CN208723864U - 移相器模块、合分波器及通信装置 - Google Patents

移相器模块、合分波器及通信装置 Download PDF

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Abstract

提供一种移相器模块、合分波器及通信装置。移相器模块(101)具备基材、以及形成于基材的共用端子及多个独立端子(T1、T2、T3)。在基材的内部具备在多个独立端子(T1、T2、T3)与共用端子(TC)之间分别连接的多个移相器(11、12、13)。多个移相器(11、12、13)具有初级线圈和与该初级线圈磁场耦合的次级线圈，构成变压器型的移相器。根据该结构，得到与多个SAW滤波器一起使用而抑制了相互的干扰的移相器模块、具备该移相器模块的合分波器及通信装置。

Description

移相器模块、合分波器及通信装置
技术领域
本实用新型涉及设置于高频电路的移相器，尤其是涉及包含多个移相器的移相器模块、具备该移相器模块的合分波器及通信装置。
背景技术
通常，SAW滤波器在其特性上，除了通带以外，阻抗实质上成为短路状态或接近于短路的状态。因此，当将多个SAW滤波器并联连接时，从某SAW滤波器来看其他SAW滤波器为短路或接近短路，因此相互发生干扰。为了解决这一问题，若附加由LC电路构成的LPF、HPF，则能够使多个SAW滤波器相匹配(专利文献1、专利文献2)。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特许第3475933号公报
专利文献2：日本特许第3337073号公报
实用新型内容
实用新型要解决的课题
图15(A)是将一个SAW滤波器的阻抗的频率特性表示在史密斯圆图上的图，图15(B)是示出该SAW滤波器的各个插入损耗及反射损耗的频率特性的图。另外，图16是将三个SAW滤波器并联连接了的电路图，图17是示出图16所示的电路的插入损耗的频率特性的图。
在图17中，虚线是三个SAW滤波器分别在单体状态下的特性，实线是三个SAW滤波器在并联连接的状态下的特性。这样，在SAW滤波器的通带接近的情况下，在其两个通带之间，在通带的端部，通过特性劣化。另外，在将三个以上的SAW滤波器并联连接的状态下，理论上非常难以使SAW滤波器匹配。
图18是将SAW滤波器单体的阻抗和附加HPF而移相后的阻抗分别表示在史密斯圆图上的图。在图18中，轨迹TR0是SAW滤波器的阻抗轨迹，轨迹TR1是经由移相器而观察SAW滤波器时的阻抗轨迹。在利用基于LC电路的HPF进行移相的情况下，在移相量可以小的第四象限中存在SAW滤波器的衰减域时，容易匹配，但在需要90°以上的大移相量的第三象限中存在衰减域时，匹配变得非常困难，插入损耗发生劣化。另外，通过移相量增大，从而如图18中的虚线的椭圆所示那样阻抗的频率依赖性变大，例如在1700MHz(中频段)的移相量与2700MHz(高频段)的移相量之间产生较大的差，难以使所有频域看起来为开路，无法匹配。
本实用新型的目的在于，提供一种与多个SAW滤波器一起使用而抑制相互的干扰的移相器模块、具备该移相器模块的合分波器及通信装置。
用于解决课题的手段
(1)本实用新型的移相器模块的特征在于，所述移相器模块具备：基材；形成于所述基材的共用端子及多个独立端子；以及多个移相器，所述多个移相器内置于所述基材，且分别连接在所述多个独立端子与所述共用端子之间，所述多个移相器分别具有初级线圈和与所述初级线圈磁场耦合的次级线圈，所述初级线圈及所述次级线圈内置于所述基材。
根据上述结构，在某一个SAW滤波器的通带中，使从该SAW滤波器观察到的其他SAW滤波器移动(相位反转)到开路的相位，利用高阻抗连接多个SAW滤波器，从而能够成为抑制相互的干扰的状态，能够容易地连接多个SAW滤波器。另外，由于使用变压器进行移相，因此，与由LC滤波器电路构成的移相器相比，移相量的频率依赖性低，因此，能够在宽频带的范围内使相位反转，能够连接更多的SAW滤波器。
