CN211629069U - 一种超薄插片式快恢复二极管模块 - Google Patents
一种超薄插片式快恢复二极管模块 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型针对现有技术二极管模块体积有待进一步小型化的问题,提供一种超薄插片式快恢复二极管模块,属于半导体技术领域,包括底板和设置在底板上的外壳,底板和外壳固定连接,底板和外壳之间设有腔体,所述底板上固定连接有至少一组位于腔体内的二极管结构组,所述二极管结构组包括至少两个快恢复二极管芯片和陶瓷基板,所述快恢复二极管芯片和陶瓷基板均和底板固定连接,所有快恢复二极管芯片和底板连接的端部的极性均相同,所述陶瓷基板上固定连接有金属片,所述金属片上固定连接有引出电极;所述快恢复二极管芯片背对底板的端部和金属片之间通过若干根跳线连接,所述底板上涂覆有一层阻焊油墨。
Description
技术领域
本实用新型属于半导体技术领域,具体涉及一种超薄插片式快恢复二极管模块。
背景技术
随着电力电子技术的蓬勃发展,二极管模块的应用越来越多,对二极管模块的过电流要求越来越高,同时要求二极管整流模块的体积越来越小。现有技术一般通过将多颗二极管芯片并联封装的方式,得到大电流的二极管模块。如专利申请号为CN201420657174.0,专利名称为一种快恢复二极管模块的实用新型,包括一外壳及与其配合构成一腔体的底板,所述腔体内设有至少一个快恢复二极管结构组,所述快恢复二极管结构组包括至少两个快恢复二极管芯片、绝缘基板、第一电极和第二电极,所述的至少两个快恢复二极管芯片、绝缘基板和第一电极均设于底板上,所述第二电极设于绝缘基板上,其中,所述至少两个快恢复二极管芯片相同极性的第一极与第一电极相连,所述至少两个快恢复二极管芯片相同极性的第二极与第二电极相连,其中,至少两个快恢复二极管芯片相同极性的第二极与第二电极的连接距离相等。
上述实用新型的方案虽然通过将多颗二极管芯片并联封装的方式,得到了大电流的二极管模块,但是二极管模块的体积还可以继续优化,该二极管模块的引出电极垂直于二极管模块的底板,使得整体高度偏高,有些对空间要求高的场合就无法适用。
发明内容
本实用新型针对现有技术中二极管模块体积有待进一步小型化的问题,提供一种超薄插片式快恢复二极管模块,该实用新型通过对二极管芯片上的跳线的结构优化和引出电极结构的变化,使得该实用新型的整体高度进一步变小,而其过电流能力不受影响。
本实用新型的发明目的是通过以下技术方案实现的:一种超薄插片式快恢复二极管模块,包括底板和设置在底板上的外壳,底板和外壳固定连接,底板和外壳之间设有腔体,所述底板为金属底板,所述底板上固定连接有至少一组位于腔体内的二极管结构组,所述二极管结构组包括至少两个快恢复二极管芯片和陶瓷基板,所述快恢复二极管芯片和陶瓷基板均和底板固定连接,所有快恢复二极管芯片和底板连接的端部的极性均相同,所述陶瓷基板上固定连接有金属片,所述金属片上固定连接有引出电极,引出电极的外端位于所述腔体外侧;所述引出电极包括依次固定连接的固定部、弯折连接部和插接部,固定部和插接部相互平行;所述快恢复二极管芯片背对底板的端部和金属片之间通过若干根跳线连接,所述跳线包括搭接部一、搭接部二、搭接部三,所述搭接部一和搭接部二之间固定连接有折弯部一,搭接部二和搭接部三之间固定连接有折弯部二;所述搭接部一、搭接部二固定连接在快恢复二极管芯片上,搭接部三固定连接在金属片上;所述底板上涂覆有一层阻焊油墨。
上述方案中,底板为金属底板,作为二极管模块的一个电极,陶瓷基板上的金属片作为二极管模块的另一个电极。引出电极的结构可以使本实用新型的整体高度变低,实现产品的超薄化。跳线通过搭接部和折弯部的设置,减少了二极管芯片的焊接应力。搭接部一、搭接部二两个焊接点和快恢复二极管芯片焊接连接,当其中一个搭接部和快恢复二极管芯片脱焊时,另一个搭接部还可以继续和快恢复二极管芯片相连,增加了跳线和快恢复二极管芯片的连接可靠性。阻焊油墨耐化学药品性、耐溶剂性、耐热性、绝缘性良好,有防潮、防盐雾的功能,还可以防止焊接时焊锡黏附在不需要的部分。
作为优选,位于同一组所述二极管结构组内的快恢复二极管芯片和金属片之间的距离均相等。快恢复二极管芯片和金属片之间的距离相等,则连接快恢复二极管芯片和金属片的跳线距离相等,跳线的内阻就可以尽可能的接近,流经每个快恢复二极管芯片的电流尽可能的相等。
作为优选,相邻所述跳线之间留有间隔,且间隔相等。
作为优选,所述底板和所述外壳上都设有安装孔。
作为优选,所述安装孔内套设有金属套,所述底板和所述外壳通过金属套固定连接。
作为优选,所述底板和外壳形成的腔体内填充有硅凝胶。硅凝胶流动性好,粘性好,柔软且能自我修复,可以实现超低高度的灌封,对芯片的保护也更好,保证了工作的稳定性。
作为优选,所述超薄插片式快恢复二极管模块的整体高度在9mm以内。
作为优选,所述跳线为铝跳线。铝线相比于铜线,可以进一步降低产品的生产成本。
与现有技术相比,本实用新型具有以下有益效果:跳线和快恢复二极管芯片的焊接点有两个,增强了产品的可靠性,铝质跳线还可以进一步的降低生产成本;引出电极的结构形式保证了本实用新型的极低高度,整体高度可以控制在9mm以内。
附图说明
图1为本实用新型的立体图;
