CN215072396U - 高频模块和通信装置 - Google Patents

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Abstract

本实用新型提供一种高频模块和通信装置。高频模块(1)具备：模块基板(91)；彼此分开地配置于模块基板(91)的第一电子部件和第二电子部件；以及第三电子部件，其与第一电子部件及第二电子部件这两方电连接，跨第一电子部件和第二电子部件地配置。

Description

高频模块和通信装置
技术领域
本实用新型涉及一种高频模块和通信装置。
背景技术
在便携式电话等移动通信设备中，特别是伴随着多频段化的进展，构成高频前端电路的电路元件的配置结构变得复杂。
在专利文献1中公开了一种将功率放大器、低噪声放大器以及滤波器等很多电子部件封装化而成的RF模块。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2018-137522号公报
实用新型内容
实用新型要解决的问题
在上述现有技术中，为了模块的小型化，很多电子部件被集成，部件间的布线变得复杂。由此，有时布线损耗和因布线偏差引起的不匹配损耗会增加。
因此，本实用新型提供一种能够实现小型化、并能够实现布线损耗和因布线偏差引起的不匹配损耗的降低的高频模块和通信装置。
用于解决问题的方案
本实用新型的一个方式所涉及的高频模块具备：模块基板；彼此分开地配置于模块基板的第一电子部件和第二电子部件；以及第三电子部件，其与第一电子部件及第二电子部件这两方电连接，跨第一电子部件和第二电子部件地配置。
优选地，所述第一电子部件和所述第二电子部件配置于所述模块基板与所述第三电子部件之间。
优选地，所述第三电子部件配置于所述模块基板与所述第一电子部件及所述第二电子部件之间。
优选地，在所述模块基板形成有腔，所述第三电子部件的至少一部分配置于所述腔内。
优选地，所述高频模块还具备：从所述第一电子部件延伸到所述模块基板的第一电极；以及从所述第二电子部件延伸到所述模块基板的第二电极。
优选地，所述第一电子部件是具有第一通带的第一滤波器，所述第二电子部件是具有与所述第一通带不同的第二通带的第二滤波器，所述第三电子部件是连接于天线连接端子与所述第一滤波器及所述第二滤波器之间的第一开关。
优选地，所述第一电子部件是与天线连接端子连接的第三滤波器，所述第二电子部件是经由所述第三滤波器来与所述天线连接端子连接的第四滤波器，所述第三电子部件是连接于所述第三滤波器与所述第四滤波器之间的第二开关。
优选地，所述第一电子部件是第一功率放大器，所述第二电子部件是第二功率放大器，所述第三电子部件是对所述第一功率放大器和所述第二功率放大器进行控制的控制电路。
优选地，所述第一电子部件是第一功率放大器，所述第二电子部件是第二功率放大器，所述第三电子部件是连接于至少1个高频输入端子与所述第一功率放大器及所述第二功率放大器之间的第三开关。
优选地，所述高频模块还具备：第一滤波器，其具有第一通带；以及第二滤波器，其具有与所述第一通带不同的第二通带，所述第一电子部件是第一功率放大器，所述第二电子部件是第二功率放大器，所述第三电子部件是连接于所述第一滤波器及所述第二滤波器与所述第一功率放大器及所述第二功率放大器之间的第四开关。
优选地，所述高频模块还具备第四电子部件，所述模块基板具有彼此相向的第一主面和第二主面，所述第一电子部件、所述第二电子部件以及所述第三电子部件配置于所述第一主面和所述第二主面中的一方，所述第四电子部件配置于所述第一主面和所述第二主面中的另一方。
优选地，所述高频模块还具备多个外部连接端子，所述第一电子部件、所述第二电子部件以及所述第三电子部件配置于所述第一主面，所述第四电子部件和所述多个外部连接端子配置于所述第二主面。
本实用新型的一个方式所涉及的通信装置具备：信号处理电路，其对高频信号进行处理；以及上述的高频模块，其在所述信号处理电路与天线之间传输高频信号。
实用新型的效果
根据本实用新型，能够实现高频模块的小型化，并能够实现布线损耗和因布线偏差引起的不匹配损耗的降低。
附图说明
图1是实施方式1所涉及的高频模块的电路结构图。
图2是实施方式1所涉及的高频模块的俯视图。
图3是实施方式1所涉及的高频模块的截面图。
图4是实施方式1所涉及的高频模块的截面图。
图5是实施方式1所涉及的高频模块的截面图。
图6是实施方式2所涉及的高频模块的截面图。
图7是实施方式2的变形例所涉及的高频模块的截面图。
图8是其它实施方式所涉及的高频模块的截面图。
附图标记说明
1、1A、1B、1C：高频模块；2：天线；3：RFIC；4：BBIC；5：通信装置；11、12：功率放大器；11a、12a、55a、55b、61a、62a、64a：通路导体；20、50：半导体部件；21：低噪声放大器；51、52、53、54：开关；55：控制电路；61、62、63：双工器；61R、62R、63R：接收滤波器；61T、62T、63T：发送滤波器；64：滤波器；71、72、73：匹配电路；91、91A：模块基板；91a、91b：主面；92：地电极图案；94、95：树脂构件；96：屏蔽电极层；97：腔；98、99、150：柱电极；100：天线连接端子；110、111、112、113、114：高频输入端子；121：高频输出端子；131：控制端子；151：凸块电极；511、512、513、514、515、521、522、523、524、531、532、533、534、541、542、543、544、545、546：端子。