(2)优选的是，所述初级线圈及所述次级线圈分别包含环状导体图案，该环状导体图案遍及多层而构成多匝的量的线圈，所述初级线圈的第二端和所述次级线圈的第一端的连接部与基准电位端子连接，所述初级线圈的第一端与所述共用端子连接，所述次级线圈的第二端与所述独立端子连接，构成所述初级线圈的所述多个环状导体图案中的接近于所述初级线圈的第二端的环状导体图案与构成所述次级线圈的所述多个环状导体图案中的接近于所述次级线圈的第一端的环状导体图案相较于其他的环状导体更为相互接近。
根据上述结构，初级线圈及次级线圈各自的电流密度高，磁场强度强，环状导体图案彼此接近，由此，能够提高初级线圈与次级线圈的耦合系数，变压器的串联寄生成分得以抑制，移相量的频率依赖性变小。
(3)优选的是，所述多个移相器具有的所述初级线圈及所述次级线圈在所述多层的层叠方向上具有卷绕轴，构成各移相器的所述初级线圈及所述次级线圈的所述多个环状导体图案的卷绕轴处于互不相同的位置。由此，初级线圈与次级线圈的耦合系数有效地提高，变压器的串联寄生成分得以抑制，移相量的频率依赖性变小。另外，各移相器的初级线圈或次级线圈不易与其他移相器的初级线圈或次级线圈进行不必要耦合，移相器的独立性变高。
(4)优选的是，所述多个移相器包含相邻的第一移相器和第二移相器，所述第一移相器和所述第二移相器在所述环状导体图案的一部分具备耦合部，该耦合部在所述卷绕轴方向的俯视下重叠，且以抑制所述第一移相器与所述第二移相器的不必要耦合的极性进行耦合。由此，相邻的移相器彼此的不必要耦合得以抑制，能够在有限的面积内形成移相器，能够构成小型的移相器模块。
(5)优选的是，本实用新型的合分波器具有共用端口和多个独立端口，且具备上述(1)～(4)中任一项记载的移相器模块；安装有所述移相器模块的电路基板；以及安装于所述电路基板的多个SAW滤波器，所述多个SAW滤波器具备第一端子及第二端子，所述多个SAW滤波器的所述第一端子与所述移相器模块的所述多个独立端子分别连接，所述多个 SAW滤波器的所述第二端子与独立输入输出端子连接，所述共用端子是共用端口，所述独立输入输出端子是独立端口。
根据上述结构，安装在电路基板上的部件个数被削减。
(6)优选的是，本实用新型的合分波器具有共用端口和多个独立端口，且具备：上述(1)～(4)中任一项记载的移相器模块；以及搭载于所述移相器模块的多个SAW滤波器，所述多个SAW滤波器具备第一端子及第二端子，所述共用端子及独立端子设置于所述移相器模块的所述基材的第一面，在所述基材的与所述第一面相反的一侧的面即第二面设置有所述独立端子及SAW滤波器第二连接端子，所述移相器模块的所述基材具备将所述SAW滤波器第二连接端子与所述独立端子连接的线路，所述多个SAW滤波器的所述第一端子与所述多个独立端子连接，所述多个 SAW滤波器的所述第二端子与所述SAW滤波器第二连接端子连接，所述共用端子是共用端口，所述独立输入输出端子是独立端口。
根据上述结构，得到作为单一部件的合分波器，电路基材上的占有面积被大幅削减。
(7)本实用新型的通信装置具备供电电路和天线，在所述供电电路与所述天线之间连接有上述(5)或(6)所记载的合分波器。根据该结构，得到在确保端口间隔离的同时进行多个频带的信号的合分波、且天线元件与供电电路按照规定的频带进行阻抗匹配的通信装置。
实用新型效果
根据本实用新型，能够得到与多个SAW滤波器一起使用而抑制相互的干扰的移相器模块、具备该移相器模块的合分波器及通信装置。
附图说明
图1是第一实施方式的移相器模块和具备该移相器模块的合分波器的立体图。
图2是合分波器201的电路图。
图3是移相器模块101的电路图。
图4是示出构成移相器模块101的各移相器的初级线圈及次级线圈的导体图案的分解俯视图。
图5(A)、图5(B)是用于说明耦合部的作用的图。
