CN109504949B - 一种薄膜电路及其复合金属膜层的溅射方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种薄膜电路复合金属膜层的溅射方法，其通过对薄膜电路基板进行去离子清洗后，通过控制溅射机的溅射温度、溅射功率、溅射时间和溅射用氩气气体流量与氮气气体流量比等数值，在该薄膜电路基板的正面、反面以及连接于所述正面与所述反面之间的待溅射的两个相对的侧壁形成有一层复合金属膜层，该方法生产运行稳定，易于操作控制。本发明形成的侧壁溅射有复合金属膜层的薄膜电路与常规的薄膜电路相比，其正面和反面可通过该溅射了涂层的侧壁实现了联通导电，可很好的运用于某些特定的电子产品。
Description
技术领域
本发明涉及薄膜电路领域，尤其是涉及一种薄膜电路及其复合金属膜层的溅射方法。
背景技术
薄膜电路是将整个电路的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件以及它们之间的互连引线，全部用厚度在1微米以下的金属、半导体、金属氧化物、多种金属混合相、合金或绝缘介质薄膜，并通过真空蒸发、溅射和电镀等工艺制成的集成电路。
在某些特定的电器中(如常见的键盘电路)，需要运用到薄膜电路正反面可联通导电的薄膜电路产品，但市场上的薄膜电路大多不能实现这样的功能，鉴于此研制出一种正反面可联通导电的薄膜电路产品很有必要。
发明内容
鉴于上述情况，本发明提供了一种薄膜电路复合金属膜的溅射方法以及一种正反面可联通导电的薄膜电路。
为达此目的，本发明提供了一种薄膜电路复合金属膜层的溅射方法，其包括以下步骤：A、供料：提供待溅射的薄膜电路基板、预定数量的金属靶材，所述薄膜电路基板包含一正面、与所述正面相对的一反面以及连接于所述正面与所述反面之间的两两相对的四个侧壁，该些侧壁首尾相连；B、置料：将所述薄膜电路基板以及所述金属靶材分别放入一溅射机的一送样室以及一反应室中；C、清洗:所述薄膜电路基板在所述送样室中采用等离子蚀刻清洗,去除所述薄膜电路基板上的污物；D、送片:清洗完成后，所述送样室中一机械手抓取所述薄膜电路基板至所述反应室中；E、抽真空：调节所述反应室内真空度小于6.0×10∧-4Pa；F、加热：将反应室内环境温度加热至300℃；G、预溅、调压：对所述金属靶材进行预溅，使得所述金属靶材表面的氧化层或其他杂质成分祛除；并同时通入与所述金属靶材溅射所需的预定流量的氩气以及预定流量的氮气；H、正面、侧壁溅射：所述金属靶材按所述溅射机设定的溅射顺序以预定的溅射功率、溅射气体流量比和溅射时间开始溅射，对所述薄膜电路基板正面及所述待溅射的两个相对的侧壁进行溅射，每溅射一种金属靶材便形成一金属膜层，溅射完成一金属膜层后抽出所述反应室中气体至步骤E中真空度，接着重复步骤G，最后一种金属靶材溅射完后，在所述薄膜电路基板正面以及该对相对的两个侧壁上形成一复合金属膜层；I、反面、侧壁溅射：所述机械手对完成步骤H中的正面及两侧面形成所述复合金属膜层的所述薄膜电路基板正反面对换，并对该薄膜电路基板的反面及步骤H中溅射的相对的两个侧壁进行溅射，溅射方法同步骤H，使得该薄膜电路基板所述正面、所述两个相对的侧面、所述反面形成一体化的复合金属膜层；J、抽气冷却：抽出反应室内气体，并将溅射好后的所述薄膜电路基板自然冷却至150℃；K、取片：所述机械手将溅射好的所述薄膜电路基板从所述反应室取至所述送样室。。
优选的，所述金属膜层为TaN层或TiW层或Ni层或Au层。
优选的，所述复合金属膜层由内至外依次为TiW层、Au层，或TiW层、Ni层、Au层，或TaN层、TiW层、Au层，或TaN层、TiW层、Ni层、Au层。
