CN210826320U - 一种真空卷绕镀膜原膜预处理装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种真空卷绕镀膜原膜预处理装置，它包括真空室和设置在真空室内的收卷机和放卷机，所述收卷机上和所述放卷机上均设置有用于制备金属化薄膜的基膜，在所述基膜的两侧分别设置有正极板和负极板，所述正极板和所述负极板分别连接在直流高频电源的两电极上。该装置能保证金属与基膜的充分接触与结合，并最大限度减少镀层金属孔隙率，从而能有效解决蒸镀时由于基膜自身表面粗糙度不均匀、单峰大高差以及表面浸润性低而导致的不能满足蒸镀时的金属化工艺要求和电容器卷绕芯子的技术要求的缺陷。
Description
技术领域
本实用新型涉及真空卷绕镀膜技术领域，具体的说，涉及了一种真空卷绕镀膜原膜预处理装置。
背景技术
金属化薄膜是薄膜电容器的核心支撑性关键材料，生产工艺是在聚丙烯薄膜上沉积一层或多层金属（目前主要是锌和铝）作为电极，经过薄膜电容器工艺后制成薄膜电容器。金属化薄膜具有耐压高、抗电流冲击、耐电蚀、耐温蚀及温升低等优越自愈性能。薄膜电容器具有很多优良的特性，包括耐电压高、耐电流大、低阻抗、低电感、容量损耗小、漏电流小、温度性能好、充放电速度快、使用寿命长、安全防爆稳定性好等，通过大电流而没有什么损耗。薄膜电容器在目前被大量使用在模拟电路上，包括大功率开关电源、中频电源、高频电源、超频电源、变频器、SVG、DC-LINK、高能密、强脉冲、新能源汽车、高铁机车、电力高压柔直输电等领域。
但是现有技术中若直接在用于制备金属化薄膜的基膜上蒸镀金属薄膜时会出现由于基膜自身表面粗糙度不均匀和单峰大高差以及表面浸润性低而不能满足蒸镀时的金属化工艺要求及电容器卷绕芯子的技术要求的缺陷。
为了解决以上存在的问题，人们一直在寻求一种理想的技术解决方案。
实用新型内容
本实用新型的目的是针对现有技术的不足，从而提供一种真空卷绕镀膜原膜预处理装置。
为了实现上述目的，本实用新型所采用的技术方案是：一种真空卷绕镀膜原膜预处理装置，它包括真空室和设置在真空室内的收卷机和放卷机，所述收卷机上和所述放卷机上均设置有用于制备金属化薄膜的基膜，在所述基膜的两侧分别设置有正极板和负极板，所述正极板和所述负极板分别连接在直流高频电源的两电极上。
基于上述，所述直流高频电源设置在所述真空室的外侧。
基于上述，所述的一种真空卷绕镀膜原膜预处理装置还包括用于改变所述基膜运动方向的导向轮。
基于上述，所述基膜自所述放卷机上放出，所述基膜的两侧经所述正极板和所述负极板处理后卷绕在所述收卷机上。
基于上述，所述正极板和所述负极板均垂直设置。
本实用新型相对现有技术具有实质性特点和进步，具体的说，本实用新型提供的真空卷绕镀膜原膜预处理装置采用大功率、高频直流等离子处理用于制备金属化薄膜的基膜两个表面，该装置能保证金属与基膜的充分接触与结合，并最大限度减少镀层金属孔隙率，从而能有效解决蒸镀时由于基膜自身表面粗糙度不均匀、单峰大高差以及表面浸润性低而导致的不能满足蒸镀时的金属化工艺要求和电容器卷绕芯子的技术要求的缺陷。采用本实施例提供的装置对金属化薄膜中的基膜进行处理后，基膜电晕面达因值一致性由原来的70%提高到98%，薄膜镀层附着力由原来的1.5变为1.1，薄膜电容器卷芯良品率提高2%。
附图说明
图1为本实用新型提供的一种真空卷绕镀膜原膜预处理装置具体结构示意图。
图中：1、真空室；2、直流高频电源；3、收卷机；4、放卷机；5、负极板；6、正极板；7、导向轮。
具体实施方式
下面通过具体实施方式，对本实用新型的技术方案做进一步的详细描述。
实施例1
本实施例提供一种真空卷绕镀膜原膜预处理装置，如图1所示，它包括真空室1和设置在真空室内1的收卷机3和放卷机4。所述收卷机3上和所述放卷机4上均设置有用于制备金属化薄膜的基膜，在所述基膜的两侧分别设置有正极板6和负极板5，所述正极板6和所述负极板5分别连接在直流高频电源2的两电极上。
其中，所述直流高频电源2设置在所述真空室1的外侧。
该真空卷绕镀膜原膜预处理装置还包括用于改变所述基膜运动方向的导向轮7。
