CN210945765U - 一种薄膜电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种薄膜电路，其包括一薄膜电路基板和形成在所述薄膜电路基板上的一薄膜电路图形，所述薄膜电路图形包括一电镀膜层图形和位于所述电镀膜层图形下方的一复合金属膜层，所述薄膜电路基板包含一正面、与所述正面相对的一反面以及连接于所述正面与所述反面之间的两两相对的四个侧壁，该些侧壁首尾相连，在该薄膜电路基板的正面、反面以及连接于所述正面与所述反面之间的待溅射的两个相对的侧壁包覆有一层复合金属膜层，与常规的薄膜电路相比，其正面和反面可通过该包覆有所述复合金属膜层的侧壁实现了联通导电，可很好的运用于某些特定的电子产品。
Description
技术领域
本实用新型涉及薄膜电路领域，尤其是涉及一种正反面可联通导电的薄膜电路。
背景技术
薄膜电路是将整个电路的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件以及它们之间的互连引线，全部用厚度在1微米以下的金属、半导体、金属氧化物、多种金属混合相、合金或绝缘介质薄膜，并通过真空蒸发、溅射和电镀等工艺制成的集成电路。
在某些特定的电器中(如常见的键盘电路)，需要运用到薄膜电路正反面可联通导电的薄膜电路产品，但市场上的薄膜电路大多不能实现这样的功能，鉴于此研制出一种正反面可联通导电的薄膜电路产品很有必要。
实用新型内容
鉴于上述情况，本实用新型提供了一种正反面可联通导电的薄膜电路。
为达此目的，本实用新型提供了一种薄膜电路，其包括一薄膜电路基板和形成在所述薄膜电路基板上的一薄膜电路图形，所述薄膜电路图形包括一电镀膜层图形和位于所述电镀膜层图形下方的一复合金属膜层，所述薄膜电路基板包含一正面、与所述正面相对的一反面以及连接于所述正面与所述反面之间的两两相对的四个侧壁，该些侧壁首尾相连；所述复合金属膜层包覆所述薄膜电路基板正面、反面以及一对相对的侧壁，该薄膜电路正面和反面通过该对相对的侧壁导通，所述复合金属膜层由内至外依次为TiW层、Au层，或TiW层、Ni层、Au层，或TaN层、TiW层、Au层，或TaN层、TiW层、Ni层、Au层。
优选的，所述TaN层的厚度为
优选的，所述TiW层的厚度为
优选的，所述Au层的厚度为2.0±0.5(μm)。
优选的，所述Ni层的厚度为1.0±0.3(μm)。
优选的，所述TaN层的纯度为99.9％。
优选的，所述TiW层的纯度为99.9％。
优选的，所述Ni层的纯度为99.9％。
优选的，所述Au层的纯度为99.99％。
优选的，所述薄膜电路基板包括预定数量的通孔，所述通孔从所述薄膜电路基板的正面贯穿至其反面，该些通孔具有内壁，所述内壁上也附着有所述复合金属膜层
本实用新型的有益效果：本实用新型提供的薄膜电路，其包括一薄膜电路基板和形成在所述薄膜电路基板上的一薄膜电路图形，所述薄膜电路图形包括一电镀膜层图形和位于所述电镀膜层图形下方的一复合金属膜层，所述复合金属膜层包覆所述薄膜电路基板的所述正面、所述反面以及所述一对相对的侧壁。本实用新型形成的侧壁包覆有复合金属膜层的薄膜电路与常规的薄膜电路相比，其正面和反面可通过该包覆有复合金属膜层的侧壁实现了联通导电，可很好的运用于某些特定的电子产品。
附图说明
图1是本实用新型实施例1提供的薄膜电路剖面图；
图2是本实用新型实施例2提供的薄膜电路剖面图；
图3是本实用新型实施例3提供的薄膜电路剖面图；
图4是本实用新型实施例4提供的薄膜电路剖面图；
图5是本实用新型实施例1提供的含通孔薄膜电路俯视剖面图；
图6是本实用新型实施例2提供的含通孔薄膜电路俯视剖面图；
图7是本实用新型实施例3提供的含通孔薄膜电路俯视剖面图；
图8是本实用新型实施例4提供的含通孔薄膜电路俯视剖面图；
图9本实用新型提供的的薄膜电路复合金属膜层的溅射方法流程图
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本实用新型的技术方案做进一步说明。
实施例1
