 실시형태에 따른 기판 처리 장치로서의 레지스트막 형성 장치(1)의 구성의 개략을 모식적으로 나타내는 종단면도, 평면도 및 부분 확대 단면도이다.

레지스트막 형성 장치(1)는, 유지 회전부로서의 스핀척(11)을 구비한다. 스핀척(11)은, 웨이퍼(W)를 유지하며, 구체적으로는, 예컨대 직경이 300 ㎜인 원형의 웨이퍼(W)의 이면 중앙부를 진공 흡착하는 것에 의해, 상기 웨이퍼(W)를 수평으로 유지한다. 스핀척(11)은, 모터 등의 액추에이터를 갖는 회전 기구(12)에 접속되어 있다. 회전 기구(12)에 의해 스핀척(11)이 연직축 둘레로 회전함으로써, 스핀척(11)에 유지된 웨이퍼(W)도 마찬가지로 회전한다.

또한, 스핀척(11)에 유지된 웨이퍼(W)를 둘러싸도록 액받이부로서의 컵(14)이 설치되어 있다. 컵(14)은, 스핀척(11)에 의한 회전에 의해 웨이퍼(W)로부터 털어내어진 도포액이나 프리웨트액 등의 성막 처리액을 받아 회수할 수 있다.

이 컵(14)의 바닥부에는 배기구(15)가 마련되어 있다. 또한, 컵(14)의 바닥부에는 배기관(16)이 설치되어 있고, 배기관(16)에는, 배기 펌프 등을 갖는 배기 기구(30)가 접속되어 있다. 컵(14)의 내부는, 웨이퍼(W)의 처리중에 있어서, 배기관(16)을 통해 배기 기구(30)에 의해 배기된다. 이 컵(14) 내의 배기에 의해, 웨이퍼(W)의 주위로부터 상기 웨이퍼(W)의 표면 상의 배기가 행해진다.

또한, 컵(14)은, 스핀척(11)과 동심의, 평면도에서 보았을 때 원형상의 구멍(17)을 상부에 갖는다. 이 구멍(17)은, 컵(14)에서의 상방의 공간에 대한 개구가 된다. 웨이퍼(W)는, 이 개구가 되는 구멍(17)을 통과하여, 스핀척(11)에 배치되어 유지된다.

또한, 컵(14)은, 스핀척(11)에 의한 회전에 의해 웨이퍼(W)로부터 측방으로 털어내어진 처리액이 충돌하는 측방벽(18)을 갖는다. 측방벽(18)은, 연직 방향으로 연장되는 원통형의 둘레벽(18a)과, 둘레벽(18a)의 상단으로부터 내측 상방을 향해 전체 둘레에 걸쳐 연장되는 경사벽(18b)을 포함한다. 경사벽(18b)이, 스핀척(11)에 유지된 웨이퍼(W)의 측방에 위치하고 있고, 웨이퍼(W)로부터 측방으로 털어내어진 처리액은 경사벽(18b)에 충돌한다.

또한, 컵(14)은, 측방벽(18)으로부터 내측을 향해 전체 둘레에 걸쳐 수평으로 연장되어 구멍(17)을 형성하는, 평면도에서 보았을 때 원환형의 천장벽(19)을 갖는다. 도면의 예에서는, 천장벽(19)은 경사벽(18b)의 상단에 접속되어 있다. 천장벽(19)은, 측방벽(18)보다 수평에 가까운 각도로 측방벽(18)으로부터 내측 상방을 향해 전체 둘레에 걸쳐 연장되는 형상이어도 좋다.

또한, 평면도에서 보았을 때 원환형의 천장벽(19)의 내주단에는, 상기 내주단을 따라 전체 둘레에 걸쳐, 상측을 향해 수직으로 연장되는 볼록부(20)가 마련되어 있다.

컵(14)의 내부에서의 스핀척(11)의 주위에는, 내외에 사면부(21a, 21b)를 갖는 고리형의 가이드 부재(21)가 배치되어 있다. 가이드 부재(21)의 정상부에는 베벨 세정 노즐(24)이 설치되어 있다. 베벨 세정 노즐(24)은, 웨이퍼(W)의 이면의 둘레 가장자리부에 레지스트액의 용제를 토출하여, 웨이퍼(W)의 베벨부의 세정을 행한다. 베벨 세정 노즐(24)은 용제 공급 기구(도시 생략)에 접속되어 있다. 이 용제 공급 기구는, 펌프나 밸브 등을 구비하여, 베벨 세정 노즐(24)에 레지스트액의 용제를 공급한다.

또한, 스핀척(11)의 주위에는 승강핀(31)이 배치되어 있다. 이 승강핀(31)은, 실린더 등의 액추에이터를 갖는 승강 기구(32)에 의해 연직 방향으로 승강하며, 웨이퍼(W)를 지지하여 승강시킬 수 있다. 이에 의해, 스핀척(11)과 웨이퍼 반송 기구(도시 생략)의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달할 수 있다.

컵(14)의 구멍(17)의 상방에는 기류 형성부로서의 팬 필터 유닛(FFU)(31)이 설치되어 있고, 청정 기체로서의 청정한 공기의 하강 기류를 형성하여, 상기 공기를 구멍(17)을 통해 컵(14) 내에 공급한다. 컵(14) 내에 웨이퍼(W)에 공급된 청정한 공기는, 배기 기구(30)에 의해 컵(14) 밖으로 배기된다.

또한, 레지스트막 형성 장치(1)는, 도 1 및 도 2에 나타내는 바와 같이, 스핀척(11)에 유지된 웨이퍼(W)에 대하여 성막 처리액을 공급하는 공급부로서, 레지스트액 공급 노즐(41) 및 용제 공급 노즐(51)을 구비하고 있다.

레지스트액 공급 노즐(41)은, 도포액으로서의 레지스트액을 예컨대 연직 방향 하방으로 토출한다. 이 레지스트액 공급 노즐(41)은, 레지스트 공급 기구(42)에 접속되어 있다. 레지스트 공급 기구(42)는, 펌프나 밸브 등을 구비하여, 레지스트액 공급 노즐(41)에 레지스트액을 공급한다.