图6(A)是示出在图2的合分波器中从共用端口PC到独立端口P1、 P2、P3为止的插入损耗的频率特性的图。图6(B)是示出由移相器模块 101的有无引起的插入损耗的劣化的图。图6(C)是示出独立端口间的隔离特性的图。
图7是示出移相器模块101的各移相器11、12、13的移相量的例子的图。
图8是合分波器202的立体图。
图9是本实施方式的合分波器202的主视图。
图10是合分波器202的电路图。
图11是通信装置301的电路图。
图12是示出第四实施方式的构成移相器模块104的各移相器的初级线圈及次级线圈的导体图案的分解俯视图。
图13是第五实施方式的一个移相器11A的电路图。
图14是关于第五实施方式的移相器11A及比较例的移相器而示出各自的频率特性的图。
图15(A)是将一个SAW滤波器的阻抗的频率特性表示在史密斯圆图上的图，图15(B)是示出该SAW滤波器的插入损耗及反射损耗的频率特性的图。
图16是将三个SAW滤波器并联连接了的电路图。
图17是示出图16所示的电路的插入损耗的频率特性的图。
图18是将SAW滤波器单体的阻抗和附加HPF而移相后的阻抗分别表示在史密斯圆图上的图。
具体实施方式
以下，参照附图并举出几个具体的例子，来示出用于实施本实用新型的多个方式。在各图中对相同的部位标注相同的标记。考虑到要点的说明或理解的容易性，为了方便而分开示出实施方式，但能够进行不同的实施方式所示的结构的局部置换或组合。在第二实施方式之后，省略针对与第一实施方式共用的事项的记述，仅对不同点进行说明。尤其是针对由同样的结构产生的同样的作用效果，并非在每个实施方式中依次提及。
《第一实施方式》
图1是第一实施方式的移相器模块和具备该移相器模块的合分波器的立体图。本实施方式的合分波器201由电路基板1、安装于该电路基板1 的SAW滤波器21、22、23及移相器模块101构成。移相器模块101包含三个移相器。这三个移相器在一个基材10构成。
图2是合分波器201的电路图。合分波器201具有共用端口PC和独立端口P1、P2、P3。三个移相器11、12、13分别连接在形成于基材的共用端子TC与三个独立端子T1、T2、T3之间。移相器模块101的共用端子TC直接与共用端口PC连接。在独立端子T1、T2、T3与独立端口P1、P2、P3之间连接有SAW滤波器21、22、23。
在合分波器201的共用端口PC例如连接天线。另外，在独立端口P1、 P2、P3分别连接通信电路。但是，在图2中，将它们均由终端电阻的符号表示。这里，SAW滤波器21、22、23的通带的中心频率例如分别为 700MHz、800MHz、900MHz。
图3是移相器模块101的电路图。这里，由电路符号表示初级线圈与次级线圈。初级线圈L11与次级线圈L21相互磁场耦合，构成一个变压器构造的移相器11。同样地，初级线圈L12与次级线圈L22相互磁场耦合，构成一个变压器构造的移相器12，初级线圈L13与次级线圈L23相互磁场耦合，构成一个变压器构造的移相器13。如后所示，移相器11、12、 13的某一个移相器与其他移相器实质上不进行不必要耦合。
初级线圈L11的第二端E2和次级线圈L21的第一端E1的连接部与基准电位端子TG连接，初级线圈L11的第一端E1与共用端子TC连接，次级线圈L21的第二端E2与独立端子T1连接。同样地，初级线圈L12的第二端和次级线圈L22的第一端的连接部与基准电位端子TG连接，初级线圈L12的第一端与共用端子TC连接，次级线圈L22的第二端与独立端子T2连接。此外，初级线圈L13的第二端和次级线圈L23的第一端的连接部与基准电位端子TG连接，初级线圈L13的第一端与共用端子TC连接，次级线圈L23的第二端与独立端子T3连接。
移相器11的初级线圈L11与次级线圈L21被累加连接(cumulative connection)。同样地，移相器12的初级线圈L12与次级线圈L22被累加连接，移相器13的初级线圈L13与次级线圈L23被累加连接。