参阅图1，该实施例提供的的薄膜电路1，所述薄膜电路1包括薄膜电路基板2和形成在所述薄膜电路基板2上的薄膜电路图形3，该实施例中薄膜电路基板2为氧化铝基板2，所述薄膜电路图形包括电镀膜层图形31和位于所述电镀膜层图形下方的复合金属膜层32，所述薄膜电路基板2包含一正面、与所述正面相对的一反面以及连接于所述正面与所述反面之间的两两相对的四个侧壁，该些侧壁首尾相连；所述复合金属膜层32包覆所述氧化铝基板2的正面、反面以及一对相对的侧壁，所述复合金属膜层32从内到外依次包括TiW层321及Au层323，该薄膜电路正面和反面可以通过该对相对的侧壁联通导电。其中TiW层321的厚度为
纯度为99.9％，所述Au层323的厚度为2.0±0.5(μm)、纯度为99.99％。
参阅图5，所述薄膜电路基板包括通孔4，所述通孔数量根据要求设定，所述通孔4从所述薄膜电路基板的正面贯穿至其反面，该些通孔4具有内壁，所述内壁上也附着有所述TiW层321及Au层323复合金属膜层32。
参阅图9，本实用新型提供一种薄膜电路复合金属膜层的溅射方法，其包括以下步骤：
A、供料：提供待溅射的薄膜电路基板，所述薄膜电路基板为一种纯度99.6％以上的氧化铝基板2，所述基板的厚度0.635mm。该基板包含一个正面、与所述正面相对的一个反面以及连接于所述正面与所述反面之间的两两相对的四个侧壁，这些侧壁首尾相连；同时提供TiW、Au两种金属靶材；
B、置料：将氧化铝基板2放入溅射机的送样室中，同时TiW、Au两种金属靶材放入溅射机的反应室中；
C、清洗：将氧化铝基板2采用等离子蚀刻清洗60s,以达到去除氧化铝基板2上的污物的目的；
D、送片：清洗完成后，送样室中的一个机械手抓取氧化铝基板2从送样室到达反应室中；
E、抽真空：调节所述反应室内的真空度小于6.0×10∧-4Pa；
F、加热：将反应室内环境温度加热至300℃；
G、预溅、调压：先对TiW靶材进行预溅60s，使得TiW靶材表面的氧化层或其他杂质成分祛除；在进行预溅的同时，反应室通入与氮气气体流量与氩气气体流量＝0：100，通气时间与预溅时间相同，为60s，使得反应室内气压为1.0*10∧1Pa；
H、正面、侧壁溅射：所述TiW靶材按溅射机设定的溅射功率200w、溅射气体流量比，即氮气气体流量与氩气气体流量＝0：100和溅射时间450s开始溅射，对所述氧化铝基板2基板正面及所述待溅射的两个相对的侧壁进行溅射TiW层，TiW层溅射完成后，抽出所述反应室中气体至气压值为6.0×10∧-4Pa，接着对Au靶材进行步骤G相同的预溅，时间与TiW靶材预溅时间相同，通入的氮气气体流量与氩气气体流量比＝0：100，同时按溅射机设定的溅射功率200w、溅射气体流量比即氮气气体流量与氩气气体流量＝0：100和溅射时间450s开始溅射，Au层溅射完成后，即在所述薄膜电路基板正面以及该对相对的两个侧壁上形成一TiW层、Au层的复合金属膜层；
I、反面、侧壁溅射：所述机械手对完成步骤H中的正面及两侧面形成所述复合金属膜层的所述氧化铝基板2进行正反面对换，并对该氧化铝基板2的反面及步骤H中溅射的相对的两个侧壁进行TiW层、Au层溅射，溅射方法同步骤H，使得该氧化铝基板2正面、所述两个相对的侧面、所述反面形成一体化的TiW层、Au层的复合金属膜层。
J、抽气冷却：抽出反应室内气体，并将溅射好后的所述氧化铝基板2自然冷却至150℃；
K、取片：所述机械手将溅射好的氧化铝基板2从所述反应室取至所述送样室。
实施例2
参阅图2，该实施例形成的薄膜电路11，所述薄膜电路11包括薄膜电路基板2和形成在所述薄膜电路基板2上的薄膜电路图形3a，该实施例中薄膜电路基板2为氧化铝基板2，所述薄膜电路图形包括电镀膜层图形31和位于所述电镀膜层图形下方的复合金属膜层33，所述薄膜电路基板2包含一正面、与所述正面相对的一反面以及连接于所述正面与所述反面之间的两两相对的四个侧壁，该些侧壁首尾相连；所述复合金属膜层33包覆所述氧化铝基板2的正面、反面以及一对相对的侧壁，所述复合金属膜层33从内到外依次包括TiW层321、Ni层322及Au层323，该薄膜电路正面和反面可以通过该对相对的侧壁联通导电。其中TiW层321的厚度为
纯度为99.9％；Ni层322的厚度为1.0±0.3(μm)、纯度为99.9％；Au层323的厚度为2.0±0.5(μm)、纯度为99.99％。
参阅图6，所述薄膜电路基板包括通孔4，所述通孔数量根据要求设定，所述通孔4从所述薄膜电路基板的正面贯穿至其反面，该些通孔4具有内壁，所述内壁上也附着有所述TiW层321、Ni层322及Au层323复合金属膜层33。