레지스트액 공급 노즐(41)은, 도 2에 나타내는 바와 같이, 아암(43)의 선단부에 지지되어 있고, 아암(43)의 기단측은 이동 기구(44)에 접속되어 있다. 이동 기구(44)는 모터 등의 액추에이터에 의해, 가이드 레일(45)을 따라서 도면 중의 왕복 화살표 방향으로 이동 가능하다. 또한, 아암(43)에 지지된 레지스트액 공급 노즐(41)은 연직 방향으로 이동 가능하다. 레지스트액 공급 노즐(41)은, 컵(14)의 외측에 배치된 대기부(46)에 있어서 대기 가능하다.

용제 공급 노즐(51)은, 프리웨트액으로서의 유기 용제를 예컨대 연직 방향 하방으로 토출한다. 이 용제 공급 노즐(51)은 용제 공급 기구(52)에 접속되어 있다. 용제 공급 기구(52)는, 펌프나 밸브 등을 구비하여, 용제 공급 노즐(51)에 유기 용제를 공급한다.

용제 공급 노즐(51)은, 아암(53)의 선단부에 지지되어 있고, 아암(53)의 기단측은 이동 기구(54)에 접속되어 있다. 이동 기구(54)는 모터 등의 액추에이터에 의해, 가이드 레일(55)을 따라 도면 중의 왕복 화살표 방향으로 이동 가능하다. 또한, 아암(53)에 지지된 용제 공급 노즐(51)은 연직 방향으로 이동 가능하다. 용제 공급 노즐(51)은, 컵(14)의 외측에 배치된 대기부(56)에 있어서 대기 가능하다.

또한, 레지스트막 형성 장치(1)에는, 도 1 및 도 2에 나타내는 바와 같이, 평면도에서 보았을 때 원환형의 원환 부재(60)가 설치되어 있다.

원환 부재(60)를 갖지 않는 종래의 레지스트막 형성 장치에서는, 컵(14)의 내부를 배기하는 배기압을 높이지 않으면, 회전에 의해 웨이퍼(W)로부터 털어내어 컵(14)의 경사벽(18b)의 내주면에 충돌하여 미스트형이 된 성막 처리액이, 구멍(17)을 통해 컵(14)의 외부로 누설되어 버리는 경우가 있었다.

이 누설에 관해, 본 발명자들이 시뮬레이션을 예의 중첩한 결과, 이하의 점이 판명되었다. 즉, 상기 종래의 레지스트막 형성 장치에서도, 컵(14)의 구멍(17)의 직경을 웨이퍼(W)보다 작게 하여 예컨대 240 ㎜로 하면, 상기 배기압을 높이지 않더라도, 미스트형의 성막 처리액이 컵(14)의 외부로 누설되는 것을 방지 가능한 것이 판명되었다. 그러나, 실제로는 컵(14)의 구멍(17)의 직경을 웨이퍼(W)보다 작게 할 수 없다. 웨이퍼(W)를 컵(14)의 외측으로부터 구멍(17)을 통해 스핀척(11)에 배치하는 것 등을 할 수 없기 때문이다.

따라서, 본 실시형태에서는, 전술한 바와 같이 원환 부재(60)를 설치하고 있다.

원환 부재(60)는, 그 중앙에, 컵(14)의 구멍(17)보다 소직경의 구멍(60a)을 형성한다. 또한, 원환 부재(60)는, 지지 부재(61)를 통해, 실린더 등의 액추에이터를 갖는, 후퇴 기구로서의 승강 기구(62)에 접속되어 있다. 승강 기구(62)에 의해, 원환 부재(60)는, 컵(14)의 상면에 대하여 승강 가능하게 되어 있고, 구체적으로는, 도 1에 일점쇄선으로 나타내는 제1 위치, 도 1에 실선으로 나타내는 제2 위치와의 사이를 승강 가능하게 되어 있다. 제1 위치는, 원환 부재(60)가 컵(14)의 구멍(17)의 둘레 가장자리를 전체 둘레에 걸쳐 막도록 상기 컵(14)의 상면에 설치되는 위치이다. 제2 위치는, 제1 위치의 상방의 위치이며, 승강핀(31)을 통한 웨이퍼 반송 기구(도시 생략)와 스핀척(11)의 사이에서의 웨이퍼(W)의 전달시에 웨이퍼(W)와 간섭하지 않는 위치이다. 또, 본 예에서는, 제1 위치에서도 제2 위치에서도, 원환 부재(60)는 컵(14)의 구멍(17) 및 스핀척(11)[에 유지된 웨이퍼(W)]와 동심이다.

원환 부재(60)는, 미스트형의 성막 처리액이 생길 때에는, 도 3에 나타내는 바와 같이, 컵(14)의 상면(14a)[구체적으로는 천장벽(19)의 상면]에 설치되고, 즉 전술한 제1 위치(하방 위치)에 배치된다. 이와 같이 제1 위치에 배치되었을 때, 원환 부재(60)는, 컵(14)의 구멍(17)의 둘레 가장자리를 막고, 상기 구멍(17)을 형성하는 천장벽(19)의 내주단으로부터 내주측으로 연장된 상태가 된다. 즉, 원환 부재(60)의 위치를 제1 위치(하방 위치)에 배치하는 것에 의해, 컵(14)의 상방 공간에 대한 개구는, 컵(14)의 구멍(17)으로부터, 상기 구멍(17)보다 소직경의 원환 부재(60)의 구멍(60a)이 되어 직경이 축소된다. 따라서, 구멍(17)의 직경이 작은 컵(14)을 유사하게 실현할 수 있다.

