CN208970546U - 一种led粗化装置 - Google Patents

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康建
刘伟
郑远志
梁旭东
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Abstract

本实用新型提供一种LED粗化装置,包括:具有腔体的可加热装置,压力调节装置和粗化液盛放装置。压力调节装置与腔体的一端连通,以调节所腔体内的气压,腔体的另一端与粗化液盛放装置连通,以在腔体内的气压小于粗化液盛放装置时,使粗化液盛放装置中的粗化液挥发物进入腔体内。这样通过降低腔体内的气压,使其与粗化液盛放装置内的气压形成压差,就能够将粗化液盛放装置中的粗化液挥发物通入到腔体中,实现了对腔体内LED透明导电层的粗化,操作方便,且不易与腐蚀性液体接触,具有较高的安全性,同时与浸入腐蚀液中粗化相比,对粗化过程以及粗化程度具有更高的可控性,是一种安全可控的LED导电层粗化装置。

Description

一种LED粗化装置
技术领域
本实用新型涉及半导体发光二极管(Light-Emitting Diode,LED)领域,尤其涉及一种LED粗化装置。
背景技术
半导体发光二极管相对于目前的发光器件具有效率高、寿命长、抗强力学冲击等特质,而被看作新一代的照明器件,其发光芯片的材料多为III–V族半导体材料,如常见的GaN材料发光芯片,但由于III–V族半导体材料的折射率普遍较高(GaP:3.2,GaN:2.4),会导致LED的发光区域发出的光在经芯片表面出射到空气中时易发生界面全反射现象,只有极少部分的光可以出射到器件外部,而导致LED的外量子效率较低,从而局限了LED替代现有照明器件的发展,因此在功率LED芯片的加工过程中引入表面粗化技术,以增加器件的光提取效率十分必要。
目前,现有的粗化GaN透明半导体层常通过湿法刻蚀来达到粗化效果。其使用的装置包括腐蚀溶液槽、光源模块、通风排气扇以及定时器,腐蚀溶液槽、光源模块、通风排气扇安装在密封箱体的内部,光源模块与通风排气扇安装在箱体的顶部,在密封箱体的箱壁上设置有前面板和观察窗口,定时器安装在密封箱体的前面板上,将镀有透明导电层的LED衬底放入腐蚀溶液槽中,并使用光源模块对齐照射,通过腐蚀配合光源辅助对GaN半导体材料进行粗化加工。
然而,现有的湿法刻蚀多需将待粗化的透明导电层衬底放入硫酸和磷酸的高温腐蚀溶液槽中,设备操作的安全性较差,成本较高,且腐蚀粗化的过程以及程度也较难掌控。
实用新型内容
本实用新型提供一种LED粗化装置,以解决现有技术中湿法刻蚀LED透明导电层设备操作的安全性较低,且粗化过程以及粗化程度不易控制的问题。
一种LED粗化装置,包括:具有腔体的可加热装置,压力调节装置和粗化液盛放装置;
所述压力调节装置与所述腔体的一端连通,以调节所述腔体内的气压,所述腔体的另一端与所述粗化液盛放装置连通,以在所述腔体内的气压小于所述粗化液盛放装置的气压时,使所述粗化液盛放装置中的粗化液挥发物进入所述腔体内。
在本实用新型的具体实施方式中,所述压力调节装置通过第一管路与所述腔体连通,所述第一管路上设有调节阀。
在本实用新型的具体实施方式中,所述粗化液盛放装置通过第二管路与所述腔体连通,所述第二管路上设有控制阀。
在本实用新型的具体实施方式中,所述粗化液盛放装置顶端具有第一通孔,所述第二管路通过所述第一通孔与所述粗化液盛放装置的空腔连通。
在本实用新型的具体实施方式中,所述粗化液盛放装置底部还设有第一控温调节系统,以调节所述粗化液盛放装置内的温度。
在本实用新型的具体实施方式中,还包括:第三管路,所述粗化液盛放装置顶端具有第二通孔,所述第三管路的一端通过所述第二通孔与所述粗化液盛放装置中的粗化液连通。
在本实用新型的具体实施方式中,所述第三管路的另一端与载气装置连通。
在本实用新型的具体实施方式中,所述可加热装置内具有第二控温调节系统,以调节并控制所述腔体的温度。
在本实用新型的具体实施方式中,还包括控制装置,所述控制阀、所述调节阀、所述第二控温调节系统均与所述控制装置相连,以在设定时间内对进入所述腔体的粗化液挥发物流量、所述腔体的压力以及温度进行调节。
