CN220526919U - 多单元igbt功率模块的封装结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种多单元IGBT功率模块的封装结构，散热基板、铺设于散热基板上的导电片、焊接于导电片上的多个IGBT单元，散热基板上具有主布线区和位于主布线区前侧的控制区，导电片包括铺设于主布线区内且从右到左依次排布的第一导电条、第一导电片、第二导电片、第二导电条，以及铺设于控制区的两G极导电片和两C极导电片，第一导电条和第二导电条的纵向沿前后方向设置，第一导电条、第二导电条、第一导电片和第二导电片均延伸至主布线区的前侧，IGBT单元包括焊接于第一导电片上的第一单元和焊接于第二导电片上的第二单元，第一单元临近第一导电条，第二单元临近第二导电条。本实用新型布局简单，控制信号的焊接位置大，距离短。

Description

多单元IGBT功率模块的封装结构

技术领域

本实用新型涉及一种半导体封装，尤其涉及多单元IGBT功率模块中的布线封装。

背景技术

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)，是由双极型三极管(Bipolar Junction Transistor，BJT)和绝缘栅型场效应管(MetalOxideSemiconductor，MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管的低导通压降两方面的优点。IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与二极管芯片通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品。

IGBT模块包括IGBT芯片和FRD二极管芯片，且IGBT封装结构一般是将IGBT芯片和二极管芯片焊接在具有线路的散热基板上，然后通过键合线或者CLIP这类的桥接件将芯片的电极和线路上的相应导电结构电连接在一起。由于键合线桥接往往会产生虚焊、散热不好之类的问题，现有的IGBT模块会采用CLIP桥接。然而，参考中国专利CN113903728A，由于G极较小以及E极电连接到通信端子的可焊接部位较小，一般依然使用引线将IGBT模块的G极和E极电连接到通信端子，虽然因为通信端子电量小，不会出现热量高的问题，但依然难以避免产生虚焊的问题以及引线过长的问题。

故，急需一种可解决上述问题的多单元IBGT功率模块的封装结构。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种多单元IGBT功率模块的封装结构，布局简单，可将多单元IGBT单元中的G极信号和E极信号通过并行设置的导电条引出，留有足够的焊接位置，且导电条和信号端的导电片之间的距离短。

为了实现上述目的，本实用新型公开了一种多单元IGBT功率模块的封装结构，散热基板、铺设于所述散热基板上的导电片、焊接于所述导电片上的多个IGBT单元，所述散热基板上具有主布线区和位于所述主布线区前侧的控制区，所述导电片包括铺设于所述主布线区内且从右到左依次排布的第一导电条、第一导电片、第二导电片、第二导电条，以及铺设于所述控制区的两G极导电片和两C极导电片，所述第一导电条和第二导电条的纵向沿前后方向设置，所述第一导电条、第二导电条、第一导电片和第二导电片均延伸至所述主布线区的前侧，所述IGBT单元包括焊接于所述第一导电片上的第一单元和焊接于所述第二导电片上的第二单元，所述第一单元临近所述第一导电条，所述第二单元临近所述第二导电条。

较佳地，多单元IGBT功率模块的封装结构还包括桥接部，所述桥接部包括焊接于所述第一导电条和第一单元的G极之间的第一信号桥接部、焊接于所述第二导电条和第二单元的G极之间的第二信号桥接部、焊接于所述第一导电条和一所述G极导电片之间的第三信号桥接部、焊接于所述第一导电片和一所述C极导电片之间的第四信号桥接部、焊接于所述第二导电片和另一所述C极导电片之间的第五信号桥接部和焊接于所述第二导电条和另一所述G极导电片之间的第六信号桥接部。

具体地，两所述G极导电片包括第一G极导电片和第二G极导电片，两所述C极导电片包括第一C极导电片和第二C极导电片，所述第一G极导电片、第一C极导电片、第二C极导电片和第二G极导电片从右到左依次排列，所述第三信号桥接部、第四信号桥接部、第五信号桥接部和所述第六信号桥接部从右到左对应排列并焊接。

具体地，所述控制区被一个中间区域间隔为左控制区和右控制区，所述第一G极导电片、第一C极导电片铺设于所述左控制区，所述第二C极导电片和第二G极导电片铺设于所述右控制区，所述第三信号桥接部、第四信号桥接部与所述右控制区对应，所述第五信号桥接部和所述第六信号与所述左控制区对应。