具体地，所述基膜自所述放卷机4上放出，所述基膜的两侧经所述正极板6和所述负极板5处理后卷绕在所述收卷机3上。所述正极板6和所述负极板5均垂直设置。
性能测试
采用本实施例提供的装置对金属化薄膜中的基膜进行处理后，基膜电晕面达因值一致性由原来的70%提高到98%，薄膜镀层附着力由原来的1.5变为1.1，薄膜电容器卷芯良品率提高2%。
附着力：依据GB/T24123-2009电容器用金属化薄膜标准，蒸镀完成并经过48小时晶化后进行测试，用3M胶带粘贴后用KDB-2B金属薄膜方块电阻测试仪测量，取50个点，D=粘后方阻/粘前方阻。测试结果表明，未处理基膜蒸镀晶化后附着力平均值为1.48，采用预处理技术蒸镀晶化后后附着力平均值为1.04。采用预处理技术后蒸镀的金属薄膜附着力增强并且一致性好。
达因值一致性：基膜电晕面用达因笔进行达因值测量。测试结果表明：未处理基膜和经预处理后基膜电晕面有比较明显区别。采用预处理技术后一致性好、稳定。
最后应当说明的是：以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案而非对其限制；尽管参照较佳实施例对本实用新型进行了详细的说明，所属领域的普通技术人员应当理解：依然可以对本实用新型的具体实施方式进行修改或者对部分技术特征进行等同替换；而不脱离本实用新型技术方案的精神，其均应涵盖在本实用新型请求保护的技术方案范围当中。
Claims (5)
1.一种真空卷绕镀膜原膜预处理装置，其特征在于，它包括真空室和设置在真空室内的收卷机和放卷机，所述收卷机上和所述放卷机上均设置有用于制备金属化薄膜的基膜，在所述基膜的两侧分别设置有正极板和负极板，所述正极板和所述负极板分别连接在直流高频电源的两电极上。
2.根据权利要求1所述的一种真空卷绕镀膜原膜预处理装置，其特征在于，所述直流高频电源设置在所述真空室的外侧。
3.根据权利要求2所述的一种真空卷绕镀膜原膜预处理装置，其特征在于，它还包括用于改变所述基膜运动方向的导向轮。
4.根据权利要求3所述的一种真空卷绕镀膜原膜预处理装置，其特征在于，所述基膜自所述放卷机上放出，所述基膜的两侧经所述正极板和所述负极板处理后卷绕在所述收卷机上。
5.根据权利要求4所述的一种真空卷绕镀膜原膜预处理装置，其特征在于，所述正极板和所述负极板均垂直设置。
Priority Applications (1)
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| CN201921605472.4U CN210826320U (zh) | 2019-09-25 | 2019-09-25 | 一种真空卷绕镀膜原膜预处理装置 |
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Publications (1)
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| CN210826320U true CN210826320U (zh) | 2020-06-23 |
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ID=71261764
Family Applications (1)
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| CN201921605472.4U Active CN210826320U (zh) | 2019-09-25 | 2019-09-25 | 一种真空卷绕镀膜原膜预处理装置 |
Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN210826320U (zh) |
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- 2019-09-25 CN CN201921605472.4U patent/CN210826320U/zh active Active
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