在图3中，从独立端子T1、T2、T3到次级线圈L21、L22、L23为止的路径长度(线路长度)影响移相量，但从初级线圈L11、L12、L13的共用连接点到共用端子TC为止的路径长度(线路长度)LL不会对移相器 11、12、13的移相量造成影响。因此，初级线圈L11、L12、L13也可以配置在基材的上部，使从此处到处于基材的下表面的共用端子TC为止的距离变长。因此，能够缩短从独立端子T1、T2、T3到次级线圈L21、L22、L23为止的路径长度，能够可靠地决定移相器11、12、13的移相量。
图4是示出构成移相器模块101的各移相器的初级线圈及次级线圈的导体图案的分解俯视图。
移相器模块101的基材10是包含基材层S1～S8在内的多个基材层的层叠体。例如在基材层S8形成有环状导体图案L11A、L12A、L13A。
移相器11的初级线圈由环状导体图案L11A、L11B、L11C构成。移相器11的次级线圈由环状导体图案L21A、L21B、L21C构成。另外，移相器12的初级线圈由环状导体图案L12A、L12B、L12C构成，次级线圈由环状导体图案L22A、L22B、L22C构成。此外，移相器13的初级线圈由环状导体图案L13A、L13B、L13C构成，次级线圈由环状导体图案L23A、 L23B、L23C构成。
需要说明的是，在图4中，由接地符号表示与基准电位端子(图3中的端子TG)连接的端部。另外，由虚线表示层间连接导体。
环状导体图案L11A、L11B、L11C遍及三层而构成不足三匝的量的线圈。同样地，环状导体图案L21A、L21B、L21C遍及三层而构成不足三匝的量的线圈。另外，环状导体图案L12A、L12B、L12C遍及三层而构成不足三匝的量的线圈，环状导体图案L22A、L22B、L22C遍及三层而构成不足三匝的量的线圈。此外，环状导体图案L13A、L13B、L13C遍及三层而构成不足三匝的量的线圈，环状导体图案L23A、L23B、L23C 遍及三层而构成不足三匝的量的线圈。
如图4所表示的那样，移相器11、12、13各自的初级线圈及次级线圈在各导体图案的层叠方向上具有卷绕轴，构成各移相器的初级线圈及次级线圈的多个环状导体图案的卷绕轴处于互不相同的位置。
另外，如图4所表示的那样，构成移相器11的初级线圈L11的多个环状导体图案中的接近于初级线圈L11的第二端E2的环状导体图案L11C 与构成次级线圈L21的多个环状导体图案中的接近于次级线圈L21的第一端E1的环状导体图案L21C相较于其他的环状导体(L11B、L11A、L21B、 L21A)更为相互接近。该构造在移相器12、13中也是同样的。
关于移相器11和移相器12，在初级线圈的一部分的环状导体图案 L11C、L12C分别形成有耦合部11P、12P1，该耦合部11P、12P1在卷绕轴方向的俯视下重叠，且以抑制相邻的移相器彼此的不必要耦合(移相器 11与移相器12的不必要耦合)的极性进行耦合。另外，在次级线圈的一部分的环状导体图案L21C、L22C分别形成有耦合部21P、22P1，该耦合部21P、22P1在卷绕轴方向的俯视下重叠，且以抑制相邻的移相器彼此的不必要耦合的极性进行耦合。
关于移相器12和移相器13，在初级线圈的一部分的环状导体图案 L12C、L13C分别形成有耦合部12P2、13P，该耦合部12P2、13P在卷绕轴方向的俯视下重叠，且以抑制相邻的移相器彼此的不必要耦合(移相器 12与移相器13的不必要耦合)的极性进行耦合。另外，在次级线圈的一部分的环状导体图案L22C、L23C形成有耦合部22P2、23P，该耦合部22P2、 23P在卷绕轴方向的俯视下重叠，且以抑制相邻的移相器彼此的不必要耦合的极性进行耦合。
图5(A)、图5(B)是用于说明上述耦合部的作用的图。
图5(A)是示出图4所示的、作为移相器11的一部分的环状导体图案L11C与作为移相器12的一部分的环状导体图案L12C之间的耦合关系的图。环状导体图案L11C的耦合部11P与环状导体图案L12C的耦合部 12P1重叠。
