CN209456545U - 一种改进的oled蒸镀装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种改进的OLED蒸镀装置，包括由上至下依次设置的基板、掩膜板以及蒸发源，所述掩膜板下方设置有一个准直过滤器，所述准直过滤器包括若干通道，所述准直过滤器的各通道分别与其上方的掩膜板上对应的开口对齐设置。本实用新型不需要改造现有的掩膜板，仅通过本实用新型增加的准直过滤器，即可有效避免有机材料分子沉积到预设区域之外的临近范围，达到消除阴影效应的目的。
Description
技术领域
本实用新型涉及OLED蒸镀技术领域，尤其涉及一种改进的OLED蒸镀装置。
背景技术
目前，改善OLED阴影效应的常规手段主要集中在掩膜板的优化设计方面。由于掩膜板的面积较大，会产生由重力因素导致的掩膜板下垂问题的出现，加大了基板与掩膜板之间的间隙。
常规的OLED装置在蒸镀工艺过程中，由于基板和掩膜板之间存在一定的空隙，升华的有机材料分子会在预设的蒸镀区域之外进行沉积，产生阴影效应，如图1所示，为现有蒸镀装置示意图，有机材料储存在蒸发源中，经高温加热后形成气态分子，沿着圆锥形传播路径扩散，经过掩膜板之后在基板上进行沉积。预设的沉积区域为S1，但是考虑到掩膜板与基板之间存在空隙，有机材料分子也会在目标沉积区域附近位置进行沉积，实际的沉积区域为S2，于是就产生了偏差。而且沉积区域与3-蒸发源所在纵向法线距离越远，S1与S2的偏差越大。
常规方法是减少掩膜板内张网的重量，尽量减小基板与掩膜板之间的距离，以削弱上述问题产生的阴影效应，但是效果均不理想。
实用新型内容
为了解决上述技术问题，本实用新型的目的是提供一种改进的OLED蒸镀装置。
为解决上述技术问题，本实用新型采用如下技术方案：
一种改进的OLED蒸镀装置，包括由上至下依次设置的基板、掩膜板以及蒸发源，所述掩膜板下方设置有一个准直过滤器，所述准直过滤器包括若干通道，所述准直过滤器的各通道分别与其上方的掩膜板上对应的开口对齐设置。
进一步的，所述准直过滤器由金属、玻璃、聚合物或半导体材料制作而成。
进一步的，所述通道具有高高宽比的特性。
进一步的，所述通道的开口与掩膜板的开口形状及大小一样。
进一步的，所述通道的高度是其宽度的五倍以上。
进一步的，所述掩膜板为金属精细掩膜板。
进一步的，所述金属精细掩膜板的材质为因瓦合金。
与现有技术相比，本实用新型的有益技术效果：
不需要改造现有的掩膜板，仅通过本实用新型提供的准直过滤器，即可有效避免有机材料分子沉积到预设区域之外的临近范围，达到消除阴影效应的目的。
附图说明
下面结合附图说明对本实用新型作进一步说明。
图1为现有蒸镀装置示意图；
图2为本实用新型改进的OLED蒸镀装置结构示意图；
图3为图2的局部放大图(用于展示准直过滤器的原理)；
图4为准直过滤器的俯视示意图；
图5为准直过滤器的剖视示意图；
图6为实施例1蒸镀完成后的局部剖面示意图；
图7为对比例1蒸镀完成后的局部剖面示意图；
附图标记说明：1、基板；2-掩膜板；3-蒸发源；4-准直过滤器；5-通道； 6-内壁。
具体实施方式
实施例1
如图2至5所示，一种改进的OLED蒸镀装置，包括由上至下依次设置的基板1、掩膜板2以及蒸发源3，所述掩膜板2下方设置有一个准直过滤器4，所述准直过滤器4包括若干通道5，所述准直过滤器4的各通道5分别与其上方的掩膜板2上对应的开口对齐设置。
本实施例中，所述准直过滤器4由金属、玻璃、聚合物或半导体材料制作而成。所述通道5具有高高宽比的特性，一般所述通道5的高度是其宽度(正方形开口)的五倍以上。所述通道5的开口与掩膜板2的开口形状及大小一样。
所述掩膜板2为金属精细掩膜板，材质为因瓦合金。
本实用新型还提供了一种改进的OLED蒸镀装置改善蒸镀阴影效应的方法，在掩膜板下方设置具有若干通道的上述准直过滤器，从蒸发源升华的有机材料分子经过准直过滤器的通道后，偏离过滤方向一定角度(垂直于基板表面)的有机材料分子会被通道的内壁6所阻挡，无法在再基板1上进行沉积，从而达到实际沉积区域S1与目标区域S2尽量重合的目的，以减少阴影效应。
通过本实施例具体的OLED蒸镀方式如下：
第一步，基板1采用的是玻璃面板，其中的像素大小，即目标蒸镀区域为 50×50um2；
第二步，掩膜板2为金属精细掩膜板，材质为因瓦合金，每个开口大小也为50×50um2；
第三步，将基板1和掩膜板2紧紧贴合后，在掩膜板2下方加入准直过滤器4，其通道5宽度为50×50um2，高度为400um；通过对位机构，将通道5与掩膜板2的开口位置对齐；
第四步，开始有机材料的蒸镀，材料厚度设定为1000nm；