具体地，所述第三信号桥接部、第四信号桥接部、第五信号桥接部和所述第六信号桥接部为直条状的CLIP，所述第一信号桥接部和第二信号桥接部为拱形CLIP。

较佳地，每一IGBT单元包括至少一个IGBT芯片和与所述IGBT芯片对应的二极管芯片，所述IGBT芯片和对应所述二极管芯片安装于同一导电片上。

具体地，所述桥接部包括焊接于所述第一单元中所述IGBT芯片的E极和第二导电片之间的第一桥接部、焊接于所述第一单元中所述二极管芯片和第二导电片之间的第二桥接部、焊接于所述第二单元中所述二极管芯片和第一导电片之间的第三桥接部、焊接于所述第二单元的所述IGBT芯片的E极和所述第一导电片之间的第四桥接部。

更具体地，所述第二桥接部和第三桥接部为第一CLIP结构，所述第一CLIP结构包括焊接于对应所述导电片上的第一低焊接部、与所述第一低焊接部呈台阶状设置且高于所述第一低焊接部的第一高焊接片，所述第一高焊接片焊接于所述二极管芯片的电极上，所述第一高焊接片为直片，所述第一CLIP结构的宽度与所述二极管芯片的宽度匹配；所述二极管芯片的电极和所述第一高焊接片之间形成有若干间距设置的第一焊锡条，相邻所述第一焊锡条之间形成有供焊接时助焊剂挥发的间隙。

更具体地，所述第一桥接部和第四桥接部为第二CLIP结构，所述第二CLIP结构包括焊接于对应所述导电片上的第二低焊接部、与所述第二低焊接部呈台阶状的设置且高于所述第二低焊接部的第二高焊接片，所述第二高焊接片焊接于所述IGBT芯片的E极上，所述第二高焊片延伸至所述IGBT芯片的E极上的部分包括延伸至所述IGBT芯片的G极前的基部、开设于所述基部前侧的缺口，所述缺口延伸至所述IGBT芯片的中间位置并露出所述IGBT芯片的G极，所述缺口将所述基部的前部分为两延伸部，所述基部和两所述延伸部形成U形图案，所述第二高焊接片为直片状，所述第二CLIP结构的宽度与所述IGBT芯片的宽度匹配；所述延伸部和所述IGBT芯片的E极之间形成多个间距设置的第二锡焊条，多个所述第二锡焊条之间形成有供焊接时助焊剂挥发的间隙；所述基部和所述芯片的E极之间形成多个间距设置的第三锡焊条，多个所述第三锡焊条之间形成有供焊接时助焊剂挥发的间隙。该方案使得第二CLIP结构的结构简单，易于抓取定位，且与IGBT芯片的E极之间的接触面积大，有效减少了第二CLIP上的电阻，可用于大电流通过。缺口延伸至所述IGBT芯片的中间位置并露出所述IGBT芯片的G极使得该第二CLIP结构可以兼容栅极位于IGBT芯片边缘和中间的IGBT芯片，兼容性强，可适用于多种规格的IGBT芯片。

较佳地，所述第一导电片远离所述第二导电片的外侧边在安装IGBT芯片对应的位置到前侧边之间向内凹陷形成一个缺口，所述缺口处安装有一沿前后方向延伸至所述主布线区的前侧边的第一导电条，节省空间。

较佳地，所述第一导电片和第二导电片上还分别形成有焊接电源端子的焊接处，所述G极导电片和C极导电片上还分别形成有焊接G极信号端子和C极信号端子的焊接处。

与现有技术相比，本实用新型在散热基板上沿前后方向布置控制区和主布线区，然后在主布线区中将焊接芯片的导电片(第一导电片、第二导电片)和电连接G极信号的导电条(第一导电条、第二导电条)沿左右方向排列并与控制区中对应的信号端焊接处(G极导电片和C极导电片)位置相对，使得导电片上IGBT单元的G极和对应导电条位置相对且距离近，导电条与对应的信号端焊接处位置相对且距离近，布局合理，便于焊接，且将G极信号引出到导电条处，留有足够的焊接空间，可使用多组引线焊接一个导电条和一个控制端导电片，也可以使用CLIP结构、带状结构等多种结构焊接一个导电条和一个控制端导电片。