图5(B)是示出比较例的相邻的两个环状导体彼此的耦合的情形的图。由于环状导体图案L11C与环状导体图案L12C相邻，因此，当箭头方向的电流流过环状导体图案L11C时，在环状导体图案L12C感应箭头方向的电流。
另一方面，在图5(A)所示的本实施方式的情况下，环状导体图案 L11C中的耦合部11P以外的部分与环状导体图案L12C中的耦合部12P1 以外的部分与图5(B)所示的比较例同样地进行耦合(第一耦合)，但在耦合部11P、12P1部分处也进行耦合(第二耦合)。该第二耦合的极性与第一耦合相反，因此，耦合部11P、12P1的耦合在将环状导体图案L11C 与环状导体图案L12C的耦合抵消的方向上发挥作用。因此，尽管环状导体图案L11C与环状导体图案L12C相邻，也能够消除实质上的耦合。
除了图4所示的耦合部11P、12P1以外，在耦合部12P1与耦合部21P 的关系中以及在耦合部21P与耦合部22P1的关系中，都作用为抵消环状导体图案彼此的耦合。此外，关于移相器12与移相器13的关系也是同样的，在耦合部13P与耦合部12P2的关系中、在耦合部12P2与耦合部23P 的关系中、在耦合部23P与耦合部22P2的关系中，都作用为抵消环状导体图案彼此的耦合。
图6(A)是示出图2的合分波器中从共用端口PC到独立端口P1、 P2、P3为止的插入损耗的频率特性的图。在图6(A)中，通过特性B1、 B2、B3分别对应于SAW滤波器21、22、23的带通特性。
图6(B)是示出由移相器模块101的有无引起的插入损耗的劣化的图。在图6(B)中，通过特性A1、A2、A3是在不存在移相器模块101的状态下SAW滤波器21、22、23单体中的带通特性。这样，由插入移相器模块101引起的插入损耗为1dB左右。
图6(C)是示出独立端口间的隔离特性的图。在图6(C)中，端口间隔离IS12表示独立端口P1-P2间的隔离特性，端口间隔离IS32表示独立端口P3-P2间的隔离特性，端口间隔离IS13表示独立端口P1-P3间的隔离特性。这样，在三个SAW滤波器21、22、23与共用端口PC之间连接有移相器模块101，由该移相器模块101将SAW滤波器21、22、23相互等效地分离，因此，独立端口P1、P2、P3间确保了40dB以上的隔离特性。
图7是示出移相器模块101的各移相器11、12、13的移相量的例子的图。在移相器模块101中，从连接点CP到各SAW滤波器21、22、23为止的各电路部中的移相量被决定为，在使用相应的SAW滤波器的通信频带(SAW滤波器的通带)外，该SAW滤波器看起来为开路。由于各SAW 滤波器21、22、23在通带外实质上为短路，因此，例如SAW滤波器21 被设计为，在其通带外，连接点CP-独立端子T1间的移相量以往复的形式成为180°。由此，在从连接点CP点观察SAW滤波器21时，在SAW 滤波器21的通带外等效地看起来为开路，不流动电。
在图7所示的例子中，从连接点CP到独立端子T1的基于电感成分的移相量10°与基于移相器11的移相量80°的合计值成为90°。因此，在 SAW滤波器21的通带外的频率中，SAW滤波器21从连接点CP看起来为开路。另外，从连接点CP到独立端子T2的基于电感成分的移相量5°与基于移相器12的移相量85°的合计值成为90°。因此，在SAW滤波器22的通带外的频率中，SAW滤波器22从连接点CP看起来为开路。
各移相器11、12、13的从初级线圈的端部到连接点CP为止的路径中的移相量是预先知晓的，因此，将初级线圈、次级线圈的匝数、寄生电容、寄生电感这样的寄生成分决定为使各移相器11、12、13的移相量成为规定值即可。
若变压器型的移相器为理想状态，则相位旋转量没有频率依赖性。因此，根据本实施方式，在便携电话的中频段至高频段(1700MHz～ 2700MHz)中，能够进行一定量的移相。另外，与利用LC滤波器进行移相的情况相比，能够在宽频带内进行匹配，能够减小插入损耗。
