CN216490421U

CN216490421U - 线圈器件、电路元件模块以及电子设备

Info

Publication number: CN216490421U
Application number: CN202190000078.7U
Authority: CN
Inventors: 三川贤太郎
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2020-03-16
Filing date: 2021-03-02
Publication date: 2022-05-10
Anticipated expiration: 2031-03-02
Also published as: US20220059279A1; WO2021187083A1; JPWO2021187083A1; JP7021723B1

Abstract

线圈器件、电路元件模块以及电子设备，其中线圈器件具有：第1端子对(P1)；第2端子对(P2)；第1线圈(La)，串联连接在第1端子对(P1)与第2端子对(P2)之间，并具有绕卷绕轴卷绕的第1线圈导体；以及第2线圈(Lb)，并联连接在第1端子对(P1)与第2端子对(P2)之间，具有绕卷绕轴卷绕的第2线圈导体，并与第1线圈(La)进行磁场耦合。第1线圈导体的面积大于第2线圈导体的面积。

Description

线圈器件、电路元件模块以及电子设备

技术领域

本实用新型涉及具有多个线圈的线圈器件、具有多个线圈并且具有其它电路元件的电路元件模块、以及具备它们的电子设备。

背景技术

在专利文献1示出了具有相互进行磁耦合的两个线圈的滤波器电路。例如，示出了通过设置与信号线串联地连接的电感器、分路地连接(shunt connected)在信号线与接地之间的电感器、以及其它电路元件而构成的低通滤波器、高通滤波器。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2019/107081号

实用新型内容

实用新型要解决的课题

在专利文献1记载的滤波器电路中，存在如下情况，即，从相互进行磁场耦合的线圈中的一方的线圈产生的磁通量由于另一方的线圈的存在而被干扰，该一方的线圈的电感非本意地下降。因此，变得也需要将一方的线圈的卷绕数、线圈长度向增加的方向进行调整。此外，存在如下情况，即，会在另一方的线圈产生涡电流，其成为涡电流损耗而产生损耗。其结果是，线圈的Q值下降，插入损耗增大，或者衰减量变小，存在得不到所希望的滤波器特性的情况。

由上述的电感的下降、Q值的下降造成的特性变化、偏移并不限于滤波器，在具有相互进行磁场耦合的多个线圈的线圈器件、电路元件模块共同地产生。

因此，本实用新型的目的在于，提供一种尽管具有相互进行磁场耦合的多个线圈但是抑制了电感的下降、Q值的下降的具有给定的特性的线圈器件、电路元件模块以及具备它们的电子设备。

用于解决课题的技术方案

作为本公开的一个例子的线圈器件具备：第1端子对；第2端子对；第1线圈，串联连接在所述第1端子对与所述第2端子对之间，并具有绕卷绕轴卷绕的第1线圈导体；以及第2线圈，并联连接在所述第1端子对与所述第2端子对之间，具有绕所述卷绕轴卷绕的第2线圈导体，并与所述第1线圈进行磁场耦合。而且，从所述卷绕轴的方向观察，所述第1 线圈导体的面积大于所述第2线圈导体的面积。

此外，作为本公开的一个例子的线圈器件具备：第1端子对；第2 端子对；第1线圈，并联连接在所述第1端子对与所述第2端子对之间，并具有绕卷绕轴卷绕的第1线圈导体；以及第2线圈，串联连接在所述第 1端子对与所述第2端子对之间，具有绕所述卷绕轴卷绕的第2线圈导体，并与所述第1线圈进行磁场耦合。而且，从所述卷绕轴的方向观察，所述第1线圈的线圈开口大于所述第2线圈的线圈开口。

此外，作为本公开的一个例子的线圈器件具备：第1端子对；第2 端子对；第1线圈，连接在所述第1端子对之间，并具有绕卷绕轴卷绕的第1线圈导体；以及第2线圈，连接在所述第2端子对之间，具有绕所述卷绕轴卷绕的第2线圈导体，并与所述第1线圈进行磁场耦合。而且，所述第1线圈的电感小于所述第2线圈的电感，从所述卷绕轴的方向观察，所述第1线圈导体的面积大于所述第2线圈导体的面积。

此外，作为本公开的一个例子的电路元件模块具备：所述线圈器件；以及有源电路元件，与所述第1线圈或所述第2线圈连接，所述线圈器件以及所述有源电路元件在单个封装件内一体构成。

