JP2022006690A - 金属配線の形成方法及び成膜装置 - Google Patents
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Abstract
Description
上記真空容器は、減圧雰囲気を維持することができる。
上記成膜源は、アルミニウムと銅とを基板に向けて出射することができる。
上記制御装置は、成膜条件を変更することにより、アルミニウム及び銅を含む第1金属材料と、アルミニウム及び銅を含み上記第1金属材料に比べてアルミニウムの比率が低く銅の比率が高い第2金属材料とをそれぞれ少なくとも1回、上記基板に入射する制御を行う。
ターゲット:CuAl2ターゲット
成膜圧力:0.033Pa
基板温度:室温
放電電力:0.48W/cm2
放電ガス:Ar
ターゲット:CuAl2ターゲット
成膜圧力:0.1Pa
基板温度:室温
放電電力:0.48W/cm2
放電ガス:Ar
ターゲット:CuAl2ターゲット
成膜圧力:0.3Pa
基板温度:室温
放電電力:0.48W/cm2
放電ガス:Ar
ターゲット:CuAl2ターゲット
成膜圧力:0.1Pa
基板温度:室温
放電電力:0.48W/cm2
ステージバイアス電力:0W
放電ガス:Ar
ターゲット:CuAl2ターゲット
成膜圧力:0.1Pa
基板温度:室温
放電電力:0.48W/cm2
ステージバイアス電力:50W
放電ガス:Ar
ターゲットサイズ:φ125mm
成膜時のガス圧:0.03Pa
Alターゲット投入電力:1000W
Cuターゲット投入電力:130W
ターゲットサイズ:φ125mm
成膜時のガス圧:0.03Pa
Alターゲット投入電力:1000W
Cuターゲット投入電力:140W
11…層間絶縁層
12…金属配線層
20…金属配線
20A、21A…金属材料
20C、21C…金属材料
20L、21L…積層体
101…表面
102…開口
104…内壁
200A、200B…成膜装置
201…真空容器
202、202A、202C…ターゲット
203…電源
204…ステージ
205…圧力計
206…ガス供給系
207…ガス流量計
208…排気系
210…制御装置
211…防着板
220…基板
300…合金層
301…α相
Claims (10)
- 減圧雰囲気下で、CuAl合金でありAl含有率が化学量論組成CuAl2のAl含有率よりも多い第1金属材料及びCuAl合金でありCu含有率が化学量論組成CuAl2のCu含有率よりも多い第2金属材料をそれぞれ少なくとも1回、基板に入射させることにより、前記基板にCuAl2合金を含む金属配線を形成する
金属配線の形成方法。 - 請求項1記載の金属配線の形成方法であって、
前記第1金属材料と前記第2金属材料とを前記基板に交互に入射させることにより、前記金属配線を形成する
金属配線の形成方法。 - 請求項1または2のいずれか1つに記載の金属配線の形成方法であって、
前記基板を加熱しながら、スパッタリング法によって前記金属配線を形成する
金属配線の形成方法。 - 請求項1~3のいずれか1つに記載の金属配線の形成方法であって、
前記第1金属材料を第1圧力の減圧雰囲気下で前記基板に入射させ、前記第2金属材料を前記第1圧力とは異なる第2圧力の減圧雰囲気下で前記基板に入射させる
金属配線の形成方法。 - 請求項4に記載の金属配線の形成方法であって、
前記第2圧力を前記第1圧力よりも高く設定する
金属配線の形成方法。 - 請求項1~5のいずれか1つに記載の金属配線の形成方法であって、
前記第1金属材料を第1のバイアス電力を前記基板に印加して成膜し、前記第2金属材料を前記第1のバイアス電力とは異なる第2のバイアス電力を前記基板に印加して成膜する
金属配線の形成方法。 - 請求項6に記載の金属配線の形成方法であって、
前記第1のバイアス電力を前記第2のバイアス電力よりもよりも高く設定する
金属配線の形成方法。 - 請求項1~7のいずれか1つに記載の金属配線の形成方法であって、
前記基板に形成される前記金属配線の成膜源として、CuAl2合金ターゲットを用いる
金属配線の形成方法。 - 減圧雰囲気を維持することが可能な真空容器と、
アルミニウムと銅とを基板に向けて出射することが可能な成膜源と、
成膜条件を変更することにより、アルミニウム及び銅を含む第1金属材料と、アルミニウム及び銅を含み前記第1金属材料に比べてアルミニウムの比率が低く銅の比率が高い第2金属材料とをそれぞれ少なくとも1回、前記基板に入射する制御を行う制御装置と
を具備する成膜装置。 - 請求項9に記載の成膜装置であって、
前記制御装置は。前記第1金属材料と前記第2金属材料とを前記基板に交互に入射させる制御を行う成膜装置。
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JP2020109068A Active JP7488127B2 (ja) | 2020-06-24 | 2020-06-24 | 金属配線の形成方法及び成膜装置 |
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WO2023162327A1 (ja) * | 2022-02-25 | 2023-08-31 | Jx金属株式会社 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
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2020
- 2020-06-24 JP JP2020109068A patent/JP7488127B2/ja active Active
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