第四步，蒸镀完成后，仅观察到预蒸镀区域四周约0.2um以内范围，沉积上有机材料，如图6所示，为蒸镀完成后的局部剖面示意图。
对比例1
本实施例提供了一种常规的OLED蒸镀方式：
第一步，基板1采用的是玻璃面板，其中的像素大小，即目标蒸镀区域为 50×50um2；
第二步，掩膜板2为金属精细掩膜板，材质为因瓦合金，每个开口大小也为50×50um2；
第三步，将基板1和掩膜板2紧紧贴合后，进行有机材料的蒸镀，材料厚度设定为1000nm；
第四步，蒸镀完成后，观察发现预蒸镀区域四周约5um以内范围均沉积上不同厚度的有机材料，如图7所示，为蒸镀完成后的局部剖面示意图。
由实施例1和对比例1可知，本实用新型不需要改造现有的掩膜板2，主要是通过本实用新型提供的准直过滤器4，能有效避免有机材料分子沉积到预设区域之外的临近范围，大大消除阴影效应。
以上所述的实施例仅是对本实用新型的优选方式进行描述，并非对本实用新型的范围进行限定，在不脱离本实用新型设计精神的前提下，本领域普通技术人员对本实用新型的技术方案做出的各种变形和改进，均应落入本实用新型权利要求书确定的保护范围内。
Claims (7)
1.一种改进的OLED蒸镀装置，包括由上至下依次设置的基板、掩膜板以及蒸发源，其特征在于：所述掩膜板下方设置有一个准直过滤器，所述准直过滤器包括若干通道，所述准直过滤器的各通道分别与其上方的掩膜板上对应的开口对齐设置。
2.根据权利要求1所述的改进的OLED蒸镀装置，其特征在于：所述准直过滤器由金属、玻璃、聚合物或半导体材料制作而成。
3.根据权利要求1所述的改进的OLED蒸镀装置，其特征在于：所述通道具有高高宽比。
4.根据权利要求1所述的改进的OLED蒸镀装置，其特征在于：所述通道的开口与掩膜板的开口形状及大小一样。
5.根据权利要求1、3或4所述的改进的OLED蒸镀装置，其特征在于：所述通道的高度是其宽度的五倍以上。
6.根据权利要求1所述的改进的OLED蒸镀装置，其特征在于：所述掩膜板为金属精细掩膜板。
7.根据权利要求6所述的改进的OLED蒸镀装置，其特征在于：所述金属精细掩膜板的材质为因瓦合金。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201822225755.8U CN209456545U (zh) | 2018-12-28 | 2018-12-28 | 一种改进的oled蒸镀装置 |
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| CN201822225755.8U CN209456545U (zh) | 2018-12-28 | 2018-12-28 | 一种改进的oled蒸镀装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN209456545U true CN209456545U (zh) | 2019-10-01 |
Family
ID=68042641
Family Applications (1)
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| CN201822225755.8U Active CN209456545U (zh) | 2018-12-28 | 2018-12-28 | 一种改进的oled蒸镀装置 |
Country Status (1)
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| CN (1) | CN209456545U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109536888A (zh) * | 2018-12-28 | 2019-03-29 | 湖畔光电科技（江苏）有限公司 | 一种改进的oled蒸镀装置及其改善蒸镀阴影效应的方法 |
| CN113174561A (zh) * | 2021-04-26 | 2021-07-27 | 睿馨（珠海）投资发展有限公司 | 一种掩膜导向板、掩膜系统及蒸镀掩膜方法 |
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2018
- 2018-12-28 CN CN201822225755.8U patent/CN209456545U/zh active Active
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