在本实用新型的具体实施方式中,所述腔体内设有压力传感装置和温度传感装置,所述压力传感装置与所述控制装置相连,所述温度传感装置与所述控制装置相连。
本实用新型提供的一种LED粗化装置,通过将放置LED晶片的腔体的一端与压力调节装置连通,以降低腔体内气压,并将腔体的另一端与粗化液盛放装置连通,以在腔体内的气压小于粗化液盛放装置时,使粗化液盛放装置中的粗化液挥发物进入腔体内,这样在对LED透明导电层进行粗化时,将该LED晶片放入该腔体内,使用压力调节装置降低腔体内的气压,当腔体内的气压降低时,腔体内的气压和粗化液盛放装置内的气压就会形成气压差,从而使粗化液盛放装置中的粗化液挥发物进入到腔体内,对透明导电层起到腐蚀粗化的作用。因此,与现有的湿法刻蚀相比,本实用新型提供的粗化装置,操作方便,且不易与腐蚀性液体接触,具有较高的安全性,同时通过降低腔体气压,形成气压差来使粗化液挥发物进入腔体内对透明导电层实现腐蚀粗化,与浸入腐蚀液中粗化相比,对粗化过程以及粗化程度具有更高的可控性,通过调节气压也可以对透明导电层的腐蚀程度进行控制。解决了现有技术中湿法刻蚀LED透明导电层设备操作的安全性较低,且粗化过程以及粗化程度不易控制的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本实用新型实施例提供的一种LED粗化装置。
附图标记说明:
可加热装置-10;腔体-11;第二控温调节系统-12;压力调节装置-20;粗化液盛放装置-30;第一控温调节系统-31;第一管路-40;调节阀-41;第二管路-50;控制阀-51;第三管路-60;载气装置-70;控制装置-80。
具体实施方式
为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
本实用新型提供的一种LED粗化装置,用于对LED透明导电层进行粗化,具体的,在衬底上生长外延片后,在清洗后的外延片上蒸镀透明导电层,将该镀有透明导电层的LED晶片放入该LED粗化装置中进行透明导电层的粗化,以减少形成的LED芯片的全反射现象的发生,提高LED芯片的发光功率。
图1是本实用新型实施例提供的一种LED粗化装置的结构示意图。
本实用新型提供的一种LED粗化装置,包括:具有腔体11的可加热装置10,压力调节装置20和粗化液盛放装置30,粗化液盛放装置30用于放置粗化液,该粗化液对LED透明导电层可以起到腐蚀粗化的作用,在本实施例中对该粗化液的材料并无其它要求,能够对LED透明导电层起到腐蚀粗化作用即可,如在本实施例中,LED透明导电层为氧化铟锑(ITO)层,则该粗化液为ITO腐蚀液,该ITO腐蚀液可以是氯化氢和硝酸的混合液,或者也可以是氯化铁和氯化氢的混合液等。当腔体11内分布有粗化液挥发物时,可加热装置10对腔体11进行加热,提高粗化液挥发物的温度,使粗化液挥发物在热辅助的配合下对透明导电层进行腐蚀粗化。
其中,该压力调节装置20与腔体11的一端连通,以调节空腔内的气压,具体的,该压力调节装置20与腔体11的一端连通,以降低腔体11内的气压。腔体11的另一端与粗化液盛放装置30连通,以在腔体11内的气压小于粗化液盛放装置30的气压时,使粗化液盛放装置30中的粗化液挥发物进入腔体11内。将腔体11的一端与压力调节装置20连通,通过压力调节装置20降低腔体11内的气压,而将腔体11的另一端与粗化液盛放装置30连通,使腔体11内的气压小于粗化液盛放装置30内的气压时,能够使粗化液盛放装置30中的粗化液挥发物进入腔体11内,这样在对LED透明导电层进行粗化时,将该LED晶片放入该腔体11内,使用压力调节装置20降低腔体11内的气压,当腔体11内的气压降低时,腔体11内的气压和粗化液盛放装置30内的气压就会形成气压差,从而使粗化液盛放装置30中粗化液挥发物进入到腔体11内,对透明导电层起到腐蚀粗化的作用,此时可通过可加热装置10对腔体11进行加热,提升进入腔体11内粗化液挥发物的温度,在配合热辅助的作用下对透明导电层进行粗化。
