CN210805774U - 影像传感芯片的封装结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种影像传感芯片的封装结构。该影像传感芯片的封装结构包括：基底，所述基底包括透光区以及围绕所述透光区的非透光区，所述非透光区设置有布线线路；所述基底包括滤光层，所述滤光层位于所述基底上的所述透光区和所述非透光区；倒装设置于所述基底上远离所述滤光层的一侧的影像传感器芯片，所述影像传感器芯片包括感应区，所述感应区朝向所述基底的一侧设置，所述感应区与所述透光区对应。本实用新型实施例不仅可以将滤光层的厚度设置的较薄，有利于封装结构的轻薄化和有利于电子设备的小型化。
Description
技术领域
本实用新型实施例涉及图像采集技术领域，尤其涉及一种影像传感芯片的封装结构。
背景技术
随着科学技术的不断发展，越来越多的电子设备广泛应用于人们的日常生活和工作当中，为人们带来了极大的便利，成为人们不可或缺的重要工具。
在现有技术中，通过在电子设备集成镜头和影像传感器芯片等影像传感组件，以使电子设备具备生物识别功能，例如，虹膜识别。虹膜识别不易复制和盗取，具有对身份识别的安全性较高的优势，因此，影像传感器芯片得到了越来越广泛的应用。然而，现有的影像传感器芯片的封装结构不利于电子设备的小型化。
实用新型内容
本实用新型实施例提供一种影像传感芯片的封装结构，以有利于电子设备的小型化。
为实现上述技术目的，本实用新型实施例提供了如下技术方案：
一种影像传感芯片的封装结构，包括：
基底，所述基底包括透光区以及围绕所述透光区的非透光区，所述非透光区设置有布线线路；所述基底包括滤光层，所述滤光层位于所述基底上的所述透光区和所述非透光区；
倒装设置于所述基底上远离所述滤光层的一侧的影像传感器芯片，所述影像传感器芯片包括感应区，所述感应区朝向所述基底的一侧设置，所述感应区与所述透光区对应。
本实用新型实施例设置滤光层位于基底上，且位于透光区和非透光区，影像传感器芯片倒装设置于基底上远离滤光层的一侧，感应区朝向基底的一侧设置，感应区与透光区对应，以使传输至影像传感器芯片的光线均会通过滤光层。在现有技术中，电子设备中的滤光片卡接在镜头上，且滤光片的厚度较厚，以能够与镜头进行机械连接，另外，卡接组件的尺寸也较大，因此，现有的滤光片的设置方式不利于电子设备的小型化。与现有技术不同的是，本实用新型实施例将滤光层设置在影像传感器芯片的封装结构中，因此，与现有技术相比，一方面，本实用新型实施例可以采用贴合工艺将滤光层贴合在基底上，由于贴合工艺对滤光层的厚度要求较低，因此可以将滤光层的厚度设置的较薄，以有利于影像传感器芯片的封装结构的轻薄化；另一方面，本实用新型实施例可以采用贴合工艺，而无需使用卡接组件，避免了卡接组件占用电子设备的空间。综上，本实用新型实施例提供的影像传感器芯片的封装结构有利于电子设备的小型化。
进一步地，所述基底还包括透光基板，所述滤光层设置于所述透光基板的表面，所述基底靠近所述影像传感器芯片一侧设置有所述布线线路。其中，透光基板的材料例如可以是玻璃，透光基板+滤光层的结构构成IR玻璃。透光基板覆盖透光区和非透光区，起到了支撑滤光层和布线线路的作用，提升了影像传感器芯片的封装结构的稳固性。
进一步地，所述滤光层包括第一滤光层和第二滤光层，所述第一滤光层和所述第二滤光层分别设置于透光基板的正面和背面。其中，透光基板的正面是指，透光基板远离影像传感器芯片的一面；透光基板的背面是指，透光基板靠近影像传感器芯片的一面。即设置于透光基板的正面的滤光层称为第一滤光层，设置于透光基板的背面的滤光层称为第二滤光层。透光基板的材料例如可以是玻璃，第一滤光层+透光基板+第二滤光层的结构构成IR玻璃。本实用新型实施例设置透光基板的两面均包括滤光层，相当于增加了滤光层的厚度，有利于提升滤光层的滤光效果。
进一步地，所述布线线路设置于所述第二滤光层靠近所述影像传感器芯片的一侧。即布线线路设置于IR玻璃靠近影像传感器芯片的一侧。本实用新型实施例这样设置，不仅可以使布线线路的设置位置更加靠近影像传感器芯片，从而有利于影像传感器芯片和布线线路的连接；而且在滤光层和透光基板之间，无需设置布线线路，有利于滤光层与透光基板的贴合，从而降低了工艺成本，提高了生产效率。