此外，作为本公开的一个例子的电子设备具备：所述线圈器件；以及其它电路，与该线圈器件连接。

此外，作为本公开的一个例子的电子设备具备：所述电路元件模块；以及其它电路，与该电路元件模块连接。

实用新型效果

根据本实用新型，可得到尽管具有相互进行磁场耦合的多个线圈但是抑制了电感的下降、Q值的下降的具有给定的特性的线圈器件、电路元件模块以及具备它们的电子设备。

附图说明

图1(A)是第1实施方式涉及的低通滤波器201A的电路图，图1 (B)是第1实施方式涉及的另一个低通滤波器201B的电路图。

图2是线圈器件101A的主要部分的剖视图。

图3是示出在构成线圈器件101A的层叠体10的各层形成的导体图案的分解俯视图。

图4是示出第1线圈La、第2线圈Lb的平面图案等的图。

图5(A)是示出图1(A)所示的低通滤波器201A的从第1端子对 P1向第2端子对P2的透射系数S21的频率特性的图。图5(B)是示出图1(B)所示的低通滤波器201B的从第1端子对P1向第2端子对P2 的透射系数S21的频率特性的图。

图6(A)是第2实施方式涉及的高通滤波器202A的电路图，图6 (B)是第2实施方式涉及的另一个高通滤波器202B的电路图。

图7(A)是示出图6(A)、图6(B)所示的高通滤波器202A、202B 的从第1端子对P1向第2端子对P2的透射系数S21的频率特性的图。图7(B)是将图7(A)的纵轴(插入损耗)放大了的图。

图8(A)是第3实施方式涉及的电路元件模块303的电路图。图8 (B)是电路元件模块303的等效电路图。图8(C)是电路元件模块303 的另一个等效电路图。

图9是示出电路元件模块303的从第1端子对P1向第2端子对P2 的透射系数S21的频率特性的图。

图10是透视电路元件模块303的内部的导体图案而表示的立体图。

图11是示出构成电路元件模块303的各层的导体图案的分解俯视图。

图12(A)、图12(B)、图12(C)、图12(D)是第4实施方式涉及的阻抗变量器(impedance transformer)204A、204B、204C、204D的电路图。

图13是第5实施方式涉及的阻抗变量器205的电路图。

图14(A)、图14(B)是第6实施方式涉及的高频模块的框图。

图15是第7实施方式涉及的电子设备500的框图。

具体实施方式

以下，参照图并列举几个具体的例子来示出用于实施本实用新型的多个方式。在各图中，对同一部位标注同一附图标记。考虑到要点的说明或理解的容易性，为了便于说明，将实施方式分为多个实施方式示出，但是能够进行在不同的实施方式中示出的结构的部分置换或组合。在第2实施方式以后，省略关于与第1实施方式共同的事项的记述，仅对不同点进行说明。特别是，关于由同样的结构带来的同样的作用效果，将不在每个实施方式中逐次提及。

《第1实施方式》

在第1实施方式中，对具有低通滤波器功能的基本的线圈器件进行例不。

图1(A)所示的低通滤波器201A以及图1(B)所示的低通滤波器 201B作为将第1端子对P1作为输入部并将第2端子对P2作为输出部的低通滤波器而发挥功能。

另外，即使是具有第1端子对和第2端子对的结构，其也不意味着一定需要四个端子，一方的端子彼此可以在物理上共用，也可以有公共的端子。

低通滤波器201A具有线圈器件101A，低通滤波器201B具有线圈器件101B。线圈器件101A、101B均包含第1线圈La和第2线圈Lb。

低通滤波器201A具备串联地连接在第1端子对P1与第2端子对P2 之间的第1线圈La和并联地连接在第1端子对P1与所述第2端子对P2 之间的第2线圈Lb。在第2线圈Lb串联连接有电容器C1，该第2线圈 Lb和电容器C1的串联电路分路地连接在信号线与接地之间。

低通滤波器201B具备串联地连接在第1端子对P1与第2端子对P2 之间的第2线圈Lb和并联地连接在第1端子对P1与所述第2端子对P2 之间的第1线圈La。在第1线圈La串联连接有电容器C1，该第1线圈 La和电容器C1的串联电路分路地连接在信号线与接地之间。

图2是线圈器件101A的主要部分的剖视图。图3是示出在构成线圈器件101A的层叠体10的各层形成的导体图案的分解俯视图。图2是第1 线圈La以及第2线圈Lb的沿着线圈卷绕轴AX的位置处的剖视图。在图3中，虚线示出层间连接导体的位置。此外，图4是示出第1线圈La、第2线圈Lb的平面图案等的图。

在层叠体10中，由跨越S4层和S5层形成的第1线圈导体La1、La2 构成了第1线圈La，由跨越S1层至S3层形成的第2线圈导体Lb1、Lb2、 Lb3构成了第2线圈Lb。

