CN211555869U - 陶瓷基板 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种陶瓷基板，该陶瓷基板包括基材、第一线路层、芯片焊盘以及第一阻焊，基材包括有第一表面；第一线路层设置于第一表面上；多个芯片焊盘设置于第一线路层上，且每一所述芯片焊盘与相邻的芯片焊盘间隔设置；第一阻焊，位于第一表面上且绕每一所述芯片焊盘设置。通过上述方式，本实用新型能够在焊接的时候对锡膏进行约束，从而提高焊接效果。
Description
技术领域
本实用新型涉及COB光源领域，特别涉及一种陶瓷基板。
背景技术
现在COB(chip-on-board，板上芯片封装)光源向高功率密度点光源方向发展，使得COB芯片间距设计越来越小。现在一般通过在基板上设置芯片焊盘，随后将芯片通过锡膏焊接与芯片焊盘上，由于芯片焊盘间距较少，在通过锡膏焊接的过程中容易出现锡膏流动而导致芯片容易漂移，使得整个芯片不够平整。
实用新型内容
本实用新型提供一种陶瓷基板，以解决现有技术通过锡膏对芯片进行焊接效果较差的问题。
为解决上述技术问题，本实用新型采用的一个技术方案是：提供一种陶瓷基板，所述陶瓷基板包括：基材，包括有第一表面；第一线路层，设置于所述第一表面上；多个芯片焊盘，设置于所述第一线路层上，且每一所述芯片焊盘与相邻的芯片焊盘间隔设置；第一阻焊，位于所述第一表面上且绕每一所述芯片焊盘设置。
根据本实用新型提供的一实施方式，所述第一阻焊在垂直于所述第一表面的方向上不高于所述芯片焊盘。
根据本实用新型提供的一实施方式，所述芯片焊盘包括间隔设置的固晶焊盘与金线键合焊盘，所述陶瓷基板还包括第二阻焊，所述第二阻焊设置于所述第一线路层上且位于所述固晶焊盘与金线键合焊盘之间。
根据本实用新型提供的一实施方式，所述金线键合焊盘的宽度大于或等于0.08mm，且小于或等于0.12mm。
根据本实用新型提供的一实施方式，所述第二阻焊的厚度大于或等于15μm，且小于或等于35μm；所述第二阻焊的宽度大于或等于0.08mm，且小于或等于0.10mm。
根据本实用新型提供的一实施方式，所述第一线路层的线路间隔大于或等于0.08mm，且小于或等于0.10mm；所述第一线路层的厚度大于或等于50μm，且小于或等于80μm。
根据本实用新型提供的一实施方式，所述第一阻焊的宽度小于芯片焊盘之间的间隔宽度，所述第二阻焊的宽度小于同一芯片焊盘中固晶焊盘与金线键合焊盘之间的间隔宽度。
根据本实用新型提供的一实施方式，所述第一线路层包括焊盘区域和非焊盘区域，所述多个芯片焊盘设置于所述焊盘区域内，所述非焊盘区域设置有第三阻焊。
根据本实用新型提供的一实施方式，所述基材还包括与所述第一表面相对的第二表面，所述陶瓷基板还包括设置于所述第二表面上的第二线路层，所述第一线路层与所述第二线路层通过贯穿所述基材的镀铜通孔连接。
根据本实用新型提供的一实施方式，所述陶瓷基板还包括有设置于所述第二线路层上的正极焊盘、负极焊盘以及散热焊盘。
有益效果，区别于现有技术，本实用新型通过绕芯片焊盘设置第一阻焊，由于第一阻焊的材料为油墨，本身与锡膏不亲和。因此在采用锡膏在芯片焊盘焊接芯片时，锡膏在熔化到固化的过程中不会与第一阻焊接合，也无法在第一阻焊的表面发生移动，从而限制锡膏只能在芯片焊盘上进行移动，进而对锡膏进行约束。从而解决由于锡膏流动导致芯片漂移以及不平整的问题，使得芯片、基材以及锡膏三者的焊接效果良好，进而增加芯片的导热能力，降低结温，提升整个陶瓷基板的可靠性。
附图说明
图1是本实用新型提供的陶瓷基板的第一实施例结构示意图；