한편, 원환 부재(60)는, 승강핀(31)을 통한 웨이퍼 반송 기구(도시 생략)와 스핀척(11)의 사이에서의 웨이퍼(W)의 전달시에는, 전술한 제2 위치(상방 위치)에 배치된다. 따라서, 상기 웨이퍼(W)의 전달시에, 원환 부재(60)와 웨이퍼(W)가 간섭하지 않는다. 또한, 원환 부재(60)는, 전달시 이외의, 미스트형의 성막 처리액이 생기지 않을 때에도 제2 위치(상방 위치)에 배치된다.

또한, 원환 부재(60)는, 도 2 및 도 3에 나타내는 바와 같이, 둘레 가장자리 커버부(100)와 연결부(110)를 갖는다.

둘레 가장자리 커버부(100)는, 원환판형으로 형성되고, 수평이 되도록 배치되어 있다. 둘레 가장자리 커버부(100)의 외경은, 컵(14)의 구멍(17)의 직경보다 약간 작고, 둘레 가장자리 커버부(100)의 내경은 웨이퍼(W)의 직경보다 작으며, 예컨대 140~260 ㎜이다. 또한, 둘레 가장자리 커버부(100)는, 스핀척(11)[에 유지된 웨이퍼(W)] 및 컵(14)의 구멍(17)과, 평면도에서 보았을 때에서 동심이 되도록 배치되어 있다. 그리고, 원환 부재(60)를 전술한 제1 위치로 했을 때, 둘레 가장자리 커버부(100)는, 컵(14)의 구멍(17)의 둘레 가장자리를 전체 둘레에 걸쳐 막고, 상기 구멍(17)을 형성하는 천장벽(19)의 내주단으로부터 내주측으로 연장된 상태가 된다. 또, 본 예의 둘레 가장자리 커버부(100)의 하면은 수평으로 되어 있다.

연결부(110)는, 둘레 가장자리 커버부(100)와 지지 부재(61)를 연결한다. 이 연결부(110)는, 둘레 가장자리 커버부(100)의 외주단으로부터 평면도에서 보았을 때 외측을 향해 전체 둘레에 걸쳐 연장되도록 형성되어 있다. 또한, 연결부(110)는, 원환 부재(60)를 전술한 제1 위치로 했을 때에 컵(14)의 상부에서의 내주측의 부분을 따르는 형상[구체적으로는 천장벽(19)의 내주측 상면과 볼록부(20)의 외주면, 상면 및 내주면을 따르는 형상]을 갖고 있다. 구체적으로는, 예컨대 연결부(110)는, 컵(14)의 상부에서의 내주측의 부분의 형상에 대응하여 만곡한 만곡면(110a)을 갖고 있고, 만곡면(110a)이 형성하는 오목부에 컵(14)의 볼록부(20)를 수용할 수 있다. 연결부(110)가 전술한 바와 같이 구성되어 있기 때문에, 원환 부재(60)를 전술한 제1 위치로 했을 때에, 원환 부재(60)와 컵(14) 사이의 간극이 작아지도록 하고 있다.

또한, 레지스트막 형성 장치(1)에는 제어부(U)가 설치되어 있다. 제어부(U)는, 예컨대 CPU나 메모리 등을 구비한 컴퓨터이며, 프로그램 저장부(도시 생략)를 갖고 있다. 프로그램 저장부에는, 레지스트막 형성 장치(1)에서의 웨이퍼(W)의 처리를 제어하는 프로그램이 저장되어 있다. 저장된 프로그램은, 레지스트막 형성 장치(1)의 각 부에 제어 신호를 송신하여 그 동작을 제어하도록 명령(각 스텝)이 내장되어 있다. 예컨대, 제어부(U)는, 회전 기구(12)에 의한 스핀척(11)의 회전수, 즉 웨이퍼(W)의 회전수(회전 속도)의 변경, 레지스트액 공급 노즐(41) 및 용제 공급 노즐(51)의 이동을 제어한다. 또한, 제어부(U)는, 레지스트 공급 기구(42)로부터 레지스트액 공급 노즐(41)로의 레지스트액의 공급, 정지, 용제 공급 기구(52)로부터 용제 공급 노즐(51)로의 용제의 공급, 정지, 용제 공급 기구(도시 생략)로부터 베벨 세정 노즐(24)로의 레지스트액의 용제의 공급, 정지도 제어한다. 또한, 제어부(U)는, 원환 부재(60)의 승강, 배기 기구(30)에 의한 배기량 등도 제어한다. 또, 전술한 프로그램은, 컴퓨터에 판독 가능한 비일시적인 기억 매체에 기록되어 있던 것이며, 상기 기억 매체로부터 제어부(U)에 인스톨된 것이어도 좋다. 프로그램의 일부 또는 전부는 전용 하드웨어(회로 기판)에서 실현해도 좋다.

다음으로, 레지스트막 형성 장치(1)를 이용한 레지스트막 형성 방법의 일례에 관해 설명한다.

(웨이퍼(W)의 배치 및 흡착 유지)

우선, 스핀척(11)에 웨이퍼(W)가 배치되고, 흡착 유지된다. 구체적으로는, 레지스트막 형성 장치(1)의 내부에, 웨이퍼(W)를 유지한 웨이퍼 반송 장치(도시 생략)가 삽입되고, 이 웨이퍼 반송 장치와 스핀척(11) 사이에서, 승강핀(31)을 통해 웨이퍼(W)가 전달되고, 이에 의해 스핀척(11)에 배치된다. 그 후, 웨이퍼(W)가 스핀척(11)에 흡착 유지된다.

이 공정에서는, 원환 부재(60)는 전술한 제2 위치(상승 위치)에 위치하고 있다. 또, 제2 위치(상승 위치)는, 전술한 웨이퍼(W)의 전달시에 웨이퍼(W) 및 웨이퍼 반송 장치와 원환 부재(60)가 간섭하지 않는 위치이자 원환 부재(60)와 FFU(31)가 간섭하지 않는 위치이다. 제2 위치(상승 위치)는 예컨대 스핀척(11)에 유지된 웨이퍼(W)로부터 40~70 ㎜의 위치이다.