具体实施方式
下面，使用附图来详细地说明本实用新型的实施方式。此外，以下说明的实施方式均用于表示总括性的或者具体的例子。以下的实施方式中示出的数值、形状、材料、结构要素、结构要素的配置及连接方式等是一例，其主旨并非限定本实用新型。
此外，各图是为了示出本实用新型而适宜地进行了强调、省略、或者比率的调整的示意图，未必严格地进行了图示，有时与实际的形状、位置关系及比率不同。在各图中，对实质上相同的结构标注相同的标记，有时省略或简化重复的说明。
在以下各图中，x轴和y轴是在与模块基板的主面平行的平面上彼此正交的轴。另外，z轴是与模块基板的主面垂直的轴，其正方向表示上方向，其负方向表示下方向。
在本实用新型的电路结构中，“连接”不仅包括以连接端子和/或布线导体来直接连接的情况，还包括经由其它电路元件来电连接的情况。“连接于A与B之间”是指在A与B之间与A及B这两方连接。
在本实用新型的部件配置中，“部件配置于基板”除了包括部件以与基板接触的状态配置于基板上以外，还包括不与基板接触地配置于基板的上方(例如，部件层叠于配置在基板上的其它部件上)、以及被配置为部件的一部分或者全部嵌入于基板内。“部件配置于基板的主面”除了包括部件以与基板的主面接触的状态配置于主面上以外，还包括部件不与主面接触地配置于主面的上方、以及被配置为部件的一部分从主面侧嵌入于基板内。
“平行”和“垂直”等表示要素间的关系性的用语不仅表达严格的意义，还意味着实质上同等的范围、例如包括百分之几左右的误差。
(实施方式1)
[1.1高频模块1和通信装置5的电路结构]
参照图1来说明本实施方式所涉及的高频模块1和通信装置5的电路结构。图1是实施方式1所涉及的高频模块1和通信装置5的电路结构图。
[1.1.1通信装置5的电路结构]
首先，说明通信装置5的电路结构。如图1所示，本实施方式所涉及的通信装置5具备高频模块1、天线2、RFIC 3以及BBIC 4。下面，依次说明通信装置5的各结构要素。
高频模块1在天线2与RFIC 3之间传输高频信号。在后面叙述高频模块1的电路结构。
天线2与高频模块1的天线连接端子100连接，从外部接收高频信号并向高频模块1输出。
RFIC 3是对高频信号进行处理的信号处理电路的一例。具体地说，RFIC 3将经由高频模块1的接收路径输入的高频接收信号通过下变频等来进行信号处理，并将进行了该信号处理后生成的接收信号向BBIC 4输出。另外，RFIC 3具有控制部，该控制部对高频模块1所具有的开关和低噪声放大器等进行控制。此外，RFIC 3的作为控制部的功能的一部分或全部也可以安装于RFIC 3的外部，例如，也可以安装于BBIC 4或者高频模块1。
BBIC 4是使用频率比高频模块1所传输的高频信号的频率低的中间频带来进行信号处理的基带信号处理电路。作为由BBIC 4进行处理的信号，例如使用图像信号以显示图像，和/或使用声音信号以借助扬声器进行通话。
此外，在本实施方式所涉及的通信装置5中，天线2和BBIC 4不是必需的结构要素。
[1.1.2高频模块1的电路结构]
接着，说明高频模块1的电路结构。如图1所示，高频模块1具备功率放大器11及12、低噪声放大器21、开关51～54、控制电路55、双工器61～63、滤波器64、匹配电路(MN)71～73、天线连接端子100、多个高频输入端子110、高频输出端子121以及控制端子131。
天线连接端子100是外部连接端子的一例，与天线2连接。
多个高频输入端子110是外部连接端子的一例，是用于从高频模块1的外部接收多个高频发送信号的端子。在本实施方式中，多个高频输入端子110包括4个高频输入端子111～114。
作为多个高频输入端子110从外部接收的多个高频信号，例如能够使用互不相同的通信系统的高频信号、和/或互不相同的通信频段的高频信号。
通信系统是指使用无线接入技术(RAT：Radio Access Technology)构建的通信系统。在本实施方式中，作为通信系统，例如能够使用5GNR(5th Generation New Radio：第五代新空口)系统、LTE(Long Term Evolution：长期演进)系统以及WLAN(Wireless LocalArea Network：无线局域网)系统等，但是不限定于这些。
通信频段是指由标准化团体等(例如3GPP(3rd Generation PartnershipProject：第三代合作伙伴项目)、IEEE(Institute of Electrical and ElectronicsEngineers：电气与电子工程师协会)等)为了通信系统而预先定义的频段。