第1线圈导体La1、La2和第2线圈导体Lb1、Lb2、Lb3是绕公共的线圈卷绕轴AX卷绕的导体图案。此外，第1线圈La的线圈开口AP1和第2线圈Lb的线圈开口AP2具有相互重叠的部分。通过该构造，第1 线圈La和第2线圈Lb相互进行磁场耦合。

关于线圈器件101B，也是与线圈器件101A同样的结构，第1线圈 La是Q值比第2线圈Lb高的一侧的线圈。

第1线圈La、第2线圈Lb、第1线圈导体La1、La2、以及第2线圈导体Lb1、Lb2、Lb3的特征性的结构如下。

(a)从线圈卷绕轴AX的方向观察，第1线圈导体La1、La2的重叠的图案的面积，即，图4所示的第1线圈La的用影线示出的部分(第1 线圈La的线圈开口AP1以及线圈导体间隔以外的部分)的面积大于第2 线圈导体Lb1、Lb2、Lb3的重叠的图案的面积，即，图4所示的第2线圈Lb的用影线示出的部分(第2线圈Lb的不包含线圈开口AP2的部分) 的面积。

(b)从线圈卷绕轴AX的方向观察，第1线圈La的线圈开口AP1 小于第2线圈Lb的线圈开口AP2。

(c)第1线圈导体La1、La2的线宽度W1大于第2线圈导体Lb1、 Lb2、Lb3的线宽度W2。

(d)第1线圈导体La1、La2分别是矩形漩涡状(spiral shape)，第 2线圈Lb是矩形螺旋状(helical shape)。第1线圈La的外周和第2线圈Lb的外周是大致相同的尺寸。另外，在此，所谓“漩涡状”，是指沿着二维的面在线圈卷绕轴的周围形成了线圈导体的状态，所谓“螺旋状”，是指在线圈卷绕轴的周围的三维的区域形成了线圈导体的状态。

通过上述(a)的结构，或者通过(b)的结构，通过第1线圈La的线圈开口AP1的磁通量

Figure 143017DEST_PATH_GDA0003323441070000061

不易受到第2线圈导体Lb1、Lb2、Lb3的影响。也就是说，不易产生由于通过第1线圈La的线圈开口AP1的磁通量

Figure 60157DEST_PATH_GDA0003323441070000062

碰到第2线圈导体Lb1、Lb2、Lb3而造成的涡电流。此外，通过第1线圈La的线圈开口AP1的磁通量

Figure 839895DEST_PATH_GDA0003323441070000063

不易受到第2线圈导体Lb1、Lb2、Lb3 的影响，因此可抑制第1线圈La的电感的下降，不需要通过增大第1线圈La的匝数、线圈直径来调整电感，能够将第1线圈La的Q值维持得高。

例如，若在图2中用实线的圆示出的位置存在第2线圈导体，则通过第1线圈La的线圈开口AP1的磁通量

Figure 297421DEST_PATH_GDA0003323441070000064

会受到第2线圈导体的影响，但是在本实施方式中不受其影响。

此外，通过上述(c)的结构，第1线圈导体La1、La2的直流电阻分量DCR变小，第1线圈La的Q值提高。

此外，通过上述(d)的结构，通过第1线圈La的线圈开口AP1的磁通量

Figure 111793DEST_PATH_GDA0003323441070000065

变得更不易受到第2线圈导体Lb1、Lb2、Lb3的影响，可得到 Q值高的第1线圈La。

此外，关于在图1(A)所示的低通滤波器201A中使用的线圈器件 101A，在频率轴上，在成为通过频段的频带(通过频带)中，与其它频带相比较，流过第1线圈La的电流变大。因此，可抑制通过频带中的由第1线圈La的电阻分量造成的热损耗，并可抑制插入损耗。

另一方面，关于在图1(B)所示的低通滤波器201B中使用的线圈器件101B，在频率轴上，在成为衰减极附近的频带(衰减极频带)中，由于起因于第1线圈La和电容器C1的串联电路的谐振，与其它频带相比较，流过第1线圈La的电流变大。因此，可抑制衰减极频带中的由第 1线圈La的电阻分量造成的衰减量下降，衰减量增大。

图5(A)是示出图1(A)所示的低通滤波器201A的从第1端子对 P1向第2端子对P2的透射系数S21的频率特性的图。此外，图5(B) 是示出图1(B)所示的低通滤波器201B的从第1端子对P1向第2端子对P2的透射系数S21的频率特性的图。在图5(A)、图5(B)中，fa 表示衰减极频率。在此，与S21成为-3dB(通过功率变成一半)的频率 fc相比，低频带成为通过频带，高频带成为衰减极频带。