《第二实施方式》
在第二实施方式中，示出构成为单一部件的合分波器的例子。
图8是合分波器202的立体图。图9是本实施方式的合分波器202的主视图。但是，概念性地表示出基材10的内部。另外，图10是合分波器 202的电路图。在图10中，还考虑到移相器11、12、13与SAW滤波器 21、22、23的位置关系进行了描绘。
如图9、图10所表示的那样，在基材10的内部构成有移相器11、12、 13。在基材10的上表面形成有用于搭载SAW滤波器21、22、23的焊盘。独立端子T1、T2、T3是该焊盘的一部分，SAW滤波器21、22、23的第二端子与独立端子T1、T2、T3分别连接。在基材10的下表面形成有共用端口PC、独立端口P1、P2、P3、接地端子TG。共用端口PC、独立端口 P1、P2、P3均是“端子”，但这里与第一实施方式所示的图2中的用语一致地称为“端口”。独立端口P1、P2、P3经由基材10内部的线路而与SAW 滤波器21、22、23的第一端子连接。
若比较第一实施方式中图3所示的移相器模块101的电路图与本实施方式的图10所示的合分波器202的电路图则明确可知，在本实施方式的合分波器202中，将初级线圈L11、L12、L13配置在基材10的下部，将次级线圈L21、L22、L23配置在基材10的上部。根据该构造，能够缩短各移相器11、12、13至SAW滤波器21、22、23的路径长度，能够可靠地决定移相器11、12、13的移相量。
在本实施方式中也与第一实施方式同样地，能够在宽频带内进行匹配，能够减小插入损耗。
《第三实施方式》
在第三实施方式中，示出具备合分波器的通信装置的例子。
图11是通信装置301的电路图。该通信装置301具备天线211、接收模块203、通信电路221、222、223、224、230。接收模块203具备由移相器模块103和SAW滤波器21、22、23、24构成的合分波器。通信电路 221、222、223、224是高频段侧的各频段的通信电路，上述合分波器连接在双工器240的高通滤波器侧与通信电路221、222、223、224之间。通信电路230是低频段侧的通信电路，与双工器240的低通滤波器侧连接。
图11所示的移相器模块103内的各移相器的构造以及它们的连接关系如第一实施方式、第二实施方式所示。这里，SAW滤波器21、22、23、 24的通带的中心频率例如分别为600MHz、700MHz、800MHz、900MHz。
《第四实施方式》
在第四实施方式中示出具备两个移相器的移相器模块。图12是示出第四实施方式的构成移相器模块104的各移相器的初级线圈及次级线圈的导体图案的分解俯视图。
移相器模块104的基材是包含基材层S1～S8在内的多个基材层的层叠体。例如在基材层S8形成有环状导体图案L11A、L12A。
移相器11的初级线圈L11由环状导体图案L11A、L11B、L11C构成，移相器11的次级线圈L21由环状导体图案L21A、L21B、L21C构成。另外，移相器12的初级线圈L12由环状导体图案L12A、L12B、L12C构成，移相器12的次级线圈L22由环状导体图案L22A、L22B、L22C构成。
在初级线圈L11、L12的一部分的环状导体图案L11C、L12C分别形成有耦合部11P、12P，该耦合部11P、12P在卷绕轴方向的俯视下重叠，且以抑制移相器11与移相器12的不必要耦合的极性进行耦合。另外，在次级线圈的一部分的环状导体图案L21C、L22C分别形成有耦合部21P、 22P，该耦合部21P、22P在卷绕轴方向的俯视下重叠，且以抑制相邻的移相器彼此的不必要耦合的极性进行耦合。
上述耦合部11P、12P、21P、22P的作用与第一实施方式中图4所示的移相器模块相同。
如本实施方式那样，在具备两个移相器的移相器模块中，也能够实质上消除相邻的移相器彼此的不必要耦合。
《第五实施方式》
在第五实施方式中，示出设定为规定的移相量的移相器。
