CN211542183U - 一种高精度胶位的半导体模具 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种高精度胶位的半导体模具，包括公模仁以及与公模仁配合的母模仁，所述母模仁的中心设置有注胶口，所述注胶口与公模仁上设置的胶道连接，所述胶道的两侧设置有第一镶件，所述第一镶件共有十六件，对称分布在胶道的两侧，并通过进胶口，所述胶道横向或纵向设置于公模仁的中心轴线上；所述母模仁上设置有对应第一镶件的第二镶件。本实用新型设计合理，结构简单，便于加工；其设置的镶件不仅有助于单独加工成型，而且可以提升胶位的加工精度；有效提升了模具的使用性能以及降低了模具成本，且设置的排气槽有助于产品成型时排气，减少产品成型时困气，提高产品的合格率，改善产品的外观。

Description

一种高精度胶位的半导体模具

技术领域

本实用新型涉及模具领域，尤其涉及一种高精度胶位的半导体模具。

背景技术

目前，在半导体封装领域，注塑是比较成熟的工艺技术，其模具主要包括上模具和下模具。注塑工艺过程主要分三步，首先将半导体芯片放入到下模型腔中，接着合上上模，然后对模具以及封装塑胶进行加热融化，再将加热融化后的塑胶注射到型腔中，将半导体芯片进行包裹，最后待塑胶冷却固定化后，与半导体芯片结合在一起，以对半导体芯片形成保护。然而，现有半导体封装模具一般采用一体式的上、下模具进行直接加工成型，其加工精度低、合模困难，在成型时，封胶效果差，精度低。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术存在的以上问题，提供一种高精度胶位的半导体模具，本实用新型设计合理，结构简单，便于加工；其设置的镶件不仅有助于单独加工成型，而且可以提升胶位的加工精度；有效提升了模具的使用性能以及降低了模具成本。

为实现上述技术目的，达到上述技术效果，本实用新型通过以下技术方案实现：

一种高精度胶位的半导体模具，包括公模仁以及与公模仁配合的母模仁，所述母模仁的中心设置有注胶口，所述注胶口与公模仁上设置的胶道连接，所述胶道的两侧设置有第一镶件，所述第一镶件共有十六件，对称分布在胶道的两侧，并通过进胶点连接，所述胶道横向或纵向设置于公模仁的中心轴线上；所述母模仁上设置有对应第一镶件的第二镶件，所述第二镶件和第一镶件设置有封装半导体的胶位，所述胶位中设置有第三镶件，所述第三镶件的四侧设置有排气槽。采用此技术方案，有助于产品的批量生产，以及提升产品的生产精度；其中，设置的镶件，有助于胶位面的加工，以提高模具胶位面的加工精度，以及镶件的批量加工。此外，胶道上设置有连接胶位的进胶点，进胶点连接胶位的一侧宽度不超过1mm,深度不超过0.3mm，以便于成型后的胶点分离。

作为优选，所述第三镶件距离第一镶件和/或第二镶件的胶位侧壁的距离设置在0.05-0.1mm。采用此技术方案，便于加工成型。

作为优选，所述第三镶件与第一镶件和/或第二镶件的配合公差设置在±0.001mm；所述第一镶件和/或第二镶件与公模仁和/或母模仁的配合公差设置在±0.001mm。采用此技术方案，有助于提高模具的配合精度，减少产品成型时出现毛边。

作为优选，所述第一镶件、第二镶件和第三镶件的胶位精度设置在±0.001mm。采用此技术方案，入子便于加工，有助于提高加工精度。

作为优选，所述排气槽包括与胶位面连接的第一排气槽以及与镶件底部连接的第二排气槽，所述第二排气槽连接第一排气槽，所述第一排气槽的深度不超过0.005mm；所述第二排气槽的深度不低于0.1mm。采用此技术方案，便于成型时排气，减少产品的困气。

作为优选，所述第一镶件和/或第二镶件的胶位两侧设置有与第三镶件连接的第四镶件，所述第四镶件上设置有引脚槽；所述引脚槽的底部设置有通气口。采用此技术方案，设置的第四镶件便于引脚槽的加工以及侧壁胶位加工，以提升镶件的加工精度以及第四镶件的更换。其中，通气口可用于真空吸附半导体芯片的引脚以及利用吹气将成型后半导体吹出型腔。