附图说明

图1是本实用新型IGBT功率模块的封装结构的立体图。

图2是本实用新型IGBT功率模块的封装结构去除电源端子和信号端子的立体图。

图3是本实用新型IGBT功率模块的封装结构去除电源端子和信号端子的俯视图。

图4是本实用新型IGBT功率模块的封装结构去除电源端子、信号端子和桥接部的俯视图。

图5是本实用新型IGBT功率模块的封装结构中芯片上焊锡条的布置图。

图6是本实用新型IGBT功率模块中布线结构的结构图。

图7是本实用新型IGBT功率模块中第二CLIP结构的立体图。

图8是本实用新型IGBT功率模块中第一CLIP结构的立体图。

具体实施方式

为详细说明本实用新型的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。

参考图1，本实用新型公开了一种IGBT功率模块的封装结构100，包括散热基板10、形成于所述散热基板10上的布线结构以及焊接于所述布线结构上的电源端子13和信号端子，所述布线结构包括形成于散热基板10上的主布线区11、铺设于所述主布线区11上的导电片，以及焊接于所述导电片上的两个IGBT单元和桥接部，每一所述IGBT单元包括至少一个IGBT芯片和对应的二极管芯片。桥接部用于焊接导电片和IGBT单元。

参考图1至图3，所述散热基板10上具有主布线区11和位于所述主布线区11前侧的控制区，所述导电片包括铺设于所述主布线区11内且从右到左依次排布的第一导电条23、第一导电片21、第二导电片22、第二导电条24，以及铺设于所述控制区的两G极导电片和两C极导电片，所述第一导电条23和第二导电条24的纵向沿前后方向设置，所述第一导电条23、第二导电条24、第一导电片21和第二导电片22均延伸至所述主布线区的前侧，所述IGBT单元包括焊接于所述第一导电片21上的第一单元和焊接于所述第二导电片22上的第二单元，所述第一单元临近所述第一导电条23，所述第二单元临近所述第二导电条24。

其中，本实用新型的封装结构100采用DBC板，所述散热基板10为陶瓷基板，导电片为覆铜片。当然，该散热基板还可以为其他散热性能好且绝缘的基板，该导电片也可以为其他导电材料的导电片。

参考图1至图6，所述控制区被一个中间区域间隔为左控制区121和右控制区122，左控制区121上铺设有第二C极导电片27和第二G极导电片28，右控制区122上铺设有第一G极导电片25和第一C极导电片26。所述桥接部包括焊接于所述第一导电条23和第一单元的G极之间的第一信号桥接部35、焊接于所述第二导电条24和第二单元的G极之间的第二信号桥接部36、焊接于第一G极导电片25的焊接处114和第一导电条23的焊接处110之间的第三信号桥接部37、焊接于第一C极导电片26的焊接处115和第一导电片21的第一部211的焊接处111之间的第四信号桥接部38、焊接于第二C极导电片27的焊接处116和第二导电片22的第五部221的焊接处112之间的第五信号桥接部39，以及焊接于第二G极导电片28的焊接处117和第二导电条24的焊接处113之间的第六信号桥接部40。

参考图3，第一信号桥接部35和第二信号桥接部36沿左右方向并行排列且呈拱形，第一信号桥接部35和第二信号桥接部36分别包括与IGBT芯片201、202上G极焊接的第一焊接部、与第一导电条23、第二导电条24焊接的第二焊接部和连接于所述第一焊接部和第二焊接部之间的连接部，该连接部呈弓形，且连接部的主体高于第一焊接部和第二焊接部，以使得该连接部的主体可以从G极到导电条方向逐渐变宽且不受G极大小的影响。第三信号桥接部37至第六信号桥接部40沿前后方向并行排列，且呈直条状，结构简单。

其中，所述第一G极导电片25、第一C极导电片26、第二C极导电片27和第二G极导电片28从右到左依次排列，所述第三信号桥接部37、第四信号桥接部38、第五信号桥接部39和所述第六信号桥接部40从右到左对应排列并焊接。

参考图1，信号端子包括分别焊接于第一G极导电片25的焊接处118a和第二G极导电片28的焊接处118b上的两个G极信号端子14、分别焊接于第一C极导电片26的焊接处119a和第二C极导电片27的焊接处119b上的两个C极信号端子15。

参考图2至图6，所述导电片包括沿左右方向间隙相对的第一导电片21和第二导电片22，所述IGBT单元包括安装于所述第一导电片21上的第一单元和安装于所述第二导电片22上的第二单元。第一单元包括IGBT芯片201和二极管芯片301，第二单元包括IGBT芯片202和二极管芯片302。

