CN217066140U - 煎烤器具 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及一种煎烤器具,包括:外壳、支撑件、发热件以及烤盘;支撑件设置于外壳内侧,发热件设置于支撑件上,支撑件设有多个用于支撑烤盘的支撑结构,支撑结构包括自支撑件的底壁向上延伸的第一支撑座以及自第一支撑座向上延伸的第二支撑座,烤盘放置于第二支撑座上,且与发热件间隔设置。本申请在第一支撑座的基础上增加了第二支撑座,烤盘放置于第二支撑座上,由于第二支撑座自第一支撑座向上延伸形成,因此第二支撑座的顶面面积小于第一支撑座,从而减小了支撑件与烤盘的接触面积,从而可以减少支撑件直接传递给烤盘的热量,减少烤盘发生变形的情况,进而可确保烤盘稳定放置在支撑件上。
Description
技术领域
本申请涉及小型家用电器技术领域,特别是涉及一种煎烤器具。
背景技术
煎烤器具可用于煎、烤食物,通过配置深度较深的烤盘,还可以用于涮煮火锅,使用非常方便。在一些方案中,煎烤器具通过支撑件支撑烤盘,然而支撑件与烤盘直接接触的部分面积较大,从而直接接触部分直接传热给烤盘,导致烤盘容易发生变形,从而放置不稳。
实用新型内容
基于此,有必要提供一种能够减小支撑件与烤盘接触面积的煎烤器具。
一种煎烤器具,包括:外壳、支撑件、发热件以及烤盘;所述支撑件设置于所述外壳内侧,所述发热件设置于所述支撑件上,所述支撑件设有多个用于支撑所述烤盘的支撑结构,所述支撑结构包括自所述支撑件的底壁向上延伸的第一支撑座以及自所述第一支撑座向上延伸的第二支撑座,所述烤盘放置于所述第二支撑座上,且与所述发热件间隔设置。
本申请的煎烤器具,在第一支撑座的基础上增加了第二支撑座,烤盘放置于第二支撑座上,烤盘与发热件间隔设置,从而发热件通过辐射传热的方式加热烤盘。由于第二支撑座自第一支撑座向上延伸形成,因此第二支撑座的顶面面积小于第一支撑座,从而减小了支撑件与烤盘的接触面积,从而可以减少支撑件直接传递给烤盘的热量,减少烤盘发生变形的情况,进而可确保烤盘稳定放置在支撑件上。
在其中一个实施例中,所述第二支撑座具有用于支撑所述烤盘的第二面,所述第一支撑座的顶面为第一面,所述第二面和所述第一面的高度差为H,H≥2mm。
H≥2mm,可确保烤盘不与第一面接触,从而保证支撑结构与烤盘之间的接触面积较小。并且,可使烤盘与第一支撑座的第一面之间形成散热间隙。
在其中一个实施例中,其特征在于,H≤5mm。
H≤5mm,在保证烤盘不会接触第一支撑座的情况下,对煎烤器具的整体高度也不会造成太大影响。
在其中一个实施例中,每个所述第一支撑座上设有一个或多个所述第二支撑座,所述第二支撑座具有用于支撑所述烤盘的第二面,单个所述第二面的面积为S,50mm2≤S≤100mm2。
50mm2≤S≤100mm2,则单个第二面的面积既不会太小也不会太大,从而既可确保第二支撑座不会变形而塌陷,从而确保第二支撑座对烤盘的有效支撑高度;又可确保第二支撑座与烤盘之间的接触面积不会太大,从而减少支撑件与烤盘之间的直接传热。
在其中一个实施例中,多个所述支撑结构环绕于所述发热件外周。
如此,支撑结构的布置更加合理,不影响发热件的安装。
在其中一个实施例中,所述第一支撑座的顶面高于所述发热件。
如此,可确保烤盘不会接触发热件,从而确保发热件始终以辐射传热的方式加热烤盘,进而保证烤盘受热均匀。
在其中一个实施例中,所述支撑件呈矩形,所述支撑结构设置于所述支撑件的四个角。
如此,有利于稳定支撑烤盘。
在其中一个实施例中,所述第一支撑座自所述支撑件的角向两相邻的侧边延伸,所述第一支撑座呈L形设置。
如此,支撑结构的结构强度较高,不容易发生变形,且能够稳定支撑烤盘。
在其中一个实施例中,每个所述第一支撑座上设有两个所述第二支撑座,两个所述第二支撑座分别位于所述第一支撑座的两端。
如此,有利于稳定支撑烤盘,且两个第二支撑座之间可形成散热间隙。
在其中一个实施例中,所述支撑件包括侧壁和底壁,所述侧壁和底壁围成容腔,所述第一支撑座由所述支撑件的侧壁以及底壁向所述容腔内凸起形成,所述第二支撑座由所述第一支撑座的顶壁向上凸起形成。
如此,第一支撑座和第二支撑座结构简单,容易加工。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案,下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员而言,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请一实施例的煎烤器具的立体图;
图2为本申请一实施例的煎烤器具的部分结构示意图;
图3为本申请一实施例的煎烤器具的立体图;
图4为本申请一实施例的煎烤器具沿长度方向剖切且剖切线经过第二支撑座的剖面视图;
图5为本申请一实施例的煎烤器具沿宽度方向剖切且剖切线经过第二支撑座的剖面视图。