如上所述，低通滤波器201A是进一步减小了通过频带中的插入损耗的低通滤波器，与图1(B)所示的低通滤波器201B的特性相比较，通过频带中的插入损耗T小。

此外，低通滤波器201B是进一步增大了衰减极频带中的衰减量的低通滤波器，与图1(A)所示的低通滤波器201A的特性相比较，衰减极频带中的衰减量A大。

像这样，通过根据所希望的滤波器特性来分配Q值高的线圈，从而能够构成活用了该Q值高的特性的滤波器。

《第2实施方式》

在第2实施方式中，对具有高通滤波器功能的基本的线圈器件进行例示。

图6(A)是第2实施方式涉及的高通滤波器202A的电路图，图6 (B)是第2实施方式涉及的另个高通滤波器202B的电路图。

图6(A)所示的高通滤波器202A以及图6(B)所示的高通滤波器 202B作为将第1端子对P1作为输入部并将第2端子对P2作为输出部的高通滤波器而发挥功能。

高通滤波器202A具有线圈器件102A，高通滤波器202B具有线圈器件102B。线圈器件102A、102B均包含第1线圈La和第2线圈Lb，在构造上也如图2、图3所示。

高通滤波器202A具备串联地连接在第1端子对P1与第2端子对P2 之间的第1线圈La和在第1端子对P1与所述第2端子对P2之间分路地连接在信号线与接地之间的第2线圈Lb。在第1线圈La并联连接有电容器C2，该第1线圈La和电容器C2的并联电路串联地连接在信号线。

高通滤波器202B具备串联地连接在第1端子对P1与第2端子对P2 之间的第2线圈Lb和在第1端子对P1与所述第2端子对P2之间分路地连接在信号线与接地之间的第1线圈La。在第2线圈Lb并联连接有电容器C2，该第2线圈Lb和电容器C2的并联电路串联地连接在信号线。

在线圈器件102A、102B中，均是第1线圈La的Q值高于第2线圈 Lb的Q值。

关于高通滤波器202A，在频率轴上，在衰减极附近的频带(衰减极频带)中，由于起因于第1线圈La和电容器C2的并联电路的谐振，形成衰减极。在此，由于第1线圈La的电阻分量，在谐振附近等效地在并联电路出现电导分量，因此即使在谐振状态下也产生透射并联电路的电流，功率在第1端子对P1与第2端子对P2之间传递，衰减变小。但是，在高通滤波器202A中，由于第1线圈La的Q值高，从而可抑制衰减极频带中的由第1线圈La的电阻分量造成的衰减量下降，衰减量增大。

另一方面，在高通滤波器202B中，在频率轴上的成为通过频段的频带(通过频带)中，由于由第1线圈La的电阻分量造成的相位从理想电感器的偏移，产生通带中的插入损耗。但是，在高通滤波器202B中，由于第1线圈La的Q值高，从而通过频带中的由第1线圈La的电阻分量造成的相位的偏移小，可抑制插入损耗。

此外，在频率轴上的成为阻止频段的频带(阻隔频带)中，由于第1 线圈La的电阻分量，衰减变小。但是，在高通滤波器202B中，由于第1 线圈La的Q值高，从而可抑制阻隔频带中的由第1线圈La的电阻分量造成的衰减量下降，衰减量增大。

图7(A)是示出图6(A)、图6(B)所示的高通滤波器202A、202B 的从第1端子对P1向第2端子对P2的透射系数S21的频率特性的图。图7(B)是将图7(A)的纵轴(插入损耗)放大了的图。在图7(A)、图7(B)中，实线是高通滤波器202A的特性，虚线是高通滤波器202B 的特性。在图7(A)中，fa表示衰减极频率。

如上所述，在高通滤波器202A中，串联地连接的第1线圈La的Q 值高，因此与高通滤波器202B的特性相比较，衰减极频带中的衰减量大。

另一方面，在高通滤波器202B中，并联地连接的第1线圈La的Q 值高，因此像在图7(B)表示的那样，可抑制通过频带中的插入损耗。此外，像在图7(A)表示的那样，除衰减极以外的阻止频段(与衰减极频率fa相比为低频带)的衰减量大。

《第3实施方式》

在第3实施方式中，对具有低通滤波器功能的另一个线圈器件进行例示。

图8(A)是第3实施方式涉及的电路元件模块303的电路图。图8 (B)是电路元件模块303的等效电路图。图8(C)是电路元件模块303 的另一个等效电路图。该电路元件模块303作为低通滤波器而发挥功能。

电路元件模块303具备第1线圈La、第2线圈Lb、以及与第1线圈 La或第2线圈Lb连接的其它电路元件。电路元件模块303具备串联地连接在第1端子对P1与第2端子对P2之间的第1线圈La和在第1端子对 P1与所述第2端子对P2之间耦合的第2线圈Lb。