参考图2至图4，所述桥接部包括焊接于所述第一单元中所述IGBT芯片201的E极和第二导电片22之间的第一桥接部31、焊接于所述第一单元中所述二极管芯片301和第二导电片22之间的第二桥接部32、焊接于所述第二单元中所述二极管芯片302和第一导电片21之间的第三桥接部33、焊接于所述第二单元的所述IGBT芯片202的E极和所述第一导电片21之间的第四桥接部34。

参考图3至图6，所述第一导电片21从前到后依次从大到小形成第一部211、第二部212、第三部213和第四部214，所述第二导电片22从前到后依次从小到大形成有与所述第一部211位置相对的第五部221、与所述第二部212位置相对的第六部222、与所述第三部213位置相对的第七部223和与所述第四部214位置相对的第八部224。

参考图3至图6，所述第一部211焊接有IGBT芯片201，所述第八部224上焊接有IGBT芯片202。所述第二部212上焊接有二极管芯片301，第七部223上焊接有二极管芯片302。

参考图1至图3，所述桥接部包括焊接于所述第一部211中所述IGBT芯片201的E极和所述第五部221上的焊接处101之间的第一桥接部31、焊接于所述第二部212中所述二极管芯片301的电极和所述第六部222的焊接处102之间的第二桥接部32、焊接于所述第七部223中所述二极管芯片302的电极和所述第三部213的焊接处103之间的第三桥接部33和焊接于所述第八部224中所述IGBT芯片302的E极和第四部214的焊接处104之间的第四桥接部34。

参考图4和图5，所述第一导电片21和第二导电片22之间相对的界面线互补设置。所述主布线区11为前后方向长于左右方向的矩形。所述第一部211、第二部212、第三部213、第四部214、第五部221、第六部222、第七部223和第八部224均为矩形，以使所述第一导电片21和第二导电片22之间相对的界面呈三个阶梯状结构，形状规范，易于导电片的印刷。

参考图3至图5，所述第一导电片21远离所述第二导电片22的外侧边在所述第一部211处向内凹陷形成一个缺口，所述缺口处安装有一沿前后方向延伸的第一导电条23，所述桥接部还包括焊接于所述第一导电条23和所述第一部211上IGBT芯片201的G极之间的第一信号桥接部35。所述第二导电部远离所述第一导电片21的外侧边沿前后方向位于同一直线上，且所述第二导电部的外侧边外还形成有一沿前后方向延伸的第二导电条24，所述桥接部包括焊接于所述第二导电条24和所述第八部224上IGBT芯片202的G极之间的第二信号桥接部36。该方案使得与G极焊接的第一导电条23和第二导电条24直接在左右方向上临近设置，节省空间，便于第一信号桥接部35和第二信号桥接部36的焊接。

参考图3至图5，所述第一导电条23延伸至所述主布线区11的前侧，所述第二导电条24延伸至所述主布线区11的前侧，且所述主布线区11的前侧还形成有焊接信号端子的控制区(左控制区121、右控制区122)，所述桥接部还包括焊接于所述主布线区11的导电片和所述控制区(左控制区121、右控制区122)的导电片之间的信号桥接部。

参考图3和图4，第一单元中IGBT芯片201临近第一导电条23，第二单元中IGBT芯片202临近第二导电条24，第一信号桥接部35焊接于IGBT芯片201的G极和第一导电条23上的焊接处105之间，第二信号桥接部36焊接于IGBT芯片202的G极和第二导电条24的焊接处106之间。

其中，所述第二桥接部32和第三桥接部33为第一CLIP结构，所述第一桥接部31和第四桥接部34为第二CLIP结构。

参考图1、图2和图8，所述第一CLIP结构包括焊接于对应所述导电片上的第一低焊接部411、与所述第一低焊接部411呈台阶状设置且高于所述第一低焊接部411的第一高焊接片412，所述第一高焊接片412焊接于所述二极管芯片的电极上，所述第一高焊接片412为直片，所述第一CLIP结构的宽度与所述二极管芯片301、302的宽度匹配(宽度大体一致或者差距较小，甚至第一CLIP结构的宽度略宽于二极管芯片301、302的宽度)。

参考图5，所述二极管芯片301、302的电极和所述第一高焊接片412之间形成有若干间距设置的第一焊锡条51，相邻所述第一焊锡条51之间形成有供焊接时助焊剂挥发的间隙。其中，若干第一焊锡条51可以呈十字形设置、米字型设置、八字形设置、间距并行设置，只需相邻第一焊锡条51之间的区域与外界连通，便于助焊剂挥发。