进一步地，所述滤光层的厚度范围为100um-150um，这样设置既有利于减薄影像传感器芯片的封装结构，又能够确保滤光层的滤光效果。
进一步地，还包括凸块，所述凸块的一端与所述影像传感器芯片电连接，所述凸块的另一端与所述布线线路电连接。其中，凸块的材料例如可以是金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钛(Ti)或铜(Cu)等金属，优选为金(Au)。凸块的一端与影像传感器芯片抵接，示例性地，影像传感器芯片对应凸块的位置设置有焊盘，焊盘与凸块的一端抵接。具体地，可以通过焊接的方式或加热熔融的方式将凸块和焊盘电连接。凸块的另一端与布线线路抵接，示例性地，布线线路对应凸块的位置设置有焊盘，焊盘与凸块的另一端抵接。具体地，可以通过焊接的方式或加热熔融的方式凸块和布线线路上的焊盘电连接。
进一步地，还包括位于所述非透光区的焊垫，所述焊垫与所述布线线路电连接，所述焊垫远离所述透光基板的一面距离所述透光基板的垂直距离小于所述芯片远离所述透光基板的一面距离所述透光基板的垂直距离。
进一步地，所述焊垫用于通过导电胶与外部电路电连接。其中，导电胶是指具有导电性能的胶体，例如可以是异方性导电胶膜(Anisotropic Conductive Film，ACF)。相比于焊球，导电胶的厚度较薄，有利于减小影像传感器芯片的封装结构的厚度。示例性地，若采用焊球作为布线线路和外部电路的连接介质，影像传感器芯片的封装结构总体厚度约800um，而若采用导电胶作为布线线路和外部电路的连接介质，包括滤光层的影像传感器芯片的封装结构的厚度小于等于300um，由此可见，本实用新型实施例可以减小影像传感器芯片的封装结构的厚度。另外，本实用新型实施例能够降低邦定过程中产生的热量，从而有利于选择气密性较好的密封胶，有利于提升密封胶隔绝水汽的能力。
进一步地，所述基底还包括覆盖所述布线线路的绝缘层；所述绝缘层暴露出所述布线线路的一部分构成所述焊垫。其中，示例性地，绝缘层包括开口，开口暴露布线线路的一部分，从而形成焊垫。本实用新型实施例设置绝缘层覆盖布线线路，绝缘层暴露出布线线路的一部分构成焊垫，一方面有利于避免布线线路除焊垫外的其他部分与外部电路发生短接，另一方面绝缘层的设置有利于为影像传感器芯片的封装结构提供支撑，提升影像传感器芯片的封装结构的稳固性。
进一步地，所述焊垫包括第一焊垫和第二焊垫；所述第一焊垫位于所述第二焊垫远离所述透光区的一侧；所述第一焊垫和所述第二焊垫之间设置有所述绝缘层。
进一步地，所述第一焊垫与所述第二焊垫电连接。
进一步地，所述第一焊垫远离所述第二焊垫的侧面裸露。即第一焊垫远离第二焊垫的侧面未设置有绝缘层。本实用新型实施例这样设置，使得第一焊垫进行导电胶连接的可操作空间较大，降低了作业难度，有利于导电胶更加牢固的粘贴焊垫和外部电路。
进一步地，所述布线线路靠近所述透光区的一侧设置有所述绝缘层，即，在布线线路的内侧还设置有绝缘层。相比于布线线路凹凸不平的表面，绝缘层的表面更加平整，有利于生物识别光线经过绝缘层的表面反射至影像传感器芯片的感应区。
进一步地，所述焊垫设置于所述芯片的周边区域的一侧或者两侧。
进一步地，所述封装结构的厚度小于等于300um，从而使得影像传感器芯片的封装结构的厚度较薄。
进一步地，所述影像传感器芯片的周缘设置有密封胶，所述密封胶将所述影像传感器芯片与所述基底之间密封。本实用新型实施例这样设置，一方面，可以防止影像传感器芯片的感应区受到外界水汽的污染；另一方面，密封胶可以防止影像传感器芯片从基底上脱落。
本实用新型实施例设置滤光层位于基底上，且位于透光区和非透光区，影像传感器芯片倒装设置于基底上远离滤光层的一侧，感应区朝向基底的一侧设置，感应区与透光区对应，以使传输至影像传感器芯片的光线均会通过滤光层。在现有技术中，电子设备中的滤光片卡接在镜头上，且滤光片的厚度较厚，以能够与镜头进行机械连接，另外，卡接组件的尺寸也较大，因此，现有的滤光片的设置方式不利于电子设备的小型化。与现有技术不同的是，本实用新型实施例将滤光层设置在影像传感器芯片的封装结构中，因此，与现有技术相比，一方面，本实用新型实施例可以采用贴合工艺将滤光层贴合在基底上，由于贴合工艺对滤光层的厚度要求较低，因此可以将滤光层的厚度设置的较薄，以有利于影像传感器芯片的封装结构的轻薄化；另一方面，本实用新型实施例可以采用贴合工艺，而无需使用卡接组件，避免了卡接组件占用电子设备的空间。综上，本实用新型实施例提供的影像传感器芯片的封装结构有利于电子设备的小型化。
