CN212451275U - 晶圆加工用胶带 - Google Patents

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Abstract

本实用新型涉及晶圆加工用胶带，包括本体部及上部剥离部，所述本体部包括粘贴层及包括颜料的基材层，所述上部剥离部包括上部剥离粘贴层及上部剥离基材层，通过热处理可强化所述粘贴层的粘贴力。

Description

晶圆加工用胶带
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年10月19日提交的韩国专利申请 No.10-2018-0125441的优先权和权益，其通过引用合并于此用于所有目的，如同在此完全阐述一样。
技术领域
本实用新型涉及一种晶圆加工用胶带及其制造方法。
背景技术
作为将半导体芯片附着(安装)在电路基板上的方法，有一种不使用如金属线或者球栅阵列(BGA)的中间媒介而通过利用芯片下面的电极图案进行直接熔接的方法，这称之为倒装芯片方法。
所述倒装芯片方法由于使用没有引线的无引线(leadless)半导体，使半导体封装件与芯片的尺寸相同，从而可实现小型化及轻量化，并具有可以对电极间的距离(pitch)进行微调的优点。
通常，倒装芯片方法中使用的工艺如下：(1)在晶圆表面形成电路，(2) 通过背磨(backgrinding)工艺根据所需的厚度对晶圆电路面的背面进行磨削， (3)在附着有划片胶带(dicing tape)的环状框架上固定晶圆，(4)为了进行划片切割(dicing saw)工艺，将晶圆切断/分离并将半导体芯片置于其上， (5)拾起(pick-up)分离的半导体芯片，并附着(安装)在基板上，(6)为了保护芯片的露出部分，通过利用密封树脂，例如EMC(Epoxy moldingcompound) 的模塑成型工艺覆盖(PKG化)芯片的露出部分，(7)将覆盖的芯片进行封装切割(package saw)，(8)并进行激光标记等后续工艺。
此时，在所述(2)的背磨工艺中，通常对晶圆的背面进行机械磨削，因此其背面会产生细微的痕迹。这种痕迹将成为在所述(4)的划片切割工艺或者所述(7)的封装切割工艺中产生裂缝的原因。因此，作为所述(2)的背磨的后段工艺需要进行用于去除细微痕迹的化学蚀刻工艺，从而会导致设备费用、设备运营费用增加。
此外，由于所述(6)的模塑成型工艺通常使用模具，所以模具上会积累 EMC的污渍，从而必然需要进行用于洗涤模具的工艺，由于这种洗涤工艺的设备和运营费用很高，进而使成本增加。此外，利用模具的工艺在形成薄且均匀的模塑上存在技术局限性。
因此，需要开发出一种能够防止因使用所述EMC而发生的模具污染及能够形成更薄且均匀的模塑的替代技术。
为了克服如上所述的问题，韩国专利申请第10-2008-7024140号提出了一种用于形成芯片用保护膜的薄片，该薄片具有由热固化性成份和粘贴剂聚合物成份构成的保护膜。
使用所述用于形成芯片用保护膜的薄片的工艺可取代使用EMC的模塑成型工艺，利用该工艺的倒装芯片的制造工艺在(2)的背磨工艺后将所述用于形成芯片用保护膜的薄片粘贴在电路背面之后，进行加热并形成固化保护膜，在该层叠的保护膜表面上进行激光标记之后，进行如上所述的工艺(3)至(5)，在不需要额外进行工艺(6)的情况下进行工艺(7)及其之后的后序工艺，从而相比于现有技术，具有更加简单且费用更低廉的优点。
只是，当所述热固化性成份的固化不完整时，现有的用于形成保护膜的薄片在层压于晶圆的背面后，在运往下一道工艺的过程中存在因粘贴力减弱导致产品发生脱离的问题。此外，形成固化的热固化性保护膜层在进行划片工艺过程中根据树脂的固化状态可能产生裂缝或者碎片(chipping：在划片工艺过程中切断线撕扯的状态)等问题，在后续工艺的回焊(reflow)工艺中固化树脂的一部分发生破碎，并扩大到裂缝，从而晶圆表面可能被树脂的碎片或者粉末污染。这种情况下，所述工艺需要增加2次至3次的洗涤工艺，且存在所述树脂的碎片或者粉末污染回焊装置，从而增加仪器的维持/保修费用的问题。
实用新型内容
本实用新型是为解决如上所述问题而做出的，其目的在于提供一种晶圆加工用胶带，其附着在层叠有图案或者隆起物等的电极的晶圆等的背面，在固化时能够以不发生裂缝地在胶带表面进行激光标记的同时能够保护芯片露出的背面。
本实用新型的一实施例涉及的晶圆加工用胶带包括本体部和上部剥离部，所述本体部包括粘贴层及包括颜料的基材层，所述上部剥离部包括上部剥离粘贴层和上部剥离基材层，通过热处理可强化所述粘贴层的粘贴力。
本实用新型的一实施例中，所述热处理后所述粘贴层的粘贴力强度可大于所述上部剥离粘贴层的粘贴力强度。