(프리웨트)

계속해서, 웨이퍼(W)에 대하여 프리웨트 처리가 행해진다. 구체적으로는, 스핀척(11)에 유지된 웨이퍼(W)의 중심부 상방으로 용제 공급 노즐(51)을 이동시키고, 상기 용제 공급 노즐(51)로부터 웨이퍼(W) 상에 유기 용제를 공급시킨다. 이와 더불어, 웨이퍼(W)를 예컨대 2000 rpm 이상이라는 높은 회전수로 회전시킨다. 본 예에서는 웨이퍼(W)의 회전수는 2000 rpm인 것으로 한다. 또한, 이 공정에 있어서, 컵(14)의 내부를 배기하는 배기 압력은, 예컨대 21 Pa이다.

프리웨트 처리시에는, 웨이퍼(W)의 회전수가 전술한 바와 같이 높기 때문에, 웨이퍼(W)로부터 털어내어진 프리웨트액이 컵(14)에 충돌하여, 미스트형의 프리웨트액이 생긴다. 그 때문에, 이 공정에서는, 원환 부재(60)를 전술한 제1 위치(하방 위치)에 위치시킨다. 이에 의해, 컵(14)의 상방의 공간에 대한 개구를 작게 하여, 미스트형의 프리웨트액이 상기 개구를 통해 누설되지 않도록 한다.

(레지스트 액막 형성)

이어서, 웨이퍼(W)에 대하여 레지스트액의 액막을 형성하는 레지스트 액막 형성 처리가 행해진다. 구체적으로는, 용제 공급 노즐(51)을 후퇴시킨 후, 스핀척(11)에 유지된 웨이퍼(W)의 중심부 상방으로 레지스트액 공급 노즐(41)을 이동시키고, 상기 레지스트액 공급 노즐(41)로부터 웨이퍼(W) 상에 레지스트액을 공급시킨다. 이와 더불어, 웨이퍼(W)를 예컨대 2000 rpm 이상이라는 높은 회전수로 회전시킨다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 상면 전체를 덮는 레지스트액의 액막을 형성한다. 또, 본 예에서는 웨이퍼(W)의 회전수는 2500 rpm인 것으로 한다. 또한, 이 공정에서도, 컵(14)의 내부를 배기하는 배기 압력은, 예컨대 21 Pa이다.

레지스트 액막 형성 처리시에는, 웨이퍼(W)의 회전수가 전술한 바와 같이 높기 때문에, 웨이퍼(W)로부터 털어내어진 레지스트액이 컵(14)에 충돌하여, 미스트형의 레지스트액이 생긴다. 그 때문에, 이 공정에서는, 프리웨트 처리를 행하는 공정에 이어서, 원환 부재(60)를 제1 위치(하방 위치)에 위치시킨다. 이에 의해, 컵(14)의 상방의 공간에 대한 개구의 직경을 작게 하여, 미스트형의 레지스트액이 상기 개구를 통해 누설되기 어렵게 한다.

(건조)

계속해서, 웨이퍼(W)에 대하여, 레지스트액의 액막을 건조시켜 웨이퍼(W) 상에 레지스트막을 형성하는 처리가 행해진다. 구체적으로는, 레지스트액 공급 노즐(41)을 후퇴시키고, 또한 웨이퍼(W)를 예컨대 1500 rpm 이하라는 낮은 회전수로 회전시킨다. 이에 의해, 웨이퍼 상의 레지스트액의 액막을, 여분의 레지스트액을 털어내면서 건조시켜 레지스트막을 형성한다. 또, 본 예에서는 웨이퍼(W)의 회전수는 1500 rpm인 것으로 한다. 또한, 이 공정에서도, 컵(14)의 내부를 배기하는 배기 압력은, 예컨대 21 Pa이다. 바꿔 말하면, 프리웨트 처리 및 레지스트 액막 형성 처리와 건조 처리에서는 상기 배기 압력은 변하지 않는다.

건조 처리시에는, 웨이퍼(W)의 회전수가 전술한 바와 같이 낮기 때문에, 웨이퍼(W)로부터 털어내어진 레지스트액이 컵(14)에 충돌하지 않기 때문에, 미스트형의 레지스트액이 생기지 않는다. 또한, 건조 처리시에 있어서, FFU(31)로부터의 공기가 배기되는 것에 의해 웨이퍼(W)의 표면에 형성되는 기류가 레지스트막의 형상에 영향을 미친다. 그 때문에, 건조 처리시에 원환 부재(60)를 전술한 제1 위치(하방 위치)로 하면, 레지스트막의 둘레 가장자리측만 두꺼워지는 등, 상기 레지스트막의 막두께 분포에 악영향을 미친다. 따라서, 이 공정에서는, 원환 부재(60)의 위치는 전술한 제2 위치(상방 위치)가 된다.

(베벨 세정)

그 후, 웨이퍼(W)의 베벨부의 세정 처리가 행해진다. 구체적으로는, 베벨 세정 노즐(24)은, 웨이퍼(W)의 이면의 둘레 가장자리부에 레지스트액의 용제를 공급시킨다. 이와 더불어, 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 이면의 둘레 가장자리측과 베벨부의 불필요한 레지스트막을 제거한다.

(반출)

그리고, 웨이퍼(W)의 배치 및 흡착 유지의 공정과 역순으로, 웨이퍼(W)가 레지스트막 형성 장치(1)로부터 반출된다.

이상과 같이, 본 실시형태에서는, 레지스트막 형성 장치(1)가, 컵(14)의 상면에 대하여 승강 가능하게 구성된 원환형의 원환 부재(60)를 구비하고 있다.

이 레지스트막 형성 장치(1)에 의한, 성막 처리액을 웨이퍼(W)에 공급하고 상기 웨이퍼(W)를 회전시키는 공급 처리(즉 전술한 프리웨트 처리 및 레지스트 액막 형성 처리)에서는, 성막 처리액을 웨이퍼(W)의 상면 전체에 확산할 필요가 있는 것 등 때문에, 웨이퍼(W)의 회전수가 높다. 그 때문에, 상기 공급 처리에서는, 웨이퍼(W)로부터 털어내어진 성막 처리액이 컵(14)에 충돌하여 미스트형이 되는 경우가 있다.