在第1线圈La并联连接有电容器C12，该第1线圈La和电容器C12 的并联电路串联地连接在信号线。此外，在第2线圈Lb串联连接有电容器C2，该第2线圈Lb和电容器C2的串联电路分路地连接在信号线与接地之间。进而，在第1线圈La和电容器C12的并联电路的前级，电容器 C1分路地连接在信号线与接地之间(第1端子对P1的两端)。

若用M表示第1线圈La和第2线圈Lb的互感，则基于第1线圈La 和第2线圈Lb的耦合的变压器能够如图8(B)所示地用T型等效电路来表示。第1线圈La和第2线圈Lb被累积连接(cumulatively connected)。因此，在图8(B)中，由电感器(La+M、-M)和电容器C12的并联电路构成了并联谐振电路PR，由电感器(Lb+M)和电容器C2的串联电路构成了串联谐振电路SR。通过并联谐振电路PR和串联谐振电路SR复合地产生第1衰减极以及第2衰减极。电容器C1作为匹配电路而发挥作用。

在本实施方式中，与在第1实施方式中示出的具有低通滤波器功能的基本的线圈器件相比较，因为通过电容器C12产生两个衰减极，所以可在两个频带分别得到大的衰减特性，或者可跨越宽带得到大的衰减特性。

在图8(B)中，由电感器(La+M)、电感器(-M)、电感器(Lb+M) 以及电容器C2构成了T型电路，但是因为电感器(-M)为负的电抗，所以在低通滤波器的衰减特性方面，陡峭性稍微变差。但是，由于上述电感器(-M)为负的电抗，从而在低通滤波器的通过频段中，若将该T型电路变换为Π型电路，则成为如图8(C)所示的等效电路。也就是说，图 8(C)所示的包含电容器-C2’、C2”以及电感器La’的Π型电路与图8(B) 所示的T型电路是等效的。像这样，来源于在第1端子对P1侧分路连接的负的电容C2’，产生负的电纳。因为电容器C1相对于该负的电纳并联连接，所以可抑制上述负的电纳。因此，可抑制作为低通滤波器的衰减特性的陡峭性的劣化。也就是说，与第1实施方式中的具有低通滤波器功能的基本的线圈器件相比较，通过赋予电容器C1，可得到陡峭的衰减特性。

图9是示出电路元件模块303的从第1端子对P1向第2端子对P2 的透射系数S21的频率特性的图。频率fa1是上述第1衰减极的频率，频率fa2是上述第2衰减极的频率。在该例子中，第1线圈La的Q值高，因此通过频带中的插入损耗T小。进而，由于产生互感，第1线圈La的表观上的电感变大，第1线圈La的表观上的Q值也变高，通过频带中的插入损耗T小。

也就是说，根据本实施方式的电路元件模块303，能够减小通过频带中的插入损耗T。

图10是透视电路元件模块303的内部的导体图案而表示的立体图。图11是示出构成电路元件模块303的各层的导体图案的分解俯视图。图 10中的端子T1、T2、GND分别对应于图8(A)、图8(B)中所示的端子T1、T2、GND。此外，图10中的端子NC是不与电路连接的空置端子。

在图11中，由跨越S2层至S7层形成的第1线圈导体La1～La6构成了第1线圈La，由跨越S8层至S11层形成的第2线圈导体Lb1～Lb4构成了第2线圈Lb。第1线圈导体La1～La6并联连接，第2线圈导体Lb1～Lb4 串联连接。此外，由跨越S1层至S7层形成的电极构成了电容器C12。进而，由跨越S8层至S11层形成的电极分别构成了电容器C1、C2。

像这样构成的电路元件模块303的作用效果如下。

(a)通过在第1线圈La、第2线圈Lb的旁边并列设置电容器C1、 C2、C12，从而第1线圈La、第2线圈Lb的线圈开口和电容器C1、C2、 C12的电极不重叠，因此可抑制第1线圈La、第2线圈Lb的电感和Q 值的下降。

(b)通过在第1线圈La、第2线圈Lb的旁边并列设置电容器C1、 C2、C12，从而构成电容器C1、C2、C12的电极的层叠数增加，因此对构成电容器没有贡献的最上层、最下层的外侧的面积的比例减少，能够增大每单位体积的电容。

(c)通过在第1线圈La、第2线圈Lb的旁边并列设置电容器C1、 C2、C12，从而构成电容器C1、C2、C12的电极的层叠数增加，因此层间厚度被平均化，可抑制由层间厚度的偏差造成的电容的偏差，还可抑制谐振频率的偏差。

