CN214588813U - 一种反折弯内绝缘产品的封装结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开的属于半导体TO系列封装技术领域，具体为一种反折弯内绝缘产品的封装结构，其技术方案是：包括散热片、环氧料胶体、芯片、氧化铝基板、框架引脚，所述散热片上方设有焊带三，所述焊带三上方设有所述氧化铝基板，所述氧化铝基板上方设有焊带二，所述焊带二上设有所述框架引脚，所述框架引脚上方设有焊带一，本实用新型的有益效果是：氧化铝基板的设置，到将芯片和散热片绝缘，这样可以达到芯片和散热片完全绝缘，有效的使芯片的热量通过散热片散出，又能达到芯片的绝缘，第一应力释放、第二应力释放和第三应力释放的设置，使芯片在框架引脚上组装烧结可以达到完整的融化，减少芯片背面的空洞率。

Description

一种反折弯内绝缘产品的封装结构

技术领域

本实用新型涉及半导体TO系列封装技术领域，具体涉及一种反折弯内绝缘产品的封装结构。

背景技术

半导体封装是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程；封装过程为：来自晶圆前道工艺的晶圆通过划片工艺后被切割为小的晶片，然后将切割好的晶片用胶水贴装到相应的基板（引线框架）架的小岛上，再利用超细的金属（金锡铜铝）导线或者导电性树脂将晶片的接合焊盘连接到基板的相应引脚,并构成所要求的电路；然后再对独立的晶片用塑料外壳加以封装保护，塑封之后还要进行一系列操作，封装完成后进行成品测试，通常经过入检、测试和包装等工序，最后入库出货；半导体生产流程由晶圆制造、晶圆测试、芯片封装和封装后测试组成；塑封之后，还要进行一系列操作，如后固化、切筋和成型、电镀以及打印等工艺；典型的封装工艺流程为：划片装片键合塑封去飞边电镀打印切筋和成型外观检查成品测试包装出货。

现有半导体TO系列封装结构，存在的不足有：为了芯片具有很好的绝缘性，将芯片被包裹严实，则使得芯片的散热效果不佳；为了使芯片具有很好的散热效果，则使芯片的绝缘性变差。

因此，实用新型一种反折弯内绝缘产品的封装结构很有必要。

实用新型内容

为此，本实用新型提供一种反折弯内绝缘产品的封装结构，通过使用高温焊料的焊带一、焊带二和焊带三，将散热片、氧化铝基板、框架引脚和芯片焊接在一起，并设置环氧料胶体将芯片和氧化铝基板包封起来，达到使芯片绝缘的同时，使芯片又能够很好的散热，解决了现有半导体TO系列封装结构存在的不足。

为了实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种反折弯内绝缘产品的封装结构，包括散热片、环氧料胶体、芯片、氧化铝基板、框架引脚，所述散热片上方设有焊带三，所述焊带三上方设有所述氧化铝基板，所述氧化铝基板上方设有焊带二，所述焊带二上设有所述框架引脚，所述框架引脚上方设有焊带一，所述焊带一上方设有所述芯片，所述框架引脚上设有第一折弯处和第一折弯处，所述环氧料胶体包封所述芯片和氧化铝基板。

优选的，所述芯片和框架引脚构成极电极。

优选的，所述散热片和所述氧化铝基板通过所述焊带三进行固定和连接。

优选的，所述氧化铝基板和所述框架引脚通过所述焊带二进行固定和连接。

优选的，所述框架引脚和所述芯片通过焊带一进行固定和连接。

优选的，所述散热片上等距离开设有第一应力释放槽。

优选的，所述框架引脚底部设有第三应力释放槽，所述第三应力释放槽为半圆形。

优选的，所述框架引脚顶部等距离开设有第二应力释放槽，所述第二应力释放槽为矩形状。

本实用新型的有益效果是：

1、氧化铝基板的设置，到将芯片和散热片绝缘，这样可以达到芯片和散热片完全绝缘，有效的使芯片的热量通过散热片散出，又能达到芯片的绝缘；

2、第一应力释放、第二应力释放和第三应力释放的设置，使芯片在框架引脚上组装烧结可以达到完整的融化，减少芯片背面的空洞率。

附图说明

图1为本实用新型提供的结构示意图；

图2为本实用新型提供的图1的局部放大图；

图3为本实用新型提供的图2中A处放大图。

图中：散热片1、环氧料胶体3、芯片4、氧化铝基板5、框架引脚6、极电极7、焊带一8、焊带二9、焊带三10、第一应力释放11、第二应力释放12、第三应力释放13、第一折弯处61、第二折弯处62。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