优选的，所述步骤G、所述步骤H以及所述步骤I中，所述溅射机溅射所述TaN层时的溅射功率设置为200瓦，溅射时间设置为450秒，溅射气体流量比例设置为：氮气:氩气＝2:100。
优选的，所述步骤G、所述步骤H以及所述步骤I中，所述溅射机溅射所述TiW层时的溅射功率设置为200瓦，溅射时间设置为450秒，溅射气体流量比例设置为：氮气:氩气＝0:100。
优选的，所述步骤G、所述步骤H以及所述步骤I中，所述溅射机溅射所述Ni层时的溅射功率设置为400瓦，溅射时间设置为900秒，溅射气体流量比例设置为：氮气:氩气＝0:100。
优选的，所述步骤G、所述步骤H以及所述步骤I中，所述溅射机溅射所述Au层时的溅射功率设置为200瓦，溅射时间设置为450秒，溅射气体流量比例设置为：氮气:氩气＝0:100。
优选的，所述金属膜层的厚度范围分别为：Ta层:TiW层:Ni层:1.0±0.3(μm)、Au层:2.0±0.5(μm)。
本发明还提供一种薄膜电路，其包括所述薄膜电路基板和形成在所述薄膜电路基板上的一薄膜电路图形，所述薄膜电路图形包括一电镀膜层图形和位于所述电镀膜层图形下方的所述复合金属膜层，其特征在于，所述复合金属膜层包覆所述薄膜电路基板正面、反面以及一对相对的侧壁，所述复合金属膜层采用所述薄膜电路复合金属膜层的溅射方法形成，该薄膜电路正面和反面通过该对相对的侧壁导通。
优选的，所述薄膜电路基板包括预定数量的通孔，所述通孔从所述薄膜电路基板的正面贯穿至其反面，该些通孔具有内壁，所述内壁上也附着有所述复合金属膜层。
本发明的有益效果：本发明提供的薄膜电路复合金属膜层的溅射方法通过控制溅射层的溅射温度以及相应金属靶材溅射时溅射机的溅射功率，溅射时间以及溅射用氩气气体流量与氮气气体流量的比值，使得薄膜电路基板的正面、反面以及连接于所述正面与所述反面之间的一对相对的侧壁溅射有一复合金属膜层，该方法生产运行稳定，易于操作控制；侧壁溅射有涂层的薄膜电路与常规的薄膜电路相比，其正面和反面可通过该溅射了涂层的侧壁具实现联通导电，可很好的运用于某些特定的电子产品。
附图说明
图1是本发明提供的的薄膜电路复合金属膜层的溅射方法流程图；
图2是本发明实施例1提供的薄膜电路剖面图；
图3是本发明实施例2提供的薄膜电路剖面图；
图4是本发明实施例3提供的薄膜电路剖面图；
图5是本发明实施例4提供的薄膜电路剖面图；
图6是本发明实施例1提供的含通孔薄膜电路俯视剖面图；
图7是本发明实施例2提供的含通孔薄膜电路俯视剖面图；
图8是本发明实施例3提供的含通孔薄膜电路俯视剖面图；
图9是本发明实施例4提供的含通孔薄膜电路俯视剖面图；
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本发明的技术方案做进一步说明。
实施例1
参阅图1，本发明提供一种薄膜电路复合金属膜层的溅射方法，其包括以下步骤：
A、供料：提供待溅射的薄膜电路基板，所述薄膜电路基板为一种纯度99.6％以上的氧化铝基板2，所述基板的厚度0.635mm。该基板包含一个正面、与所述正面相对的一个反面以及连接于所述正面与所述反面之间的两两相对的四个侧壁，这些侧壁首尾相连；同时提供TiW、Au两种金属靶材；
B、置料：将氧化铝基板2放入溅射机的送样室中，同时TiW、Au两种金属靶材放入溅射机的反应室中；
C、清洗：将氧化铝基板2采用等离子蚀刻清洗60s,以达到去除氧化铝基板2上的污物的目的；
D、送片：清洗完成后，送样室中的一个机械手抓取氧化铝基板2从送样室到达反应室中；
E、抽真空：调节所述反应室内的真空度小于6.0×10∧-4Pa；
F、加热：将反应室内环境温度加热至300℃；