因此,本实用新型实施例提供的粗化装置,通过降低腔体11内的气压,使其与粗化液盛放装置30内的气压形成压差,就能够使粗化液盛放装置30中的粗化液挥发物在气压差的作用下进入到腔体11中,实现了对腔体11内LED透明导电层的粗化,与现有的湿法刻蚀相比,操作方便,且不易与腐蚀性液体接触,具有较高的安全性,同时通过降低腔体气压,形成气压差来使粗化液挥发物对透明导电层实现腐蚀粗化,与浸入腐蚀液中粗化相比,对粗化过程以及粗化程度具有更高的可控性,通过调节气压也可以对透明导电层的腐蚀程度进行控制。
具体的,在本实施例中,如图1所示,该LED粗化装置包括可加热装置10、压力调节装置20和粗化液盛放装置30,该可加热装置10具有腔体11,该腔体11是LED透明导电层粗化发生的场所,用于放置LED晶片,压力调节装置20与可加热装置10的腔体11的一端连通,以通过该压力调节装置20降低腔体11内的气压,使腔体11与粗化液盛放装置30的空腔之间形成气压差,腔体11的另一端与粗化液盛放装置30连通,这样,当通过压力调节装置20降低腔体11的气压,使腔体11内的气压小于粗化液盛放装置30的气压时,在压力差的作用下,就使粗化液盛放装置30中的粗化液挥发物进入到该腔体11内,对腔体11内的LED透明层进行腐蚀粗化,在粗化液挥发物进入到腔体11内时,可通过可加热装置10对腔体11进行加热,提升进入腔体11的腐蚀粗化液挥发物的温度,以使粗化液挥发物在热辅助的作用下对透明导电层进行粗化,提升粗化效率。
需要说明的是,在本实施例中,对该压力调节装置20的类型以及大小并无其它要求,能够对腔体11内的气压进行调节,以降低腔体11内气压与粗化液盛放装置30形成气压差即可,如该压力调节装置20可以是通过抽取真空降低腔体气压的机械泵。
在本实施例中,对粗化液盛放装置30的类型以及大小等也并无其它要求,能够实现其功能即可,由于粗化液多为腐蚀性较强的液体,因此该粗化液盛放装置30应该具有良好的耐腐蚀性能,该粗化液盛放装置可以是粗化液存储瓶、粗化液槽等。
在本实施例中,对可加热装置10的类型也不做限制,该可加热装置10具有腔体11且能够实现其加热的功能即可,其中,在本实施例中,为便于在腔体11中放入或取出LED晶片,可加热装置10上还设有与腔体11相连的腔室门,该腔室门上可设置锁紧把手,以便于关闭腔室门使腔体11形成一个密闭空间,该腔室门以及锁紧把手的大小以及种类在本实施例中也不做限制,具体的,可根据实际的使用情况进行选择设定。
本实用新型提供一种LED粗化装置,通过将放置LED晶片的腔体11的一端与压力调节装置20连通,以降低腔体11内气压,并将腔体11的另一端与粗化液盛放装置30连通,以在腔体11内的气压小于粗化液盛放装置30的气压时,使粗化液盛放装置30中的粗化液挥发物进入腔体11内,这样在对LED透明导电层进行粗化时,将该LED晶片放入该腔体11内,使用压力调节装置20降低腔体11内的气压,当腔体11内的气压降低时,腔体11内的气压和粗化液盛放装置30内的气压就会形成气压差,从而在气压差的作用下使粗化液盛放装置30中的粗化液挥发物进入到腔体11内,对透明导电层起到腐蚀粗化的作用,此时可通过可加热装置10对腔体11进行加热,提升进入腔体11内粗化液挥发物的温度,在配合热辅助的作用下对透明导电层进行粗化。因此,本实用新型实施例提供的粗化装置,通过降低腔体11内的气压,使其与粗化液盛放装置30内的气压形成压差,就能够将粗化液盛放装置30中的粗化液挥发物通入到腔体11中,实现了对腔体内LED透明导电层的粗化,与现有的湿法刻蚀相比,操作方便,且不易与腐蚀性液体接触,具有较高的安全性,同时通过降低腔体气压,形成气压差来使粗化液挥发物对透明导电层实现腐蚀粗化,与浸入腐蚀液中粗化相比,对粗化过程以及粗化程度具有更高的可控性,通过调节气压也可以对透明导电层的腐蚀程度进行控制。解决了现有技术中湿法刻蚀LED透明导电层设备操作的安全性较低,且粗化过程以及粗化程度不易控制的问题。
进一步的,在本实施例中,压力调节装置20通过第一管路40与腔体11连通,第一管路40上设有调节阀41。通过第一管路40将压力调节装置20和腔体11连通,就能够通过压力调节装置20来控制腔体11内的气压,在第一管路40上设置调节阀41,通过控制该调节阀41的开合程度,就能够实现对腔体11内压力的调节与控制,有助于提升对LED透明导电层腐蚀过程以及腐蚀程度的可控性。具体的,如图1所示,第一管路40的一端与腔体11连通,第一管路40的另一端与压力调节装置20连通,从而实现通过压力调节装置20降低腔体11内的气压,第一管路40上设有调节阀41,通过控制调节阀41就可对腔体11内的气压实现控制。