参考图1、图2和图7，所述第二CLIP结构包括焊接于对应所述导电片上的第二低焊接部421、与所述第二低焊接部421呈台阶状的设置且高于所述第二低焊接部421的第二高焊接片422，所述第二高焊接片422焊接于所述IGBT芯片201、202的E极上，所述第二高焊接片422延伸至所述IGBT芯片201、202的E极上的部分包括基部431、开设于基部431前端并延伸至所述IGBT芯片的中间以裸露所述IGBT芯片的G极的缺口433，所述缺口将所述基部431的前部分为延伸至所述IGBT的G极两侧的两延伸部432，所述基部431和两所述延伸部432形成U形图案，所述第二高焊接片422为直片状，所述第二CLIP结构的宽度与所述IGBT芯片201、202的宽度匹配(宽度大体一致、IGBT芯片的宽度略微大于或小于第二CLIP结构的宽度)。其中，第二高焊接片422从IGBT芯片201、202左右方向的一侧延伸至另一侧。

参考图5，所述延伸部432和所述IGBT芯片201、202的E极之间形成多个间距设置的第二锡焊条52，多个所述第二锡焊条52之间形成有供焊接时助焊剂挥发的间隙；所述基部431和所述芯片的E极之间形成多个间距设置的第三锡焊条53，多个所述第三锡焊条53之间形成有供焊接时助焊剂挥发的间隙。其中，若干第二锡焊条52和第三锡焊条53可以呈十字形设置、米字型设置、八字形设置、间距并行设置，只需相邻第一焊锡条51之间的区域与外界连通，便于助焊剂挥发。

参考图4和图5，所述第一导电片21的第一部211临近前侧边的部位形成有焊接电源端子13的焊接处107，所述第二导电片22的第八部224临近后侧边的部位形成有焊接电源端子13的焊接处108，所述第二部212和第三部213临近外侧边的部位形成有焊接电源端子13的焊接处109。当然，焊接处109也可以设置在第二部212或第三部213临近外侧边的部位。当然，也可以在所述第五部221和/或第六部222临近外侧边的部位处形成焊接处以代替焊接处109或者焊接处108。

第一桥接部31至第四桥接部34沿左右方向并行排列，且呈一次台阶状。

其中，第一锡焊条、第二锡焊条和第三锡焊条分别为焊接时，在焊接处印刷的锡膏在焊接后形成的结构。

其中，本实用新型的桥接部均采用CLIP结构，当然，本实用新型的桥接部也可以采用其他条形结构、线状结构等等。

其中，本实用新型所述的前后并非绝对位置关系的前后，而是相对的两个方向，例如第一方向上的相对方向。本实用新型所述的左右并非绝对位置的左右，而是而是相对的两个方向，例如第二方向上的相对方向，第一方向与第二方向垂直。

以上所揭露的仅为本实用新型的优选实施例而已，当然不能以此来限定本实用新型之权利范围，因此依本实用新型申请专利范围所作的等同变化，仍属本实用新型所涵盖的范围。

Claims (10)

1.一种多单元IGBT功率模块的封装结构，散热基板、铺设于所述散热基板上的导电片、焊接于所述导电片上的多个IGBT单元以及桥接部，其特征在于：所述散热基板上具有主布线区和位于所述主布线区前侧的控制区，所述导电片包括铺设于所述主布线区内且从右到左依次排布的第一导电条、第一导电片、第二导电片、第二导电条，以及铺设于所述控制区的两G极导电片和两C极导电片，所述第一导电条和第二导电条的纵向沿前后方向设置，所述第一导电条、第二导电条、第一导电片和第二导电片均延伸至所述主布线区的前侧，所述IGBT单元包括焊接于所述第一导电片上的第一单元和焊接于所述第二导电片上的第二单元，所述第一单元临近所述第一导电条，所述第二单元临近所述第二导电条。

2.如权利要求1所述的多单元IGBT功率模块的封装结构，其特征在于：所述桥接部包括焊接于所述第一导电条和第一单元的G极之间的第一信号桥接部、焊接于所述第二导电条和第二单元的G极之间的第二信号桥接部、焊接于所述第一导电条和一所述G极导电片之间的第三信号桥接部、焊接于所述第一导电片和一所述C极导电片之间的第四信号桥接部、焊接于所述第二导电片和另一所述C极导电片之间的第五信号桥接部和焊接于所述第二导电条和另一所述G极导电片之间的第六信号桥接部。