附图说明
图1为本实用新型实施例提供的一种影像传感芯片的封装结构的示意图；
图2为本实用新型实施例提供的另一种影像传感器芯片的封装结构的示意图；
图3为本实用新型实施例提供的又一种影像传感器芯片的封装结构的示意图；
图4为本实用新型实施例提供的又一种影像传感器芯片的封装结构的示意图；
图5为图4沿方向C的结构示意图。
图6为本实用新型实施例提供的又一种影像传感器芯片的封装结构的示意图；
图7为本实用新型实施例提供的又一种影像传感器芯片的封装结构的示意图；
图8为本实用新型实施例提供的又一种影像传感器芯片的封装结构的示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本实用新型，而非对本实用新型的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本实用新型相关的部分而非全部结构。
本实用新型实施例提供了一种影像传感器的封装结构，可适用于电子设备的生物识别。图1为本实用新型实施例提供的一种影像传感芯片的封装结构的示意图。参见图1，该影像传感器的封装结构包括：基底100和影像传感器芯片300。基底100包括透光区110以及围绕透光区110的非透光区120，非透光区120设置有布线线路104。基底100包括滤光层101，滤光层101位于基底100上的透光区110和非透光区120。影像传感器芯片300倒装设置于基底100上远离滤光层101的一侧，影像传感器芯片300包括感应区310，感应区310朝向基底100的一侧设置，感应区310与透光区110对应。
其中，基底100为影像传感器芯片300提供支撑和电气支持。布线线路104例如可以包括电阻、电感、电容、集成电路块和光学组件等电子元器件中的至少一种，以及布线线路104还包括各电子元器件之间的连接导线。
基底100的透光区110能够透光，以使虹膜等生物识别光线透过基底100，传输至影像传感器芯片300的感应区310。非透光区120围绕透光区110的设置形式有多种，示例性地，图1中示出了透光区110位于非透光区120的中部，在其他实施例中，还可以设置透光区110位于基底100的其他位置，在实际应用中可以根据影像传感器芯片300在电子设备中的位置、布线线路104的设置方式以及影像传感器芯片300和镜头的对位位置来确定。
外部电路是指与影像传感器芯片的封装结构电连接的电路结构，外部电路例如可以是集成有其他电子元器件的柔性电路板(Flexible Printed Circuit，FPC)，该FPC电路板可以包括图像处理芯片，图像处理芯片根据影像传感器芯片300采集的光线信息进行成像，以便于进行生物识别。
影像传感器芯片300可包括多个像素点311，用于采集影像传感光信息，多个像素点311构成了影像传感器芯片300的感应区310。感应区310与透光区110对应，可选地，透光区110完全暴露感应区310，以使红外光不受基底100的非透光区的遮挡。
滤光层101设置于影像传感器芯片300的像素点311采集光线的一侧，用于过滤传输至影像传感器芯片300的光线。滤光层101例如可以是红外光滤光层101(InfraredRadiation，IR)，红外光滤光层101可以使红外光透过，过滤其他波段的光线。滤光层101位于基底100上的透光区110和非透光区120，也就是说滤光层101覆盖透光区110和120，因此，传输至影像传感器芯片300的光线均会通过滤光层101，有利于提高影像传感的质量。滤光层101的外缘和基底100的外延重合，这样设置，可以使得滤光层101整面形成于基底100，无需进行滤光层101单独切割的然后再设置于基底上工艺步骤，从而有利于简化制作工艺。示例性地，滤光层101可以镀在基底100上。可选地，滤光层101的厚度范围为100um-150um，这样设置既有利于减薄影像传感器芯片的封装结构，又能够确保滤光层101的滤光效果。