附图标记:10、外壳;20、支撑件;201、侧壁;202、底壁;203、容腔;22、支撑结构;24、第一支撑座;242、第一面;26、第二支撑座;262、第二面;30、烤盘;40、发热件。
具体实施方式
为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请。但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进,因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。
需要说明的是,当组件被称为“固定于”或“设置于”另一个组件,它可以直接在另一个组件上或者也可以存在居中的组件。当一个组件被认为是“连接”另一个组件,它可以是直接连接到另一个组件或者可能同时存在居中组件。本申请的说明书所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的,并不表示是唯一的实施方式。
此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本申请的描述中,“多个”的含义是至少两个,例如两个,三个等,除非另有明确具体的限定。
在本申请中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征“上”、“下”可以是第一特征直接和第二特征接触,或第一特征和第二特征间接地通过中间媒介接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方,或仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方,或仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
除非另有定义,本申请的说明书所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的,不是旨在于限制本申请。本申请的说明书所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
请参见图1至图5,本申请提供一种煎烤器具,包括:外壳10、支撑件20、发热件40以及烤盘30。支撑件20设置于外壳10内侧,发热件40设置于支撑件20上。支撑件20设有多个用于支撑烤盘30的支撑结构22。支撑结构22包括自支撑件20的底壁202向上延伸的第一支撑座24以及自第一支撑座24向上延伸的第二支撑座26,烤盘30放置于第二支撑座26上,且烤盘30与发热件40间隔设置。
现有方案中,支撑结构22仅包括自支撑件20的底壁202向上延伸的第一支撑座24,烤盘30放置于第一支撑座24上,支撑件20与烤盘30接触面积较大。本申请在第一支撑座24的基础上增加了第二支撑座26,烤盘30放置于第二支撑座26上,烤盘30与发热件40间隔设置,从而发热件40通过辐射传热的方式加热烤盘30,从而烤盘30受热更加均匀。由于第二支撑座26自第一支撑座24向上延伸形成,因此第二支撑座26的顶面面积小于第一支撑座24,从而减小了支撑件20与烤盘30的接触面积,从而可以减少支撑件20直接传递给烤盘30的热量,减少烤盘30发生变形的情况,进而可确保烤盘30稳定放置在支撑件20上。
本实施例中,发热件40为发热管。多个支撑结构22环绕于发热件40外周。如此,支撑结构22的布置更加合理,不影响发热件40的安装。
进一步地,支撑件20采用铝合金材料制成,支撑件20还起到反射的作用,可将部分热量反射给烤盘30,从而提高加热效率。
支撑件20包括侧壁201和底壁202,侧壁201和底壁202围成容腔203,发热件40置于该容腔203内。也就是,发热件40设于支撑件20和烤盘30之间。
第一支撑座24由支撑件20的侧壁201以及底壁202向容腔203内凸起形成,第二支撑座26由第一支撑座24的顶壁向上凸起形成,结构简单,容易加工。
第一支撑座24顶面高于发热件40,从而烤盘30不会接触发热件40,从而可确保发热件40始终以辐射传热的方式加热烤盘30,进而保证烤盘30受热均匀。
请结合图2和图4,第二支撑座26具有用于支撑烤盘30的第二面262,第一支撑座24的顶面为第一面242,第二面262和第一面242的高度差为H,H≥2mm。H如果太小,则烤盘30底面很容易与第一面242发生接触,从而失去了在第一支撑座24上设置第二支撑座26的意义。本实施例中,H≥2mm,可确保烤盘30不与第一面242接触,从而保证支撑结构22与烤盘30之间的接触面积较小。并且,可使烤盘30与第一支撑座24的第一面242之间形成散热间隙。