此外，多个高频输入端子110的数量不限定于4个。例如，多个高频输入端子110的数量也可以比4个少，还可以比4个多。
高频输出端子121是外部连接端子的一例，是用于向高频模块1的外部提供多个高频接收信号的端子。此外，高频模块1也可以具备多个高频输出端子。
控制端子131是外部连接端子的一例，是用于从高频模块1的外部接收控制信号的端子。作为控制信号，例如使用用于控制功率放大器11和12的信号。
功率放大器11是第一功率放大器的一例，能够对由多个高频输入端子110接收的多个高频信号进行放大。在此，功率放大器11能够对从高频输入端子111和/或112经由开关54输入的通信频段A的高频信号进行放大。
功率放大器12是第二功率放大器的一例，能够对由多个高频输入端子110接收的多个高频信号进行放大。在此，功率放大器12能够对从高频输入端子113和/或114经由开关54输入的通信频段B和C的高频信号进行放大。
功率放大器11和12各自的结构没有特别限定。例如，功率放大器11和12各自也可以是多级放大器，也就是说，功率放大器11和12各自也可以具有级联连接的多个放大元件。此外，功率放大器11和12各自的级数不限定于2级，也可以为3级以上。另外，功率放大器11和/或12也可以是单级结构。
另外，功率放大器11和/或12也可以将高频信号变换为差分信号(也就是互补信号)后进行放大。这种功率放大器11和/或12有时被称为差分放大器。在该情况下，功率放大器11和/或12的输出也可以是差分信号。
匹配电路71连接于功率放大器11与发送滤波器61T之间。具体地说，匹配电路71连接于功率放大器11的输出与开关51的端子511之间。匹配电路71能够取得功率放大器11与发送滤波器61T的阻抗匹配。
匹配电路72连接于功率放大器12与发送滤波器62T及63T之间。具体地说，匹配电路72连接于功率放大器12的输出与开关51的端子512之间。匹配电路72能够取得功率放大器12与发送滤波器62T及63T的阻抗匹配。
匹配电路73连接于低噪声放大器21与接收滤波器61R～63R之间。具体地说，匹配电路73连接于低噪声放大器21的输入与开关52的端子521之间。匹配电路73能够取得低噪声放大器21与接收滤波器61R～63R的阻抗匹配。
低噪声放大器21能够对由天线连接端子100接收的多个高频信号进行放大。在此，低噪声放大器21能够对从天线连接端子100经由开关53、双工器61～63以及开关52输入的通信频段A～C的高频信号进行放大。被低噪声放大器21放大后的高频信号被输出到高频输出端子121。低噪声放大器21的结构没有特别限定。
双工器61是第一滤波器和第四滤波器的一例，具有包含通信频段A的通带。双工器61将通信频段A的发送信号和接收信号以频分双工(FDD：Frequency Division Duplex)方式传输。双工器61具有发送滤波器61T和接收滤波器61R。
发送滤波器61T连接于开关51与天线连接端子100之间。发送滤波器61T使被功率放大器11放大后的高频发送信号中的通信频段A的发送带的信号通过。
接收滤波器61R连接于开关52与天线连接端子100之间。接收滤波器61R使从天线连接端子100输入的高频接收信号中的通信频段A的接收带的信号通过。
双工器62是第二滤波器的一例，具有包含与通信频段A不同的通信频段B的通带。双工器62将通信频段B的发送信号和接收信号以FDD方式传输。双工器62具有发送滤波器62T和接收滤波器62R。
发送滤波器62T连接于开关51与天线连接端子100之间。发送滤波器62T使被功率放大器12放大后的高频发送信号中的通信频段B的发送带的信号通过。
接收滤波器62R连接于开关52与天线连接端子100之间。接收滤波器62R使从天线连接端子100输入的高频接收信号中的通信频段B的接收带的信号通过。
双工器63使通信频段C的高频信号通过。双工器63将通信频段C的发送信号和接收信号以FDD方式传输。双工器63包含发送滤波器63T和接收滤波器63R。
发送滤波器63T连接于开关51与天线连接端子100之间。发送滤波器63T使被功率放大器12放大后的高频发送信号中的通信频段C的发送带的信号通过。
接收滤波器63R连接于开关52与天线连接端子100之间。接收滤波器63R使从天线连接端子100输入的高频接收信号中的通信频段C的接收带的信号通过。
滤波器64是第三滤波器的一例，与天线连接端子100连接。滤波器64具有包含通信频段A、B以及C的通带，例如是低通滤波器。
作为通信频段A，例如能够使用属于高频段组的通信频段。高频段组是由多个通信频段构成的频带组，与中频段组相比位于高频侧，例如具有2.4GHz-2.8GHz的频率范围。高频段组例如由用于LTE的频段B7(上行链路：2500MHz-2570MHz、下行链路：2620MHz-2690MHz)等通信频段构成。
作为通信频段B和C，例如能够使用属于中频段组的通信频段。中频段组是由多个通信频段构成的频带组，与高频段组相比位于低频侧，例如具有1.5GHz-2.2GHz的频率范围。中频段组例如由用于LTE的频段B1(上行链路：1920MHz-1980MHz、下行链路：2110MHz-2170MHz)、频段B39(1880MHz-1920MHz)、以及频段B66(上行链路：1710MHz-1780MHz、下行链路：2110MHz-2200MHz)等通信频段构成。