本实用新型实施例设置滤光层101位于基底100上，且位于透光区110和非透光区120，影像传感器芯片300倒装设置于基底100上远离滤光层101的一侧，感应区310朝向基底100的一侧设置，感应区310与透光区110对应，以使传输至影像传感器芯片300的光线均会通过滤光层101。在现有技术中，电子设备中的滤光片卡接在镜头上，且滤光片的厚度较厚，以能够与镜头进行机械连接，另外，卡接组件的尺寸也较大，因此，现有的滤光片的设置方式不利于电子设备的小型化。与现有技术不同的是，本实用新型实施例将滤光层101设置在影像传感器芯片的封装结构中，因此，与现有技术相比，一方面，本实用新型实施例可以采用贴合工艺将滤光层101贴合在基底100上，由于贴合工艺对滤光层101的厚度要求较低，因此可以将滤光层101的厚度设置的较薄，以有利于影像传感器芯片的封装结构的轻薄化；另一方面，本实用新型实施例可以采用贴合工艺，而无需使用卡接组件，避免了卡接组件占用电子设备的空间。综上，本实用新型实施例提供的影像传感器芯片的封装结构有利于电子设备的小型化。
继续参见图1，在本实用新型的一种实施方式中，可选地，基底100还包括透光基板102，滤光层101设置于透光基板102的表面，基底100靠近影像传感器芯片300一侧设置有布线线路104。其中，透光基板102的材料例如可以是玻璃，透光基板102+滤光层101的结构构成IR玻璃。透光基板102覆盖透光区110和非透光区120，起到了支撑滤光层101和布线线路104的作用，提升了影像传感器芯片的封装结构的稳固性。
继续参见图1，在本实用新型的一种实施方式中，可选地，基底100还包括衬底材料层103，衬底材料层103例如可以包括介电材料层，设置衬底材料层103有助于布线线路104的设置。另外，由于衬底材料层103一般不透光，因此，衬底材料层103覆盖的区域形成非透光区120。
在上述各实施例中，示例性地示出了滤光层101的层数为一层，并非对本实用新型的限定，在其他实施例中，还可以根据需要设置滤光层101的层数为两层或多层。下面以滤光层101的层数为两层的情况进行详细说明。
图2为本实用新型实施例提供的另一种影像传感器芯片的封装结构的示意图。参见图2，在本实用新型的一种实施方式中，可选地，滤光层101包括第一滤光层和第二滤光层，第一滤光层和第二滤光层分别设置于透光基板102的正面130和背面140。其中，透光基板102的正面130是指，透光基板102远离影像传感器芯片300的一面；透光基板102的背面140是指，透光基板102靠近影像传感器芯片300的一面。即设置于透光基板102的正面130的滤光层101称为第一滤光层，设置于透光基板102的背面140的滤光层101称为第二滤光层。透光基板102的材料例如可以是玻璃，第一滤光层+透光基板102+第二滤光层的结构构成IR玻璃。示例性地，第一滤光层和第二滤光层可以分别镀在透光基板102的正面130和背面140上。本实用新型实施例设置透光基板102的两面均包括滤光层101，一方面，相当于增加了滤光层101的厚度，有利于提升滤光层101的滤光效果；另一方面，将滤光层101镀在透光基板102上时，在透光基板102的表面会产生应力，透光基板102的正面130和背面140均镀有滤光层101有利于平衡透光基板102受到的应力，从而有利于防止透光基板102因发生变形而导致滤光层101发生翘曲。
继续参见图2，在本实用新型的一种实施方式中，可选地，布线线路104设置于第二滤光层靠近影像传感器芯片300的一侧，即布线线路104设置于IR玻璃靠近影像传感器芯片300的一侧。本实用新型实施例这样设置，不仅可以使布线线路104的设置位置更加靠近影像传感器芯片300，从而有利于影像传感器芯片300和布线线路104的连接；而且在滤光层101和透光基板102之间，无需设置布线线路，有利于滤光层101与透光基板102的贴合，从而降低了工艺成本，提高了生产效率。