본 실시형태와 달리 원환 부재(60)가 설치되어 있지 않은 경우, 도 4에 나타내는 바와 같이, 컵(14)에서의 성막 처리액이 충돌하는 위치, 즉 미스트형의 성막 처리액이 생기는 위치로부터, 이 경우의 컵(14)에서의 상방의 공간에 대한 개구인 구멍(17)의 가장자리까지의 거리가 짧다. 또한, 천장벽(19)의 하면과 웨이퍼(W)의 표면 사이의 간극이 크기 때문에, 상기 간극을 통과하는 FFU(31)로부터의 청정한 공기의 유속이 느린 경향이 있다. 그 때문에, 상기 공급 처리시에 있어서, 배기 기구(30)에 의한 배기압을 높이지 않으면, 성막 처리액의 미스트 입자(M)는, 컵(14)의 내부로부터 배출되는 기체와 함께 배출되지 않고, 상기 개구의 가장자리[즉 구멍(17)의 가장자리]까지 도달해 버리는 경우가 있다. 따라서, 미스트형의 성막 처리액이, 상기 개구, 즉 구멍(17)을 통해 컵(14)의 외부로 누출되어 버리는 경우가 있다.

이에 비하여, 본 실시형태에서는, 원환 부재(60)가 설치되어 있고, 상기 공급 처리시에는, 이 원환 부재(60)가 전술한 제1 위치(하방 위치)가 된다. 즉, 상기 공급 처리시에는, 원환 부재(60)가, 컵(14)의 구멍(17)의 둘레 가장자리를 막도록 컵(14)의 상면(14a)에 설치된다. 그 때문에, 상기 공급 처리시에 있어서, 컵(14)의 상방의 공간에 대한 개구가 구멍(17)보다 작은, 원환 부재(60)가 형성하는 구멍(60a)이 된다. 그 결과, 도 5에 나타내는 바와 같이, 성막 처리액의 미스트가 생기는 위치로부터 컵(14)의 상방의 공간에 대한 상기 개구의 가장자리[즉 구멍(60a)의 가장자리]까지의 거리가 길어진다. 또한, 원환 부재(60)의 하면[구체적으로는 둘레 가장자리 커버부(100)의 하면]과 웨이퍼(W)의 표면 사이의 간극이 작기 때문에, 상기 간극을 통과하는 FFU(31)로부터의 청정한 공기의 유속이 빠른 경향이 있다. 따라서, 상기 공급 처리시에 있어서, 배기 기구(30)에 의한 배기압을 높이지 않더라도, 성막 처리액의 미스트 입자(M)는, 상기 개구의 가장자리[즉 구멍(60a)의 가장자리]까지 도달하지 않고, 컵(14)의 내부로부터 배출되는 기체와 함께 배출된다. 따라서, 본 실시형태에 의하면, 배기 기구(30)에 의한 배기압[즉 컵(14)의 내부를 배기하는 배기압]을 높이지 않더라도, 상기 공급 처리시에, 미스트형의 성막 처리액이 컵(14)의 외부로 누출되어 버리지 않는다. 또한, 상기 공급 처리시의 배기 기구(30)에 의한 배기압을 높이면, 상기 공급 처리시에 미스트형의 성막 처리액이 컵(14)의 외부로 누출되어 버리는 것을 보다 확실하게 방지할 수 있다. 즉, 본 실시형태에 의하면, 상기 공급 처리시에 미스트형의 성막 처리액이 컵(14)의 외부로 누출되어 버리는 것을 효율적으로 방지할 수 있다.

또한, 본 실시형태에서는, 건조 처리시에는, 원환 부재(60)가 전술한 제2 위치(상방 위치)가 되고, 컵(14)의 상면(14a)으로부터 이격된다. 따라서, 원환 부재(60)가, 웨이퍼(W) 상의 레지스트막의 막두께 분포에 악영향을 미치지 않는다.

또, 원환 부재(60) 대신에, 원환 부재(60)의 외경과 같은 직경을 갖는 평면도에서 보았을 때 원형의 원판 부재를 이용한 경우, 레지스트 액막 형성 처리 공정 등에 있어서 FFU(31)로부터의 청정한 공기가 컵(14)의 내부에 도입되지 않는다. 그 결과, 레지스트막의 막두께가 면내 불균일하게 되어 버린다. 그 때문에, 전술한 바와 같은 원판 부재가 아니라, 원환 부재(60)를 이용하고 있다.

본 발명자들이 원환 부재(60)에 관해 실제로 시험한 결과를 도 6의 그래프에 나타냈다. 발명자가 행한 시험에서는, 전술한 프리웨트 처리와 레지스트 액막 형성 처리 양자 모두를 행했다. 또한, 프리웨트 처리시 및 레지스트 액막 형성 처리시의 웨이퍼(W)의 회전수를 4000 rpm으로 했다. 도 6의 그래프에 있어서, 횡축은, 배기 기구(30)에 의한 배기압을 나타내고, 종축은, 컵(14)의 외부에서 검출된 미스트형의 성막 처리액(유기 용제와 레지스트액 양자 모두)의 입자수를 나타낸다.

도 6에 나타내는 바와 같이, 원환 부재(60)가 없는 경우, 배기압을 60 Pa로 높이더라도, 컵(14)의 외부에서 성막 처리액의 미스트 입자가 검출되었다. 본 발명자들이 시험을 행한 바에 의하면, 원환 부재(60)가 없는 경우에 컵(14)의 외부에서 성막 처리액의 미스트 입자가 검출되지 않도록 하기 위해서는, 65 Pa 이상이라는 매우 높은 배기압이 필요했다.