开关51是第四开关的一例，连接于发送滤波器61T～63T与功率放大器11及12之间。具体地说，开关51具有端子511～515。端子511与功率放大器11的输出连接。端子512与功率放大器12的输出连接。端子513～515分别与发送滤波器61T～63T连接。在该连接结构中，开关51例如能够基于来自RFIC 3的控制信号，对端子511与513的连接和非连接进行切换，且将端子514和515中的任一个端子与端子512连接。也就是说，开关51能够对功率放大器11与发送滤波器61T的连接和非连接进行切换，且能够在将功率放大器12与发送滤波器62T连接以及将功率放大器12与发送滤波器63T连接之间进行切换。开关51例如由多连接型的开关电路构成，被称为频段选择开关。
开关52连接于接收滤波器61R～63R与低噪声放大器21之间。具体地说，开关52具有端子521～524。端子521与低噪声放大器21的输入连接。端子522～524分别与接收滤波器61R～63R连接。在该连接结构中，开关52例如能够基于来自RFIC 3的控制信号，来将端子522～524中的任一个端子与端子521连接。也就是说，开关52能够在将低噪声放大器21与接收滤波器61R连接、将低噪声放大器21与接收滤波器62R连接、以及将低噪声放大器21与接收滤波器63R连接之间进行切换。开关52例如由SP3T(Single-Pole Triple-Throw：单刀三掷)型的开关电路构成，被称为LNA输入开关。
开关53是第一开关和第二开关的一例，连接于天线连接端子100与双工器61～63之间，且连接于滤波器64与双工器61～63之间。具体地说，开关53具有端子531～534。端子531与天线连接端子100连接。端子532～534分别与双工器61～63连接。在该连接结构中，开关53例如能够基于来自RFIC 3的控制信号，来将端子532～534中的至少1个端子与端子531连接。也就是说，开关53能够对天线2与双工器61的连接和非连接进行切换，且对天线2与双工器62的连接和非连接进行切换，且对天线2与双工器63的连接和非连接进行切换。开关53例如由多连接型的开关电路构成，被称为天线开关。
开关54是第三开关的一例，连接于多个高频输入端子110与功率放大器11及12之间。具体地说，开关54具有端子541～546。端子541与功率放大器11的输入连接。端子542和543分别与高频输入端子111和112连接。端子544与功率放大器12的输入连接。端子545和546分别与高频输入端子113和114连接。在该连接结构中，开关54例如能够基于来自RFIC 3的控制信号，来将端子542和543中的任一个端子与端子541连接，且将端子545和546中的任一个端子与端子544连接。也就是说，开关54能够在将高频输入端子111与功率放大器11连接以及将高频输入端子112与功率放大器11连接之间进行切换，且能够在将高频输入端子113与功率放大器12连接以及将高频输入端子114与功率放大器12连接之间进行切换。开关54例如由多连接型的开关电路构成，被称为发送输入开关。
此外，开关54的结构不限定于此。例如，开关54也可以是将功率放大器11和12中的任一个与高频输入端子111连接的开关。在该情况下，开关54也可以由SPDT(Single-PoleDouble-Throw：单刀双掷)型的开关电路构成。
控制电路55与控制端子131连接。控制电路55经由控制端子131来从RFIC3接收控制信号，并将控制信号输出到功率放大器11和12。此外，控制电路55也可以向其它电路部件输出控制信号。
此外，图1示出的电路元件中的几个电路元件也可以不包括于高频模块1。例如，高频模块1只要至少具备2个电子部件(例如功率放大器11和12、双工器61和62、或者双工器61和滤波器64等)、以及跨该2个电子部件地配置的1个电子部件(例如控制电路55或者开关53等)即可，也可以不具备其它电路元件。
另外，在高频模块1的电路结构中，能够将发送信号和接收信号以FDD方式进行通信，但是本实用新型所涉及的高频模块的电路结构不限定于此。例如，本实用新型所涉及的高频模块也可以具有能够将发送信号和接收信号以时分双工(TDD：Time DivisionDuplex)方式进行通信的电路结构，还可以具有能够以FDD方式和TDD方式这两方进行通信的电路结构。
[1.2高频模块1的部件配置]
接着，参照图2和图3来具体地说明如以上那样构成的高频模块1的部件配置。
图2是实施方式1所涉及的高频模块1的俯视图。在图2中，(a)示出从z轴正侧观察模块基板91的主面91a而得到的图，(b)示出从z轴正侧透视模块基板91的主面91b而得到的图。图3～图5是实施方式1所涉及的高频模块1的截面图。图3～图5中的高频模块1的截面分别是图2的iii-iii线、iv-iv线以及v-v线处的截面。