本实用新型的一实施例中，所述晶圆加工用粘贴胶带可通过所述粘贴层附着在晶圆上，在进行所述热处理前，所述本体部可反复地附着于所述附着对象或者从所述附着对象去附着，但在进行所述热处理后，所述本体部可紧贴地固定于所述附着对象。
本实用新型的一实施例中，如果按照KST 1028，则在进行热处理前所述粘贴层的粘贴力可为30gf/25mm至300gf/25mm，但在进行热处理后，所述粘贴层的粘贴力可增至900gf/25mm以上。
本实用新型的一实施例中，所述粘贴层可包括热熔性粘贴剂。
本实用新型的一实施例中，所述热熔性粘贴剂可包括聚酯粘贴剂。
本实用新型的一实施例中，所述附着对象可为晶圆。
本实用新型的一实施例中，在进行所述热处理前，所述上部剥离部不易从所述本体部剥离，但在进行所述热处理后，所述上部剥离部可容易从所述本体部剥离。
本实用新型的一实施例中，在进行热处理前后，如果按照KS T 1028，则所述上部剥离粘贴层的粘贴力可为5gf/25mm至20gf/25mm。
本实用新型的一实施例中，所述上部剥离粘贴层可包括硅系粘贴剂。
本实用新型的一实施例中，所述热处理可在90℃至260℃下进行。
本实用新型的一实施例中，所述颜料可以是选自由炭黑、苯胺黑、氧化铁、二氧化锰、活性炭及其组合构成的群组中的任意一个。
本实用新型的一实施例中，以所述基材层的总重量为基准，所述颜料的含量可以是1重量％至10重量％的。
本实用新型的一实施例中，还可包括下部剥离部，所述下部剥离部包括下部剥离基材层及下部剥离离型层。
本实用新型的一实施例中，如果按照KS T 1028，则所述下部剥离离型层的离型力可为5gf/25mm至50gf/25mm。
本实用新型的一实施例中，所述晶圆加工用粘贴胶带的厚度可为110μm至 140μm。
附图说明
图1是图示本实用新型的一实施例涉及的晶圆加工用胶带的截面图。
具体实施方式
本实用新型可进行各种变更且可具有各种形态，附图中给出了多个特定的实施例，本文中将对这些实施例进行详细说明。然而，这不是用于以特定的公开形态来限定本实用新型，而应理解为包括本实用新型思想和技术范围所涵盖的所有变更、等同物以及代替物。
在说明各附图的过程中对于相似的组成要素使用了相似的附图标记。为了使本实用新型更加清楚，附图中图示的结构物的尺寸被扩大且大于实际尺寸。第一、第二等术语虽然可用于说明各种组成要素，但是所述组成要素不受限于所述术语。所述术语的使用目的仅在于将一个组成要素与其他组成要素进行区分。例如，在不超出本实用新型的权利范围内，第一组成要素可命名为第二组成要素，类似地，第二组成要素也可命名为第一组成要素。单数的表述如无其他明确的定义则包括复数表述。
本申请中，“包括”或者“具有”等的表述应该理解为用于指出说明书中记载的特征、数量、步骤、动作、组成要素、部件或者其组合的存在，而非事先排除一个或者一个以上的其他特征、数量、步骤、动作、组成要素、部件或者其组合的存在或者新增的可能性。此外，层、膜、区域、板等的一部分被表述为位于另一部分之“上”时，这不仅包括“直接位于另一部分之上”的情况，而且还包括其之间存在其他部分的情况。此外，本说明书中，当某一层、膜、区域、板等的一部分被表述为形成于另一部分之上(on)时，所述形成的方向不只限于上部方向，而且还包括向侧面或者下部方向形成的情况。相反地，当层、膜、区域、板等的一部分被表述为位于另一部分的“下方”时，这不仅包括直接位于另一部分的“下方”的情况，而且还包括其之间存在其他部分的情况。
以下参照附图将对本实用新型的优选实施例进行更加详细说明。
图1是图示本实用新型的一实施例涉及的晶圆加工用胶带的截面图。
参照图1，本实用新型的一实施例涉及的晶圆加工用胶带1可包括下部剥离部10、本体部20及上部剥离部30。
所述下部剥离部10可包括下部剥离基材层11及下部剥离离型层12。
所述下部剥离基材层11可由可弯曲或者可折叠的柔性(flexibility)材料形成。例如，所述下部剥离基材层11可选自由聚对苯二甲酸乙二醇酯 (polyethyleneterephthalate，PET)、聚丙烯(polypropylene，PP)、聚苯乙烯(polystyrene，PS)、聚乙烯醇(polyvinyl alcohol，PVA)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate，PMMA)、聚醚砜(polyethersulfone， PES)、聚丙烯酸酯(polyacrylate，PA)、聚醚酰亚胺(polyetherimide，PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate，PEN)、聚苯硫醚 (polyphenylene sulfide，PPS)、聚芳酯(polyarylate，PAR)、聚酰亚胺 (polyimide，PI)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、三醋酸纤维素酯(triacetate cellulose)、醋酸丙酸纤维素(cellulose acetate propionate)及其组合构成的群组。在此，所述下部剥离基材层11优选由聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET) 构成，但并不限于此。