이에 비하여, 내경이 240 ㎜인 원환 부재(60)를 설치하고, 프리웨트 처리시 및 레지스트 액막 형성 처리시에 상기 원환 부재(60)를 전술한 제1 위치(하방 위치)로 하면, 배기압이 15 pa나 10 Pa로 낮더라도, 컵(14)의 외부에서 성막 처리액의 미스트 입자가 검출되지 않았다.

또, 내경이 260 ㎜인 원환 부재(60)를 설치한 경우, 배기압이 25 Pa~30 Pa로 낮더라도, 컵(14)의 외부에서 성막 처리액의 미스트 입자가 검출되지 않았다. 또한, 내경이 280 ㎜인 원환 부재(60)를 설치한 경우, 컵(14)의 외부에서 성막 처리액의 미스트 입자가 검출되지 않도록 하기 위해서는, 35 Pa 이상이라는 비교적 높은 배기압이 필요했다.

따라서, 원환 부재(60)의 내경은 260 ㎜ 이하인 것이 바람직하다.

또한, 본 발명자들이 시험한 바에 의하면, 원환 부재(60)의 내경이 240 ㎜보다 작은 경우에 있어서도, 240 ㎜로 했을 때와 마찬가지로, 낮은 배기압에서도, 컵(14)의 외부에서 미스트형의 성막 처리액이 검출되지 않았다. 다만, 내경이 140 ㎜보다 작은 원환 부재(60)를 설치한 경우, 건조 처리후에 웨이퍼(W) 상에 형성되어 있는 레지스트막의 막두께 분포가 악화하는 경우가 있었다. 이는, 건조 처리시에, FFU(31)로부터의 청정한 공기를 컵(14)의 내부에 충분히 불어 넣을 수 없게 되어, 웨이퍼(W)의 상면에 원하는 기류를 형성할 수 없게 되기 때문이라고 고려된다.

따라서, 원환 부재(60)의 내경은 140 ㎜ 이상인 것이 바람직하다.

또, 원환 부재(60)의 재료에는, 예컨대 수지 재료가 이용된다. 원환 부재(60)의 재료를 수지 재료로 하는 것에 의해, 금속 재료로 한 경우에 비교하여, 처리를 거듭했을 때의 미스트형의 성막 처리액의 기화에 의한 원환 부재(60)의 온도 저하를 억제할 수 있어, 원환 부재(60)가 결로하는 것을 방지할 수 있다.

또한, 본 실시형태에서는, 원환 부재(60)의 연결부(110)가, 원환 부재(60)를 전술한 제1 위치(하방 위치)로 했을 때에 컵(14)의 상부에서의 내주측의 부분을 따르는 형상[구체적으로는 천장벽(19)의 내주측 상면과 볼록부(20)의 외주면, 상면 및 내주면을 따르는 형상]을 갖고 있다. 이에 의해, 원환 부재(60)를 전술한 제1 위치(하방 위치)로 했을 때에, 원환 부재(60)와 컵(14) 사이의 간극이 작아지도록 하고 있다. 이와 같이 상기 간극이 작으면, 상기 간극을 통해 미스트형의 성막 처리액이 컵(14)의 외부로 누설되는 것을 방지할 수 있다. 상기 간극을 통한 누설을 보다 확실하게 방지하기 위해서는, 원환 부재(60)를 전술한 제1 위치(하방 위치)로 했을 때에, 원환 부재(60)와 컵(14)이 밀착되는 것이 바람직하다. 다만, 이와 같이 밀착시키면, 원환 부재(60)의 승강시에 컵(14)과 마찰되어 먼지가 발생할 우려가 있다.

또, 이상의 예에서는, 원환 부재(60)를 전술한 제1 위치(하방 위치)에 대하여[즉 컵(14)의 상면에 대하여] 승강시키는 것에 의해 진퇴시켰다. 즉, 이상의 예에서는, 원환 부재(60)의 전술한 제1 위치에 대한 진퇴 방향은 연직 방향이었다. 상기 진퇴 방향은 대략 수평 방향이어도 좋다. 또, 진퇴 방향이 연직 방향이 아니고, 또한 원환 부재(60)를 전술한 제1 위치로부터 후퇴시켰을 때의 위치가, FFU(31)로부터의 청정한 기체가 상기 원환 부재(60)에 의해 컵(14)으로 향하는 것을 방해하지 않는 위치라면, 원환 부재(60)의 내경은 140 ㎜ 미만이어도 좋다.

도 7~도 9는 각각, 원환 부재의 다른 예를 나타내는 도면이다.

이상의 예에서는, 원환 부재(60)의 하면[구체적으로는 둘레 가장자리 커버부(100)의 하면(100a)], 즉 스핀척(11)에 유지된 웨이퍼(W)에 대향하는 면은 수평이었다. 원환 부재(60)의 하면의 형상은 이것에 한정되지 않는다. 예컨대, 도 7의 원환 부재(200)의 둘레 가장자리 커버부(201)의 하면(201a)과 같이, 외주측(도 7의 예에서는 외주단)으로부터 내주단을 향해 점차 낮아지도록 경사진 경사면이어도 좋다. 이에 의해, 원환 부재(200)를 전술한 제1 위치(하방 위치)로 했을 때에, 원환 부재(200)와 웨이퍼(W) 사이의 간극이 작아진다. 그 결과, FFU(31)로부터 공급된 청정한 공기가 상기 간극을 흘러갈 때의 유속이 빨라진다. 따라서, 미스트형의 성막 처리액이, 원환 부재(200)가 형성하는 구멍(60a)에 도달하여 상기 구멍(60a)을 통해 컵(14)의 외부로 누출되는 것을 보다 확실하게 방지할 수 있다.