参阅图9，本实用新型提供一种薄膜电路复合金属膜层的溅射方法，其包括以下步骤：
A、供料：提供待溅射的薄膜电路基板，所述薄膜电路基板为一种纯度99.6％以上的氧化铝基板2，所述基板的厚度0.635mm。该基板包含一个正面、与所述正面相对的一个反面以及连接于所述正面与所述反面之间的两两相对的四个侧壁，这些侧壁首尾相连；同时提供TiW、Ni、Au三种金属靶材；
B、置料：将氧化铝基板2放入溅射机的送样室中，同时TiW、Ni、Au三种金属靶材放入溅射机的反应室中；
C、清洗：将氧化铝基板2采用等离子蚀刻清洗60s,以达到去除氧化铝基板2上的污物的目的；
D、送片：清洗完成后，送样室中的一个机械手抓取氧化铝基板2从送样室到达反应室中；
E、抽真空：调节所述反应室内的真空度小于6.0×10∧-4Pa；
F、加热：将反应室内环境温度加热至300℃；
G、预溅、调压：先对TiW靶材进行预溅60s，使得TiW靶材表面的氧化层或其他杂质成分祛除；在进行预溅的同时，反应室通入与氮气气体流量与氩气气体流量＝0：100，通气时间与预溅时间相同，为60s，使得反应室内气压为1.0*10∧1Pa；
H、正面、侧壁溅射：所述TiW靶材按溅射机设定的溅射功率200w、溅射气体流量比即氮气气体流量与氩气气体流量比＝0：100和溅射时间450s开始溅射，对所述氧化铝基板2基板正面及所述待溅射的两个相对的侧壁进行溅射TiW层。TiW层溅射完成后，接着抽出所述反应室中气体至气压值为6.0×10∧-4Pa，接着对Ni靶材进行步骤G相同的预溅，时间与TiW靶材预溅时间相同为60s，同时通入的氮气气体流量与氩气气体流量＝0：100，同时按溅射机设定的溅射功率400w、溅射气体流量比即氮气气体流量与氩气气体流量＝0：100和溅射时间900s开始溅射形成Ni层。Ni层溅射完成后，接着抽出所述反应室中气体至气压值为6.0×10∧-4Pa，接着对Au靶材进行步骤G相同的预溅，预溅时间相同为60s，通入的氮气气体流量与氩气气体流量＝0：100，同时按溅射机设定的溅射功率200w、溅射气体流量比即氮气气体流量与氩气气体流量＝0：100和溅射时间450s开始溅射，Au层溅射完成后，即在所述薄膜电路基板正面以及该对相对的两个侧壁上形成一TiW层、Ni层、Au层的复合金属膜层；
I、反面、侧壁溅射：所述机械手对完成步骤H中的正面及两侧面形成所述复合金属膜层的所述氧化铝基板2进行正反面对换，并对该氧化铝基板2的反面及步骤H中溅射的相对的两个侧壁进行TiW层、Ni层、Au层溅射，溅射方法同步骤H，使得该氧化铝基板2正面、所述两个相对的侧面、所述反面形成一体化的TiW层、Ni层、Au层的复合金属膜层。
J、抽气冷却：抽出反应室内气体，并将溅射好后的所述氧化铝基板2自然冷却至150℃；
K、取片：所述机械手将溅射好的氧化铝基板2从所述反应室取至所述送样室。
实施例3
参阅图3，该实施例形成的薄膜电路12，所述薄膜电路12包括薄膜电路基板2和形成在所述薄膜电路基板2上的薄膜电路图形3b，该实施例中薄膜电路基板2为氧化铝基板2，所述薄膜电路图形3b包括电镀膜层图形31和位于所述电镀膜层图形31下方的复合金属膜层34，所述薄膜电路基板2包含一正面、与所述正面相对的一反面以及连接于所述正面与所述反面之间的两两相对的四个侧壁，该些侧壁首尾相连；所述复合金属膜层34包覆所述氧化铝基板2的正面、反面以及一对相对的侧壁，所述复合金属膜层34从内到外依次包括TaN层324、TiW层321及Au层323，该薄膜电路正面和反面可以通过该对相对的侧壁联通导电。其中TaN层324的厚度为
纯度为99.9％；TiW层321的厚度为
纯度为99.9％；Au层323的厚度为2.0±0.5(μm)、纯度为99.99％
参阅图7，所述薄膜电路基板包括通孔4，所述通孔数量根据要求设定，所述通孔4从所述薄膜电路基板的正面贯穿至其反面，该些通孔4具有内壁，所述内壁上也附着有所述TaN层324、TiW层321、Au层323复合金属膜层34。
参阅图9，本实用新型提供一种薄膜电路复合金属膜层的溅射，其包括以下步骤：
A、供料：提供待溅射的薄膜电路基板，所述薄膜电路基板为一种纯度99.6％以上的氧化铝基板2，所述基板的厚度0.635mm。该基板包含一个正面、与所述正面相对的一个反面以及连接于所述正面与所述反面之间的两两相对的四个侧壁，这些侧壁首尾相连；同时提供Ta、TiW、Au三种金属靶材；