所述下部剥离离型层12可通过在所述下部剥离基材层11的一面上涂布或者涂覆离型剂而形成。所述离型剂可包括硅系离型剂及非硅系离型剂，但更优选为具有轻剥离离型性的硅系离型剂。所述硅系离型剂可包括硅，例如二甲基硅、甲基硅等，但并不限于此。所述硅系离型剂可包括作为基础聚合物的聚二甲基硅氧烷(polydimethylsiloxane，PDMS)和作为交联剂的聚甲基氢硅氧烷 (polymethylhydrosiloxane)，其中，基础聚合物的含量比越高离型性越变大，交联剂的含量比越高粘贴力越变大，所以可通过调节所述两个成份的混合比来调节下部剥离离型层12的物性。所述下部剥离离型层12的厚度不受任何特别限定，但可以为1μm以下。
所述下部剥离部10可以为板状薄膜。所述下部剥离部10的厚度不受任何特别限定，可以为10μm至60μm，可优选为30μm至45μm。
所述下部剥离部10用于保护具有粘贴性的粘贴层21的粘贴面，其可具有适当的离型力以使所述下部剥离部10在加工工艺前不会被轻易剥离，但在加工工艺中从本体部20剥离下部剥离部10的步骤，可以在不损伤粘贴层21的情况下从粘贴层21剥离。例如，当所述下部剥离离型层12将25mm试片按照KS T 1028 进行离型力测定时,可具有5gf/25mm至50gf/25mm，优选可具有10gf/25mm至 20gf/25mm的离型力，但该范围可根据需要进行适当的调节。
此时，所述离型力的测定方法可按照以下进行。
将下部剥离部的样品以横向、纵向为20cm×40cm的尺寸进行切断，按照 KS T1028在样品的下部剥离离型层面上对标准胶带(Tesa Tape，宽为50mm，粘贴力为1700gf/25mm)沿着长度方向利用2kg滚轴以300mm/分钟的速度往返一次并进行挤压粘贴，在23℃的温度及50％的相对湿度条件下保管20分钟至30 分钟后，可利用离型力测试仪以300mm/分钟的剥离速度测定180°离型力。
晶圆加工用胶带1能够以省略所述下部剥离部10的状态进行制造并流通。
所述本体部20可包括粘贴层21及包括颜料的基材层22。
所述粘贴层21作为热熔性粘贴剂的第一粘贴剂，是基于预定温度下的热处理可使粘贴度增加的热固化性树脂。现有的热熔性组合物不能在附着对象上反复进行附着和去附着(粘贴)，一般更倾向于一经粘贴将永久性地粘贴，从而不能进行附着和去附着(贴附)，但本实用新型的一实施例涉及的热熔性粘贴剂基于以下成份可具有粘贴功能。此外，现有的热熔性组合物在100℃至120℃下，粘接层不能保持而发生膨胀或者严重的情况下可能被熔化，但本实用新型的热熔性粘贴剂在250℃至300℃下仍能保持该特性的同时耐承受。
所述第一粘贴剂可包括聚酰胺、聚酯、聚氨酯、聚乙烯、聚丙烯、EVA树脂及其组合，例如可包括聚酯。所述聚酯树脂例如包括改性的聚酯。所述聚酯粘贴剂例如可以是二羧酸和二醇的缩合反应的生成物。以所述粘贴层21的总重量为基准，例如所述二羧酸和二醇之和为20至45重量％，例如可以包括25至 30重量％。
所述二羧酸是指分子中包含两个羧基(-COOH)的化合物，包括脂肪族二羧酸、芳香族二羧酸等。
所述芳香族二羧酸，例如可包括选自由对苯二甲酸(terephthalic acid， 1，4-苯二羧酸)、间苯二甲酸(isophthalic acid，1，3-苯二羧酸)、间苯二甲酸-5-磺酸钠(5-Sodium Sulfoisophthalic Acid)、邻苯二甲酸酐(PHTHALIC ANHYDRIDE)、萘二甲酸(naphthalene dicarboxylic acid)及其酸的成脂性衍生物构成的群组中的一个以上。例如，所述芳香族二羧酸可选自对苯二甲酸、间苯二甲酸或者它们的组合，对苯二甲酸和间苯二甲酸组合时，可由5：9至9：5 的重量比混合。芳香族二羧酸可提高共聚合聚酯的熔点，从而可赋予耐热性的同时对于提高机械强度做出贡献。
所述二羧酸的成份中，芳香族二羧酸的含量可以是50至90mol％，例如可以是60至85mol％。所述二羧酸成份中，芳香族二羧酸的含量不足50mol％时，共聚合聚酯的熔点变低导致耐热性下降的同时机械强度也容易下降，芳香族二羧酸的含量超过90mol％时，癸二酸的比率减少，导致共聚合聚酯树脂缺乏柔韧性。