또한, 도 8에 나타내는 바와 같이, 원환 부재(210)는, 그 둘레 가장자리 커버부(211)의 하면(211a)에서의 내주측에, 상기 원환 부재(210)와 동심의 원환형으로 형성되고 또한 스핀척(11)에 유지된 웨이퍼(W)를 향해 돌출된 볼록부(212)를 갖고 있어도 좋다. 이에 의해, 원환 부재(210)를 전술한 제1 위치(하방 위치)로 했을 때에, 원환 부재(210)와 웨이퍼(W) 사이의 간극이 작아진다. 그 결과, FFU(31)로부터 공급된 청정한 공기가 상기 간극을 흘러갈 때의 유속이 빨라진다. 따라서, 미스트형의 성막 처리액이, 원환 부재(210)가 형성하는 구멍(60a)에 도달하여 상기 구멍(60a)을 통해 컵(14)의 외부로 누출되는 것을 보다 확실하게 방지할 수 있다.

또한, 도 9에 나타내는 바와 같이, 원환 부재(220)는, 그 둘레 가장자리 커버부(221)의 내단이 볼록부(20)보다 수직 방향으로 두껍게 형성되고, 그 상면(222) 전체가 수평한 평탄면으로 되어 있어도 좋다. 그리고, 원환 부재(220)의 상면(222)의 내주단이 스핀척(11)에 유지된 웨이퍼(W)의 외주단보다 내측에 위치하고, 상기 상면(222)의 외주단이 컵(14)의 구멍(17)의 외주단보다 외측에 위치하고 있어도 좋다. 이에 의해, 둘레 가장자리 커버부(221)의 내단에서의 아래로 향하는 정류 작용이 강해지고 그 주변의 공기를 인입하기 쉬워지므로, FFU(31)로부터 공급된 청정한 공기가, 원환 부재(220)의 상면(222) 상에서 체류하거나 외주 방향으로 이동하거나 하지 않고, 컵(14)의 내부에 도입되기 쉬워진다. 그 결과, FFU(31)로부터 공급된 청정한 공기 중, 컵(14)의 내부에 도입되는 공기의 양이 많아진다. 따라서, 미스트형의 성막 처리액이, 원환 부재(220)가 형성하는 구멍(60a)에 도달하여 상기 구멍(60a)을 통해 컵(14)의 외부로 누출되는 것을 보다 확실하게 방지할 수 있다.

도 10은 원환 부재의 별도의 예를 나타내는 도면이다.

원환 부재(60)를 전술한 제1 위치(하방 위치)로 하여, 컵(14)의 구멍(17)의 둘레 가장자리를 둘레 가장자리 커버부(100)로 막더라도, 원환 부재(60)와 컵(14) 사이의 간극을 통해, 미스트형의 성막 처리액이 컵(14)의 외부로 누설되는 경우가 있다. 이 누설을 억제하기 위해, 도 10에 나타내는 바와 같이, 전술한 제1 위치(하방 위치)가 된 원환 부재(230)에서의 컵(14)의 상면(14a)에 대향하는 면(230a)과 컵(14)의 상면(14a)에서 라비린스 구조(R)가 형성되도록 해도 좋다. 바꿔 말하면, 컵(14)의 상면(14a)에 설치된 원환 부재(230)에서의 컵(14)의 상면(14a)에 대향하는 면(이하, 「대향면」이라고 함)(230a)과 컵(14)의 상면(14a)에서 라비린스 구조(R)가 형성되도록 해도 좋다. 도면의 예의 라비린스 구조(R)는, 원환 부재(230)의 대향면(230a)이 형성하는, 상방향으로 움푹 팬 복수(구체적으로는 2개)의 오목부와, 컵(14)이 갖는 상기 오목부 각각에 수용되도록 상면(14a)으로부터 상방향으로 돌출된 복수(구체적으로는 2개의)의 볼록부(300)로 구성되어 있다.

도 11은 컵의 다른 예를 나타내는 도면이다.

도 11의 컵(400)은 시일부(401)를 갖는다. 시일부(401)는, 원환 부재(240)의 외주측과 컵(400)의 상면(14a)[구체적으로는 천장벽(19)의 상면] 사이를 밀봉하는 것이며, 상기 상면(14a)에 형성되어 있다. 이 시일부(401)는, 전술한 제1 위치(하방 위치)가 된 원환 부재(240)의 외주측 하단이 수습되는 홈(402)을 가지며, 상기 홈(402)이 물(403)로 채워져 있다. 홈(402)은, 컵(14)의 구멍(17)과 평면도에서 보았을 때에 동심이 되도록 형성되어 있다. 이러한 시일부(401)를 설치하는 것에 의해, 원환 부재(240)와 컵(400) 사이의 간극을 통해, 미스트형의 성막 처리액이 컵(400)의 외부로 누설되는 것을 방지할 수 있다.

도 12는 컵의 다른 예를 나타내는 도면이다.

도 12의 컵(500)은, 흡인부로서의 흡인로(501)를 갖는다. 흡인로(501)는, 원환 부재(240)와 컵(500) 사이의 간극의 기체를 흡인하기 위한 것이다. 흡인로(501)는, 컵(500)을 형성하는 벽 내에 형성되며, 구체적으로는, 천장벽(19) 및 경사벽(18b)에 걸치도록 이들 천장벽(19) 및 경사벽(18b) 내에 형성되어 있다. 흡인로(501)의 일단은, 원환 부재(240)와 컵(500) 사이의 공간에 대하여 개구되고, 흡인로(501)의 타단은, 흡기 펌프를 갖는 흡기 기구(도시 생략)에 접속되어 있다.

또한, 컵(500)은, 전술한 제1 위치(하방 위치)가 된 원환 부재(240)의 외주측 하단이 수습되는 홈(502)을 갖는다. 홈(502)은, 컵(14)의 구멍(17)과 평면도에서 보았을 때에서 동심이 되도록 형성되어 있다. 흡인로(501)의 상기 일단은, 예컨대 이 홈(502)에 연통하고 있다.

전술한 바와 같이 흡인로(501)를 설치하는 것에 의해, 원환 부재(240)와 컵(500) 사이의 간극을 통해, 미스트형의 성막 처리액이 컵(500)의 외부로 누설되는 것을 방지할 수 있다.