图13是第五实施方式的一个移相器11A的电路图。在具备电容元件 C1、C2、C3及电感元件L5等阻抗调整元件这一点与第一实施方式中图3 等所示的移相器11不同。另外，第三电容元件C3连接在初级线圈L1与次级线圈L2之间。另外，在变压器T的第一端口Pin与第二端口Pout之间设置有第三电容元件C3及电感元件L5的串联电路SR。
如图13所示，通过相对于变压器T并联地(作为旁路路径)设置由第三电容元件C3及电感元件L5构成的LC串联电路SR，从而本实施方式的移相器11A具备低通滤波器部LPF及高通滤波器部HPF。即，由第一电容元件C1、第二电容元件C2及电感元件L5构成低通滤波器部LPF，由初级线圈L1、次级线圈L2及第三电容元件C3构成高通滤波器部HPF。也可以说是由通过初级线圈L1、次级线圈L2组成的变压器T的并联寄生电感成分和第三电容元件C3构成高通滤波器HPF。
图14是关于本实施方式的移相器11A及比较例的移相器而示出各自的频率特性的图。比较例的移相器是在图13中未设置电感元件L5而将第三电容元件C3设置于旁路路径的移相器。
在图14中，曲线PS(LC)表示移相器11A的频率特性，曲线PS(C) 表示比较例的移相器的频率特性。在比较例的移相器中，在较低的频带作为变压器移相器发挥作用。在较高的频带，信号旁通第三电容元件C3的量增加，移相量逐渐接近于0°。
与此相对，在本实施方式的移相器11A中，在高频段成为负的移相量。在图14中，如之后所示，将本实施方式的移相器11A的作用划分为三个频带F1、F2、F3来表示。
在低频段的频带F1，LC串联电路SR的第三电容元件C3的电容成为支配性。因此，在端口P1-P2间传播的信号几乎不旁通LC串联电路SR。也就是说显现出变压器T的特性。
在中频段的频带F2，与LC串联电路SR的电感元件L5相比，第三电容元件C3的电容成为支配性，LC串联电路SR成为电容性。因此，旁路电路作为高通滤波器发挥作用，频率越高，则移相量越小。
在高频段的频带F3，与LC串联电路SR的第三电容元件C3相比，电感元件L5的电感成为支配性，LC串联电路SR成为感应性。因此，旁路电路作为低通滤波器发挥作用，成为负的移相量。移相量成为0°的频率相当于LC串联电路SR的串联谐振频率。
上述移相量的频率特性由第一电容元件C1、第二电容元件C2、第三电容元件C3、电感元件L5及变压器T的并联寄生电感成分决定。
这样，能够使移相量具有规定的大频率特性。另外，能够在宽频带的范围内得到与频率相应的规定的移相量。
另外，第一电容元件C1、第二电容元件C2、第三电容元件C3及电感元件L5不仅分别决定移相量的频率特性，还作为用于与规定的阻抗(通常为50Ω)匹配的元件发挥作用。
上述阻抗调整元件以导体图案的形式设置在基材的内部。或搭载于基材。如本实施方式所示，通过附加阻抗调整元件，能够决定规定的移相量。
最后，上述的实施方式的说明是在所有方面进行了例示，并非限制性的内容。对本领域技术人员来说能够适当变形及变更。例如，在以上所示的各实施方式中，在环状导体图案的一部分形成有コ字状的耦合部，但耦合部的形状不局限于コ字状，即便为圆形、椭圆形、多边形等各种形状，也能够进行耦合调整。另外，即便不是特殊的突出形状，也可以通过配置为环状导体图案在俯视下局部重叠而进行耦合调整。
本实用新型的范围由权利要求书示出而非上述的实施方式。此外，本实用新型的范围包含与权利要求书等同的范围内的从实施方式的变更。
附图标记说明：
C1…第一电容元件；
C2…第二电容元件；
C3…第三电容元件；
CP…连接点；
E1…第一端；
E2…第二端；
HPF…高通滤波器部；
L1…初级线圈；
L11、L12、L13…初级线圈；
L11A、L11B、L11C…环状导体图案；
L12A、L12B、L12C…环状导体图案；
L13A、L13B、L13C…环状导体图案；
L21A、L21B、L21C…环状导体图案；
L22A、L22B、L22C…环状导体图案；
