CN210553519U - 一种压辊层压系统 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及晶片生产技术领域,尤其涉及一种压辊层压系统,其包括掩膜层压装置、放膜装置、传送装置以及掩膜切割装置,所述放膜装置用于为所述掩膜层压装置提供掩膜,所述传送装置用于将晶片传送到所述掩膜层压装置上,所述掩膜层压装置包括相对设置的压辊,沿所述压辊的轴向表面上开设有贯穿所述压辊的凹槽,所述压辊能够将所述掩膜层压到所述晶片的上表面,所述压辊的宽度小于所述晶片的宽度,所述掩膜切割装置用于将层压到所述晶片上的所述掩膜按设定尺寸切割。本实用新型能够保证晶体表面无需层压掩膜的位置不会层压掩膜,晶片的侧面也不会粘上掩膜;同时,提高了晶片层压掩膜的自动化程度,提高了生产效率。
Description
技术领域
本实用新型涉及晶片生产技术领域,尤其涉及一种压辊层压系统。
背景技术
随着科学技术的发展,由于半导体具有的特殊的性能,越来越多半导体被广泛地应用于生产生活中。在半导体行业中,由于工艺的需求,需要在晶片的表面层压掩膜。在一些情况下,晶片的表面的有些部位无需层压掩膜,现有技术中,往往采用普通的长直辊进行辊压工艺,普通的长直辊会使整个晶片表面都压上掩膜;而且,由于掩膜在高温、高压条件下具有一定的延展性,会粘到晶片的侧面,下一步工艺还需要处理晶片表面上多余的掩膜,为晶片的生产带来了不便;同时,晶片层压掩膜的自动化程度较低,降低了生产效率。
因此,亟需一种压辊层压系统来解决上述技术问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种压辊层压系统,能够保证晶体表面无需层压掩膜的位置不会层压掩膜,晶片的侧面也不会粘上掩膜;同时,提高了晶片层压掩膜的自动化程度,提高了生产效率。
为达此目的,本实用新型采用以下技术方案:
一种压辊层压系统,包括放膜装置、掩膜层压装置、传送装置以及掩膜切割装置,所述放膜装置用于为所述掩膜层压装置提供掩膜,所述传送装置用于将晶片传送到所述掩膜层压装置上,所述掩膜层压装置包括相对设置的压辊,沿所述压辊的表面上开设有贯穿所述压辊的凹槽,所述压辊能够将所述掩膜层压到所述晶片的上表面,所述压辊的宽度小于所述晶片的宽度,所述掩膜层压装置的下一个工位为所述掩膜切割装置,所述掩膜切割装置用于将层压到所述晶片上的所述掩膜按设定尺寸切割。
优选地,还包括搬运装置,所述搬运装置位于所述掩膜切割装置的下一个工位上,所述搬运装置用于把切割好所述掩膜的所述晶片运送到下一个工位。
优选地,所述搬运装置包括抓取机构和搬运轮,所述搬运轮用于将切割好所述掩膜的所述晶片从所述掩膜切割装置工位传送到所述抓取机构的下方,所述抓取机构工作时位于所述搬运轮的上方,所述抓取机构用于将所述晶片运送到所述下一个工位。
优选地,还包括卷膜装置,所述卷膜装置用于将切割完剩余的所述掩膜卷起。
优选地,所述卷膜装置包括卷膜轮,所述卷膜轮用于将剩余的所述掩膜卷起。
优选地,所述掩膜层压装置与所述掩膜切割装置之间设置有晶片夹持装置,所述晶片夹持装置用于将所述晶片传送到所述掩膜切割装置的下方。
优选地,所述凹槽沿所述压辊的周向设置多个。
优选地,所述压辊的材料为金属或树脂。
优选地,所述放膜装置与所述掩膜层压装置之间设置有用于对所述掩膜张紧的张紧轮。
优选地,所述掩膜切割装置为激光切割装置。
本实用新型的有益效果:
本实用新型压辊层压系统,通过在掩膜层压装置中设置具有沿轴向表面开设有贯穿其自身凹槽的压辊,在晶片上层压掩膜的时候,晶片表面压辊的凹槽滚过的部位掩膜不会压上,保证晶体表面无需层压掩膜的位置不会层压掩膜;压辊的宽度小于晶片的宽度,保证晶片的侧面不会粘上掩膜;而且该层压系统实现了晶片从上料到掩膜切割的自动化,提高了自动化程度,从而提高了生产效率。
附图说明
图1是本实用新型一种压辊层压系统的示意图。
图中:
1-掩膜层压装置;2-放膜装置;3-传送装置;4-晶片夹持装置;5-搬运装置;6-掩膜切割装置;7-抓取机构;8-夹膜装置;9-卷膜轮;10-晶片。
具体实施方式
下面结合附图和实施方式进一步说明本实用新型的技术方案。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本实用新型,而非对本实用新型的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本实用新型相关的部分而非全部。
为了提高晶片层压掩膜的生产速度;防止晶片10侧面粘上掩膜;同时,保证晶体表面无需层压掩膜的位置不会层压掩膜,如图1所示,本实用新型提供一种压辊层压系统。该层压系统包括放膜装置2、掩膜层压装置1、传送装置3以及掩膜切割装置6,放膜装置2用于为掩膜层压装置1提供掩膜,传送装置3用于将晶片10出传送到掩膜层压装置1上,掩膜层压装置1包括相对设置的压辊,沿压辊的轴向表面上开设有贯穿压辊的凹槽,压辊能够将掩膜层压到晶片10的上表面,压辊的宽度小于晶片10的宽度,掩膜层压装置1的下一个工位为掩膜切割装置6,掩膜切割装置6用于将层压到晶片10上的掩膜按设定尺寸切割。该压辊的材料可以为金属或树脂,在此不做限定;为了提高生产速度,可选地,根据施工现场的需要,凹槽沿压辊的周向可以设置多个。