(d)通过将第1线圈La和电容器C12并列设置(一体化)，从而电容器C12形成用的电极不会堵住线圈开口，能够将第1线圈La的线圈开口形成得大，且能够使线宽度变粗，因此第1线圈La的Q值提高。但是，在图11所示的例子中，第1线圈导体La1～La6的线宽度与第2线圈导体 Lb1～Lb4的线宽度相同。

(e)通过将第1线圈La和电容器C12并列设置(一体化)，从而无需在第1线圈La与电容器C12之间设置间隙层，就能够增大每单位体积的第1线圈La的电感和电容器C12的电容。

(f)通过将第1线圈导体La1～La6分别设为漩涡状并将它们并联连接并进行磁场耦合，从而第1线圈La的线圈导体的等效的厚度变厚，能够在维持第1线圈La的电感的同时使Q值提高。

(g)通过将第1线圈导体La1～La6在相邻层间交替地进行并联连接，从而变得无需形成电容器C12用的层间连接导体。此外，由于不设置该层间连接导体，从而构成电容器C12的电极的有效面积变大，能够增大电容器C12的电容。

(h)通过使第2线圈Lb为螺旋状，从而能够减少成为涡电流的原因的与第1线圈La相对的第2线圈Lb的线宽度，能够抑制第1线圈La 的电感和Q值的下降以及插入损耗的增大。

(i)通过在第1线圈La、第2线圈Lb的旁边并列设置电容器C1、C2、C12，从而能够经由电容器C1、电容器C2的电极进行第2线圈Lb 的引出，不改变第2线圈Lb的线圈开口就能够调整第2线圈Lb的线长度，能够抑制Q值的下降，能够调整第2线圈Lb的电感，并由此能够调整谐振频率。

(j)通过第2线圈Lb的卷绕起点和卷绕终点的附近的层间连接导体的位置的确定方法，能够调整第1线圈La和第2线圈Lb的耦合系数，能够调整串联谐振电路SR的谐振频率。例如，如果将第2线圈导体Lb4 缩短并将第2线圈导体Lb1加长，则能够在基本维持第2线圈Lb的电感的同时使耦合系数提高。相反，如果将Lb4加长并将Lb1缩短，则能够在基本维持第2线圈Lb的电感的同时使耦合系数下降。也就是说，通过将第2线圈导体Lb1和第1线圈导体La6的并行部的线长度变长，从而第1线圈La和第2线圈Lb的耦合系数提高，通过将第2线圈导体Lb1 和第1线圈导体La6的并行部的线长度变短，从而第1线圈La和第2线圈Lb的耦合系数下降。

《第4实施方式》

在第4实施方式中，对作为阻抗变量器而发挥作用的线圈器件进行例示。

图12(A)、图12(B)、图12(C)、图12(D)是第4实施方式涉及的阻抗变量器204A、204B、204C、204D的电路图。任一阻抗变量器 204A、204B、204C、204D均具有第1线圈La和第2线圈Lb，第1线圈 La和第2线圈Lb相互进行磁场耦合。

电感小的线圈为了维持该线圈的Q值，电阻分量也必须同样地小。但是，电感按卷绕数的1～2次方(理想)增加，相对于此，电阻分量仅按1次方变化，因此维持电感小的线圈的Q值很困难。

在图12(A)的阻抗变量器204A中，在第1端子对P1连接有第2 线圈Lb，在第2端子对P2连接有第1线圈La。在用Nb表示第2线圈 Lb的卷绕数并用Na表示第1线圈La的卷绕数时，该阻抗变量器204A 的阻抗变量比(transformation ratio)为Nb：Na。而且，在该例子中，Nb＞Na，从第1端子对P1向第2端子对P2的阻抗变量比小于1。在该阻抗变量器204A中，因为将电感小而难以将Q值构成得高的第1线圈La 的Q值构成为与第2线圈Lb的Q值相同的程度，所以能够用作低插入损耗的阻抗变量器。

在图12(B)的阻抗变量器204B中，在第1端子对P1连接有第1 线圈La，在第2端子对P2连接有第2线圈Lb。在用Nb表示第2线圈 Lb的卷绕数并用Na表示第1线圈La的卷绕数时，该阻抗变量器204B 的阻抗变量比为Na：Nb。而且，在该例子中，Na＜Nb，从第1端子对 P1向第2端子对P2的阻抗变量比超过1。即使在该阻抗变量器204B中，也因为将电感小而难以将Q值构成得高的第1线圈La的Q值构成为与第 2线圈Lb的Q值相同的程度，所以能够用作低插入损耗的阻抗变量器。