또, 원환 부재와 컵 사이의 간극의 기체를 흡인하기 위한 흡인부를 원환 부재에 설치해도 좋다.

이번에 개시된 실시형태는 모든 점에서 예시이며 제한적인 것이 아니라고 고려되어야 한다. 상기 실시형태는, 첨부한 청구범위 및 그 주지를 일탈하지 않고 여러가지 형태로 생략, 치환, 변경되어도 좋다.

Claims (14)

1. 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서,
   기판을 유지하여 회전시키는 유지 회전부와,
   상기 유지 회전부에 유지된 기판에 대하여 성막 처리액을 공급하는 공급부와,
   상기 유지 회전부에 의한 회전에 의해 기판으로부터 털어내어진 성막 처리액을 받는 액받이부와,
   기판 처리에 관한 제어를 행하는 제어부
   를 포함하고,
   상기 액받이부는, 상기 유지 회전부에 유지되는 기판이 통과하고 상방의 공간에 대한 개구가 되는 구멍을 상부에 가지며, 내부가 배기되고,
   상기 기판 처리는, 기판에 대하여 성막 처리액을 공급하여 상기 기판을 회전시키는 공급 처리와, 상기 공급 처리 후, 기판을 회전시켜 기판 상의 성막 처리액을 건조시키는 건조 처리를 포함하며,
   상기 액받이부의 상면에 대하여 진퇴 가능하게 구성된 원환형의 원환 부재를 더 포함하고,
   상기 제어부는, 상기 공급 처리시에는 상기 원환 부재가 상기 액받이부의 상기 구멍의 둘레 가장자리를 막도록 상기 액받이부의 상면에 설치되고, 상기 건조 처리시에는 상기 원환 부재가 상기 액받이부의 상면으로부터 후퇴하도록 제어를 행하는 것인 기판 처리 장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 액받이부는, 상기 구멍을 형성하는 천장벽을 갖고,
   상기 원환 부재는, 상기 액받이부의 상면에 설치되었을 때, 상기 천장벽의 내주단으로부터 내주측으로 연장된 상태가 되는 것인 기판 처리 장치.
3. 제2항에 있어서, 상기 액받이부는, 상기 기판으로부터 측방으로 털어내어진 처리액이 충돌하는 측방벽을 갖고, 상기 천장벽은, 상기 측방벽보다 수평에 가까운 각도로 상기 측방벽으로부터 연장되는 것인 기판 처리 장치.
4. 제1항에 있어서, 상기 원환 부재는, 상기 유지 회전부에 유지된 기판과 대향하는 면이, 외주측으로부터 내주단을 향해 점차 낮아지도록 경사진 경사면인 것인 기판 처리 장치.
5. 제1항에 있어서, 상기 원환 부재는, 상기 유지 회전부에 유지된 기판과 대향하는 면에서의 내주측에, 상기 원환 부재와 동심의 원환형으로 형성되고 상기 기판을 향해 돌출된 볼록부를 갖는 것인 기판 처리 장치.
6. 제1항에 있어서, 상기 원환 부재는, 상면이 평탄하게 형성되고, 상기 상면의 내주단이 상기 유지 회전부에 유지된 기판의 외주단보다 내측에 위치하며, 상기 상면의 외주단이 상기 액받이부의 상기 구멍의 외주단보다 외측에 위치하고 있는 것인 기판 처리 장치.
7. 제1항에 있어서, 청정 기체의 하강 기류를 형성하는 기류 형성부를 더 포함하는 기판 처리 장치.
8. 제7항에 있어서, 상기 원환 부재의 내경은 140 ㎜ 이상 260 ㎜ 이하인 것인 기판 처리 장치.
9. 제1항에 있어서, 상기 액받이부의 상면과, 상기 상면에 설치된 상기 원환 부재에서의 상기 상면에 대향하는 면으로 라비린스 구조를 형성하는 것인 기판 처리 장치.
10. 제1항에 있어서, 상기 액받이부는, 상기 원환 부재의 외주측과 상기 액받이부의 사이를 봉하는 시일부를 갖는 것인 기판 처리 장치.
11. 제1항에 있어서, 상기 원환 부재와 상기 액받이부 사이의 간극의 기체를 흡인하는 흡인부를 포함하는 기판 처리 장치.
12. 제1항에 있어서, 상기 건조 처리시의 기판의 회전 속도는, 상기 공급 처리시의 기판의 회전 속도보다 낮은 것인 기판 처리 장치.
13. 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 방법으로서,
    상기 기판 처리 장치는,
    기판을 유지하여 회전시키는 유지 회전부와,
    상기 유지 회전부에 유지된 기판에 대하여 성막 처리액을 공급하는 공급부와,
    상기 유지 회전부에 의한 회전에 의해 기판으로부터 털어내어진 성막 처리액을 받는 액받이부
    를 포함하고,
    상기 액받이부는, 상기 유지 회전부에 유지되는 기판이 통과하고 상방의 공간에 대한 개구가 되는 구멍을 상부에 가지며,
    상기 액받이부의 상면에 대하여 진퇴 가능하게 구성된 원환형의 원환 부재를 더 구비하고,
    상기 원환 부재를 상기 구멍의 둘레 가장자리를 막도록 상기 액받이부의 상면에 설치한 상태로, 상기 액받이부의 내부를 배기시키면서, 기판에 대하여 성막 처리액을 공급하여 상기 기판을 회전시키는 공정과,
    그 후, 상기 원환 부재를 상기 액받이부의 상면으로부터 후퇴시킨 상태로, 상기 액받이부의 내부를 배기시키면서, 기판을 회전시켜 기판 상의 성막 처리액을 건조시키는 공정
    을 포함하는 기판 처리 방법.
14. 제13항에 기재된 기판 처리 방법을 상기 기판 처리 장치에 의해 실행시키도록, 상기 기판 처리 장치를 제어하는 제어부의 컴퓨터 상에서 동작하는 프로그램을 저장한 판독 가능한 컴퓨터 기억 매체.

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