在上述各实施例中，影像传感器芯片300与布线线路104的连接方式有多种，例如，通过打线连接或者通过凸块连接等。
结合图1和图2，在本实用新型的一种实施方式中，可选地，影像传感器芯片的封装结构还包括凸块330，凸块330的一端与影像传感器芯片300电连接，凸块330的另一端与布线线路104电连接。
其中，影像传感器芯片300具有与像素点311电连接的导电走线(图中未示出)，通过凸块330将导电走线与布线线路104电连接。凸块330的材料例如可以是金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、钛(Ti)或铜(Cu)等金属，优选为金(Au)。凸块330的一端与影像传感器芯片300抵接，示例性地，影像传感器芯片300对应凸块330的位置设置有焊盘340，焊盘340与凸块330的一端抵接。具体地，可以通过焊接的方式或加热熔融的方式将凸块330和焊盘340电连接。凸块330的另一端与布线线路104抵接，示例性地，布线线路104对应凸块330的位置设置有焊盘(图中未示出)，焊盘与凸块330的另一端抵接。具体地，可以通过焊接的方式或加热熔融的方式凸块330和布线线路104上的焊盘电连接。
可选地，凸块330的数量为多个，分别对应影像传感器芯片300的多个引脚。凸块330与影像传感器芯片300的分布关系为，多个凸块330对称分布在影像传感器芯片300的两侧，或者多个凸块330围绕影像传感器芯片300的四周。
图3为本实用新型实施例提供的又一种影像传感器芯片的封装结构的示意图。参见图3，在本实用新型的一种实施方式中，可选地，影像传感器芯片的封装结构还包括位于非透光区120的焊垫1041，焊垫1041与布线线路104电连接，焊垫1041远离透光基板102的一面距离透光基板102的垂直距离小于芯片远离透光基板102的一面距离透光基板102的垂直距离。
其中，焊垫1041例如可以是布线线路104中的一段导线或者一个焊盘，即焊垫1041可由布线线路104形成，是布线线路104的一部分。焊垫1041用于布线线路104与外部电路之间的电连接，另外凸块330用于影像传感器芯片300与布线线路104之间的电连接，以使影像传感器芯片300通过布线线路104与外部电路进行电信号的传输。本实用新型实施例设置焊垫1041远离透光基板102的一面距离透光基板102的垂直距离小于芯片远离透光基板102的一面距离透光基板102的垂直距离，也就是说，焊垫1041的尺寸不会超出影像传感器芯片300，影像传感器芯片的封装结构的厚度即为基板100、凸块330和传感器芯片300的厚度之和。
在本实用新型的一种实施方式中，可选地，焊垫1041的数量为多个，分别对应外部电路的多个连接端子。焊垫1041与影像传感器芯片300的分布关系为，多个焊垫1041对称分布在影像传感器芯片300的一侧、两侧，或者多个焊垫1041围绕影像传感器芯片300的四周。
在上述各实施例中，焊垫1041与外部电路电连接的方式有多种，例如通过焊球焊接，或者通过导电胶连接。具体地，在本实用新型的一种实施方式中，可选地，焊垫1041用于通过导电胶与外部电路电连接。其中，导电胶是指具有导电性能的胶体，例如可以是异方性导电胶膜(Anisotropic Conductive Film，ACF)。相比于焊球，导电胶的厚度较薄，有利于减小影像传感器芯片的封装结构的厚度。示例性地，若采用焊球作为布线线路104和外部电路的连接介质，影像传感器芯片的封装结构总体厚度约800um，而若采用导电胶作为布线线路104和外部电路的连接介质，包括滤光层101的影像传感器芯片的封装结构的厚度小于等于300um，由此可见，本实用新型实施例可以减小影像传感器芯片的封装结构的厚度。
在上述各实施例中，焊垫1041的结构形式有多种，下面就其中几种结构形式进行说明，但不作为对本实用新型的限定。
