CN107123705B - 一种发光二极管的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种发光二极管的制备方法，属于光电子技术领域。该制备方法包括提供一衬底，在衬底上外延生长缓冲层、N型腐蚀停层、N型欧姆接触层、N型电流扩展层、有源层、P型限制层、P型电流扩展层、P型欧姆接触层，在P型欧姆接触层上制作金属反射层，将金属反射层粘合到基板上，依次去除衬底、缓冲层和N型腐蚀停层，制作第一电极，去除部分N型欧姆接触层，在N型电流扩展层上形成SiO2层和Ag纳米颗粒层，刻蚀SiO2层和N型电流扩展层，进行粗化处理，可以在N型电流扩展层的表面刻蚀出纳米柱结构，形成颗粒小，分布均匀且高度较高的表面，避免了粗化不均匀导致的发光二极管亮度不均匀的情况。
Description
技术领域
本发明涉及光电子技术领域，特别涉及一种发光二极管的制备方法。
背景技术
发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)作为光电子产业中极具影响力的新产品，具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点，广泛应用于照明、显示屏、信号灯、背光源、玩具等领域。
为了提高发光二极管的出光率，在制作发光二极管的过程中，通常会对位于出光侧的电流扩展层进行粗化处理，即通过化学腐蚀的方式使电流扩展层表面形成微观的粗糙结构。电流扩展层在进行粗化处理后表面会呈颗粒状，粗糙度增加，可以减少光在电流扩展层中的全反射，从而提高出光率，提高发光二极管的亮度。
电流扩展层中的Al组分的含量会影响到颗粒的大小，Al组分越高，粗化后形成的颗粒会越小，高度也低，但是Al组分过高会导致芯片出现漏电。为了避免出现芯片漏电，现有的电流扩展层中Al组分的含量都比较低，这就使得粗化后会出现颗粒过大、粗化不均匀等问题，从而导致发光二极管亮度不均匀。
发明内容
为了解决电流扩展层粗化不均匀导致的发光二极管亮度不均匀的问题，本发明实施例提供了一种发光二极管的制备方法。所述技术方案如下：
本发明实施例提供了一种发光二极管的制备方法，所述制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长缓冲层、N型腐蚀停层、N型欧姆接触层、N型电流扩展层、N型限制层、有源层、P型限制层、P型电流扩展层和P型欧姆接触层；
在所述P型欧姆接触层上制作金属反射层；
提供一基板；
将所述金属反射层粘合到所述基板上；
依次去除所述衬底、所述缓冲层和所述N型腐蚀停层，以露出所述N型欧姆接触层；
在所述N型欧姆接触层上制作第一电极；
去除所述N型欧姆接触层中未被所述第一电极覆盖的部分，以露出所述N型电流扩展层；
在所述N型电流扩展层和所述第一电极上形成SiO2层；
在所述SiO2层上形成Ag纳米颗粒层；
以所述Ag纳米颗粒层作为遮挡，对所述SiO2层进行刻蚀，且刻蚀深度不小于所述SiO2层的厚度；
刻蚀所述N型电流扩展层，且刻蚀深度小于所述N型电流扩展层的厚度；
对所述N型电流扩展层进行粗化处理；
在所述基板的背向所述金属反射层的一侧面上制作第二电极。
优选地，所述SiO2层的厚度大于所述N型欧姆接触层和所述第一电极的厚度之和。
进一步地，所述在所述SiO2层上形成Ag纳米颗粒层，包括：
在所述SiO2层上形成Ag层；
对所述Ag层进行退火处理，以形成所述Ag纳米颗粒层。
优选地，在所述对所述N型电流扩展层进行粗化处理之前，所述制备方法还包括：
去除残留的所述SiO2层和Ag纳米颗粒层。
优选地，采用氢氧化钾溶液或氢氟酸溶液去除残留的所述SiO2层和Ag纳米颗粒层。
优选地，采用气体对所述SiO2层进行反应离子刻蚀。
进一步地，采用气体对所述N型电流扩展层进行反应耦合等离子体刻蚀。
优选地，所述SiO2层的厚度为40～100nm。
可选地，所述Ag层的厚度为10～30nm。