所述脂肪族二羧酸，例如可包括选自由草酸(oxalic acid)、丙二酸 (malonicacid)、琥珀酸(succinic acid)、戊二酸(glutaric acid)、己二酸 (adipic acid)、庚二酸(pimelic acid)、辛二酸(suberic acid)、癸二酸(sebacic acid)及其酸的成脂衍生物构成的群组中的一个以上。例如，所述芳香族二羧酸可以是癸二酸。
所述二羧酸成份中，所述癸二酸的含量可以是10至50mol％，例如可以是15至40mol％。所述二羧酸成份中，癸二酸的含量不足10mol％时，获得的共聚合聚酯树脂中很难赋予柔韧性，且湿热耐久性的改善效果也下降，癸二酸的含量超过50mol％时，由于获得的共聚合聚酯的熔点降低或者形成非结晶性，因此导致耐热性降低的同时可使机械强度下降。将癸二酸作为共聚合成份而获得的共聚合聚酯树脂不仅柔韧性变优秀，而且湿热耐久性也得到提高。
本实用新型的共聚合聚酯树脂中，酸成份中包括如上所述的芳香族二羧酸和癸二酸，但只要在不破坏本实用新型的效果的范围内，也可以含有除此以外的其他成份作为共聚合成份。这种其他成份，例如可包括琥珀酸(succinic acid)、己二酸(adipic acid)、壬二酸(azelaic acid)、二聚酸(dimer acid)、十二烷二酸(dodecanedioic acid)、二十烷二酸(eicosanedioic acid)等，但并不限于此。
所述二醇是指分子中包括两个羟基(-OH)的化合物，包括脂肪族二醇、芳香族二醇等。所述芳香族二羧酸，例如可选自乙二醇(ethandiol)、1，3-丙二醇(1,3-propanediol)、1，4-丁二醇(1,4-butanediol)、1，5-戊二醇(1,5-pentanediol)、1，6-己二醇(1,6-hexanediol)、新戊二醇(neopentyl glycol)、1，4-环己烷二甲醇(1,4-cyclohexanedimethanol)、二甘醇 (diethylene glyco)、双酚A(BISPHENOL A)的环氧乙烷(ethylene oxide)加合物及氧化丙烯(propylene oxide)加合物、聚乙二醇(Polyethyleneglycol)、聚丙二醇(polypropyleneglycol)、聚丁二醇(Polytetramethylene glycol)及其组合，但并不限于此。
此外，所述二醇可包括2，2-二甲基-1，3-丙二醇。二醇成份中2，2-二甲基-1，3-丙二醇的含量可以是0.5至20mol％，例如可以是2至18mol％，例如可以是3至16mol％。二醇成份中含有2，2-二甲基-1，3-丙二醇，从而可对获得的共聚合聚酯树脂赋予优秀的柔韧性及湿热耐久性。2，2-二甲基-1，3-丙二醇的含量不足0.5mol％时，获得的共聚合聚酯树脂很难具有优秀的柔韧性及湿热耐久性，2，2-二甲基-1，3-丙二醇的含量超过20mol％时，获得的共聚合聚酯的熔点降低导致耐热性下降的同时也导致机械强度下降。
所述二羧酸及二醇能够以25：75至75：25，例如30：70至70：30，例如33：67至73：27的重量比混合。二羧酸及二醇的重量比不足25：75时，热熔性粘贴剂由于涂布的粘贴剂被均匀地干燥而很难维持其形态，当重量比超过 75：25时，即使进行高热处理仍不能使粘贴力上升。
根据一实施例，所述热熔性粘贴剂，例如热固化性聚酯热熔性粘贴剂可通过以下方法而制得。首先，将聚醚、聚酯多元醇及抗氧化剂进行混合，其中添加粘胶树脂和异氰酸盐之后，可在具有催化剂的条件下进行反应并制得。
热固化性热熔性粘贴剂具有基于预聚物的完全聚合树脂或者安全聚合树脂的两种类型。基于完全聚合树脂的热熔性聚氨酯粘贴剂虽然具有低且稳定的融熔黏度、高耐水性、制造成本低等优点，但是具有在初期和最终粘贴强度降低的缺点。相反地，基于安全聚合树脂的热熔性粘贴剂虽然其初期和最终的粘贴强度优秀，但是耐加水分解性及柔韧性降低。
本实用新型的一实施例涉及的热固化性聚酯热熔性粘贴剂是通过混合聚醚和聚酯多元醇(PolyesterPolyol)而制得，因此具有基于聚酯和基于聚醚的热固化性热熔性组合物的两方面的优点。将所述热熔性粘贴剂适用于薄膜时，表现出优异的剥离强度、较短的固化时间(Open Time)、优异的耐加水分解性及理想的存储稳定性。
所述粘贴层21还可包括溶剂。所述溶剂只要满足能够溶解形成所述粘贴层21的粘贴剂树脂等皆可，例如有机溶剂，具体地可使用酮类、酯类溶剂、醇类溶剂、芳香族类溶剂等。更为具体地，所述溶剂可包括甲苯(toluene)、醋酸乙酯(Ethyl Acetate)、异丙醇(isopropyl alcohol)、苯甲基溶纤剂(benzene Methyl Cellosolve)、乙基溶纤剂(EthylCellosolve)、丙酮、甲乙酮，但并不限于此。