其中,在本实施例中,对第一管路40的材料、形状等并无其它要求,能够将压力调节装置20和腔体11连通即可,由于腔体11内会分布具有热度的、腐蚀性的粗化液挥发物,该挥发物也会进入第一管路40中,因此,该第一管路40应该具有较好的耐腐蚀性,以及耐高温性。
在本实施例中,对调节阀41的种类、形状以及大小等也并无其它要求,能够实现其功能即可,该调节阀41可以为现有的各种阀门,如蝶阀、球形阀、角形阀等。
进一步的,在本实施例中,粗化液盛放装置30通过第二管路50与腔体11连通,第二管路50上设有控制阀51。通过第二管路50将粗化液盛放装置30和腔体11连通,就能够在腔体11内的气压小于粗化液盛放装置30的气压时,在气压差的作用下,使粗化液盛放装置30中的粗化液挥发物通过第二管路50进入腔体11中,从而实现对透明导电层的粗化。在第二管路50上设置控制阀51,该控制阀51可对气体的流通与关闭,以及气体的流量等进行控制,从而控制进入腔体11内粗化液挥发气体的流量等,有助于实现对腔体11内的LED透明导电层粗化过程以及粗化程度的控制,提升粗化的可控性。
具体的,如图1所示,第二管路50的一端与腔体11连通,第二管路50的另一端与粗化液盛放装置30连通,在腔体11内的气压小于粗化液盛放装置30的气压时,在气压差的作用下,就能够使粗化液盛放装置30中的粗化液挥发物通过第二管路50进入腔体11中,该第二管路50上设有控制阀51,通过控制阀51的控制有助于实现对粗化程度以及粗化过程的控制。
其中,在本实施例中,对第二管路50的材料、形状等并无其它要求,能够将腔体11和粗化液盛放装置30连通即可,由于粗化液挥发物经过该第二管路50进入腔体11内,因此,该第二管路50应该具有良好的耐腐蚀性,同时也应该具有耐高温性。
在本实施例中,对控制阀51的种类、形状以及大小等也并无其它要求,能够实现其功能即可,该控制阀51可以为现有的各种阀门,如蝶阀、球形阀、角形阀等。需要说明的是,在本实施例中,控制阀51和调节阀41的种类可以相同,也可以不同。
进一步的,在本实施例中,粗化液盛放装置30顶端具有第一通孔,第二管路50通过第一通孔与粗化液盛放装置30的空腔连通。具体的,如图1所示,粗化液盛放装置30的顶端开设有第一通孔,第二管路50通过第一通孔与粗化液盛放装置30的空腔连通,这样在气压差的作用下,粗化液盛放装置30中的粗化液挥发物就可以通过第一通孔,进入第二管路50中,进而通过第二管路50进入腔体11中,以实现对腔体内的LED透明导电层的粗化。
其中,在本实施例中,对第一通孔的形状、大小等不做限制,能够实现其功能即可,具体的,第一通孔可根据第二管路的形状以及大小等进行设定。
进一步的,在本实施例中,粗化液盛放装置30底部还设有第一控温调节系统31,以调节粗化液盛放装置30内的温度。粗化液调节装置的底部设有第一控温调节系统31,该控温调节系统用于调节粗化液盛放装置30中的温度,具体的,该控温系统用于调节并控制粗化液盛放装置30中的温度升高,从而更有助于粗化液的挥发,并且使粗化液的挥发物具有一定的温度,进入腔体后,在温度的辅助作用下进行腐蚀粗化,有助于提高粗化的效率。
其中,在本实施例中,该第一控温调节系统31所包括的装置部件以及连接关系可参见现有技术中的控温调节系统,在本实施例中不做具体限制,能够实现对温度的调节与控制即可。
进一步的,在本实施例中,该LED粗化装置还包括:第三管路60,粗化液盛放装置30顶端具有第二通孔,第三管路60的一端通过第二通孔与粗化液盛放装置30中的粗化液连通。在粗化液盛放装置30的顶端还开设有第二通孔,第三管路60通过该第二通孔与粗化液盛放装置30中的粗化液连通,这样当腔体11内的气压小于粗化液盛放装置30的气压时,在气压差的作用下,使粗化液盛放装置30中的粗化液挥发物通过第二管路50进入腔体11中,从而使粗化液盛放装置内的气压也降低,与外界环境间形成气压差,使外界气体从第三管路60通过第二通孔进入粗化液中,加快粗化液的挥发并将粗化液挥发物带入腔体中,以实现对透明导电层的粗化,有助于提高粗化的效率。