在图12(C)的阻抗变量器204C中，在第1端子对P1连接有第2 线圈Lb，在第2端子对P2连接有第1线圈La。图12(A)所示的阻抗变量器204A是不平衡电路，但是该图12(C)所示的阻抗变量器204C 是平衡电路。在用Nb表示第2线圈Lb的卷绕数并用Na表示第1线圈 La的卷绕数时，阻抗变量器204C的阻抗变量比为Nb：Na。而且，在该例子中，Nb＞Na，从第1端子对P1向第2端子对P2的阻抗变量比小于 1。在该阻抗变量器204C中，因为将电感小而难以将Q值构成得高的第 1线圈La的Q值构成为与第2线圈Lb的Q值相同的程度，所以能够用作低插入损耗的阻抗变量器。

在图12(D)的阻抗变量器204D中，在第1端子对P1连接有第1 线圈La，在第2端子对P2连接有第2线圈Lb。图12(B)所示的阻抗变量器204B是不平衡电路，但是该图12(D)所示的阻抗变量器204D 是平衡电路。在用Nb表示第2线圈Lb的卷绕数并用Na表示第1线圈 La的卷绕数时，该阻抗变量器204D的阻抗变量比为Na：Nb。而且，在该例子中，Na＜Nb，从第1端子对P1向第2端子对P2的阻抗变量比超过1。即使是该阻抗变量器204D，也因为将电感小而难以将Q值构成得高的第1线圈La的Q值构成为与第2线圈Lb的Q值相同的程度，所以能够用作低插入损耗的阻抗变量器。

《第5实施方式》

在第5实施方式中，对作为阻抗变量器而发挥作用的线圈器件进行例示。

图13是第5实施方式涉及的阻抗变量器205的电路图。该阻抗变量器205具有第1线圈La和第2线圈Lb，第1线圈La和第2线圈Lb相互进行磁场耦合。

在阻抗变量器205中，在第1端子对P1连接有第2线圈Lb和第1 线圈La的串联电路，在第2端子对P2连接有第1线圈La。也就是说，由第1线圈La和第2线圈Lb构成自耦变压器。在该阻抗变量器205中，从第1端子对P1向第2端子对P2的阻抗变量比小于1。也就是说，流过第1线圈La的电流变得大于流过第2线圈Lb的电流。在该阻抗变量器 205中，因为第1线圈La的Q值在高的一侧，所以能够用作低插入损耗的阻抗变量器。

《第6实施方式》

在第6实施方式中，对包含滤波器和放大器的高频模块进行例示。

图14(A)、图14(B)是第6实施方式涉及的高频模块400A、400B 的框图。这些高频模块400A、400B是本实用新型涉及的“电路元件模块”的一个例子。

高频模块400A连接在发送电路Tx的输出部与天线ANT之间。该高频模块400A包含使发送频带的信号通过的滤波器和对发送信号进行功率放大的放大器PA。

高频模块400B连接在天线ANT与接收电路Rx之间。该高频模块 400B包含对接收频率进行低噪声放大的放大器LNA和使接收频带的信号通过的滤波器。

上述滤波器由在第1实施方式、第2实施方式或第3实施方式等中示出的线圈器件构成。像这样，也可以构成在单个封装件内一体构成了线圈器件以及有源电路元件的高频模块。

《第7实施方式》

在第7实施方式中，对具备线圈器件或电路元件模块的通信终端装置等电子设备进行例示。

图15是第7实施方式涉及的电子设备500的框图。本实施方式的电子设备500具备天线1、天线匹配电路40、通信电路51、基带电路52、应用处理器53以及输入输出电路54。通信电路51具备针对低频段 (700MHz至900MHz频段)和高频段(1.7GHz至2.7GHz频段)的发送电路TX以及接收电路RX，进一步具备天线共用器。天线1是与低频段和高频段对应的单极天线、倒L型天线、倒F型天线等。

上述构成要素容纳在一个壳体内。例如，天线匹配电路40、通信电路51、基带电路52、应用处理器53安装在印刷布线板，印刷布线板容纳在壳体内。输入输出电路54作为显示/触摸面板而被组装到壳体。天线1 安装在印刷布线板，或者配置在壳体的内表面或内部。

天线匹配电路40例如由在第5实施方式中示出的作为阻抗变量器而发挥作用的线圈器件构成。此外，通信电路51内的滤波器例如由在第3 实施方式等中示出的作为滤波器的电路元件模块构成。

通过以上所示的结构，可得到具备具有给定的频率特性的滤波器、低插入损耗的阻抗匹配电路的电子设备。

最后，本实用新型并不限于上述的实施方式。对本领域技术人员而言，能够适当地进行变形以及变更。本实用新型的范围不是由上述的实施方式示出，而是由权利要求书示出。进而，本实用新型的范围包含从与权利要求书等同的范围内的实施方式进行的变形以及变更。