G、预溅、调压：先对TiW靶材进行预溅60s，使得TiW靶材表面的氧化层或其他杂质成分祛除；在进行预溅的同时，反应室通入与氮气气体流量与氩气气体流量＝0：100，通气时间与预溅时间相同，为60s，使得反应室内气压为1.0*10∧1Pa；
H、正面、侧壁溅射：所述TiW靶材按溅射机设定的溅射功率200w、溅射气体流量比，即氮气气体流量与氩气气体流量＝0：100和溅射时间450s开始溅射，对所述氧化铝基板2基板正面及所述待溅射的两个相对的侧壁进行溅射TiW层，TiW层溅射完成后，抽出所述反应室中气体至气压值为6.0×10∧-4Pa，接着对Au靶材进行步骤G相同的预溅，时间与TiW靶材预溅时间相同，通入的氮气气体流量与氩气气体流量比＝0：100，同时按溅射机设定的溅射功率200w、溅射气体流量比即氮气气体流量与氩气气体流量＝0：100和溅射时间450s开始溅射，Au层溅射完成后，即在所述薄膜电路基板正面以及该对相对的两个侧壁上形成一TiW层、Au层的复合金属膜层；
I、反面、侧壁溅射：所述机械手对完成步骤H中的正面及两侧面形成所述复合金属膜层的所述氧化铝基板2进行正反面对换，并对该氧化铝基板2的反面及步骤H中溅射的相对的两个侧壁进行TiW层、Au层溅射，溅射方法同步骤H，使得该氧化铝基板2正面、所述两个相对的侧面、所述反面形成一体化的TiW层、Au层的复合金属膜层。
J、抽气冷却：抽出反应室内气体，并将溅射好后的所述氧化铝基板2自然冷却至150℃；
K、取片：所述机械手将溅射好的氧化铝基板2从所述反应室取至所述送样室。
参阅图2，该实施例形成的薄膜电路1，所述薄膜电路1包括薄膜电路基板2和形成在所述薄膜电路基板2上的薄膜电路图形3，该实施例中薄膜电路基板2为氧化铝基板2，所述薄膜电路图形包括电镀膜层图形31和位于所述电镀膜层图形下方的复合金属膜层32，所述复合金属膜层32包覆所述氧化铝基板2的正面、反面以及一对相对的侧壁，所述复合金属膜层32从内到外包括由上述薄膜电路复合金属膜层的溅射方法形成的TiW层321及Au层323，该薄膜电路正面和反面可以通过该对相对的侧壁联通导电。
参阅图6，还可以预先在薄膜电路基板形成预定数量的通孔4，所述通孔4从所述薄膜电路基板的正面贯穿至其反面，该些通孔4具有内壁，经过上述溅射后，所述内壁上也附着有所述TiW层321及Au层323复合金属膜层32。
实施例2
参阅图1，本发明提供一种薄膜电路复合金属膜层的溅射方法，其包括以下步骤：
A、供料：提供待溅射的薄膜电路基板，所述薄膜电路基板为一种纯度99.6％以上的氧化铝基板2，所述基板的厚度0.635mm。该基板包含一个正面、与所述正面相对的一个反面以及连接于所述正面与所述反面之间的两两相对的四个侧壁，这些侧壁首尾相连；同时提供TiW、Ni、Au三种金属靶材；
B、置料：将氧化铝基板2放入溅射机的送样室中，同时TiW、Ni、Au三种金属靶材放入溅射机的反应室中；
C、清洗：将氧化铝基板2采用等离子蚀刻清洗60s,以达到去除氧化铝基板2上的污物的目的；
D、送片：清洗完成后，送样室中的一个机械手抓取氧化铝基板2从送样室到达反应室中；
E、抽真空：调节所述反应室内的真空度小于6.0×10∧-4Pa；
F、加热：将反应室内环境温度加热至300℃；
G、预溅、调压：先对TiW靶材进行预溅60s，使得TiW靶材表面的氧化层或其他杂质成分祛除；在进行预溅的同时，反应室通入与氮气气体流量与氩气气体流量＝0：100，通气时间与预溅时间相同，为60s，使得反应室内气压为1.0*10∧1Pa；