可选地，所述N型电流扩展层的生长温度为670～685℃。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：通过先在衬底上依次外延生长缓冲层、N型腐蚀停层、N型欧姆接触层、N型电流扩展层、N型限制层、有源层、P型限制层、P型电流扩展层和P型欧姆接触层，以完成对外延层的制作，再通过在P型欧姆接触层上形成的金属反射层将外延层转移到基板上，并依次去除衬底、缓冲层和N型腐蚀停层，以露出N型欧姆接触层，缓冲层可以有利于外延层的生长，N型腐蚀停层可以避免在去除衬底和缓冲层时，N型欧姆接触层受到腐蚀。在N型欧姆接触层上制作完成第一电极后，去除N型欧姆接触层中未被第一电极覆盖的部分，从而将N型电流扩展层露出。通过在N型电流扩展层上形成SiO2层和Ag纳米颗粒层，并对SiO2层进行刻蚀，由于Ag纳米颗粒层中的Ag纳米颗粒分布在SiO2层上，因此在对SiO2层进行刻蚀时，会先从Ag纳米颗粒之间的缝隙间向SiO2层进行刻蚀，同时又由于刻蚀深度不小于SiO2层的厚度，因此可以将SiO2层刻蚀成分布在N型电流扩展层上的锥形结构。通过刻蚀N型电流扩展层，由于N型电流扩展层上分布有由SiO2层形成的锥形结构，因此在刻蚀N型电流扩展层的过程中，会先从锥形结构之间的缝隙间向N型电流扩展层进行刻蚀，同时由于刻蚀深度小于N型电流扩展层的厚度，因此可以在N型电流扩展层的表面刻蚀出均匀分布的锥形的纳米柱结构，通过对N型电流扩展层进行粗化处理，由于N型电流扩展层的表面被刻蚀出了均匀分布的纳米柱结构，因此在粗化处理的过程中，粗化液会先从纳米柱之间的间隙向N型电流扩展层进行腐蚀，使得N型电流扩展层的表面不同位置的腐蚀深度不同，从而可以形成颗粒小，分布均匀且高度较高的表面，避免了粗化不均匀导致的发光二极管亮度不均匀的情况。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种发光二极管的制备方法的流程图；
图2是本发明实施例提供的另一种发光二极管的制备方法的流程图；
图3～图24是本发明实施例提供的发光二极管制作过程中的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
图1是本发明实施例提供的一种发光二极管的制备方法的流程图，如图1所示，该制备方法包括：
S101：提供一衬底。
S102：在衬底上依次生长缓冲层、N型腐蚀停层、N型欧姆接触层、N型电流扩展层、N型限制层、有源层、P型限制层、P型电流扩展层和P型欧姆接触层。
S103：在P型欧姆接触层上制作金属反射层。
S104：提供一基板。
S105：将金属反射层粘合到基板上。
S106：依次去除衬底、缓冲层和N型腐蚀停层，以露出N型欧姆接触层。
S107：在N型欧姆接触层上制作第一电极。
S108：去除N型欧姆接触层中未被第一电极覆盖的部分，以露出N型电流扩展层。
S109：在N型电流扩展层和第一电极上形成SiO2层。
S110：在SiO2层上形成Ag纳米颗粒层。
S111：以Ag纳米颗粒层作为遮挡，对SiO2层进行刻蚀，且刻蚀深度不小于SiO2层的厚度。
S112：刻蚀N型电流扩展层，且刻蚀深度小于N型电流扩展层的厚度。
S113：对N型电流扩展层进行粗化处理。
S114：在基板的背向金属反射层的一侧面上制作第二电极。
通过先在衬底上依次外延生长缓冲层、N型腐蚀停层、N型欧姆接触层、N型电流扩展层、N型限制层、有源层、P型限制层、P型电流扩展层和P型欧姆接触层，以完成对外延层的制作，再通过在P型欧姆接触层上形成的金属反射层将外延层转移到基板上，并依次去除衬底、缓冲层和N型腐蚀停层，以露出N型欧姆接触层，缓冲层可以有利于外延层的生长，N型腐蚀停层可以避免在去除衬底和缓冲层时，N型欧姆接触层受到腐蚀。在N型欧姆接触层上制作完成第一电极后，去除N型欧姆接触层中未被第一电极覆盖的部分，从而将N型电流扩展层露出。通过在N型电流扩展层上形成SiO2层和Ag纳米颗粒层，并对SiO2层进行刻蚀，由于Ag纳米颗粒层中的Ag纳米颗粒分布在SiO2层上，因此在对SiO2层进行刻蚀时，会先从Ag纳米颗粒之间的缝隙间向SiO2层进行刻蚀，同时又由于刻蚀深度不小于SiO2层的厚度，因此可以将SiO2层刻蚀成分布在N型电流扩展层上的锥形结构。