B、置料：将氧化铝基板2放入溅射机的送样室中，同时Ta、TiW、Au三种金属靶材放入溅射机的反应室中；
C、清洗：将氧化铝基板2采用等离子蚀刻清洗60s,以达到去除氧化铝基板2上的污物的目的；
D、送片：清洗完成后，送样室中的一个机械手抓取氧化铝基板2从送样室到达反应室中；
E、抽真空：调节所述反应室内的真空度小于6.0×10∧-4Pa；
F、加热：将反应室内环境温度加热至300℃；
G、预溅、调压：先对Ta靶材进行预溅60s，使得Ta靶材表面的氧化层或其他杂质成分祛除；在进行预溅的同时，反应室通入与氮气气体流量与氩气气体流量＝2：100，通气时间与预溅时间相同，为60s，使得反应室内气压为1.0*10∧1Pa；
H、正面、侧壁溅射：所述Ta靶材按溅射机设定的溅射功率200w、溅射气体流量比即氮气气体流量与氩气气体流量＝2：100和溅射时间450s开始溅射，对所述氧化铝基板2基板正面及所述待溅射的两个相对的侧壁进行溅射形成一TaN层。TaN层溅射完成后，接着抽出所述反应室中气体至气压值为6.0×10∧-4Pa，接着对TiW靶材进行步骤G相同的预溅，预溅时间为60s，同时通入的氮气气体流量与氩气气体流量＝0：100，同时按溅射机设定的溅射功率200w、溅射气体流量比即氮气气体流量与氩气气体流量＝0：100和溅射时间450s开始溅射形成TiW层。TiW层溅射完成后，接着抽出所述反应室中气体至气压值为6.0×10∧-4Pa，接着对Au靶材进行步骤G相同的预溅，预溅时间相同为60s，通入的氮气气体流量与氩气气体流量＝0：100，同时按溅射机设定的溅射功率200w、溅射气体流量比即氮气气体流量与氩气气体流量＝0：100和溅射时间450s开始溅射，Au层溅射完成后，即在所述薄膜电路基板正面以及该对相对的两个侧壁上形成一TaN层、TiW层、Au层的复合金属膜层；
I、反面、侧壁溅射：所述机械手对完成步骤H中的正面及两侧面形成所述复合金属膜层的所述氧化铝基板2进行正反面对换，并对该氧化铝基板2的反面及步骤H中溅射的相对的两个侧壁进行TaN层、TiW层、Au层溅射，溅射方法同步骤H，使得该氧化铝基板2正面、所述两个相对的侧面、所述反面形成一体化的TaN层、TiW层、Au层的复合金属膜层。
J、抽气冷却：抽出反应室内气体，并将溅射好后的所述氧化铝基板2自然冷却至150℃；
K、取片：所述机械手将溅射好的氧化铝基板2从所述反应室取至所述送样室。
实施例4
参阅图4，该实施例形成的薄膜电路13，所述薄膜电路13包括薄膜电路基板2和形成在所述薄膜电路基板2上的薄膜电路图形3c，该实施例中薄膜电路基板2为氧化铝基板2，所述薄膜电路图形3c包括电镀膜层图形31和位于所述电镀膜层图形下方的复合金属膜层35，所述薄膜电路基板2包含一正面、与所述正面相对的一反面以及连接于所述正面与所述反面之间的两两相对的四个侧壁，该些侧壁首尾相连；所述复合金属膜层35包覆所述氧化铝基板2的正面、反面以及一对相对的侧壁，所述复合金属膜层35从内到外包括由上述薄膜电路复合金属膜层的溅射方法形成的TaN层324、TiW层321、Ni层322及Au层323，该薄膜电路正面和反面可以通过该对相对的侧壁联通导电。TaN层324的厚度为
纯度为99.9％；TiW层321的厚度为
纯度为99.9％；Ni层322的厚度为1.0±0.3(μm)、纯度为99.9％；Au层323的厚度为2.0±0.5(μm)、纯度为99.99％。
参阅图8，所述薄膜电路基板包括通孔4，所述通孔数量根据要求设定，所述通孔4从所述薄膜电路基板的正面贯穿至其反面，该些通孔4具有内壁，所述内壁上也附着有所述TaN层324、TiW层321、Ni层322及Au层323复合金属膜层35。
参阅图9，本实用新型提供一种薄膜电路复合金属膜层的溅射方法，其包括以下步骤：
A、供料：提供待溅射的薄膜电路基板，所述薄膜电路基板为一种纯度99.6％以上的氧化铝基板2，所述基板的厚度0.635mm。该基板包含一个正面、与所述正面相对的一个反面以及连接于所述正面与所述反面之间的两两相对的四个侧壁，这些侧壁首尾相连；同时提供Ta、TiW、Ni、Au四种金属靶材；