H、正面、侧壁溅射：所述TiW靶材按溅射机设定的溅射功率200w、溅射气体流量比即氮气气体流量与氩气气体流量比＝0：100和溅射时间450s开始溅射，对所述氧化铝基板2基板正面及所述待溅射的两个相对的侧壁进行溅射TiW层。TiW层溅射完成后，接着抽出所述反应室中气体至气压值为6.0×10∧-4Pa，接着对Ni靶材进行步骤G相同的预溅，时间与TiW靶材预溅时间相同为60s，同时通入的氮气气体流量与氩气气体流量＝0：100，同时按溅射机设定的溅射功率400w、溅射气体流量比即氮气气体流量与氩气气体流量＝0：100和溅射时间900s开始溅射形成Ni层。Ni层溅射完成后，接着抽出所述反应室中气体至气压值为6.0×10∧-4Pa，接着对Au靶材进行步骤G相同的预溅，预溅时间相同为60s，通入的氮气气体流量与氩气气体流量＝0：100，同时按溅射机设定的溅射功率200w、溅射气体流量比即氮气气体流量与氩气气体流量＝0：100和溅射时间450s开始溅射，Au层溅射完成后，即在所述薄膜电路基板正面以及该对相对的两个侧壁上形成一TiW层、Ni层、Au层的复合金属膜层；
I、反面、侧壁溅射：所述机械手对完成步骤H中的正面及两侧面形成所述复合金属膜层的所述氧化铝基板2进行正反面对换，并对该氧化铝基板2的反面及步骤H中溅射的相对的两个侧壁进行TiW层、Ni层、Au层溅射，溅射方法同步骤H，使得该氧化铝基板2正面、所述两个相对的侧面、所述反面形成一体化的TiW层、Ni层、Au层的复合金属膜层。
J、抽气冷却：抽出反应室内气体，并将溅射好后的所述氧化铝基板2自然冷却至150℃；
K、取片：所述机械手将溅射好的氧化铝基板2从所述反应室取至所述送样室。
参阅图3，该实施例形成的薄膜电路11，所述薄膜电路11包括薄膜电路基板2和形成在所述薄膜电路基板2上的薄膜电路图形3a，该实施例中薄膜电路基板2为氧化铝基板2，所述薄膜电路图形包括电镀膜层图形31和位于所述电镀膜层图形下方的复合金属膜层33，所述复合金属膜层33包覆所述氧化铝基板2的正面、反面以及一对相对的侧壁，所述复合金属膜层33从内到外包括由上述薄膜电路复合金属膜层的溅射方法形成的TiW层321、Ni层322及Au层323，该薄膜电路正面和反面可以通过该对相对的侧壁联通导电。
参阅图7，还可以预先在薄膜电路基板形成预定数量的通孔4，所述通孔4从所述薄膜电路基板的正面贯穿至其反面，该些通孔4具有内壁，经过上述溅射后，所述内壁上也附着有所述TiW层321、Ni层322及Au层323复合金属膜层33。
实施例3
参阅图1，本发明提供一种薄膜电路复合金属膜层的溅射，其包括以下步骤：
A、供料：提供待溅射的薄膜电路基板，所述薄膜电路基板为一种纯度99.6％以上的氧化铝基板2，所述基板的厚度0.635mm。该基板包含一个正面、与所述正面相对的一个反面以及连接于所述正面与所述反面之间的两两相对的四个侧壁，这些侧壁首尾相连；同时提供Ta、TiW、Au三种金属靶材；
B、置料：将氧化铝基板2放入溅射机的送样室中，同时Ta、TiW、Au三种金属靶材放入溅射机的反应室中；
C、清洗：将氧化铝基板2采用等离子蚀刻清洗60s,以达到去除氧化铝基板2上的污物的目的；
D、送片：清洗完成后，送样室中的一个机械手抓取氧化铝基板2从送样室到达反应室中；
E、抽真空：调节所述反应室内的真空度小于6.0×10∧-4Pa；
F、加热：将反应室内环境温度加热至300℃；
G、预溅、调压：先对Ta靶材进行预溅60s，使得Ta靶材表面的氧化层或其他杂质成分祛除；在进行预溅的同时，反应室通入与氮气气体流量与氩气气体流量＝2：100，通气时间与预溅时间相同，为60s，使得反应室内气压为1.0*10∧1Pa；