如图2～图5所示，高频模块1除了具备构成图1示出的电路的电路部件以外，还具备模块基板91、树脂构件94及95、屏蔽电极层96以及多个柱电极150。此外，在图2中，省略了树脂构件94及95、以及屏蔽电极层96的记载。
模块基板91具有彼此相向的主面91a和主面91b。作为模块基板91，例如能够使用具有多个电介质层的层叠构造的低温共烧陶瓷(LTCC：Low Temperature Co-firedCeramics)基板、高温共烧陶瓷(HTCC：High Temperature Co-fired Ceramics)基板、部件内置基板、具有重新布线层(RDL：Redistribution Layer)的基板、或者印刷电路板等，但是不限定于这些。在模块基板91内形成有地电极图案92。
主面91a是第一主面的一例，有时被称为上表面或者表面。如图2的(a)等所示，在主面91a配置有功率放大器11及12、开关53、控制电路55、双工器61～63、滤波器64、匹配电路71～73以及树脂构件94。
开关53是第三电子部件的一例，如图2所示，开关53跨双工器61、62以及滤波器64地配置。此时，双工器61、62以及滤波器64中的任意2个是第一电子部件和第二电子部件的一例，彼此分开地配置。并且，双工器61、62以及滤波器64配置于模块基板91与开关53之间。也就是说，开关53在双工器61、62以及滤波器64之上，跨双工器61、62以及滤波器64地配置。
具体地说，开关53与双工器61、62及滤波器64分别部分层叠，架设于双工器61、62以及滤波器64之间。换言之，开关53的第一部分层叠于双工器61上，开关53的第二部分层叠于双工器62上，开关53的第三部分层叠于滤波器64上。此时，开关53的第一部分、第二部分以及第三部分位于同一面上。
另外，如图3和图5所示，开关53经由在配置于下方的部件内形成的通路导体来与配置于下方的部件电连接。具体地说，开关53经由双工器61内形成的通路导体61a来与双工器61电连接。另外，开关53经由双工器62内形成的通路导体62a来与双工器62电连接。并且，开关53经由滤波器64内形成的通路导体64a来与滤波器64电连接。
通路导体是指部件内形成的过孔中填充的导体，材质等没有特别限定。此外，通路导体也可以由填充于通孔的导体构成，也可以由填充于2个盲孔内的导体和在部件内将它们连接起来的平面电极图案构成。
控制电路55是第三电子部件的一例，如图2所示，控制电路55跨功率放大器11和12地配置。此时，功率放大器11和12是第一电子部件和第二电子部件的一例，彼此分开地配置。并且，功率放大器11和12配置于模块基板91与控制电路55之间。也就是说，控制电路55在功率放大器11和12之上，跨功率放大器11和12地配置。
具体地说，控制电路55与功率放大器11和12分别部分层叠，从功率放大器11和12中的一方架设到另一方。换言之，控制电路55的第一部分层叠于功率放大器11上，控制电路55的第二部分层叠于功率放大器12上。此时，控制电路55的第一部分和第二部分位于同一面上。
另外，如图3和图4所示，控制电路55经由在配置于下方的部件内形成的通路导体来与配置于下方的部件电连接。具体地说，控制电路55经由功率放大器11内形成的通路导体11a来与功率放大器11电连接。另外，控制电路55经由功率放大器12内形成的通路导体12a来与功率放大器12电连接。
双工器61～63和滤波器64分别例如可以是声表面波滤波器、使用了BAW(BulkAcoustic Wave：体声波)的弹性波滤波器、LC谐振滤波器以及介质滤波器中的任一种，并且不限定于这些。
匹配电路71～73例如包含电感器和/或电容器，由表面安装器件(SMD：SurfaceMount Device)构成。此外，匹配电路71～73也可以在模块基板91内形成，也可以由集成型无源器件(IPD：Integrated Passive Device)构成。
树脂构件94覆盖着主面91a上的电路部件。树脂构件94具有确保主面91a上的部件的机械强度和耐湿性等的可靠性的功能。
主面91b是第二主面的一例，有时被称为下表面或者背面。如图2的(b)等所示，主面91b配置有内置有低噪声放大器21和开关52的半导体部件20、内置有开关51和54的半导体部件50、树脂构件95以及多个柱电极150。
半导体部件20和50分别是具有形成于半导体芯片(也被称为裸片(die))的表面及内部的电子电路的电子部件，也被称为半导体集成电路。半导体部件20和50分别例如由CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor：互补金属氧化物半导体)构成，具体地说，也可以通过SOI(Silicon on Insulator：绝缘体上硅)工艺来构成。由此，能够廉价地制造半导体部件。此外，半导体部件20和50分别也可以由GaAs、SiGe以及GaN中的至少1个构成。由此，能够实现高质量的半导体部件。
树脂构件95覆盖着主面91b上的电路部件。树脂构件95具有确保主面91b上的部件的机械强度和耐湿性等的可靠性的功能。