进一步地,H≤5mm。H如果太大,则会影响煎烤器具的整体高度,增大煎烤器具的体积,并且会造成使用的不方便。本实施例中,H≤5mm,在保证烤盘30不会接触第一支撑座24的情况下,对煎烤器具的整体高度也不会造成太大影响。
在一些具体的实施例中,H为2mm,2.2mm,2.5mm,2.8mm,3mm,3.2mm,3.5mm,3.8mm,4mm,4.2mm,4.5mm,4.8mm,或5mm,等等。
请参见图2和图3,每个第一支撑座24上设有一个或多个第二支撑座26,第二支撑座26具有用于支撑烤盘30的第二面262,单个第二面262的面积为S,50mm2≤S≤100mm2。S如果太小,则烤盘30在第二支撑座26上的压强较大,对第二支撑座26的强度要求较高,否则,第二支撑座26容易发生变形。S如果太大,则第二支撑座26与烤盘30之间直接传热较多,容易导致烤盘30发生变形。本实施例中,S≥50mm2,可确保第二支撑座26不会变形而塌陷,从而确保第二支撑座26对烤盘30的有效支撑高度。且S≤100mm2,确保第二支撑座26与烤盘30之间的接触面积不会太大,从而减少支撑件20与烤盘30之间的直接传热。
在一些具体实施例中,S可以为50mm2,55mm2,60mm2,65mm2,70mm2,75mm2,80mm2,85mm2,90mm2,95mm2,或100mm2,等等。
一实施例中,第二面262为矩形,但不限于此,在其他实施例中,第二面262也可以为圆形、椭圆形、环形、漏斗形或心形等其他任意形状。
请参见图3,进一步地,支撑件20呈矩形,支撑结构22设置于支撑件20的四个角。如此,有利于稳定支撑烤盘30。可以理解的是,支撑件20的四个角可以为圆弧过渡。
第一支撑座24自支撑件20的角向两相邻的侧边延伸,第一支撑座24呈L形设置。如此,支撑结构22的结构强度较高,不容易发生变形,且能够稳定支撑烤盘30。
请参见图2和图3,一实施例中,每个第一支撑座24上设有两个第二支撑座26,两个第二支撑座26分别位于第一支撑座24的两端。如此,有利于稳定支撑烤盘30。且两个第二支撑座26之间可形成散热间隙。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本申请的保护范围。因此,本申请的专利保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种煎烤器具,其特征在于,包括:外壳(10)、支撑件(20)、发热件(40)以及烤盘(30);
所述支撑件(20)设置于所述外壳(10)内侧,所述发热件(40)设置于所述支撑件(20)上,
所述支撑件(20)设有多个用于支撑所述烤盘(30)的支撑结构(22),
所述支撑结构(22)包括自所述支撑件(20)的底壁(202)向上延伸的第一支撑座(24)以及自所述第一支撑座(24)向上延伸的第二支撑座(26),所述烤盘(30)放置于所述第二支撑座(26)上,且与所述发热件(40)间隔设置。
2.根据权利要求1所述的煎烤器具,其特征在于,所述第二支撑座(26)具有用于支撑所述烤盘(30)的第二面(262),所述第一支撑座(24)的顶面为第一面(242),所述第二面(262)和所述第一面(242)的高度差为H,H≥2mm。
3.根据权利要求2所述的煎烤器具,其特征在于,H≤5mm。
4.根据权利要求1所述的煎烤器具,其特征在于,每个所述第一支撑座(24)上设有一个或多个所述第二支撑座(26),所述第二支撑座(26)具有用于支撑所述烤盘(30)的第二面(262),单个所述第二面(262)的面积为S,
50mm2≤S≤100mm2。
5.根据权利要求1所述的煎烤器具,其特征在于,多个所述支撑结构(22)环绕于所述发热件(40)外周。
6.根据权利要求1所述的煎烤器具,其特征在于,所述第一支撑座(24)的顶面高于所述发热件(40)。
7.根据权利要求1所述的煎烤器具,其特征在于,所述支撑件(20)呈矩形,所述支撑结构(22)设置于所述支撑件(20)的四个角。
8.根据权利要求7所述的煎烤器具,其特征在于,所述第一支撑座(24)自所述支撑件(20)的角向两相邻的侧边延伸,所述第一支撑座(24)呈L形设置。
9.根据权利要求8所述的煎烤器具,其特征在于,每个所述第一支撑座(24)上设有两个所述第二支撑座(26),两个所述第二支撑座(26)分别位于所述第一支撑座(24)的两端。
10.根据权利要求1所述的煎烤器具,其特征在于,所述支撑件(20)包括侧壁(201)和底壁(202),所述侧壁(201)和所述底壁(202)围成容腔(203),所述第一支撑座(24)由所述支撑件(20)的侧壁(201)以及底壁(202)向所述容腔(203)内凸起形成,所述第二支撑座(26)由所述第一支撑座(24)的顶壁向上凸起形成。
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