作为优选，所述公模仁的四个直角设置有定位块，所述定位块与母模仁上设置的定位槽连接。采用此技术方案，提升公、母模仁的合模精度，以提高产品封装的精度。

作为优选，所述公模仁和/或母模仁上还分别设置有模板，所述模板之间通过导柱和导套连接。采用此技术方案，模板用于承载模仁，导柱和导套用于提升模具的合模精度，以提高产品的封装精度。

本实用新型的有益效果是：

1.本实用新型设计合理，结构简单，便于加工；其设置的镶件不仅有助于单独加工成型，而且有助于提升胶位的加工精度；有效提升了模具的使用性能以及降低了模具成本；

2.本实用新型模仁上设置的定位块和定位槽能够有效减少作业时产生偏差的概率，提升模具的合模精度；且模板上的导柱、导套能够进一步的提升模具生产的精度。

上述说明仅是本实用新型技术方案的概述，为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本实用新型的较佳实施例并配合附图详细说明。本实用新型的具体实施方式由以下实施例及其附图详细给出。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，构成本申请的一部分，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：

图1为本实用新型涉及的母模仁结构示意图；

图2为本实用新型涉及的公模仁结构示意图；

图3为本实用新型涉及的第一镶件结构示意图；

图4为本实用新型涉及的排气槽结构示意图；

图5为本实用新型涉及的模板示意图。

图中标号说明：公模仁1，母模仁2，注胶口3，胶道4，第一镶件5，第二镶件6，胶位7，第三镶件8，排气槽9，第四镶件10，引脚槽11，通气口12，定位块13，定位槽14，模板15，导柱16，导套17，进胶点401。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步的描述：

参照图1至图5所示，一种高精度胶位的半导体模具，包括公模仁1以及与公模仁1配合的母模仁2，所述母模仁2的中心设置有注胶口3，所述注胶口3与公模仁1上设置的胶道4连接，所述胶道4的两侧设置有第一镶件5，所述第一镶件5共有十六件，对称分布在胶道4的两侧，并通过进胶点401连接，所述胶道4横向或纵向设置于公模仁1的中心轴线上；所述母模仁2上设置有对应第一镶件5的第二镶件6，所述第二镶件6和第一镶件5设置有封装半导体的胶位7，所述胶位7中设置有第三镶件8，所述第三镶件8的四侧设置有排气槽9。采用此技术方案，有助于产品的批量生产，以及提升产品的生产精度；其中，设置的镶件，有助于胶位面的加工，以提高模具胶位面的加工精度，以及镶件的批量加工。此外，胶道4上设置有连接胶位7的进胶点401，进胶点401连接胶位7的一侧宽度不超过1mm,深度不超过0.3mm，以便于成型后的胶点分离。另外，胶道4包括主胶道和分胶道。

作为优选，所述第三镶件8距离第一镶件5和/或第二镶件6的胶位侧壁的距离设置在0.05-0.1mm。采用此技术方案，便于加工成型。

作为优选，所述第三镶件8与第一镶件5和/或第二镶件6的配合公差设置在±0.001mm；所述第一镶件5和/或第二镶件6与公模仁1和/或母模仁2的配合公差设置在±0.001mm。采用此技术方案，有助于提高模具的配合精度，减少产品成型时出现的毛边。

作为优选，所述第一镶件5、第二镶件6和第三镶件8的胶位精度设置在±0.001mm。采用此技术方案，入子便于加工，有助于提高加工精度。

作为优选，所述排气槽9包括与胶位面连接的第一排气槽以及与镶件底部连接的第二排气槽，所述第二排气槽连接第一排气槽，所述第一排气槽的深度不超过0.005mm；所述第二排气槽的深度不低于0.1mm。采用此技术方案，便于成型时排气，减少产品的困气。