所述粘贴层21可以是板状的薄膜，所述粘贴层21的厚度虽不受特别限定，但可以是3μm至30μm，可优选为10μm至15μm。所述粘贴层21的厚度不足3 μm时，当附着在晶圆上时因隆起现象导致粘贴性下降，热处理时可能与晶圆或者基材层22发生分离。所述粘贴层21的厚度超过30μm时，切割(sawing)工艺过程中，由于产生毛边(burr)和/或裂缝(crack)，或者由于粘贴层21的成份残留在切割叶片(sawing blade)上对工艺产生不良影响。
所述粘贴层21在进行热处理前对于晶圆具有较小粘贴力，因此直至基于热处理固化并固定于晶圆上为止，可反复地附着于晶圆上或者从晶圆去附着。例如，将晶圆加工用胶带1粘贴于晶圆时(层压工艺，在40℃至80℃下进行)，晶圆加工用胶带1可进行再操作(rework)直至附着在作为加工对象的晶圆的一面上的最佳的位置上为止。此外，当所述粘贴层21基于热处理被固化时，基于此如果所述晶圆和本体部20能够被完全紧贴，则很难再进行分离。
如果在40℃至80℃下，优选在60℃至70℃下进行的层压工艺中，按照 KS T 1028测定所述粘贴层21对晶圆的粘贴力，则所述粘贴层21对晶圆的粘贴力可为30gf/25mm至300gf/25mm，可优选为30gf/25mm至100gf/25mm，可更优选为30gf/25mm。
在90℃至260℃下，优选在120℃至150℃下进行30分钟以上的热处理工艺后，如果按照KS T 1028测定固化的所述粘贴层21对晶圆的粘贴力，则所述粘贴层21对晶圆的粘贴力可增强到900gf/25mm以上，可优选增强到 1500gf/25mm。
此时，所述粘贴力的测定方法可依照以下进行：
将本体部的样品以横向、纵向为2.5cm×30cm的尺寸进行切断，按照KS T 1028利用2kg的滚轴以300mm/分钟的速度往返一次并将样品的粘贴层面向SUS 板挤压粘贴，在23℃的温度及50％的相对湿度条件下保管20分钟至30分钟后可利用离型力测试仪以300mm/分钟的剥离速度测定180°粘贴强度。
所述基材层22可含有可弯曲或者可折叠的柔性材料。此外，由于所述基材层22需要经过热处理工艺，因此可由具有耐热性的材料构成，例如，可包含可耐受90℃至260℃温度的材料，但并不限于此。例如，所述基材层可包括选自由聚酰亚胺(PI)、聚丙烯(PP)、对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚碳酸酯(PC)、聚苯硫醚(PPS)、聚醚砜(PES)、聚芳酯(PAR)及它们的组合构成的群组中的任意一个。所述基材层22优选由基于高温处理也不收缩的聚酰亚胺(PI)构成，但并不限于此。
所述基材层22可以是板状的薄膜。所述基材层22的厚度不受特别限定，但可以是5μm至30μm，可优选为10μm至20μm。包括所述粘贴层21和基材层 22的本体部20的厚度不受特别限定，但可以是10μm至40μm，可优选为20μm 至30μm。
根据本实用新型的一实施例，为了提高表面的粘接力，所述基材层22还可以在所述基材层22的一面或者两面附加进行表面处理。例如，所述表面处理可利用等离子或者电晕，或者如热固化性丙烯酸树脂或者甲基丙酸烯涂布剂的底漆进行。如上所述，进行表面处理时，由于基材的紧贴性得到提高，因此尽管进行热处理工艺也能保持与粘贴层21的结合。
所述基材层22可包括颜料。所述颜料可以是有机颜料、无机颜料、染料，例如可包括炭黑、苯胺黑、氧化铁、二氧化锰、活性炭及它们的组合，但并不限于此。所述基材层22中包含的颜料具有能够防紫外线，能够提高胶带中进行的激光标记的识别性的作用。
所述颜料的含量以基材层22的全部重量为基准，可为1重量％至10重量％，优选为2重量％至8重量％。所述颜料的含量不足1重量％时，因色彩表现力的下降导致防电磁波或者紫外线的能力下降，从而激光标记的识别性也随之变差。所述颜料的含量超过10重量％时，制造成本增加且因粘度上升可导致印刷适性及存储稳定性降低。
所述基材层22还可包括如粘贴剂树脂、有机溶剂、分散剂、滑爽剂、增粘剂的添加剂。
本实用新型的一实施例涉及的晶圆加工用胶带1中，由于包括颜料的印刷层并非在基材层上部最外层单独形成，而是与基材层混合并形成一体，从而在将胶带附着在晶圆后进行划片切割工艺等时可防止印刷层意外脱落或者产生毛边。
所述上部剥离部30可包括上部剥离粘贴层31和上部剥离基材层32。