多个柱电极150构成包括天线连接端子100、多个高频输入端子110、高频输出端子121以及控制端子131在内的多个外部连接端子。多个柱电极150分别配置于模块基板91的主面91b，从主面91b垂直地延伸。另外，多个柱电极150分别贯通树脂构件95，其一端从树脂构件95露出。多个柱电极150的从树脂构件95露出的一端与配置于高频模块1的z轴负方向的母基板上的输入输出端子和/或地电极等连接。
屏蔽电极层96例如是通过溅射法形成的金属薄膜，被形成为覆盖树脂构件94的上表面及侧表面、以及模块基板91及树脂构件95的侧表面。屏蔽电极层96被设定为地电位，用于抑制外来噪声侵入到构成高频模块1的电路部件。
[1.3效果等]
如以上那样，本实施方式所涉及的高频模块1具备：模块基板91；彼此分开地配置于模块基板91的第一电子部件和第二电子部件；以及第三电子部件，其与第一电子部件及第二电子部件这两方电连接，跨第一电子部件和第二电子部件地配置。
据此，能够将第三电子部件跨第一电子部件和第二电子部件地配置，因此能够实现高频模块1的小型化。并且，能够缩短第一电子部件与第三电子部件之间的布线长度以及第二电子部件与第三电子部件之间的布线长度这两方。因而，能够降低布线损耗和/或从该布线辐射的噪声，能够提高高频模块1的电气特性(例如，噪声系数(NF)、增益特性等)。
另外，例如，在本实施方式所涉及的高频模块1中，也可以是，第一电子部件和第二电子部件配置于模块基板91与第三电子部件之间。
据此，能够将第三电子部件层叠于第一电子部件和第二电子部件之上，能够稳定地固定第三电子部件。
另外，例如，在本实施方式所涉及的高频模块1中，也可以是，第一电子部件是具有包含通信频段A的通带的双工器61，第二电子部件是具有包含与通信频段A不同的通信频段B的通带的双工器62，第三电子部件是连接于天线连接端子100与双工器61及62之间的开关53。
据此，能够缩短开关53与双工器61之间的布线长度以及开关53与双工器62之间的布线长度这两方。因而，能够降低布线损耗和因布线的偏差引起的不匹配损耗，能够提高高频模块1的电气特性。特别是，在以通信频段A和B来同时进行通信的情况下，通过缩短开关53与双工器61之间的布线长度，能够降低因该布线引起的不匹配损耗，能够提高通信频段A的信号的质量。反之，通过缩短开关53与双工器62之间的布线长度，能够降低因该布线引起的不匹配损耗，能够提高通信频段B的信号的质量。
另外，例如，在本实施方式所涉及的高频模块1中，也可以是，第一电子部件是与天线连接端子100连接的滤波器64，第二电子部件是经由滤波器64来与天线连接端子100连接的双工器61，第三电子部件是连接于滤波器64与双工器61之间的开关53。
据此，能够缩短开关53与滤波器64之间的布线长度以及开关53与双工器61之间的布线长度这两方。因而，能够降低布线损耗和因布线的偏差引起的不匹配损耗，能够提高高频模块1的电气特性。
另外，例如，在本实施方式所涉及的高频模块1中，也可以是，第一电子部件是功率放大器11，第二电子部件是功率放大器12，第三电子部件是对功率放大器11和功率放大器12进行控制的控制电路55。
据此，能够缩短控制电路55与功率放大器11之间的布线长度以及控制电路55与功率放大器12之间的布线长度这两方。因而，能够降低从该布线辐射的噪声，能够提高高频模块1的电气特性。特别是，在控制电路55输出数字信号的情况下，能够降低数字噪声，能够进一步提高高频模块1的电气特性。
另外，例如，本实施方式所涉及的高频模块1也可以还具备第四电子部件，也可以是，模块基板91具有彼此相向的主面91a和91b，第一电子部件、第二电子部件以及第三电子部件配置于主面91a和91b中的一方，第四电子部件配置于主面91a和91b中的另一方。
据此，能够将多个部件配置于模块基板91的两面，能够实现高频模块1的进一步小型化。
另外，例如，在本实施方式所涉及的高频模块1中，也可以是，还具备多个柱电极150来作为多个外部连接端子，第一电子部件、第二电子部件以及第三电子部件配置于主面91a，第四电子部件和多个柱电极150配置于主面91b。
据此，能够将难以通过层叠使高度降低的第一电子部件、第二电子部件以及第三电子部件配置于与多个柱电极150相反的一侧的主面91a。因而，能够实现多个柱电极150的缩短和高频模块1整体的高度降低。
另外，本实施方式所涉及的通信装置5具备：RFIC 3，其对高频信号进行处理；以及高频模块1，其在RFIC 3与天线2之间传输高频信号。
据此，在通信装置5中，能够实现与高频模块1同样的效果。
(实施方式2)
接着，说明实施方式2。在本实施方式中，与上述实施方式1的主要不同点在于，在1个电子部件跨多个电子部件地配置时，该1个电子部件配置于模块基板的腔内，并配置于模块基板与多个电子部件之间。下面，以与上述实施方式1的不同点为中心，参照附图来说明本实施方式。
此外，本实施方式所涉及的高频模块1A的电路结构与上述实施方式1相同，因此省略图示和说明。
[2.1高频模块1A的部件配置]
参照图6来具体地说明本实施方式所涉及的高频模块1A的部件配置。图6是实施方式2所涉及的高频模块1A的截面图。