3.如权利要求2所述的多单元IGBT功率模块的封装结构，其特征在于：两所述G极导电片包括第一G极导电片和第二G极导电片，两所述C极导电片包括第一C极导电片和第二C极导电片，所述第一G极导电片、第一C极导电片、第二C极导电片和第二G极导电片从右到左依次排列，所述第三信号桥接部、第四信号桥接部、第五信号桥接部和所述第六信号桥接部从右到左对应排列并焊接。

4.如权利要求3所述的多单元IGBT功率模块的封装结构，其特征在于：所述控制区被一个中间区域间隔为左控制区和右控制区，所述第一G极导电片、第一C极导电片铺设于所述左控制区，所述第二C极导电片和第二G极导电片铺设于所述右控制区，所述第三信号桥接部、第四信号桥接部与所述右控制区对应，所述第五信号桥接部和所述第六信号与所述左控制区对应。

5.如权利要求3所述的多单元IGBT功率模块的封装结构，其特征在于：所述第三信号桥接部、第四信号桥接部、第五信号桥接部和所述第六信号桥接部为直条状的CLIP，所述第一信号桥接部和第二信号桥接部为拱形CLIP。

6.如权利要求1所述的多单元IGBT功率模块的封装结构，其特征在于：每一IGBT单元包括至少一个IGBT芯片和与所述IGBT芯片对应的二极管芯片，所述IGBT芯片和对应所述二极管芯片安装于同一导电片上。

7.如权利要求6所述的多单元IGBT功率模块的封装结构，其特征在于：还包括桥接部，所述桥接部包括焊接于所述第一单元中所述IGBT芯片的E极和第二导电片之间的第一桥接部、焊接于所述第一单元中所述二极管芯片和第二导电片之间的第二桥接部、焊接于所述第二单元中所述二极管芯片和第一导电片之间的第三桥接部、焊接于所述第二单元的所述IGBT芯片的E极和所述第一导电片之间的第四桥接部。

8.如权利要求7所述的多单元IGBT功率模块的封装结构，其特征在于：所述第二桥接部和第三桥接部为第一CLIP结构，所述第一CLIP结构包括焊接于对应所述导电片上的第一低焊接部、与所述第一低焊接部呈台阶状设置且高于所述第一低焊接部的第一高焊接片，所述第一高焊接片焊接于所述二极管芯片的电极上，所述第一高焊接片为直片，所述第一CLIP结构的宽度与所述二极管芯片的宽度匹配；所述二极管芯片的电极和所述第一高焊接片之间形成有若干间距设置的第一焊锡条，相邻所述第一焊锡条之间形成有供焊接时助焊剂挥发的间隙；

所述第一桥接部和第四桥接部为第二CLIP结构，所述第二CLIP结构包括焊接于对应所述导电片上的第二低焊接部、与所述第二低焊接部呈台阶状的设置且高于所述第二低焊接部的第二高焊接片，所述第二高焊接片焊接于所述IGBT芯片的E极上，所述第二高焊接片延伸至所述IGBT芯片的E极上的部分包括延伸至所述IGBT芯片的G极前的基部、开设于所述基部前侧的缺口，所述缺口延伸至所述IGBT芯片的中间位置并露出所述IGBT芯片的G极，所述缺口将所述基部的前部分为两延伸部，所述基部和两所述延伸部形成U形图案，所述第二高焊接片为直片状，所述第二CLIP结构的宽度与所述IGBT芯片的宽度匹配；所述延伸部和所述IGBT芯片的E极之间形成多个间距设置的第二锡焊条，多个所述第二锡焊条之间形成有供焊接时助焊剂挥发的间隙；所述基部和所述芯片的E极之间形成多个间距设置的第三锡焊条，多个所述第三锡焊条之间形成有供焊接时助焊剂挥发的间隙。

9.如权利要求1所述的多单元IGBT功率模块的封装结构，其特征在于：所述第一导电片远离所述第二导电片的外侧边在安装IGBT芯片对应的位置到前侧边之间向内凹陷形成一个缺口，所述缺口处安装有一沿前后方向延伸至所述主布线区的前侧边的第一导电条。

10.如权利要求1所述的多单元IGBT功率模块的封装结构，其特征在于：所述第一导电片和第二导电片上还分别形成有焊接电源端子的焊接处，所述G极导电片和C极导电片上还分别形成有焊接G极信号端子和C极信号端子的焊接处。