所述上部剥离基材层32可由柔性材料构成，从而能够实现弯曲或者折叠。此外，由于所述上部剥离基材层32也将进行热处理工艺，因此可由具有耐热性的材料构成，例如可以是可耐受90℃至260℃温度的材料，但并不限于此。例如，所述基材层可选自由聚酰亚胺(PI)、聚丙烯(PP)、对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚碳酸酯(PC)、聚苯硫醚(PPS)、聚醚砜(PES)、聚芳酯(PAR)及它们的组合构成的群组。所述上部剥离基材层32可优选由对苯二甲酸乙二醇酯(PET)构成，但并不限于此。
所述上部剥离粘贴层31可通过在所述上部剥离基材层32的一面上涂布或者涂覆第二粘贴剂而形成。所述第二粘贴剂可由即便进行热处理粘贴力也几乎不发生变化或者其变化程度小的粘贴剂构成。所述第二粘贴剂可以是硅系粘贴剂。
所述上部剥离部30可以是板状的薄膜。所述上部剥离部30的厚度不受特别限定，可以是20μm至80μm，可优选为40μm至60μm。
所述上部剥离部30可保护所述本体部20的基材层22的外部露出面。此外，所述上部剥离部30在进行热处理前相对于所述本体部20的基材层22具有较高的粘贴力，因此所述本体部20的基材层22直至基于热处理固定于晶圆为止，附着在10μm至40μm水准较薄的本体部20的一面上，从而可使所述本体部 20的控制变得容易。此外，基于热处理，所述本体部20的基材层22固定于晶圆上，由此，相比于上部剥离部30的上部剥离粘贴层31的粘贴力，所述本体部20的基材层22的粘贴力相对增加，所述上部剥离部30基于热处理粘贴力几乎不发生变化或者变化很小，从而可容易地从本体部20的基材层22剥离上部剥离部30。
所述上部剥离粘贴层31对基材层22的粘贴力在进行热处理前后也几乎不发生变化或者其变化程度很小，例如，在40℃至80℃下进行的层压工艺及在90℃至260℃下进行的热处理的情况下也皆可为5gf/25mm至20gf/25mm(按照KS T 1028测定)。所述上部剥离粘贴层31的粘贴力为5gf/25mm以下时，胶带通过卷对卷(Roll to Roll)装置的过程中，由于所述上部剥离部30可被剥离，因此不能很好地保护所述本体部20的基材层22的外部露出面，所述上部剥离粘贴层31的粘贴力为20gf/25mm以上时，在进行热处理后由于上部剥离部30没能从所述本体部20的基材层22适当地进行剥离，从而可导致产生不良品。所述晶圆加工用粘贴胶带的总厚度可为110μm至140μm，可优选为115μm至130 μm，可更优选为117μm至127μm。如果所述晶圆加工用粘贴胶带的厚度不足110 μm，则切割工艺时由于刀刃不能从整体上切断本体部，从而产生不良品，如果厚度超过140μm，则包括上部剥离部30的晶圆加工用粘贴胶带全部被切断，从而导致无法在卷对板(Roll to Sheet)方式的装置上使用。
具有如上所述结构的本实用新型的一实施例涉及的晶圆加工用胶带1通过分别制造下部剥离部10、本体部20及上部剥离部30而做好准备，并且将准备好的下部剥离部10、本体部20及上部剥离部30依序进行层叠并利用层压装置或者层压纸装置进行层压，从而可制成一个晶圆加工用胶带。此时，所述下部剥离部10可通过在下部剥离基材层11的一面涂布或者涂覆离型剂以形成下部剥离离型层12并制得，本体部20可通过在混合具有柔韧性的材料和颜料而制得的基材层22的一面上涂布或者涂覆第一粘贴剂并制得，上部剥离部30可通过在上部剥离基材层32的一面上涂布或者涂覆第二粘贴剂而形成上部剥离粘贴层31并制得，但只要满足可在任意基材物质的一面或者两面形成粘贴层或者离型层的方法皆可使用，并不限于所述方法。
根据所述方法制造的晶圆加工用胶带1在发酵室以45℃至55℃温度发酵 20小时至30小时，例如发酵24小时，并以预定的尺寸进行裁剪并制成最终的产品。
具有如上所述结构的本实用新型一实施例涉及的晶圆加工用胶带1例如根据如下的步骤可用于晶圆加工工艺中。
首先，准备本实用新型的一实施例涉及的晶圆加工用胶带1，从所述晶圆加工用胶带1中去除下部剥离部10。构成下部剥离部10的下部剥离离型层12 由于具有轻剥离型性，所以从本体部20去除下部剥离部10时不会损伤构成本体部20的粘贴层21。
将作为加工对象的晶圆中形成有电极的面的背面整理干净后，将所述粘贴层21作为粘贴面并将所述晶圆加工用胶带附着在(层压工艺)所述晶圆的背面。所述层压工艺可在40℃至80℃下，优选在60℃至70℃下在一分钟以内进行，在所述温度范围内，可反复地进行对粘贴层21的附着或者去附着，从而直至将晶圆加工用胶带粘贴在晶圆上最佳的位置为止，可进行再操作(rework)。