通过刻蚀N型电流扩展层，由于N型电流扩展层上分布有由SiO2层形成的锥形结构，因此在刻蚀N型电流扩展层的过程中，会先从锥形结构之间的缝隙间向N型电流扩展层进行刻蚀，同时由于刻蚀深度小于N型电流扩展层的厚度，因此可以在N型电流扩展层的表面刻蚀出均匀分布的锥形的纳米柱结构，通过对N型电流扩展层进行粗化处理，由于N型电流扩展层的表面被刻蚀出了均匀分布的纳米柱结构，因此在粗化处理的过程中，粗化液会先从纳米柱之间的间隙向N型电流扩展层进行腐蚀，使得N型电流扩展层的表面不同位置的腐蚀深度不同，从而可以形成颗粒小，分布均匀且高度较高的表面，避免了粗化不均匀导致的发光二极管亮度不均匀的情况。
图2是本发明实施例提供的另一种发光二极管的制备方法的流程图，下面结合附图3～19对图2提供的制备方法进行详细说明：
S201：提供一衬底。
实现时，该衬底可以是GaAs衬底，GaAs衬底是一种常见的衬底，也是红黄光发光二极管常用的衬底。
在步骤S21中，可以对GaAs衬底进行预处理，具体可以包括将GaAs衬底依次在三氯乙烯、丙酮、乙醇中超声清洗10分钟，去除表面有机物，然后在去离子水中超声清洗15分钟后用氮气吹干，最后高温退火去除GaAs衬底表面的氧化薄膜。
S202：在衬底上外延生长缓冲层。
如图3所示，在衬底10上生长N型GaAs缓冲层20。
其中，N型GaAs缓冲层20的厚度可以为150nm～300nm，生长的N型GaAs缓冲层20的厚度不同，最终形成的外延层的质量也会不同，若N型GaAs缓冲层20的厚度过薄，则会导致N型GaAs缓冲层20的表面较为疏松和粗糙，不能为后续结构的生长提供一个好的模板，随着N型GaAs缓冲层20厚度的增加，N型GaAs缓冲层20的表面逐渐变得较为致密和平整，有利于后续结构的生长，但是若N型GaAs缓冲层20的厚度过厚，则会导致N型GaAs缓冲层20的表面过于致密，同样不利于后续结构的生长，无法减少外延层中的晶格缺陷。
具体地，生长N型GaAs缓冲层20时，控制砷烷(AsH3)和金属有机源的摩尔流量比(V/III比)为20～30，生长速率可以控制在0.5～0.8nm/s，生长温度可以为650～670℃，其中砷烷可以为纯度在99.9999％以上的电子特气。
S203：在缓冲层上外延生长N型腐蚀停层。
如图4所示，在N型GaAs缓冲层20上生长N型GaInP腐蚀停层30。
具体地，N型GaInP腐蚀停层30的厚度可以为200nm～300nm。
进一步地，生长N型GaInP腐蚀停层30时，控制磷烷(PH3)和金属有机源的摩尔流量比(V/III比)为20～30，生长速率可以控制在0.5～0.6nm/s，生长温度可以为650～670℃，其中磷烷可以为纯度在99.9999％以上的电子特气。
S204：在N型腐蚀停层上外延生长N型欧姆接触层。
如图5所示，在N型GaInP腐蚀停层30上生长N型GaAs欧姆接触层40。
具体地，N型GaAs欧姆接触层40的厚度可以为30nm～60nm。
进一步地，生长N型GaAs欧姆接触层40时，控制砷烷(AsH3)和金属有机源的摩尔流量比(V/III比)为20～30，生长速率可以控制在0.5～0.8nm/s，生长温度可以为650～670℃，其中砷烷可以为纯度在99.9999％以上的电子特气。
可选地，N型GaAs欧姆接触层40中的载流子浓度可以为4E18cm-3～6E18cm-3。
S205：在N型欧姆接触层上外延生长N型电流扩展层。
如图6所示，在N型GaAs欧姆接触层40上生长N型AlGaInP电流扩展层50。
具体地，N型AlGaInP电流扩展层50的厚度可以为2.5μm～3.5μm，若N型AlGaInP电流扩展层50的厚度过薄，会使得N型AlGaInP电流扩展层50的横向的电阻增大，降低电流的扩展能力，若N型AlGaInP电流扩展层50的厚度过厚，则会增加对光的吸收，降低出光率，使发光二极管亮度降低，翘曲变大，碎片率增加。
进一步地，生长N型AlGaInP电流扩展层50时，控制磷烷(PH3)和金属有机源的摩尔流量比(V/III比)为20～30，生长速率可以控制在0.45～0.55nm/s，生长温度可以为670～685℃，其中磷烷可以为纯度在99.9999％以上的电子特气。