如图6所示，在本实施方式中，在模块基板91A形成有腔97。而且，控制电路55配置于该腔97内。此外，既可以将控制电路55全部配置于腔97内，但是也可以仅将控制电路55的一部分配置于腔97内。
控制电路55跨功率放大器11和12地配置。此时，控制电路55配置于模块基板91A与功率放大器11及12之间。也就是说，控制电路55在功率放大器11和12之下跨功率放大器11和12地配置。
具体地说，功率放大器11层叠于控制电路55的第一部分之上，功率放大器12层叠于控制电路55的第二部分之上。此时，控制电路55的第一部分和第二部分位于同一面上。
另外，如图6所示，控制电路55经由控制电路55内形成的通路导体55a来与功率放大器11电连接。另外，控制电路55经由控制电路55内形成的通路导体55b来与功率放大器12电连接。
[2.2效果等]
如以上那样，本实施方式所涉及的高频模块1A具备：模块基板91A；彼此分开地配置于模块基板91A的第一电子部件和第二电子部件；以及第三电子部件，其与第一电子部件及第二电子部件这两方电连接，跨第一电子部件和第二电子部件地配置。此时，第三电子部件也可以配置于模块基板91A与第一电子部件及第二电子部件之间。
据此，也能够将第一电子部件和第二电子部件层叠于第三电子部件之上。
另外，例如，在本实施方式所涉及的高频模块1A中，也可以是，在模块基板91A形成有腔97，第三电子部件的至少一部分配置于腔97内。
据此，能够实现层叠的第一电子部件、第二电子部件以及第三电子部件的部件群的高度降低，从而能够实现高频模块1A整体的高度降低。并且，能够使配置于第三电子部件的上方的第一电子部件和第二电子部件靠近模块基板91A的主面91a，能够易于将第一电子部件和第二电子部件安装到模块基板91A的主面91a。
此外，在本实施方式中，说明了控制电路55与功率放大器11及12的部件配置，但是针对开关53与双工器61、62及滤波器64，也能够应用同样的部件配置。也就是说，开关53也可以配置于腔内，并且也可以配置于模块基板91A与双工器61、62及滤波器64之间。
(实施方式2的变形例)
接着，说明实施方式2的变形例。在本变形例中，与上述实施方式2的主要不同点在于，在1个电子部件跨多个电子部件地配置时，该1个电子部件不配置于模块基板的腔，而是配置于主面上。下面，以与上述实施方式2的不同点为中心，参照附图来说明本变形例。
[3.1高频模块1B的部件配置]
参照图7来具体地说明本变形例所涉及的高频模块1B的部件配置。图7是实施方式2的变形例所涉及的高频模块1B的截面图。
如图7所示，与实施方式2同样地，本变形例所涉及的控制电路55跨功率放大器11和12地配置，且配置于模块基板91与功率放大器11及12之间。也就是说，控制电路55在功率放大器11和12之下跨功率放大器11和12地配置。
但是，在本变形例中，控制电路55配置于模块基板91的主面91a上。而且，设置有从功率放大器11延伸到模块基板91的柱电极98、以及从功率放大器12延伸到模块基板91的柱电极99。
柱电极98是第一电极的一例。柱电极98从功率放大器11的下表面的在俯视模块基板91时不与控制电路55重叠的部分延伸到模块基板91。柱电极98例如被设定为地电位，用作功率放大器11的散热电极。另外，柱电极98也能够用作传输高频信号的电极。
柱电极99是第二电极的一例。柱电极99从功率放大器12的下表面的在俯视模块基板91时不与控制电路55重叠的部分延伸到模块基板91。柱电极99例如被设定为地电位，用作功率放大器12的散热电极。另外，柱电极99也能够用作传输高频信号的电极。
[3.2效果等]
如以上那样，本实施方式所涉及的高频模块1B也可以还具备：从第一电子部件延伸到模块基板91的柱电极98；以及从第二电子部件延伸到模块基板91的柱电极99。
据此，能够借助柱电极98和99来将第一电子部件和第二电子部件与模块基板91接合，能够将第一电子部件和第二电子部件稳定地固定于模块基板91。并且，在第一电子部件和第二电子部件发热的情况下，也能够使柱电极98和99作为散热路径发挥功能。
此外，在本实施方式中，说明了控制电路55与功率放大器11及12的部件配置，但是针对开关53与双工器61、62及滤波器64，也能够应用同样的部件配置。也就是说，开关53也可以配置于模块基板91与双工器61、62及滤波器64之间，也可以设置从双工器61、62以及滤波器64的各个部件延伸到模块基板91的柱电极。
(其它实施方式)
以上，列举出实施方式及其变形例来说明了本实用新型所涉及的高频模块和通信装置，但是本实用新型所涉及的高频模块和通信装置不限定于上述实施方式及其变形例。将上述实施方式及其变形例中的任意的结构要素进行组合来实现的其它实施方式、对上述实施方式及其变形例实施本领域技术人员在不脱离本实用新型的主旨的范围内想到的各种变形来获得的变形例、以及内置有上述高频模块和通信装置的各种设备也包含于本实用新型。
例如，在上述各实施方式及其变形例所涉及的高频模块和通信装置中，也可以在附图所公开的对各电路元件和信号路径进行连接的路径之间插入其它电路元件和布线等。例如，也可以在开关53与双工器61～63中的至少1个双工器之间连接匹配电路。