将晶圆加工用胶带附着在目标位置后，在90℃至260℃下，优选在120℃至150℃下，更优选在140℃下对晶圆及附着在其上的晶圆加工用胶带进行1小时至5小时，优选2时间的热处理，从而可固化且固定粘贴层21。对于本技术领域具有一般技术知识的技术人员而言，根据需要可对所述热处理温度及时间进行适当的调节，这是显而易见。粘贴层21通过所述热处理被固化，粘接力被增强的同时，上部剥离粘贴层31的粘贴力被相对减弱，当晶圆上的附着工艺结束后，可将上部剥离部30从本体部20容易且完全地去除。
通过以下一个以上的实施例进行更加详细的说明。
实施例
实施例1.晶圆加工用胶带的制造
1.1、下部剥离部的制造
准备厚度约为10μm的PET薄膜，在所述PET薄膜的一侧面上涂覆1μm 厚度的硅系离型剂，从而制造下部剥离部薄膜。
1.2、本体部的制造
在95g聚酰亚胺中混合5g炭黑以准备基材层组合物，并固化成板状，从而制成13μm厚度的黑色聚酰亚胺薄膜。另外，将50g的甲苯、20g的甲乙酮、 7.0g的苯二羧酸(1，3-苯二羧酸与1，4-苯二羧酸的混合物)、1.4g的癸二酸、 2.8g的2，2-二甲基-1，3-丙二醇及13.8g的乙二醇及5g的聚(六亚甲基二异氰酸酯)进行混合，并准备热熔性粘贴剂组合物。
在所述聚酰亚胺薄膜的一侧面以10μm厚度涂布所述热熔性粘贴剂组合物并进行干燥，从而制造本体部薄膜。
1.3、上部剥离部的制造
准备厚度约为50μm的PET薄膜，在所述PET薄膜的一侧面以5μm厚度涂覆硅系离型剂，从而制造下部剥离部薄膜。
1.4、层压工艺
将所述实施例1.1.至1.3.中制成的三个薄膜依序进行层叠并通过层压装置进行层压，在50℃的发酵室中发酵24小时，从而制造晶圆用薄膜。
实施例2至7、晶圆加工用胶带的制造
在所述实施例1.2.中除了将热熔性粘贴剂组合物的成份改为如以下表1 之外，通过与所述实施例1相同的方法制造晶圆加工用胶带。
【表1】
Figure DEST_PATH_GDA0002564557840000161
比较例1至4.晶圆加工用胶带的制造
在所述实施例1.2.中除了将热熔性粘贴剂组合物的成份改为如以下表2 之外，通过与所述实施例1相同的方法制造晶圆加工用胶带。
【表2】
Figure DEST_PATH_GDA0002564557840000171
实验例1、晶圆加工用胶带特性的确认
将根据所述实施例1至7及比较例1至4制造的晶圆加工用胶带分别应用于镜面晶圆后，进行层压(Lamination)、烘箱内固化(Oven Cure)、切割(Sawing)、 UV照射及拆卸(Detach)，而且对各个工艺进行评价并将其结果在表3中显示。
此时，各评价方法如以下记载：
1.1、再操作(Rework)性的评价
去除用于保护晶圆加工用胶带的粘贴层的下部剥离层后，利用滚层压机在 60℃下进行30秒的层压工艺，所述晶圆加工用胶带通过以具有120μm厚度、8 英寸外径的硅晶圆形状切断并加工而成。
将附着在所述晶圆的晶圆加工用胶带重新去附着后，利用所述方法重新进行层压工艺。再重复一次晶圆加工用胶带的去附着和附着，从而总共进行3次层压工艺。
晶圆与晶圆加工用胶带之间进行剥离时用手册(Manual)确认是否存在问题，并用显微镜级观察了晶圆上是否存在粘贴残渣。
1.2、粘贴力的评价
将根据所述实施例1至7及比较例1至4制成的晶圆加工用胶带的样品以横向、纵向为2.5cm×30cm的尺寸进行切断，并分别准备两个。将用于保护晶圆加工用胶带的粘贴层的下部剥离层去除之后，按照KS T 1028利用2kg的滚轴以300mm/分钟的速度往返一次，将样品的粘贴层挤压粘贴在SUS板上，在23℃的温度及50％的相对湿度条件下保管20分钟至30分钟之后，利用粘贴力测试仪，以300mm/分钟的剥离速度测定180°粘贴强度。
此外，将剩余的晶圆加工用样品挤压粘贴于SUS板之后，在140℃的烘干箱内加热固化1小时30分钟以做准备，并测定以相同方法加热固化的样品的180°粘贴强度。
作为参考，根据所述实施例1至7及比较例1至4制成的晶圆加工用胶带的上部剥离粘贴层的粘贴力在进行热处理前后，当按照KS T 1028时，显示为 5gf/25mm至20gf/25mm。
1.3、激光标记性的评价
去除用于保护晶圆加工用胶带的粘贴层的剥离层后，利用滚层压机在60℃下进行层压工艺，所述晶圆加工用胶带以具有120μm厚度、8英寸外径的硅晶圆形状切断并加工而成。然后，在140℃的烘干箱内加热固化1小时30分钟，从而制造附着有晶圆加工用胶带的晶圆。
针对附着有所述晶圆加工用胶带的晶圆，在去除用于保护基材层上部的上部剥离部之后，利用激光标记仪在基材层上部上进行标记，并观察其识别性。
1.4、切割的评价
去除用于保护晶圆加工用胶带的粘贴层的剥离层后，利用滚层压机在60℃下进行层压工艺，所述晶圆加工用胶带通过以具有120μm厚度、8英寸外径的硅晶圆形状切断并加工而成。然后，在140℃的烘干箱内加热固化1小时30分钟，从而制造附着有晶圆加工用胶带的晶圆。