具体的,如图1所示,在本实施例中,粗化液盛放装置30的顶端具有第二通孔,第三管路60通过第二通孔与粗化液盛放装置30中的粗化液连通,这样当粗化液盛放装置30中的气压有所降低时,外界的气体就会通过第三管路60进入粗化液中促进粗化液的挥发并将粗化液挥发物带入腔体11中。
进一步的,在本实施例中,第三管路60的另一端与载气装置70连通。将第三管路60的另一端与载气装置70连通,而第三管路60的一端通过第三通孔与粗化液连通,这样当腔体11内的气压小于粗化液盛放装置30的气压时,在气压差的作用下,使粗化液盛放装置30中的粗化液挥发物通过第二管路50进入腔体11中,从而使粗化液盛放装置内的气压有所降低,与与之相连通的载气装置70中的气压就形成了气压差,使载气气体从第三管路60通过第二通孔进入粗化液中,加快粗化液的挥发并将粗化液挥发物带入腔体11中,有助于提高粗化的效率。
其中,在本实施例中,对载气气体的种类不做具体限制,能够不与粗化液发生反应,将粗化液挥发物带入腔体中即可,具体的,载气气体可以为氮气、氖气等具有一定惰性的气体。
进一步的,在本实施例中,可加热装置10内具有第二控温调节系统12,以调节并控制腔体11的温度。在可加热装置10中设置第二控温调节系统12,该第二控温调节系统12用于调节并控制腔体11的温度,具体的,用于调节升高腔体11内的温度,并控制腔体11维持在该温度,以使进入腔体11内的粗化液挥发物具有一定温度,提升对透明导电层的粗化效率,同时也可通过有效的控制腔体内温度,提升对粗化过程的可控性。
进一步的,在本实施例中,该LED粗化装置还包括控制装置80,控制阀51、调节阀41、第二控温调节系统12均与控制装置80相连,以在设定时间内对腔体11进行压力以及温度的调节。将控制阀51、调节阀41以及第二控温调节系统12均与控制装置80相连,这样就能够通过控制装置80来控制腔体压力、进入腔体内粗化液载气的流量、腔体加热温度以及维持的时间,从而能够在设定的时间内对腔体的压力以及温度进行调节,实现对粗化过程的可控性以及自动控制性能,进而提升LED透明导电层粗化的可控性,并且使对粗化过程以及程度的控制更加的自动化,更加的准确。
具体的,在本实施例中,对进入腔体的粗化液挥发物流量、腔体的压力以及温度的调节具体设定时间可根据实际的粗化需求进行选择,如可在200s-250s内按照90℃-95℃加热该腔体,并将氮气作为载气按照200sccm-300sccm的气流量,将透明导电层腐蚀液的挥发物带入腔体中,对透明导电层进行腐蚀粗化,这样得到的透明导电层的粗糙度为90-100nm。而在400s-500s内按照70℃-80℃加热腔体,将氮气作为载气按照200sccm-300sccm的载气流量,将透明导电层腐蚀液的挥发物带入腔体中,对透明导电层进行腐蚀粗化,这样得到的透明导电层的粗糙度为200-300nm。
需要说明的是,在本实施例中,第一控温调节系统31还可以与该控制装置80相连,以实现对粗化液盛放装置30温度调控的自动控制。
进一步的,在本实施例中,腔体11内设有压力传感装置和温度传感装置,压力传感装置与控制装置80相连,温度传感装置与控制装置80相连。在腔体11内设置压力传感装置和温度传感装置,就可以对腔体11内的温度以及压力进行实时的监测,以便于控制装置80通过控制调节阀41、控制阀51和第二控温调节系统12,对腔体11内的压力以及温度进行调节。
需要说明的是,为便于工作人员对当前腔体内的压力以及温度进行观察,以便于对粗化过程进行控制,在本实施例中,在该可升温装置上还设有温度压力显示表,该温度压力显示表可与压力传感装置和温度传感装置相连,以显示当前腔体内的温度和压力。
本实用新型实施例提供的一种LED粗化装置,将其应用于小功率芯片粗化时,可以将此晶片制作成300um×300um面积的芯片并减薄切割,通过SMD2835进行封装测试后,通过该LED粗化装置粗化的LED透明导电层制成的芯片的光功率比没有粗化的高3%-5%,光效提升了3%-5%。将该装置用在大功率芯片粗化时,可以将此晶片制作成1000um×1000um面积的芯片并减薄切割,通过带有散热基板的大功率封装模具进行封装测试后,通过该LED粗化装置粗化的LED透明导电层制成的芯片的光功率比没有粗化的高7%-10%,光效提升了6%-9%,上述结果表明了,本实用新型实施例提供的LED粗化装置,具有很好的适用性,且经过该粗化装置粗化后制成LED芯片具有更高的光提取效率。
