CN205810848U - 一种led晶片氧化反应装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种LED晶片氧化反应装置，包括：药水槽、承载架、晶片盛放篮，所述晶片盛放篮角度可调地设置于所述承载架上。使用时，先将晶片放置到晶片盛放篮内，然后调整好晶片盛放篮与承载架之间的角度并进行固定，最后通过承载架将晶片盛放篮放入药水槽中，此时晶片在药水中处于倾斜状态，更有利于氧化反应过程中产生的气泡附着于LED晶片的表面，从而提交其表面的粗糙度，以达到降低其内表面全反射、提高发光亮度的目的。

Description

一种LED晶片氧化反应装置

技术领域

本实用新型涉及氧化反应装置技术领域，具体是一种LED晶片氧化反应装置。

背景技术

发光二极管,即LED(light-emitting diode)是一种把电能转换成光能的半导体发光器件。半导体材料和空气折射率差异很大，由于LED晶片的表面较平滑，其会产生强烈的内表面全反射导致晶粒的外量子效率非常低。如半导体材料氮化镓的折射率2.5，空气的折射率为1，氮化镓晶粒的内表面全反射临界角(从法线方向到界面方向)为23°，忽略背面和边缘出光，大约只有4％的光可以从晶粒正面射出。虽然反射回去的光可以再反射回来，来回往复，再加上一部分光从侧面射出，其总的出光效率仍非常低(约15％)。而晶粒的出光效率决定了半导体照明晶粒的发光亮度。

有鉴于此，需要在LED晶片的表面形成一层膜使得其表面较粗糙，从而来降低其内表面全反射以提高其发光亮度。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题在于，提供一种LED晶片氧化反应装置，包括：药水槽、承载架、晶片盛放篮，所述晶片盛放篮角度可调地设置于所述承载架上。使用时，先将晶片放置到晶片盛放篮内，然后调整好晶片盛放篮与承载架之间的角度并进行固定，最后通过承载架将晶片盛放篮放入药水槽中，此时晶片在药水中处于倾斜状态，更有利于氧化反应过程中产生的气泡附着于LED晶片的表面，从而提交其表面的粗糙度，以达到降低其内表面全反射、提高发光亮度的目的。

为了达到上述技术效果，本实用新型提供的具体技术方案为：

一种LED晶片氧化反应装置，包括：药水槽；承载架，包括基板、支撑杆，所述支撑杆垂直地设置于所述基板上；晶片盛放篮，包括底板、侧板一、侧板二、前板、后板，所述侧板一、侧板二倾斜设置于所述底板上，所述侧板一、侧板二对称设置，所述前板设置于所述侧板一、侧板二的前端，所述后板设置于所述侧板一、侧板二的后端，所述侧板一、侧板二上相应地设置有晶片卡入槽；所述底板的前端铰接于所述基板上、后端与基板之间设有能调节所述底板的后端与所述基板之间的间距并将所述底板的后端定位在所述基板上的调节定位结构。

作为上述方案的优选，所述调节定位机构包括开设在所述底板的侧面上且具有内螺纹的定位孔、调节板和螺栓，所述调节板设置于所述基板上，所述调节板上开设有呈弧形的通孔，所述螺栓穿过所述通孔、定位孔以将所述底板固定于所述的调节板上。

作为上述方案的优选，所述侧板一、侧板二的上边沿处还设有止挡片。

作为上述方案的优选，所述止挡片的一端设有凸块，所述侧板一、侧板二上相应地设有凹槽，所述凸块与所述凹槽相配合，所述凹槽与所述晶片卡入槽相垂直。

作为上述方案的优选，所述基板的前端、后端均设有所述支撑杆，所述支撑杆上设有挂勾。

作为上述方案的优选，所述药水槽外设有置物槽。

作为上述方案的优选，所述药水槽的内壁上设有置物台，所述置物台的外周设有网状围栏。

附图说明

图1是本实用新型提供的一种LED晶片氧化反应装置的整体结构示意图；

图2是晶片盛放篮的侧板一(侧板二)的内壁结构示意图；

图3是晶片盛放篮的前端面结构示意图；

图4是温度计放置在药水槽中的结构示意图。

具体实施方式

下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“设置”应做广义理解，例如，可以是固定相连、设置，也可以是可拆卸连接、设置，或一体地连接、设置。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

如图1-4所示，本实用新型提供一种LED晶片氧化反应装置，包括：

(1)药水槽1；

(2)承载架，包括基板201、支撑杆202，所述支撑杆202垂直地设置于所述基板201上；

(3)晶片盛放篮，包括底板301、侧板一302、侧板二303、前板304、后板305，所述侧板一302、侧板二303倾斜设置于所述底板301上，所述侧板一302、侧板二303对称设置，所述前板304设置于所述侧板一302、侧板二303的前端，所述后板305设置于所述侧板一302、侧板二303的后端，所述侧板一302、侧板二303上相应地设置有晶片卡入槽4；