B、置料：将氧化铝基板2放入溅射机的送样室中，同时Ta、TiW、Ni、Au四种金属靶材放入溅射机的反应室中；
C、清洗：将氧化铝基板2采用等离子蚀刻清洗60s,以达到去除氧化铝基板2上的污物的目的；
D、送片：清洗完成后，送样室中的一个机械手抓取氧化铝基板2从送样室到达反应室中；
E、抽真空：调节所述反应室内的真空度小于6.0×10∧-4Pa；
F、加热：将反应室内环境温度加热至300℃；
G、预溅、调压：先对Ta靶材进行预溅60s，使得Ta靶材表面的氧化层或其他杂质成分祛除；在进行预溅的同时，反应室通入与氮气气体流量与氩气气体流量＝2：100，通气时间与预溅时间相同，为60s，使得反应室内气压为1.0*10∧1Pa；
H、正面、侧壁溅射：所述Ta靶材按溅射机设定的溅射功率200w、溅射气体流量比即氮气气体流量与氩气气体流量比＝2：100和溅射时间450s开始溅射，对所述氧化铝基板2基板正面及所述待溅射的两个相对的侧壁进行溅射形成一TaN层。TaN层溅射完成后，接着抽出所述反应室中气体至气压值为6.0×10∧-4Pa，接着对TiW靶材进行步骤G中相同的预溅，预溅时间为60s，同时通入的氮气气体流量与氩气气体流量＝0：100，同时按溅射机设定的溅射功率200w、溅射气体流量比即氮气气体流量与氩气气体流量＝0：100和溅射时间450s开始溅射形成TiW层。TiW层溅射完成后，接着抽出所述反应室中气体至气压值为6.0×10∧-4Pa，接着对Ni靶材进行步骤G中相同的预溅，时间与TiW靶材预溅时间相同为60s，同时通入的氮气气体流量与氩气气体流量＝0：100，同时按溅射机设定的溅射功率400w、溅射气体流量比即氮气气体流量与氩气气体流量＝0：100和溅射时间900s开始溅射形成Ni层。Ni层溅射完成后，接着抽出所述反应室中气体至气压值为6.0×10∧-4Pa，接着对Au靶材进行步骤G中相同的预溅，预溅时间相同为60s，通入的氮气气体流量与氩气气体流量＝0：100，同时按溅射机设定的溅射功率200w、溅射气体流量比即氮气气体流量与氩气气体流量＝0：100和溅射时间450s开始溅射，Au层溅射完成后，即在所述薄膜电路基板正面以及该对相对的两个侧壁上形成一TaN层、TiW层、Ni层、Au层的复合金属膜层；
I、反面、侧壁溅射：所述机械手对完成步骤H中的正面及两侧面形成所述复合金属膜层的所述氧化铝基板2进行正反面对换，并对该氧化铝基板2的反面及步骤H中溅射的相对的两个侧壁进行TaN层、TiW层、Ni层、Au层溅射，溅射方法同步骤H，使得该氧化铝基板2正面、所述两个相对的侧面、所述反面形成一体化的TaN层、TiW层、Ni层、Au层的复合金属膜层。
J、抽气冷却：抽出反应室内气体，并将溅射好后的所述氧化铝基板2自然冷却至150℃；
K、取片：所述机械手将溅射好的氧化铝基板2从所述反应室取至所述送样室。
以上描述仅为本实用新型具体的实施方案，但是本领域的技术人员应当理解，这里只是举例说明，本实用新型的保护范围是由所附权利要求书所限定的。因此就本实用新型申请专利范围所作的同等变化，仍属于本实用新型所涵盖的范围。
Claims (6)
1.一种薄膜电路，其包括一薄膜电路基板和形成在所述薄膜电路基板上的一薄膜电路图形，所述薄膜电路图形包括一电镀膜层图形和位于所述电镀膜层图形下方的一复合金属膜层，所述薄膜电路基板包含一正面、与所述正面相对的一反面以及连接于所述正面与所述反面之间的两两相对的四个侧壁，该些侧壁首尾相连；其特征在于：所述复合金属膜层包覆所述薄膜电路基板的所述正面、所述反面以及所述四个侧壁中的任意两个相对的侧壁，该薄膜电路正面和反面通过包覆有所述复合金属膜层的两个相对的侧壁导通，所述复合金属膜层由内至外依次为 TiW层、Au层，或TiW层、Ni层、Au层，或TaN层、TiW层、Au层，或TaN层、TiW层、Ni层、Au层。
2.如权利要求1所述的一种薄膜电路，其特征在于，所述TaN层的厚度为300~500Å。
3.如权利要求1所述的一种薄膜电路，其特征在于，所述TiW层的厚度为300～500Å。
4.如权利要求1所述的一种薄膜电路，其特征在于，所述Ni层的厚度为1.0±0.3μm。
5.如权利要求1所述的一种薄膜电路，其特征在于，所述Au层的厚度为2.0±0.5μm。