在本实用新型的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。
在本实用新型的描述中,需要理解的是,本文中使用的术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形,意图在于覆盖不排他的包含,例如,包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元,而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等应做广义理解,例如可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成为一体;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以使两个元件内部的相连或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。此外,术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。
最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本实用新型的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本实用新型进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种LED粗化装置,其特征在于,包括:具有腔体的可加热装置,压力调节装置和粗化液盛放装置;
所述压力调节装置与所述腔体的一端连通,以调节所述腔体内的气压,所述腔体的另一端与所述粗化液盛放装置连通,以在所述腔体内的气压小于所述粗化液盛放装置的气压时,使所述粗化液盛放装置中的粗化液挥发物进入所述腔体内。
2.根据权利要求1所述的LED粗化装置,其特征在于,所述压力调节装置通过第一管路与所述腔体连通,所述第一管路上设有调节阀。
3.根据权利要求2所述的LED粗化装置,其特征在于,所述粗化液盛放装置通过第二管路与所述腔体连通,所述第二管路上设有控制阀。
4.根据权利要求3所述的LED粗化装置,其特征在于,所述粗化液盛放装置顶端具有第一通孔,所述第二管路通过所述第一通孔与所述粗化液盛放装置的空腔连通。
5.根据权利要求4所述的LED粗化装置,其特征在于,所述粗化液盛放装置底部还设有第一控温调节系统,以调节所述粗化液盛放装置内的温度。
6.根据权利要求4所述的LED粗化装置,其特征在于,还包括:第三管路,所述粗化液盛放装置顶端具有第二通孔,所述第三管路的一端通过所述第二通孔与所述粗化液盛放装置中的粗化液连通。
7.根据权利要求6所述的LED粗化装置,其特征在于,所述第三管路的另一端与载气装置连通。
8.根据权利要求7所述的LED粗化装置,其特征在于,所述可加热装置内具有第二控温调节系统,以调节并控制所述腔体的温度。
9.根据权利要求8所述的LED粗化装置,其特征在于,还包括控制装置,所述控制阀、所述调节阀、所述第二控温调节系统均与所述控制装置相连,以在设定时间内对进入所述腔体的粗化液挥发物流量、所述腔体的压力以及温度进行调节。
10.根据权利要求9所述的LED粗化装置,其特征在于,所述腔体内设有压力传感装置和温度传感装置,所述压力传感装置与所述控制装置相连,所述温度传感装置与所述控制装置相连。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117758208A (zh) * 2023-12-26 2024-03-26 聚灿光电科技(宿迁)有限公司 一种粗化ito膜层制备装置及制备方法
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