针对附着有所述晶圆加工用胶带的晶圆，在去除用于保护基材层上部的上部剥离部之后，利用滚层压机，附着用于划片的划片胶带以使基材层上部与划片胶带的粘贴面相对视，并与晶圆环一同粘贴。
利用切割装置(DISCO，DFD 6340)进行切割以形成5mm×5mm的芯片。其结果，确认得到晶圆切断面为显微镜级。
1.5、再操作(Reflow)的评价
将获得的芯片(Chip)在85℃的温度、60％的相对湿度下放置168小时，并进行吸湿后，进行了三次初期温度为160℃，最高温度为260℃，加热时间为 5分钟间的再操作。
然后，就接合部的隆起剥离与否，表面产生裂缝与否，基于显微镜级对表面及侧面进行了观察。
当观察到晶圆与接合物的长度为0.5mm以上的剥离时，判断为已被剥离，试验中投入了30个芯片并计数了不发生剥离的数量。
【表3】
Figure DEST_PATH_GDA0002564557840000201
(所述表3中，X表现为劣，△表现为一般，○表现为良，◎表现为优良。)
以上参照本实用新型的优选实施例进行了说明，但是对于所属技术领域的具有熟悉该技术的普通技术人员或者所属技术领域中具有一般技术的技术人员而言，可理解在不超出后序的权利要求书中记载的本实用新型思想及技术领域范围内可对本实用新型进行各种修改及变形。
因此，本实用新型的技术范围并不限于说明书的详细说明中记载的内容，而是应该基于权利要求书决定。
本实用新型的一实施例涉及的晶圆加工用胶带通过附着在层叠有图案或者电极的晶圆的背面，可保护其背面的同时可进行激光标记，热处理后仍能维持柔韧性，从而可减少工艺中发生的损坏可能性。
此外，本实用新型的一实施例涉及的晶圆加工用胶带在热处理之前可反复地附着在晶圆上或者从晶圆去附着，从而显示出得到改善的容易处理的性能。
如上所示，本公开虽然已参照有限的实施例和附图进行了说明，但在本公开所属领域的普通技术人员均可以从此记载中进行各种修改和变形。例如，可通过与说明的方法不同的顺序来实行所说明的技术，或是通过与说明的方法不同的形态来结合或组合所说明的系统、结构、装置、电路等的构成要素，或是通过其他构成要素或同等物来代替或置换也可获得适当结果。
所以，其他体现或实施方式及权利要求书的同等物均属于随附权利要求书的范围内。

Claims (14)

1.一种晶圆加工用胶带，其包括本体部及上部剥离部，其特征在于，
所述本体部包括粘贴层及包括颜料的基材层，
所述上部剥离部包括上部剥离粘贴层及上部剥离基材层，
通过热处理强化所述粘贴层的粘贴力。
2.如权利要求1所述的晶圆加工用胶带，其特征在于，
在进行所述热处理后，所述粘贴层的粘贴力强度大于所述上部剥离粘贴层的粘贴力强度。
3.如权利要求1所述的晶圆加工用胶带，其特征在于，
所述晶圆加工用胶带通过所述粘贴层附着在晶圆上，
在进行所述热处理前，所述本体部可反复地附着在所述晶圆或者从所述晶圆去附着，但在进行所述热处理后，所述本体部紧贴地固定于所述晶圆。
4.如权利要求1所述的晶圆加工用胶带，其特征在于，
如果按照KS T 1028，则在进行热处理前所述粘贴层的粘贴力为30gf/25mm至300gf/25mm，但在进行热处理后所述粘贴层的粘贴力增至900gf/25mm以上。
5.如权利要求1所述的晶圆加工用胶带，其特征在于，
所述粘贴层包括热熔性粘贴剂。
6.如权利要求5所述的晶圆加工用胶带，其特征在于，
所述热熔性粘贴剂包括聚酯粘贴剂。
7.如权利要求1所述的晶圆加工用胶带，其特征在于，
在进行所述热处理前，所述上部剥离部不易从所述本体部剥离，但在进行所述热处理后，所述上部剥离部容易从所述本体部剥离。
8.如权利要求1所述的晶圆加工用胶带，其特征在于，
如果按照KS T 1028，则在进行热处理前后所述上部剥离粘贴层的粘贴力为5gf/25mm至20gf/25mm。
9.如权利要求1所述的晶圆加工用胶带，其特征在于，
所述上部剥离粘贴层包括硅系粘贴剂。
10.如权利要求1所述的晶圆加工用胶带，其特征在于，
所述热处理在90℃至260℃下进行。
11.如权利要求1所述的晶圆加工用胶带，其特征在于，
所述颜料是选自由炭黑、苯胺黑、氧化铁、二氧化锰、活性炭及其组合构成的群组中的任意一个。
12.如权利要求1所述的晶圆加工用胶带，其特征在于，
还包括下部剥离部，所述下部剥离部包括下部剥离基材层及下部剥离离型层。
13.如权利要求12所述的晶圆加工用胶带，其特征在于，
如果按照KS T 1028，则所述下部剥离离型层的离型力为5gf/25mm至50gf/25mm。
14.如权利要求1所述的晶圆加工用胶带，其特征在于，
所述晶圆加工用胶带的厚度为110μm至140μm。
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