H、正面、侧壁溅射：所述Ta靶材按溅射机设定的溅射功率200w、溅射气体流量比即氮气气体流量与氩气气体流量＝2：100和溅射时间450s开始溅射，对所述氧化铝基板2基板正面及所述待溅射的两个相对的侧壁进行溅射形成一TaN层。TaN层溅射完成后，接着抽出所述反应室中气体至气压值为6.0×10∧-4Pa，接着对TiW靶材进行步骤G相同的预溅，预溅时间为60s，同时通入的氮气气体流量与氩气气体流量＝0：100，同时按溅射机设定的溅射功率200w、溅射气体流量比即氮气气体流量与氩气气体流量＝0：100和溅射时间450s开始溅射形成TiW层。TiW层溅射完成后，接着抽出所述反应室中气体至气压值为6.0×10∧-4Pa，接着对Au靶材进行步骤G相同的预溅，预溅时间相同为60s，通入的氮气气体流量与氩气气体流量＝0：100，同时按溅射机设定的溅射功率200w、溅射气体流量比即氮气气体流量与氩气气体流量＝0：100和溅射时间450s开始溅射，Au层溅射完成后，即在所述薄膜电路基板正面以及该对相对的两个侧壁上形成一TaN层、TiW层、Au层的复合金属膜层；
I、反面、侧壁溅射：所述机械手对完成步骤H中的正面及两侧面形成所述复合金属膜层的所述氧化铝基板2进行正反面对换，并对该氧化铝基板2的反面及步骤H中溅射的相对的两个侧壁进行TaN层、TiW层、Au层溅射，溅射方法同步骤H，使得该氧化铝基板2正面、所述两个相对的侧面、所述反面形成一体化的TaN层、TiW层、Au层的复合金属膜层。
J、抽气冷却：抽出反应室内气体，并将溅射好后的所述氧化铝基板2自然冷却至150℃；
K、取片：所述机械手将溅射好的氧化铝基板2从所述反应室取至所述送样室。
参阅图4，该实施例形成的薄膜电路12，所述薄膜电路12包括薄膜电路基板2和形成在所述薄膜电路基板2上的薄膜电路图形3b，该实施例中薄膜电路基板2为氧化铝基板2，所述薄膜电路图形3b包括电镀膜层图形31和位于所述电镀膜层图形31下方的复合金属膜层34，所述复合金属膜层34包覆所述氧化铝基板2的正面、反面以及一对相对的侧壁，所述复合金属膜层34从内到外包括由上述薄膜电路复合金属膜层的溅射方法形成的TaN层324、TiW层321及Au层323，该薄膜电路正面和反面可以通过该对相对的侧壁联通导电。
参阅图8，还可以预先在薄膜电路基板形成预定数量的通孔4，所述通孔4从所述薄膜电路基板的正面贯穿至其反面，该些通孔4具有内壁，经过上述溅射后，所述内壁上也附着有所述TaN层324、TiW层321、Au层323复合金属膜层34。
实施例4
参阅图1，本发明提供一种薄膜电路复合金属膜层的溅射方法，其包括以下步骤：
A、供料：提供待溅射的薄膜电路基板，所述薄膜电路基板为一种纯度99.6％以上的氧化铝基板2，所述基板的厚度0.635mm。该基板包含一个正面、与所述正面相对的一个反面以及连接于所述正面与所述反面之间的两两相对的四个侧壁，这些侧壁首尾相连；同时提供Ta、TiW、Ni、Au四种金属靶材；
B、置料：将氧化铝基板2放入溅射机的送样室中，同时Ta、TiW、Ni、Au四种金属靶材放入溅射机的反应室中；
C、清洗：将氧化铝基板2采用等离子蚀刻清洗60s,以达到去除氧化铝基板2上的污物的目的；
D、送片：清洗完成后，送样室中的一个机械手抓取氧化铝基板2从送样室到达反应室中；
E、抽真空：调节所述反应室内的真空度小于6.0×10∧-4Pa；
F、加热：将反应室内环境温度加热至300℃；
G、预溅、调压：先对Ta靶材进行预溅60s，使得Ta靶材表面的氧化层或其他杂质成分祛除；在进行预溅的同时，反应室通入与氮气气体流量与氩气气体流量＝2：100，通气时间与预溅时间相同，为60s，使得反应室内气压为1.0*10∧1Pa；