6.如权利要求1所述的薄膜电路，其特征在于，所述薄膜电路基板包括预定数量的通孔，所述通孔从所述薄膜电路基板的正面贯穿至其反面，该些通孔具有内壁，所述内壁上也附着有所述复合金属膜层。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of utility model: A thin film circuit Effective date of registration: 20200817 Granted publication date: 20200707 Pledgee: Science City (Guangzhou) Finance Leasing Co.,Ltd. Pledgor: GUANGZHOU CHUANGTIAN ELECTRONIC TECHNOLOGY Co.,Ltd. Registration number: Y2020980005043 |
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| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| EE01 | Entry into force of recordation of patent licensing contract |
Assignee: Science City (Guangzhou) Finance Leasing Co.,Ltd. Assignor: GUANGZHOU CHUANGTIAN ELECTRONIC TECHNOLOGY Co.,Ltd. Contract record no.: X2020980004899 Denomination of utility model: A thin film circuit Granted publication date: 20200707 License type: Exclusive License Record date: 20200812 |
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| EE01 | Entry into force of recordation of patent licensing contract | ||
| EC01 | Cancellation of recordation of patent licensing contract |
Assignee: Science City (Guangzhou) Finance Leasing Co.,Ltd. Assignor: GUANGZHOU CHUANGTIAN ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD. Contract record no.: X2020980004899 Date of cancellation: 20220315 |
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| EC01 | Cancellation of recordation of patent licensing contract | ||
| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right |
Date of cancellation: 20220315 Granted publication date: 20200707 Pledgee: Science City (Guangzhou) Finance Leasing Co.,Ltd. Pledgor: GUANGZHOU CHUANGTIAN ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD. Registration number: Y2020980005043 |
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| PC01 | Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right |