作为优选，所述第一镶件5和/或第二镶件6的胶位两侧设置有与第三镶件8连接的第四镶件10，所述第四镶件10上设置有引脚槽11；所述引脚槽11的底部设置有通气口12。采用此技术方案，设置的第四镶件10便于引脚槽11的加工以及侧壁胶位7加工，以提升镶件的加工的精度以及第四镶件10的更换。其中，通气口12可用于真空吸附半导体芯片的引脚以及利用吹气将成型后半导体吹出型腔。

作为优选，所述公模仁1的四个直角设置有定位块13，所述定位块13与母模仁2上设置的定位槽14连接。采用此技术方案，能够有效提升公、母模仁的合模精度，以提高产品封装的精度。

作为优选，所述公模仁1和/或母模仁2上还分别设置有模板15，所述模板15之间通过导柱16和导套17连接。采用此技术方案，模板15用于承载模仁，导柱16和导套17用于提升模具的合模精度，以提高产品的封装精度。

具体实施例

在实际使用时，将半导体芯片的引脚固定到公模一侧的引脚槽上，然后，将母模仁合到公模仁上，使第一镶件和第二镶件的分型面进行贴合封胶；模具在注塑时，融化加热后的料液随着胶道进入到半导体成型腔的胶位中，以包裹在半导体芯片上，待料液冷却固化后，打开母模仁，取出成型好后的半导体零件。其中，料液在进入到成型腔时，里面的气体由第三镶件侧边的排气槽排出。

以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。

Claims (8)

1.一种高精度胶位的半导体模具，其特征在于：包括公模仁（1）以及与公模仁（1）配合的母模仁（2），所述母模仁（2）的中心设置有注胶口（3），所述注胶口（3）与公模仁（1）上设置的胶道（4）连接，所述胶道（4）的两侧设置有第一镶件（5），所述第一镶件（5）共有十六件，对称分布在胶道（4）的两侧，并通过进胶点（401）连接，所述胶道（4）横向或纵向设置于公模仁（1）的中心轴线上；所述母模仁（2）上设置有对应第一镶件（5）的第二镶件（6），所述第二镶件（6）和第一镶件（5）设置有封装半导体的胶位（7），所述胶位（7）中设置有第三镶件（8），所述第三镶件（8）的四侧设置有排气槽（9）。

2.根据权利要求1所述的一种高精度胶位的半导体模具，其特征在于：所述第三镶件（8）距离第一镶件（5）和/或第二镶件（6）的胶位侧壁的距离设置在0.05-0.1mm。

3.根据权利要求1所述的一种高精度胶位的半导体模具，其特征在于：所述第三镶件（8）与第一镶件（5）和/或第二镶件（6）的配合公差设置在±0.001mm；所述第一镶件（5）和/或第二镶件（6）与公模仁（1）和/或母模仁（2）的配合公差设置在±0.001mm。

4.根据权利要求1所述的一种高精度胶位的半导体模具，其特征在于：所述第一镶件（5）、第二镶件（6）和第三镶件（8）的胶位精度设置在±0.001mm。

5.根据权利要求1所述的一种高精度胶位的半导体模具，其特征在于：所述排气槽（9）包括与胶位面连接的第一排气槽以及与镶件底部连接的第二排气槽，所述第二排气槽连接第一排气槽，所述第一排气槽的深度不超过0.005mm；所述第二排气槽的深度不低于0.1mm。

6.根据权利要求1所述的一种高精度胶位的半导体模具，其特征在于：所述第一镶件（5）和/或第二镶件（6）的胶位两侧设置有与第三镶件（8）连接的第四镶件（10），所述第四镶件（10）上设置有引脚槽（11）；所述引脚槽（11）的底部设置有通气口（12）。

7.根据权利要求1所述的一种高精度胶位的半导体模具，其特征在于：所述公模仁（1）的四个直角设置有定位块（13），所述定位块（13）与母模仁（2）上设置的定位槽（14）连接。

8.根据权利要求1所述的一种高精度胶位的半导体模具，其特征在于：所述公模仁（1）和/或母模仁（2）上还分别设置有模板（15），所述模板（15）之间通过导柱（16）和导套（17）连接。

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