可选地，N型AlGaInP电流扩展层50中的载流子浓度可以为1E18cm-3～2E18cm-3。
S206：在N型电流扩展层上外延生长N型限制层。
如图7所示，在N型AlGaInP电流扩展层50上生长N型AlInP限制层60。
具体地，N型AlInP限制层60的厚度可以为250nm～350nm。
进一步地，生长N型AlInP限制层60时，控制磷烷(PH3)和金属有机源的摩尔流量比(V/III比)为20～30，生长速率可以控制在0.45～0.55nm/s，生长温度可以为670～685℃，其中磷烷可以为纯度在99.9999％以上的电子特气。
可选地，N型AlInP限制层60中的载流子浓度可以为1E18cm-3～2E18cm-3。
S207：在N型限制层上外延生长有源层。
如图8所示，在N型AlInP限制层60上生长有源层70。
具体地，有源层70的厚度可以为150nm～200nm。
进一步地，生长有源层70时，控制磷烷(PH3)和金属有机源的摩尔流量比(V/III比)为20～30，生长速率可以控制在0.45～0.55nm/s，生长温度可以为670～685℃，其中磷烷可以为纯度在99.9999％以上的电子特气。
S208：在有源层上外延生长P型限制层。
如图9所示，在有源层70上生长P型AlInP限制层80。
具体地，P型AlInP限制层80的厚度可以为250nm～350nm。
进一步地，生长P型AlInP限制层80时，控制磷烷(PH3)和金属有机源的摩尔流量比(V/III比)为20～30，生长速率可以控制在0.45～0.55nm/s，生长温度可以为670～685℃，其中磷烷可以为纯度在99.9999％以上的电子特气。
可选地，P型AlInP限制层80中的载流子浓度可以为7E17cm-3～9E17cm-3。
S209：在P型限制层上外延生长P型电流扩展层。
如图10所示，在P型AlInP限制层80上生长P型GaP电流扩展层90。
具体地，P型GaP电流扩展层90的厚度可以为1.5μm～2.5μm。
进一步地，生长P型GaP电流扩展层90时，控制磷烷(PH3)和金属有机源的摩尔流量比(V/III比)为20～30，生长速率可以控制在2.5～3nm/s，生长温度可以为695～710℃，其中磷烷可以为纯度在99.9999％以上的电子特气。
可选地，P型GaP电流扩展层90中的载流子浓度可以为2E18cm-3～5E18cm-3。
S210：在P型电流扩展层上外延生长P型欧姆接触层。
如图11所示，在P型GaP电流扩展层90上生长P型欧姆接触层100。
具体地，P型欧姆接触层100的厚度可以为30nm～60nm。
可选地，P型欧姆接触层100中的载流子浓度可以为3E19cm-3～8E19cm-3。
S211：在P型欧姆接触层上制作金属反射层。
如图12所示，在P型欧姆接触层100上制作金属反射层110。
金属反射层110可以将发光二极管发出的光向出光侧反射，从而提高出光率，使发光二极管的亮度得到提升。
S212：提供一基板。
实现时，该基板可以是硅基板。
S213：将金属反射层粘合到基板上。
如图13所示，将金属反射层110粘合到基板120上。
通过金属反射层110将外延层转移到基板120上后，从而可以去除GaAs衬底10，避免GaAs材料对光的吸收。
S214：依次去除衬底、缓冲层和N型腐蚀停层。
如图14所示，依次去除衬底10、N型GaAs缓冲层20和N型GaInP腐蚀停层30，以露出N型GaAs欧姆接触层40。
具体地，可以通过腐蚀液将衬底10、N型GaAs缓冲层20和N型GaInP腐蚀停层30依次腐蚀去除。
实现时，腐蚀液可以为双氧水和盐酸。
S215：制作第一电极。
如图15所示，在N型GaAs欧姆接触层40上制作第一电极131。
具体地，可以先在N型GaAs欧姆接触层40上蒸镀电极材料，再通过刻蚀去除部分电极材料，以形成第一电极131。
S216：去除部分N型欧姆接触层。
如图16所示，去除N型GaAs欧姆接触层40中未被第一电极131覆盖的部分，以露出N型AlGaInP电流扩展层50。
具体地，可以通过光刻去除位于第一电极131之外的N型GaAs欧姆接触层40，从而将N型AlGaInP电流扩展层50露出。