此外，在上述各实施方式中，作为第一电子部件和第二电子部件、以及跨第一电子部件和第二电子部件地配置的第三电子部件的组合，例示了功率放大器11、12及控制电路55的组合、双工器61、62及开关53的组合、以及双工器61、滤波器64及开关53的组合，但是不限定于此。例如，也可以是，第一电子部件是功率放大器11，第二电子部件是功率放大器12，第三电子部件是开关51或54。即使在该情况下，也能够缩短开关51或54与功率放大器11之间的布线长度以及开关51或54与功率放大器12之间的布线长度这两方，能够提高高频模块的电气特性。
此外，在上述各实施方式中，层叠的电子部件经由在下方的电子部件内形成的通路导体来相互连接，但是不限定于此。例如，层叠的电子部件也可以经由在下方的电子部件的侧表面形成的侧面布线或者焊线来相互连接。即使在这种情况下，也能够缩短2个电子部件间的布线长度。
此外，在上述各实施方式中，模块基板是双面基板，但是不限定于此。例如，模块基板也可以是单面基板。
此外，在上述各实施方式中，多个外部连接端子由多个柱电极150构成，但是不限定于此。例如，多个外部连接端子也可以由多个凸块电极构成。图8是其它实施方式所涉及的高频模块1C的截面图。高频模块1C具备多个凸块电极151来取代多个柱电极150。在该情况下，高频模块1C也可以不具备覆盖主面91b上的电路部件的树脂构件95。
产业上的可利用性
本实用新型作为配置于前端部的高频模块，能够广泛利用于便携式电话等通信设备。

Claims (13)

1.一种高频模块，其特征在于，具备：
模块基板；
彼此分开地配置于所述模块基板的第一电子部件和第二电子部件；以及
第三电子部件，其与所述第一电子部件及所述第二电子部件这两方电连接，跨所述第一电子部件和所述第二电子部件地配置。
2.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，
所述第一电子部件和所述第二电子部件配置于所述模块基板与所述第三电子部件之间。
3.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，
所述第三电子部件配置于所述模块基板与所述第一电子部件及所述第二电子部件之间。
4.根据权利要求3所述的高频模块，其特征在于，
在所述模块基板形成有腔，
所述第三电子部件的至少一部分配置于所述腔内。
5.根据权利要求3所述的高频模块，其特征在于，还具备：
从所述第一电子部件延伸到所述模块基板的第一电极；以及
从所述第二电子部件延伸到所述模块基板的第二电极。
6.根据权利要求1～5中的任一项所述的高频模块，其特征在于，
所述第一电子部件是具有第一通带的第一滤波器，
所述第二电子部件是具有与所述第一通带不同的第二通带的第二滤波器，
所述第三电子部件是连接于天线连接端子与所述第一滤波器及所述第二滤波器之间的第一开关。
7.根据权利要求1～5中的任一项所述的高频模块，其特征在于，
所述第一电子部件是与天线连接端子连接的第三滤波器，
所述第二电子部件是经由所述第三滤波器来与所述天线连接端子连接的第四滤波器，
所述第三电子部件是连接于所述第三滤波器与所述第四滤波器之间的第二开关。
8.根据权利要求1～5中的任一项所述的高频模块，其特征在于，
所述第一电子部件是第一功率放大器，
所述第二电子部件是第二功率放大器，
所述第三电子部件是对所述第一功率放大器和所述第二功率放大器进行控制的控制电路。
9.根据权利要求1～5中的任一项所述的高频模块，其特征在于，
所述第一电子部件是第一功率放大器，
所述第二电子部件是第二功率放大器，
所述第三电子部件是连接于至少1个高频输入端子与所述第一功率放大器及所述第二功率放大器之间的第三开关。
10.根据权利要求1～5中的任一项所述的高频模块，其特征在于，还具备：
第一滤波器，其具有第一通带；以及
第二滤波器，其具有与所述第一通带不同的第二通带，
所述第一电子部件是第一功率放大器，
所述第二电子部件是第二功率放大器，
所述第三电子部件是连接于所述第一滤波器及所述第二滤波器与所述第一功率放大器及所述第二功率放大器之间的第四开关。
11.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，
还具备第四电子部件，
所述模块基板具有彼此相向的第一主面和第二主面，
所述第一电子部件、所述第二电子部件以及所述第三电子部件配置于所述第一主面和所述第二主面中的一方，
所述第四电子部件配置于所述第一主面和所述第二主面中的另一方。
12.根据权利要求11所述的高频模块，其特征在于，
还具备多个外部连接端子，
所述第一电子部件、所述第二电子部件以及所述第三电子部件配置于所述第一主面，
所述第四电子部件和所述多个外部连接端子配置于所述第二主面。
13.一种通信装置，其特征在于，具备：
信号处理电路，其对高频信号进行处理；以及
根据权利要求1～12中的任一项所述的高频模块，其在所述信号处理电路与天线之间传输高频信号。
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