H、正面、侧壁溅射：所述Ta靶材按溅射机设定的溅射功率200w、溅射气体流量比即氮气气体流量与氩气气体流量比＝2：100和溅射时间450s开始溅射，对所述氧化铝基板2基板正面及所述待溅射的两个相对的侧壁进行溅射形成一TaN层。TaN层溅射完成后，接着抽出所述反应室中气体至气压值为6.0×10∧-4Pa，接着对TiW靶材进行步骤G中相同的预溅，预溅时间为60s，同时通入的氮气气体流量与氩气气体流量＝0：100，同时按溅射机设定的溅射功率200w、溅射气体流量比即氮气气体流量与氩气气体流量＝0：100和溅射时间450s开始溅射形成TiW层。TiW层溅射完成后，接着抽出所述反应室中气体至气压值为6.0×10∧-4Pa，接着对Ni靶材进行步骤G中相同的预溅，时间与TiW靶材预溅时间相同为60s，同时通入的氮气气体流量与氩气气体流量＝0：100，同时按溅射机设定的溅射功率400w、溅射气体流量比即氮气气体流量与氩气气体流量＝0：100和溅射时间900s开始溅射形成Ni层。Ni层溅射完成后，接着抽出所述反应室中气体至气压值为6.0×10∧-4Pa，接着对Au靶材进行步骤G中相同的预溅，预溅时间相同为60s，通入的氮气气体流量与氩气气体流量＝0：100，同时按溅射机设定的溅射功率200w、溅射气体流量比即氮气气体流量与氩气气体流量＝0：100和溅射时间450s开始溅射，Au层溅射完成后，即在所述薄膜电路基板正面以及该对相对的两个侧壁上形成一TaN层、TiW层、Ni层、Au层的复合金属膜层；
I、反面、侧壁溅射：所述机械手对完成步骤H中的正面及两侧面形成所述复合金属膜层的所述氧化铝基板2进行正反面对换，并对该氧化铝基板2的反面及步骤H中溅射的相对的两个侧壁进行TaN层、TiW层、Ni层、Au层溅射，溅射方法同步骤H，使得该氧化铝基板2正面、所述两个相对的侧面、所述反面形成一体化的TaN层、TiW层、Ni层、Au层的复合金属膜层。
J、抽气冷却：抽出反应室内气体，并将溅射好后的所述氧化铝基板2自然冷却至150℃；
K、取片：所述机械手将溅射好的氧化铝基板2从所述反应室取至所述送样室。
参阅图5，该实施例形成的薄膜电路13，所述薄膜电路13包括薄膜电路基板2和形成在所述薄膜电路基板2上的薄膜电路图形3c，该实施例中薄膜电路基板2为氧化铝基板2，所述薄膜电路图形3c包括电镀膜层图形31和位于所述电镀膜层图形下方的复合金属膜层35，所述复合金属膜层35包覆所述氧化铝基板2的正面、反面以及一对相对的侧壁，所述复合金属膜层35从内到外包括由上述薄膜电路复合金属膜层的溅射方法形成的TaN层324、TiW层321、Ni层322及Au层323，该薄膜电路正面和反面可以通过该对相对的侧壁联通导电。
参阅图9，还可以预先在薄膜电路基板形成预定数量的通孔4，所述通孔4从所述薄膜电路基板的正面贯穿至其反面，该些通孔4具有内壁，经过上述溅射后，所述内壁上也附着有所述TaN层324、TiW层321、Ni层322及Au层323复合金属膜层35。
以上描述仅为本发明具体的实施方案，但是本领域的技术人员应当理解，这里只是举例说明，本发明的保护范围是由所附权利要求书所限定的。因此就本发明申请专利范围所作的同等变化，仍属于本发明所涵盖的范围。
Claims (3)
1.一种薄膜电路复合金属膜层的溅射方法，其特征在于：其包括以下步骤：
A、供料：提供待溅射的薄膜电路基板、预定数量的金属靶材，所述薄膜电路基板包含一正面、与所述正面相对的一反面以及连接于所述正面与所述反面之间的两两相对的四个侧壁，该些侧壁首尾相连；
B、置料：将所述薄膜电路基板以及所述金属靶材分别放入一溅射机的一送样室以及一反应室中；
C、清洗:所述薄膜电路基板在所述送样室中采用等离子蚀刻清洗,去除所述薄膜电路基板上的污物；
D、送片:清洗完成后，所述送样室中一机械手抓取所述薄膜电路基板至所述反应室中；