S217：在N型电流扩展层和第一电极131上形成SiO2层。
如图17所示，在N型AlGaInP电流扩展层50和第一电极131上形成一层SiO2层141。
实现时，SiO2层141的厚度大于N型欧姆接触层和第一电极131的厚度之和。以使SiO2层141可以覆盖住第一电极131，从而对第一电极131提供保护。
具体地，SiO2层141的厚度可以为40～100nm，优选为70nm。SiO2层141的厚度过薄则可能无法将第一电极131完全覆盖，使得在后续的形成Ag纳米颗粒层的过程中第一电极131被损坏，SiO2层141的厚度过厚则在后续的刻蚀SiO2层141的过程中，会延长刻蚀的时间，增加刻蚀的成本。
S218：在SiO2层上形成Ag纳米颗粒层。
如图18和图19所示，在SiO2层141上形成Ag纳米颗粒层142a，可以包括：
在SiO2层141上形成Ag层142。
对Ag层142进行退火处理，以形成Ag纳米颗粒层142a。
实现时，Ag层142的厚度可以为10～30nm，优选为20nm。Ag层142的厚度越薄，则形成的Ag纳米颗粒层142a中的Ag纳米颗粒142b的直径越小，Ag纳米颗粒142b之间的间距也越小，在SiO2层141上形成的锥形结构之间的间距和锥形结构的底面直径也越小，从而使N型AlGaInP电流扩展层50上形成的纳米柱结构也越小，Ag层142越厚，则形成的Ag纳米颗粒142b的直径越大，在SiO2层141上形成的锥形结构之间的间距和锥形结构的底面直径也越大，N型AlGaInP电流扩展层50上形成的纳米柱结构也越大，通过选择合适的Ag层142的厚度可以使N型AlGaInP电流扩展层50上形成满足制作要求的纳米柱结构。
可选地，退火处理的温度可以为0.5～3min，优选为1min，Ag层142的厚度越厚，则退火处理的时间也应该越长，以确保能够形成Ag纳米颗粒层142a。
可选地，退火温度可以为480～510℃，优选为495℃，Ag层142的厚度越厚，则退火处理的温度也应该越高，以确保能够形成Ag纳米颗粒层142a。
实现时，可以将待制作的发光二极管置于快速退火炉中进行退火处理，以在SiO2层141上形成Ag纳米颗粒层142a。
S219：以Ag纳米颗粒层作为遮挡，对SiO2层进行刻蚀，且刻蚀深度不小于SiO2层的厚度。
如图20所示，刻蚀SiO2层141，以在N型AlGaInP电流扩展层50上形成锥形结构的SiO2。
实现时，可以采用气体对SiO2层141进行反应离子刻蚀。
具体地，可以采用CHF3、CF4的混合气体或是CF4、H2的混合气体进行刻蚀。
如图20所示，在刻蚀SiO2层141后，可能会有部分Ag纳米颗粒142b残留在锥形结构的SiO2上。
需要说明的是，在刻蚀SiO2层141的过程中，可以不对位于第一电极141上方的SiO2层141进行刻蚀，从而既可以提高刻蚀的效率，又可以通过第一电极141上的SiO2层141对第一电极141提供保护。
S220：刻蚀N型电流扩展层。
如图21所示，刻蚀N型AlGaInP电流扩展层50，以在N型AlGaInP电流扩展层50的表面刻蚀出锥形的纳米柱结构50a。
需要说明的是，刻蚀深度应小于N型电流扩展层的厚度，以确保只有部分N型电流扩展层被刻蚀。
实现时，可以采用气体对N型电流扩展层进行反应离子刻蚀。
具体地，可以采用HBr和Ar的混合气体进行刻蚀。
如图21所示，在刻蚀N型AlGaInP电流扩展层50后，可能会有部分SiO2层141甚至是部分的Ag纳米颗粒142b残留在纳米柱结构50a上。
需要说明的是，在刻蚀N型AlGaInP电流扩展层50的过程中，也可以避开第一电极141上方的区域，以提高刻蚀的效率。
S221：去除残留的SiO2层和Ag纳米颗粒层。
图22是去除残留的SiO2层和Ag纳米颗粒层之后的结构示意图，实现时，可以采用氢氧化钾溶液或氢氟酸溶液去除残留的SiO2层和Ag纳米颗粒层。
S222：粗化处理。
如图23所示，在粗化处理过程中，粗化液沿着纳米柱结构50a之间的间隙对N型AlGaInP电流扩展层50进行腐蚀，以形成较高的纳米柱结构50a。