图2是本实用新型提供的陶瓷基板的第二实施例结构示意图；
图3是图2所示陶瓷基板局部区域A的结构示意图；
图4是是图3所示局部区域的俯视示意图；
图5是图2所示陶瓷基板的俯视示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
另外，若本实用新型实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本实用新型要求的保护范围之内。
请参阅图1-图5，本实用新型提供一种陶瓷基板10，该陶瓷基板包括有基材100、第一线路层200、芯片焊盘300以及第一阻焊400。
如图1所示，基材100上设置有第一表面110，第一线路层200则设置于第一表面110上，多个芯片焊盘300设置于第一线路层200上。且每个芯片焊盘300与相邻的芯片焊盘300间隔设置，即对应多个芯片焊盘300中的任一芯片焊盘300而言，与相邻的芯片焊盘300之间均存在间隔。第一阻焊400则位于第一表面110上，且绕每一芯片焊盘300设置。
且具体的，第一线路层200的线路之间具有间隔，设置于线路上的芯片焊盘300之间也存在间隔，且线路之间的间隔与芯片焊盘300之间的间隔在垂直于第一表面110的方向上是对应的，在将第一阻焊400设置芯片焊盘300之间的间隔时，则该第一阻焊400也位于第一线路层200的线路间隔之间，并直接设置于第一表面110上。
在具体实施例中，芯片焊盘300可以通过在第一线路层200进行化镀镍钯金而形成，从而芯片焊盘300直接与第一线路层200进行电连接。
如图5所示，在具体实施例中，以芯片焊盘300为矩形为例，芯片焊盘300的四个方向均存在有间隔，因此可以在间隔中设置第一阻焊400，以使得每一芯片焊盘300均被第一阻焊400所围绕与分割。
在其他实施例中，芯片焊盘300也可以为三角形或者梯形或者其他形状，相对应的，围合同一芯片焊盘300的第一阻焊400在垂直于第一表面110的截面也对应为三角形或者梯形或者其他形状。
在具体实施例中，第一阻焊400的宽度与芯片焊盘300之间的间隔宽度相同。在优选实施例中，第一阻焊400的宽度小于芯片焊盘300之间的间隔宽度，从而减少第一阻焊400的用量，进而节省成本。
上述实施例中，通过绕芯片焊盘300设置第一阻焊400，由于第一阻焊400的材料为油墨，本身与锡膏不亲和。因此在采用锡膏在芯片焊盘300焊接芯片时，锡膏在熔化到固化的过程中不会与第一阻焊400接合，也无法在第一阻焊400的表面发生移动，从而限制锡膏只能在芯片焊盘300上进行移动，进而对锡膏进行约束。从而解决由于锡膏流动导致芯片漂移以及不平整的问题，使得芯片、基材100以及锡膏三者的焊接效果良好，进而增加芯片的导热能力，降低结温，提升整个陶瓷基板10的可靠性。
且相比现有常用的银胶焊接垂直LED工艺而言，不会出现由于长时间高温工作导致的银胶氧化和硫化等现象，极大提高成品的优良率。相比共晶焊接垂直LED工艺而言，极大的减少了成本。
如图1所示，第一阻焊400在垂直于第一表面110的方向上不高于芯片焊盘300。从而保证在对芯片进行焊接时候，不会由于过高而影响芯片导致芯片被抬升，以确保芯片可以良好的焊接于芯片焊盘300上。
如图2-图4所示，在具体实施例中，芯片焊盘300包括间隔设置的固晶焊盘310与金线键合焊盘320。具体的，芯片在焊接时候，整个芯片的主体以及负极通过锡膏焊接于固晶焊盘310上，芯片的正极通过金线键合与金线键合焊盘320进行电连接。