附图标记说明

AP1、AP2：线圈开口；

AX：线圈卷绕轴；

C1、C2、C12：电容器；

La：第1线圈；

La1～La6：第1线圈导体；

Lb：第2线圈；

Lb1～Lb4：第2线圈导体；

P1：第1端子对；

P2：第2端子对；

PR：并联谐振电路；

RX：接收电路；

SR：串联谐振电路；

TX：发送电路；

1：天线；

10：层叠体；

40：天线匹配电路；

51：通信电路；

52：基带电路；

53：应用处理器；

54：输入输出电路；

101A、101B：线圈器件；

102A、102B：线圈器件；

201A、201B：低通滤波器；

202A、202B：高通滤波器；

204A、204B、204C、204D、205：阻抗变量器；

303：电路元件模块；

400A、400B：高频模块；

500：电子设备。

Claims

1.一种线圈器件，其特征在于，具备：

第1端子对；

第2端子对；

第1线圈，串联连接在所述第1端子对与所述第2端子对之间，并具有绕卷绕轴卷绕的第1线圈导体；以及

第2线圈，并联连接在所述第1端子对与所述第2端子对之间，具有绕所述卷绕轴卷绕的第2线圈导体，并与所述第1线圈进行磁场耦合，

从所述卷绕轴的方向观察，所述第1线圈导体的面积大于所述第2线圈导体的面积。

2.根据权利要求1所述的线圈器件，其特征在于，

具备：电容器，与所述第2线圈串联连接，

具有在频率特性形成衰减极的滤波器功能。

3.根据权利要求1所述的线圈器件，其特征在于，

具备：电容器，与所述第1线圈并联连接，

具有在频率特性形成衰减极的滤波器功能。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的线圈器件，其特征在于，

所述第1线圈导体的线宽度大于所述第2线圈导体的线宽度。

5.根据权利要求1至3中的任一项所述的线圈器件，其特征在于，

所述第1线圈导体的形状是漩涡状，所述第2线圈导体的形状是螺旋状。

6.一种线圈器件，其特征在于，具备：

第1端子对；

第2端子对；

第1线圈，并联连接在所述第1端子对与所述第2端子对之间，并具有绕卷绕轴卷绕的第1线圈导体；以及

第2线圈，串联连接在所述第1端子对与所述第2端子对之间，具有绕所述卷绕轴卷绕的第2线圈导体，并与所述第1线圈进行磁场耦合，

从所述卷绕轴的方向观察，所述第1线圈导体的面积大于所述第2 线圈导体的面积。

7.根据权利要求6所述的线圈器件，其特征在于，

所述第1线圈和所述第2线圈被累积连接，

由所述第1线圈以及所述第2线圈构成阻抗变量电路。

8.根据权利要求6或7所述的线圈器件，其特征在于，

具备：电容器，与所述第2线圈串联连接，

具有在频率特性形成衰减极的滤波器功能。

9.根据权利要求6或7所述的线圈器件，其特征在于，

具备：电容器，与所述第1线圈并联连接，

具有在频率特性形成衰减极的滤波器功能。

10.根据权利要求6或7所述的线圈器件，其特征在于，

所述第1线圈导体的线宽度大于所述第2线圈导体的线宽度。

11.根据权利要求6或7所述的线圈器件，其特征在于，

12.一种线圈器件，其特征在于，具备：

第1端子对；

第2端子对；

第1线圈，连接在所述第1端子对之间，并具有绕卷绕轴卷绕的第1线圈导体；以及

第2线圈，连接在所述第2端子对之间，具有绕所述卷绕轴卷绕的第2线圈导体，并与所述第1线圈进行磁场耦合，

所述第1线圈的电感小于所述第2线圈的电感，

13.根据权利要求12所述的线圈器件，其特征在于，

所述第1线圈导体的线宽度大于所述第2线圈导体的线宽度。

14.根据权利要求12或13所述的线圈器件，其特征在于，

15.一种电路元件模块，其特征在于，具备：

权利要求1至14中的任一项所述的线圈器件；以及

有源电路元件，与所述第1线圈或所述第2线圈连接，

所述线圈器件以及所述有源电路元件在单个封装件内一体构成。

16.一种电子设备，其特征在于，具备：

权利要求1至14中的任一项所述的线圈器件；以及

其它电路，与该线圈器件连接。

17.一种电子设备，其特征在于，具备：

权利要求15所述的电路元件模块；以及

其它电路，与该电路元件模块连接。