参照说明书附图1-3，该实施例的一种反折弯内绝缘产品的封装结构，包括散热片1、环氧料胶体3、芯片4、氧化铝基板5、框架引脚6，所述散热片1上方设有焊带三10，所述焊带三10上方设有所述氧化铝基板5，所述氧化铝基板5上方设有焊带二9，所述焊带二9上设有所述框架引脚6，所述框架引脚6上方设有焊带一8，所述焊带一8上方设有所述芯片4，所述框架引脚6上设有第一折弯处61和第二折弯处62，所述环氧料胶体3包封所述芯片4和氧化铝基板5；第二应力释放12和第三应力释放13作用是使芯片4在框架引脚6上组装烧结可以达到完整的融化，减少芯片4背面的空洞率。

进一步地，所述芯片4和框架引脚6构成极电极7。

进一步地，所述散热片1和所述氧化铝基板5通过所述焊带三10进行固定和连接。

进一步地，所述氧化铝基板5和所述框架引脚6通过所述焊带二9进行固定和连接；氧化铝基板5主要起到将芯片4和散热片1绝缘，这样可以达到芯片4和散热片1完全绝缘，有效的使芯片4的热量通过散热片1散出。

进一步地，所述框架引脚6和所述芯片4通过焊带一8进行固定和连接。

进一步地，所述散热片1上等距离开设有第一应力释放槽11。

进一步地，所述框架引脚6底部设有第三应力释放槽13，所述第三应力释放槽13为半圆形。

进一步地，所述框架引脚6顶部等距离开设有第二应力释放槽12，所述第二应力释放槽12为矩形状。

实施场景具体为：在使用本实用新型时，在散热片1上等距离开设第一应力释放11，在框架引脚6底部等距离开设半圆形的第三应力释放13，在框架引脚6顶部开设有矩形状的第二应力释放12，并将框架引脚6右端进行两次折弯，形成第一折弯处61和第二折弯处62，使用高温焊料将散热片1和氧化铝基板5焊接在一起，在散热片1和氧化铝基板5之间形成焊带三10，使用高温焊料将氧化铝基板5和框架引脚6焊接在一起，在氧化铝基板5和框架引脚6之间形成焊带二9，使用高温焊料将芯片4焊接在框架引脚6上，在芯片4和框架引脚6之间形成焊带一8，最后使用环氧胶将芯片4和氧化铝基板5包封起来。

以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例，任何熟悉本领域的技术人员均可能利用上述阐述的技术方案对本实用新型加以修改或将其修改为等同的技术方案。因此，依据本实用新型的技术方案所进行的任何简单修改或等同置换，尽属于本实用新型要求保护的范围。

Claims (8)

1.一种反折弯内绝缘产品的封装结构，包括散热片（1）、环氧料胶体（3）、芯片（4）、氧化铝基板（5）、框架引脚（6），其特征在于：所述散热片（1）上方设有焊带三（10），所述焊带三（10）上方设有所述氧化铝基板（5），所述氧化铝基板（5）上方设有焊带二（9），所述焊带二（9）上设有所述框架引脚（6），所述框架引脚（6）上方设有焊带一（8），所述焊带一（8）上方设有所述芯片（4），所述框架引脚（6）上设有第一折弯处（61）和第二折弯处（62），所述环氧料胶体（3）包封所述芯片（4）和氧化铝基板（5）。

2.根据权利要求1所述的一种反折弯内绝缘产品的封装结构，其特征在于：所述芯片（4）和框架引脚（6）构成极电极（7）。

3.根据权利要求1所述的一种反折弯内绝缘产品的封装结构，其特征在于：所述散热片（1）和所述氧化铝基板（5）通过所述焊带三（10）进行固定和连接。

4.根据权利要求1所述的一种反折弯内绝缘产品的封装结构，其特征在于：所述氧化铝基板（5）和所述框架引脚（6）通过所述焊带二（9）进行固定和连接。

5.根据权利要求1所述的一种反折弯内绝缘产品的封装结构，其特征在于：所述框架引脚（6）和所述芯片（4）通过焊带一（8）进行固定和连接。

6.根据权利要求1所述的一种反折弯内绝缘产品的封装结构，其特征在于：所述散热片（1）上等距离开设有第一应力释放槽（11）。

7.根据权利要求1所述的一种反折弯内绝缘产品的封装结构，其特征在于：所述框架引脚（6）底部设有第三应力释放槽（13），所述第三应力释放槽（13）为半圆形。

8.根据权利要求1所述的一种反折弯内绝缘产品的封装结构，其特征在于：所述框架引脚（6）顶部等距离开设有第二应力释放槽（12），所述第二应力释放槽（12）为矩形状。

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