E、抽真空：调节所述反应室内真空度小于6.0×10-4Pa；
F、加热：将反应室内环境温度加热至300℃；
G、预溅、调压：对所述金属靶材进行预溅，使得所述金属靶材表面的氧化层祛除；并同时通入与所述金属靶材溅射所需的预定流量的氩气以及预定流量的氮气；
H、正面、侧壁溅射：所述金属靶材按所述溅射机设定的溅射顺序以预定的溅射功率、溅射气体流量比和溅射时间开始溅射，对所述薄膜电路基板正面及所述待溅射的两个相对的侧壁进行溅射，每溅射一种金属靶材便形成一金属膜层，溅射完成一金属膜层后抽出所述反应室中气体至步骤E中真空度，接着重复步骤G，最后一种金属靶材溅射完后，在所述薄膜电路基板正面以及该对相对的两个侧壁上形成一复合金属膜层；所述复合金属膜层由内至外依次为 TiW层、Au层，或TiW层、Ni层、Au层，或TaN层、TiW层、Au层，或TaN层、TiW层、Ni层、Au层，所述金属膜层的厚度范围分别为：TaN层:300Å～500Å、TiW层:300Å～500Å、Ni层:1.0μm±0.3μm、Au层: 2.0μm±0.5μm；
I、反面、侧壁溅射：所述机械手对完成步骤H中的正面及两侧面形成所述复合金属膜层的所述薄膜电路基板进行正反面对换，并对该薄膜电路基板的反面及步骤H中溅射的相对的两个侧壁进行溅射，溅射方法同步骤H，使得该薄膜电路基板所述正面、所述两个相对的侧面、所述反面形成一体化的复合金属膜层；
J、抽气冷却：抽出反应室内气体，并将溅射好后的所述薄膜电路基板自然冷却至150℃；
K、取片：所述机械手将溅射好的所述薄膜电路基板从所述反应室取至所述送样室；其中
所述薄膜电路复合金属膜层的溅射方法形成薄膜电路包括所述薄膜电路基板和形成在所述薄膜电路基板上的一薄膜电路图形，所述薄膜电路图形包括一电镀膜层图形和位于所述电镀膜层图形下方的复合金属膜层，所述复合金属膜层包覆所述薄膜电路基板正面、反面以及一对相对的侧壁，所述复合金属膜层采用所述薄膜电路复合金属膜层的溅射方法形成，该薄膜电路正面和反面通过该对相对的侧壁导通；且
所述步骤G、所述步骤H以及所述步骤I中，所述溅射机溅射所述TaN层时的溅射功率设置为200瓦，溅射时间设置为450秒，溅射气体流量比例设置为：氮气:氩气=2:100；或所述步骤G、所述步骤H以及所述步骤I中，所述溅射机溅射所述TiW层时的溅射功率设置为200瓦，溅射时间设置为450秒，溅射气体流量比例设置为：氮气:氩气=0:100；或所述步骤G、所述步骤H以及所述步骤I中，所述溅射机溅射所述Ni层时的溅射功率设置为400瓦，溅射时间设置为900秒，溅射气体流量比例设置为：氮气:氩气=0:100；或所述步骤G、所述步骤H以及所述步骤I中，所述溅射机溅射所述Au层时的溅射功率设置为200瓦，溅射时间设置为450秒，溅射气体流量比例设置为：氮气:氩气=0:100。
2.一种薄膜电路，其包括所述薄膜电路基板和形成在所述薄膜电路基板上的一薄膜电路图形，所述薄膜电路图形包括一电镀膜层图形和位于所述电镀膜层图形下方的复合金属膜层，其特征在于，所述复合金属膜层包覆所述薄膜电路基板正面、反面以及一对相对的侧壁，所述复合金属膜层从内到外包括采用权利要求1所述薄膜电路复合金属膜层的溅射方法形成TiW层及Au层，或TiW层、Ni层及Au层，或TaN层、TiW层及Au层，或TaN层、TiW层、Ni层及Au层，该薄膜电路正面和反面通过该对相对的侧壁导通。
3.如权利要求2所述的薄膜电路，其特征在于，所述薄膜电路基板包括预定数量的通孔，所述通孔从所述薄膜电路基板的正面贯穿至其反面，该些通孔具有内壁，所述内壁上也附着有所述复合金属膜层。
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