所述底板301的前端铰接于所述基板201上、后端与基板之间设有能调节所述底板的后端与所述基板之间的间距并将所述底板的后端定位在所述基板上的调节定位结构，所述调节定位机构包括开设在所述底板的侧面上且具有内螺纹的定位孔、调节板501和螺栓502，所述调节板501设置于所述基板201上，所述调节板501上开设有呈弧形的通孔6，所述螺栓502穿过所述通孔、定位孔以将所述底板301固定于所述的调节板501上。

本实用新型提供的一种LED晶片氧化反应装置的工作原理为：首先将LED晶片的两边分别卡入侧板一、侧板二的晶片卡入槽内，以使LED晶片立于所述底板上，然后使底板沿着调节板的通孔滑动，此时底板与基板之间开始形成一定的角度，当二者形成的角度达到预定值时，通过螺栓将底板固定到调节板上，再通过支撑杆将承载架与晶片盛放篮放入药水槽内。

由于基板呈水平状，而底板与基板形成一定的角度，因此立在底板上的LED晶片倾斜地置放在药水槽内，这样使得LED晶片表面与药水氧化反应产生的气泡不会直接跑掉而是会很大程度上附着于LED晶片表面，从而来提高LED晶片表面的粗糙度，以达到降低其内表面全反射、提高发光亮度的目的。

进一步地，所述侧板一、侧板二的上边沿处还设有止挡片7，所述止挡片7的一端设有凸块8，所述侧板一、侧板二上相应地设有凹槽13，所述凸块8与所述凹槽13相配合，所述凹槽13与所述晶片卡入槽4相垂直。需要将LED晶片放置到晶片盛放篮时，先通过凸块滑出凹槽将止挡片拿出，再将LED晶片卡入晶片卡入槽内，最后将凸块滑入凹槽内以使止挡片对LED晶片的肩部进行限制，防止在氧化反应过程中LED晶片滑出晶片卡入槽。

进一步地，所述基板的前端、后端均设有所述支撑杆，所述支撑杆上设有挂勾9。通过挂勾可直接将承载架悬挂于药水槽中，不需要操作人员用手拿着。

进一步地，所述药水槽1外设有置物槽10。通过向置物槽中加热水或冰块来调节药水槽内的水温。

进一步地，所述药水槽1的内壁上设有置物台11，所述置物台的外周设有网状围栏12。将温度计14放入置物台上，由于通过网状围栏药水槽中的药水可直接进入置物台，故可通过温度计测量药水槽中的水温。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本实用新型的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (7)

1.一种LED晶片氧化反应装置，其特征在于，包括：

药水槽；

承载架，包括基板、支撑杆，所述支撑杆垂直地设置于所述基板上；

晶片盛放篮，包括底板、侧板一、侧板二、前板、后板，所述侧板一、侧板二倾斜设置于所述底板上，所述侧板一、侧板二对称设置，所述前板设置于所述侧板一、侧板二的前端，所述后板设置于所述侧板一、侧板二的后端，所述侧板一、侧板二上相应地设置有晶片卡入槽；

所述底板的前端铰接于所述基板上、后端与基板之间设有能调节所述底板的后端与所述基板之间的间距并将所述底板的后端定位在所述基板上以使所述侧板一、侧板二、前板、后板置于所述底板的上方且所述底板与基板间形成锐角的调节定位结构。

2.根据权利要求1所述的LED晶片氧化反应装置，其特征在于，所述调节定位机构包括开设在所述底板的侧面上且具有内螺纹的定位孔、调节板和螺栓，所述调节板设置于所述基板上，所述调节板上开设有呈弧形的通孔，所述螺栓穿过所述通孔、定位孔以将所述底板固定于所述的调节板上。

3.根据权利要求2所述的LED晶片氧化反应装置，其特征在于，所述侧板一、侧板二的上边沿处还设有止挡片。

4.根据权利要求3所述的LED晶片氧化反应装置，其特征在于，所述止挡片的一端设有凸块，所述侧板一、侧板二上相应地设有凹槽，所述凸块与所述凹槽相配合，所述凹槽与所述晶片卡入槽相垂直。

5.根据权利要求1-4任一项所述的LED晶片氧化反应装置，其特征在于，所述基板的前端、后端均设有所述支撑杆，所述支撑杆上设有挂勾。

6.根据权利要求1-4任一项所述的LED晶片氧化反应装置，其特征在于，所述药水槽外设有置物槽。

7.根据权利要求6所述的LED晶片氧化反应装置，其特征在于，所述药水槽的内壁上设有置物台，所述置物台的外周设有网状围栏。