如图2-图4所示，陶瓷基板10还包括第二阻焊500，且第二阻焊500位于固晶焊盘310与金线键合焊盘320之间，且由于固晶焊盘310与金线键合焊盘320之间通过第一线路层200连接，因此，第二阻焊500直接设置于第一线路层200上。相同的，第二阻焊500与第一阻焊400的成分相似或相同，也与锡膏不亲和，可以对锡膏的流动进行限制。
在其他实施例中，固晶焊盘310与金线键合焊盘320也可以为三角形或者梯形或者其他形状。
在具体实施例中，第二阻焊500的宽度与固晶焊盘310与金线键合焊盘320之间的间隔宽度相同。在优选实施例中，第二阻焊500的宽度小于固晶焊盘310与金线键合焊盘320之间的间隔宽度，从而减少第二阻焊500的用量，进而节省成本。
上述实施例中，由于芯片的主体是通过锡膏焊接于固晶焊盘310的，通过在固晶焊盘310与金线键合焊盘320之间设置第二阻焊500，可以进一步约束锡膏的流动，以保证锡膏在固晶焊盘310的表面进行流动，而不会流到金线键合焊盘320上，从而解决锡膏污染金线键合焊盘320而影响到芯片负极的与金线键合焊盘320的键合的问题，进一步提高产品的良品率。
且进一步的，通过将锡膏约束在焊接范围内，以减少焊接的空洞率，极大提高焊接的精确度，避免焊接过程中芯片随着锡膏流动而导致的不平整以及偏移的情况。
在具体实施例中，固晶焊盘310在长度方向与宽度方向均比芯片大0.02mm。
在具体实施例中，金线键合焊盘320的宽度大于或等于0.08mm，且小于或等于0.12mm。具体可以是0.08mm、0.10mm或者0.12mm，这里不做具体限制。
在具体实施例中，第二阻焊500的厚度大于或等于15μm，且小于或等于35μm，具体的，即第二阻焊500沿垂直于第一表面110的高度大于或等于15μm，且小于或等于35μm。具体可以是15μm、20μm或者35μm，这里不做具体限制。第二阻焊500的宽度大于或等于0.08mm，且小于或等于0.10mm；具体可以是0.08mm、0.09mm或0.10mm，这里不做具体限制。
在具体实施例中，第一线路层200具体可以是由铜箔进行线路化得到的，第一线路层200的线路间隔大于或等于0.08mm，且小于或等于0.10mm。具体可以是0.08mm、0.09mm或0.10mm，这里不做具体限制。在具体实施例中，第一线路层200的厚度大于或等于50μm，且小于或等于80μm。具体可以是50μm、70μm或80μm，这里不做具体限制。
在具体实施例中，芯片焊盘300之间的间距也大于或等于0.08mm，且小于或等于0.10mm。具体可以是0.08mm、0.09mm或0.10mm，这里不做具体限制。
如图2所示，基材100还包括与第一表面110相对的第二表面120，陶瓷基板10还包括设置于第二表面120上的第二线路层600，第一线路层200与第二线路层600通过贯穿基材100的镀铜通孔130连接。
在具体实施例中，第二线路层600与第一线路层200相似，均可以通过铜箔线路化而形成。
如图2所示，陶瓷基板10还包括正极焊盘610、负极焊盘620以及散热焊盘630。正极焊盘610、负极焊盘620以及散热焊盘630均设置于第二线路层600上且与第二线路层600电连接。
第一线路层200包括焊盘区域210和非焊盘区域220，多个芯片焊盘300设置于焊盘区域210内，非焊盘区域220设置有第三阻焊700。
如图5所示，焊盘区域210设置有芯片焊盘300的线路区域，非焊盘区域220用于连接焊盘区域210以及镀铜通孔130的线路区域，具体的，可以在非焊盘区域220设置第三阻焊700，从而对绝缘进行改善，进而增加整个陶瓷基板10的性能。