图4为本实用新型实施例提供的又一种影像传感器芯片的封装结构的示意图，图5为图4沿方向C的结构示意图。参见图4和图5，在本实用新型的一种实施方式中，可选地，基底100还包括覆盖布线线路104的绝缘层400，绝缘层400暴露出布线线路104的一部分构成焊垫1041。其中，示例性地，绝缘层400包括开口401，开口401暴露布线线路104的一部分，从而形成焊垫1041。本实用新型实施例设置绝缘层400覆盖布线线路104，绝缘层400暴露出布线线路104的一部分构成焊垫1041，一方面有利于避免布线线路104除焊垫1401外的其他部分与外部电路发生短接，另一方面绝缘层400的设置有利于为影像传感器芯片的封装结构提供支撑，提升影像传感器芯片的封装结构的稳固性。
图6为本实用新型实施例提供的又一种影像传感器芯片的封装结构的示意图。参见图6，在本实用新型的一种实施方式中，可选地，焊垫1041包括第一焊垫1041A和第二焊垫1041B；第一焊垫1041A位于第二焊垫1041B远离透光区110的一侧，即第一焊垫1041A位于第二焊垫1041B的外侧。第一焊垫1041A和第二焊垫1041B之间设置有绝缘层400。示例性地，第二焊垫1041B位于绝缘层400的开口内，对应第二焊垫1041B的位置，外部电路的连接端子设置有凸起，以使连接端子能够与第二焊垫1041B卡接在一起，有利于布线线路104与外部电路之间的固定连接。
在本实用新型的一种实施方式中，可选地，第一焊垫1041A与第二焊垫1041B电连接。本实用新型实施例在设置第一焊垫1041A之外，还设置了第二焊垫1041B，相当于增大了第一焊垫1041A与外部电路的接触面积，进一步提升了布线线路104与外部电路之间的连接的稳固性。
继续参见图6，在本实用新型的一种实施方式中，可选地，第一焊垫1041A远离第二焊垫1041B的侧面裸露。即第一焊垫1041A远离第二焊垫1041B的侧面未设置有绝缘层400。本实用新型实施例这样设置，使得第一焊垫1041A进行导电胶连接的可操作空间较大，降低了作业难度，有利于导电胶更加牢固的粘贴焊垫1041和外部电路。
图7为本实用新型实施例提供的又一种影像传感器芯片的封装结构的示意图。参见图7，在本实用新型的一种实施方式中，可选地，布线线路104靠近透光区110的一侧设置有绝缘层400，即，在布线线路104的内侧还设置有绝缘层400。相比于布线线路104凹凸不平的表面，绝缘层400的表面更加平整，有利于生物识别光线经过绝缘层400的表面反射至影像传感器芯片300的感应区310。
图8为本实用新型实施例提供的又一种影像传感器芯片的封装结构的示意图。参见图8，在本实用新型的一种实施方式中，可选地，影像传感器芯片300的周缘设置有密封胶500，密封胶500将影像传感器芯片300与基底100之间密封。本实用新型实施例这样设置，一方面，可以防止影像传感器芯片300的感应区311受到外界水汽的污染；另一方面，密封胶500可以防止影像传感器芯片300从基底100上脱落。
在上述实施例中，若采用焊球将布线线路104和外部电路电连接，在焊接的过程中，影像传感器芯片的封装结构的受热严重，需要采用透气性较好的密封胶500，然而密封胶500的透气性好带来的影响是阻隔性能降低，影像传感器芯片300的感应区311易受外界水汽的污染。若采用焊垫1041和导电胶的实施方式将布线线路104与外部电路电连接，能够降低邦定过程中产生的热量，避免了影像传感器芯片的封装结构产生热量的现象，从而可以选择气密性较好的密封胶500，有利于提升密封胶500隔绝水汽的能力。
注意，上述仅为本实用新型的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本实用新型不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本实用新型的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本实用新型进行了较为详细的说明，但是本实用新型不仅仅限于以上实施例，在不脱离本实用新型构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本实用新型的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (16)
1.一种影像传感芯片的封装结构，其特征在于，包括：