进一步地,放膜装置2位于掩膜层压装置1的前方,放膜装置2包括放膜轮,掩膜缠设在放膜轮上,通过放膜轮的转动为掩膜层压装置1提供掩膜,为了保证掩膜处于张紧状态,使得位于掩膜层压装置1中的掩膜平直,可选地,在放膜装置2与掩膜层压装置1之间设置有张紧轮。
进一步地,在掩膜层压装置1与掩膜切割装置6之间设置有晶片夹持装置4,晶片夹持装置4用于将晶片10传送到掩膜切割装置6的下方,具体地,晶片夹持装置4由上下两排相对设置的夹持轮组成,通过上下两排夹持轮进行相向转动将压完掩膜的晶片10均匀地运送到掩膜切割装置6的下方。
进一步地,掩膜切割装置6可以位于搬运装置5的上方,当晶片夹持装置4将晶片10传送到搬运装置5上,掩膜切割装置6将层压到晶片10上的掩膜按设定尺寸进行切割,将晶片10与未层压到晶片10上的掩膜分离,可选地,掩膜切割装置6为激光切割装置,激光切割装置具有切割速度快,而且切割边缘整齐的特点,当然,也可以采用其他切割装置,在此不做过多限定。
进一步地,搬运装置5位于掩膜切割装置6的下一个工位上,搬运装置5用于把切割好掩膜的晶片10运送到下一个工位,具体地,搬运装置5包括抓取机构7和搬运轮,搬运轮用于将切割好掩膜的晶片10从掩膜切割装置6工位传送到抓取机构7的下方,抓取机构7工作时位于搬运轮的上方,抓取机构7用于将晶片10运送到下一个工位,该抓取机构7可以采用现有技术中的机械手。
由于实际生产中,掩膜的宽度要大于晶片10的宽度,当晶片10通过掩膜切割装置6与剩余的掩膜分离后,为了将剩余的掩膜进行回收,该层压系统还包括卷膜装置,卷膜装置用于将切割完剩余的掩膜卷起。具体地,卷膜装置包括卷膜轮9,卷膜轮9用于将剩余的掩膜卷起,为了使被卷起的掩膜较为平整,可选地,在搬运装置5与卷膜装置之间设置有夹膜装置8。夹膜装置8由上下两排相对设置的夹膜轮组成,通过上下两排夹膜轮进行相向转动,对剩余的掩膜进行平整、传送,然后由卷膜轮9收起。
显然,本实用新型的上述实施例仅仅是为了清楚说明本实用新型所作的举例,而并非是对本实用新型的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本实用新型权利要求的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种压辊层压系统,其特征在于,包括掩膜层压装置(1)、放膜装置(2)、传送装置(3)以及掩膜切割装置(6),所述放膜装置(2)用于为所述掩膜层压装置(1)提供掩膜,所述传送装置(3)用于将晶片(10)传送到所述掩膜层压装置(1)上,所述掩膜层压装置(1)包括相对设置的压辊,沿所述压辊的轴向表面上开设有贯穿所述压辊的凹槽,所述压辊能够将所述掩膜层压到所述晶片(10)的上表面,所述压辊的宽度小于所述晶片(10)的宽度,所述掩膜层压装置(1)的下一个工位为所述掩膜切割装置(6),所述掩膜切割装置(6)用于将层压到所述晶片(10)上的所述掩膜按设定尺寸切割。
2.根据权利要求1所述的一种压辊层压系统,其特征在于,还包括搬运装置(5),所述搬运装置(5)位于所述掩膜切割装置(6)的下一个工位上,所述搬运装置(5)用于把切割好所述掩膜的所述晶片(10)运送到下一个工位。
3.根据权利要求2所述的一种压辊层压系统,其特征在于,所述搬运装置(5)包括抓取机构(7)和搬运轮,所述搬运轮用于将切割好所述掩膜的所述晶片(10)从所述掩膜切割装置(6)工位传送到所述抓取机构(7)的下方,所述抓取机构(7)工作时位于所述搬运轮的上方,所述抓取机构(7)用于将所述晶片(10)运送到所述下一个工位。
4.根据权利要求2所述的一种压辊层压系统,其特征在于,还包括卷膜装置,所述卷膜装置用于将切割完剩余的所述掩膜卷起。
5.根据权利要求4所述的一种压辊层压系统,其特征在于,所述卷膜装置包括卷膜轮(9),所述卷膜轮(9)用于将剩余的所述掩膜卷起。
6.根据权利要求1所述的一种压辊层压系统,其特征在于,所述掩膜层压装置(1)与所述掩膜切割装置(6)之间设置有晶片夹持装置(4),所述晶片夹持装置(4)用于将所述晶片(10)传送到所述掩膜切割装置(6)的下方。
7.根据权利要求1所述的一种压辊层压系统,其特征在于,所述凹槽沿所述压辊的周向设置多个。
8.根据权利要求1所述的一种压辊层压系统,其特征在于,所述压辊的材料为金属或树脂。
9.根据权利要求1所述的一种压辊层压系统,其特征在于,所述放膜装置(2)与所述掩膜层压装置(1)之间设置有用于对所述掩膜张紧的张紧轮。
10.根据权利要求1所述的一种压辊层压系统,其特征在于,所述掩膜切割装置(6)为激光切割装置。
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CN201920977877.4U Active CN210553519U (zh) | 2019-06-26 | 2019-06-26 | 一种压辊层压系统 |
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2019
- 2019-06-26 CN CN201920977877.4U patent/CN210553519U/zh active Active
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