综上所述，本实用新型提供一种陶瓷基板10，通过绕芯片焊盘300设置第一阻焊400，由于第一阻焊400的材料为油墨，本身与锡膏不亲和。因此在采用锡膏在芯片焊盘300焊接芯片时，锡膏在熔化到固化的过程中不会与第一阻焊400接合，也无法在第一阻焊400的表面发生移动，从而限制锡膏只能在芯片焊盘300上进行移动，进而对锡膏进行约束。从而解决由于锡膏流动导致芯片漂移以及不平整的问题，使得芯片、基材100以及锡膏三者的焊接效果良好，进而增加芯片的导热能力，降低结温，提升整个陶瓷基板10的可靠性。且进一步的，芯片焊盘300包括固晶焊盘310与金线键合焊盘320，由于芯片的主体是通过锡膏焊接于固晶焊盘310的，通过在固晶焊盘310与金线键合焊盘320之间设置第二阻焊500，可以进一步约束锡膏的流动，以保证锡膏在固晶焊盘310的表面进行流动，而不会流到金线键合焊盘320上，从而解决锡膏污染金线键合焊盘320而影响到芯片负极的与金线键合焊盘320的键合的问题，进一步提高产品的良品率。并减少焊接的空洞率，极大提高焊接的精确度，避免焊接过程中芯片随着锡膏流动而导致的不平整以及偏移的情况。
以上仅为本实用新型的实施方式，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结果或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种陶瓷基板，其特征在于，所述陶瓷基板包括：
基材，包括有第一表面；
第一线路层，设置于所述第一表面上；
多个芯片焊盘，设置于所述第一线路层上，且每一所述芯片焊盘与相邻的芯片焊盘间隔设置；
第一阻焊，位于所述第一表面上且绕每一所述芯片焊盘设置。
2.根据权利要求1所述的陶瓷基板，其特征在于，所述第一阻焊在垂直于所述第一表面的方向上不高于所述芯片焊盘。
3.根据权利要求1所述的陶瓷基板，其特征在于，所述芯片焊盘包括间隔设置的固晶焊盘与金线键合焊盘，所述陶瓷基板还包括第二阻焊，所述第二阻焊设置于所述第一线路层上且位于所述固晶焊盘与金线键合焊盘之间。
4.根据权利要求3所述的陶瓷基板，其特征在于，所述金线键合焊盘的宽度大于或等于0.08mm，且小于或等于0.12mm。
5.根据权利要求3所述的陶瓷基板，其特征在于，所述第二阻焊的厚度大于或等于15μm，且小于或等于35μm；所述第二阻焊的宽度大于或等于0.08mm，且小于或等于0.10mm。
6.根据权利要求1所述的陶瓷基板，其特征在于，所述第一线路层的线路间隔大于或等于0.08mm，且小于或等于0.10mm；所述第一线路层的厚度大于或等于50μm，且小于或等于80μm。
7.根据权利要求3所述的陶瓷基板，其特征在于，所述第一阻焊的宽度小于芯片焊盘之间的间隔宽度，所述第二阻焊的宽度小于同一芯片焊盘中固晶焊盘与金线键合焊盘之间的间隔宽度。
8.根据权利要求1所述的陶瓷基板，其特征在于，所述第一线路层包括焊盘区域和非焊盘区域，所述多个芯片焊盘设置于所述焊盘区域内，所述非焊盘区域设置有第三阻焊。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的陶瓷基板，其特征在于，所述基材还包括与所述第一表面相对的第二表面，所述陶瓷基板还包括设置于所述第二表面上的第二线路层，所述第一线路层与所述第二线路层通过贯穿所述基材的镀铜通孔连接。
10.根据权利要求9所述的陶瓷基板，其特征在于，所述陶瓷基板还包括有设置于所述第二线路层上的正极焊盘、负极焊盘以及散热焊盘。
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