基底，所述基底包括透光区以及围绕所述透光区的非透光区，所述非透光区设置有布线线路；所述基底包括滤光层，所述滤光层位于所述基底上的所述透光区和所述非透光区；
倒装设置于所述基底上远离所述滤光层的一侧的影像传感器芯片，所述影像传感器芯片包括感应区，所述感应区朝向所述基底的一侧设置，所述感应区与所述透光区对应。
2.根据权利要求1所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于，所述基底还包括透光基板，所述滤光层设置于所述透光基板的表面，所述基底靠近所述影像传感器芯片一侧设置有所述布线线路。
3.根据权利要求2所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于，所述滤光层包括第一滤光层和第二滤光层，所述第一滤光层和所述第二滤光层分别设置于透光基板的正面和背面。
4.根据权利要求3所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于，所述布线线路设置于所述第二滤光层靠近所述影像传感器芯片的一侧。
5.根据权利要求1所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于，所述滤光层的厚度范围为100um-150um。
6.根据权利要求1所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于，还包括凸块，所述凸块的一端与所述影像传感器芯片电连接，所述凸块的另一端与所述布线线路电连接。
7.根据权利要求2所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于，还包括位于所述非透光区的焊垫，所述焊垫与所述布线线路电连接，所述焊垫远离所述透光基板的一面距离所述透光基板的垂直距离小于所述芯片远离所述透光基板的一面距离所述透光基板的垂直距离。
8.根据权利要求7所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于，所述焊垫用于通过导电胶与外部电路电连接。
9.根据权利要求7所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于，所述基底还包括覆盖所述布线线路的绝缘层；
所述绝缘层暴露出所述布线线路的一部分构成所述焊垫。
10.根据权利要求9所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于，所述焊垫包括第一焊垫和第二焊垫；所述第一焊垫位于所述第二焊垫远离所述透光区的一侧；
所述第一焊垫和所述第二焊垫之间设置有所述绝缘层。
11.根据权利要求10所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于，所述第一焊垫与所述第二焊垫电连接。
12.根据权利要求10或11所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于，所述第一焊垫远离所述第二焊垫的侧面裸露。
13.根据权利要求9所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于，所述布线线路靠近所述透光区的一侧设置有所述绝缘层。
14.根据权利要求7所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于，所述焊垫设置于所述芯片的周边区域的一侧或者两侧。
15.根据权利要求7所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于，所述封装结构的厚度小于或等于300um。
16.根据权利要求1所述的影像传感芯片的封装结构，其特征在于，所述影像传感器芯片的周缘设置有密封胶，所述密封胶将所述影像传感器芯片与所述基底之间密封。
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