实现时，可以进行多次粗化，以使粗化深度满足工艺要求。
具体地，将待粗化处理的发光二极管浸入粗化液中，进行第一次粗化，在完成第一次粗化后，将发光二极管取出，甩干处理后再次浸入粗化液，进行第二次粗化，在完成第二次粗化后，将发光二极管取出，甩干处理后再次浸入粗化液，以进行第三次粗化，如此完成对发光二极管的多次粗化。由于粗化过程中，无法确保一次粗化就得到所需要的粗化深度，因此需要通过多次粗化逐渐加深粗化深度，以使粗化深度达到工艺要求。
实现时，粗化深度可以为0.1～0.3μm。每次粗化的时间可以是5～20S。
优选地，第一次粗化的时间可以为15～20S，若第一次粗化时间太短，则第一次的粗化深度过浅，会增加粗化次数，若第一次粗化时间太长，则可能导致第一次粗化完成后，粗化深度就超过了工艺要求。第一次粗化之后的每次粗化的时间可以为5～10S，第一次粗化之后的每次粗化的时间越短，则总的粗化深度越容易控制，但相应地，粗化次数也可能越多。
进一步地，第一次粗化之后的每次粗化的时间可以逐渐缩短，以使总的粗化深度符合工艺要求。
可选地，粗化液可以是H3PO4和HCl的混合溶液，其中H3PO4和HCl的物质的量之比为5∶1。
S223：制作第二电极。
如图24所示，在基板120的背向金属反射层110的一侧面上制作第二电极132。
通过完成第二电极132的制作后，即可进行裂片，从而得到多个发光二极管。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长缓冲层、N型腐蚀停层、N型欧姆接触层、N型电流扩展层、N型限制层、有源层、P型限制层、P型电流扩展层和P型欧姆接触层；
在所述P型欧姆接触层上制作金属反射层；
提供一基板；
将所述金属反射层粘合到所述基板上；
依次去除所述衬底、所述缓冲层和所述N型腐蚀停层，以露出所述N型欧姆接触层；
在所述N型欧姆接触层上制作第一电极；
去除所述N型欧姆接触层中未被所述第一电极覆盖的部分，以露出所述N型电流扩展层；
在所述N型电流扩展层和所述第一电极上形成SiO2层；
在所述SiO2层上形成Ag纳米颗粒层；
以所述Ag纳米颗粒层作为遮挡，对所述SiO2层进行刻蚀，且刻蚀深度不小于所述SiO2层的厚度；
刻蚀所述N型电流扩展层，且刻蚀深度小于所述N型电流扩展层的厚度；
对所述N型电流扩展层进行粗化处理，粗化深度为0.1～0.3μm；
在所述基板的背向所述金属反射层的一侧面上制作第二电极；
所述粗化处理为多次粗化，第一次粗化后的每次粗化时间逐渐缩短。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述SiO2层的厚度大于所述N型欧姆接触层和所述第一电极的厚度之和。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述SiO2层上形成Ag纳米颗粒层，包括：
在所述SiO2层上形成Ag层；
对所述Ag层进行退火处理，以形成所述Ag纳米颗粒层。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述对所述N型电流扩展层进行粗化处理之前，所述制备方法还包括：
去除残留的所述SiO2层和Ag纳米颗粒层。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，采用氢氧化钾溶液或氢氟酸溶液去除残留的所述SiO2层和Ag纳米颗粒层。
6.根据权利要求1～5任一项所述的制备方法，其特征在于，采用气体对所述SiO2层进行反应离子刻蚀。
7.根据权利要求1～5任一项所述的制备方法，其特征在于，采用气体对所述N型电流扩展层进行反应耦合等离子体刻蚀。
8.根据权利要求1～5任一项所述的制备方法，其特征在于，所述SiO2层的厚度为40～100nm。
9.根据权利要求1～5任一项所述的制备方法，其特征在于，所述Ag层的厚度为10～30nm。
10.根据权利要求1～5任一项所述的制备方法，其特征在于，所述N型电流扩展层的生长温度为670～685℃。
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