图2为本实用新型的剖视图;
图3为本实用新型的主要结构图;
图4为引出电极的结构示意图;
图5为跳线的结构示意图。
图中标记:1、外壳;2、底板;3、引出电极;31、固定部;32、插接部;33、弯折连接部;4、陶瓷基板;5、快恢复二极管芯片;6、跳线;61、搭接部一;62、搭接部二;63、搭接部三;64、折弯部一;65、折弯部二;7、阻焊油墨;8、金属片;9、金属套。
具体实施方式
下面结合附图所表示的实施例对本实用新型作进一步描述:
实施例1
如图1到图5所示,一种超薄插片式快恢复二极管模块,包括底板2和设置在底板2上的外壳1,所述底板2和所述外壳1上都设有安装孔,安装孔内套设有金属套9,底板2和外壳1通过金属套9实现固定连接。底板2和外壳1之间设有腔体,腔体内灌封有硅凝胶。所述底板2为铜底板2,所述底板2上固定连接有至少一组位于腔体内的二极管结构组,所述二极管结构组包括至少两个快恢复二极管芯片5和陶瓷基板4,所述快恢复二极管芯片5和陶瓷基板4均和底板2焊接连接,所有快恢复二极管芯片5和底板2连接的端部的极性均相同,所述陶瓷基板4上固定连接有金属片8,所述金属片8上固定连接有引出电极3,引出电极3的外端位于所述腔体外侧;所述引出电极3包括依次固定连接的固定部31、弯折连接部33和插接部32,固定部31和插接部32相互平行;所述快恢复二极管芯片5背对底板2的端部和金属片8之间通过若干根跳线6连接,所述跳线6包括搭接部一61、搭接部二62、搭接部三63,所述搭接部一61和搭接部二62之间固定连接有折弯部一64,搭接部二62和搭接部三63之间固定连接有折弯部二65;所述底板2上涂覆有一层阻焊油墨7。
本实施例中底板2为铜底板,底板2上固定焊接有两组二极管结构组,两组二极管结构组在底板2上均匀分布。每组二极管结构组包含四颗快恢复二极管芯片5,四颗二极管芯片两两位于陶瓷基板4的两侧,同侧的两个快恢复二极管芯片5之间的距离和另一侧的两个快恢复二极管芯片5之间的距离相等。同时每个快恢复二极管芯片5和金属片8之间的距离也相等。金属片8为铜片,每个快恢复二极管芯片5和金属片8之间通过间隔距离相等的五根跳线6连接,跳线6为铝跳线,每根跳线6都有两个焊接点和快恢复二极管芯片5焊接连接。底板2上涂覆有一层阻焊油墨7,但快恢复二极管芯片5和陶瓷基板4与底板2的接触面不设有阻焊油墨7。
文中所描述的具体实施例仅仅是对本实用新型精神作举例说明。本实用新型所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代,但并不会偏离本实用新型的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。
Claims (8)
1.一种超薄插片式快恢复二极管模块,包括底板(2)和设置在底板(2)上的外壳(1),底板(2)和外壳(1)固定连接,其特征在于,底板(2)和外壳(1)之间设有腔体,所述底板(2)为金属底板,所述底板(2)上固定连接有至少一组位于腔体内的二极管结构组,所述二极管结构组包括至少两个快恢复二极管芯片(5)和陶瓷基板(4),所述快恢复二极管芯片(5)和陶瓷基板(4)均和底板(2)固定连接,所有快恢复二极管芯片(5)和底板(2)连接的端部的极性均相同,所述陶瓷基板(4)上固定连接有金属片(8),所述金属片(8)上固定连接有引出电极(3),引出电极(3)的外端位于所述腔体外侧;所述引出电极(3)包括依次固定连接的固定部(31)、弯折连接部(33)和插接部(32),固定部(31)和插接部(32)相互平行;所述快恢复二极管芯片(5)背对底板的端部和金属片(8)之间通过若干根跳线(6)连接,所述跳线(6)包括搭接部一(61)、搭接部二(62)、搭接部三(63),所述搭接部一(61)和搭接部二(62)之间固定连接有折弯部一(64),搭接部二(62)和搭接部三(63)之间固定连接有折弯部二(65);所述搭接部一(61)、搭接部二(62)固定连接在快恢复二极管芯片(5)上,搭接部三(63)固定连接在金属片(8)上;所述底板(2)上涂覆有一层阻焊油墨(7)。
2.根据权利要求1所述的一种超薄插片式快恢复二极管模块,其特征在于,位于同一组所述二极管结构组内的快恢复二极管芯片(5)和金属片(8)之间的距离均相等。
3.根据权利要求1所述的一种超薄插片式快恢复二极管模块,其特征在于,相邻所述跳线(6)之间留有间隔,且间隔相等。
4.根据权利要求1所述的一种超薄插片式快恢复二极管模块,其特征在于,所述底板(2)和所述外壳(1)上都设有安装孔。
5.根据权利要求4所述的一种超薄插片式快恢复二极管模块,其特征在于,所述安装孔内套设有金属套(9),所述底板(2)和所述外壳(1)通过金属套(9)固定连接。
6.根据权利要求1所述的一种超薄插片式快恢复二极管模块,其特征在于,所述底板(2)和外壳(1)形成的腔体内填充有硅凝胶。
7.根据权利要求1所述的一种超薄插片式快恢复二极管模块,其特征在于,所述超薄插片式快恢复二极管模块的整体高度在9mm以内。
8.根据权利要求1所述的一种超薄插片式快恢复二极管模块,其特征在于,所述跳线(6)为铝跳线。
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