L23A、L23B、L23C…环状导体图案；
L2…次级线圈；
L21、L22、L23…次级线圈；
L5…电感元件；
LPF…低通滤波器部；
P1、P2、P3…独立端口；
PC…共用端口；
Pin…第一端口；
Pout…第二端口；
S1～S8…基材层；
SR…LC串联电路；
T…变压器；
T1、T2、T3…独立端子；
TC…共用端子；
TG…基准电位端子(接地端子)；
1…电路基板；
10…基材；
11、12、13…移相器；
11A…移相器；
11P、12P、13P…耦合部；
12P1、12P2…耦合部；
21、22、23、24…SAW滤波器；
21P、22P、23P…耦合部；
22P1、22P2…耦合部；
101、103、104…移相器模块；
201、202…合分波器；
203…接收模块；
211…天线；
221、222、223、224、230…通信电路；
240…双工器；
301…通信装置。

Claims (6)

1.一种移相器模块，其特征在于，
所述移相器模块具备：
基材；
形成于所述基材的共用端子及多个独立端子；以及
多个移相器，所述多个移相器内置于所述基材，并且分别连接在所述多个独立端子与所述共用端子之间，
所述多个移相器分别具有初级线圈和与所述初级线圈磁场耦合的次级线圈，
所述初级线圈及所述次级线圈内置于所述基材，
所述初级线圈及所述次级线圈分别包含多个环状导体图案，该多个环状导体图案遍及多层而构成多匝的量的线圈，
所述多个移相器具有的所述初级线圈及所述次级线圈在所述多层的层叠方向上具有卷绕轴，
所述多个移相器包含相邻的第一移相器和第二移相器，
所述第一移相器和所述第二移相器在所述多个环状导体图案的一部分具备耦合部，该耦合部在所述卷绕轴方向的俯视下重叠，且以抑制所述第一移相器与所述第二移相器的不必要耦合的极性进行耦合。
2.根据权利要求1所述的移相器模块，其特征在于，
所述初级线圈的第二端和所述次级线圈的第一端的连接部与基准电位端子连接，所述初级线圈的第一端与所述共用端子连接，所述次级线圈的第二端与所述独立端子连接，
构成所述初级线圈的所述多个环状导体图案中的接近于所述初级线圈的第二端的环状导体图案与构成所述次级线圈的所述多个环状导体图案中的接近于所述次级线圈的第一端的环状导体图案相较于所述初级线圈及所述次级线圈中包含的其他的环状导体更为相互接近。
3.根据权利要求2所述的移相器模块，其特征在于，
构成各移相器的所述初级线圈及所述次级线圈的所述多个环状导体图案的卷绕轴处于互不相同的位置。
4.一种合分波器，具有共用端口和多个独立端口，所述合分波器的特征在于，
所述合分波器具备：权利要求1至3中任一项所述的移相器模块；安装有所述移相器模块的电路基板；以及安装于所述电路基板的多个SAW滤波器，
所述多个SAW滤波器具备第一端子及第二端子，
所述多个SAW滤波器的所述第一端子与多个独立输入输出端子分别连接，所述第二端子与所述多个独立端子分别连接，
所述共用端子是共用端口，所述多个独立输入输出端子是所述多个独立端口。
5.一种合分波器，具有共用端口和多个独立端口，所述合分波器的特征在于，
所述合分波器具备：权利要求1至3中任一项所述的移相器模块；以及搭载于所述移相器模块的多个SAW滤波器，
所述多个SAW滤波器具备第一端子及第二端子，
所述共用端子及多个独立输入输出端子设置于所述移相器模块的所述基材的第一面，
在所述基材的与所述第一面相反的一侧的面即第二面设置有所述多个独立端子及多个SAW滤波器第二连接端子，
所述移相器模块的所述基材具备将所述多个SAW滤波器第二连接端子之一与所述多个独立输入输出端子之一分别连接的线路，
所述多个SAW滤波器的所述第一端子与所述多个独立端子分别连接，所述第二端子与所述多个SAW滤波器第二连接端子分别连接，
所述共用端子是所述共用端口，所述多个独立输入输出端子是所述多个独立端口。
6.一种通信装置，其特征在于，
所述通信装置具备供电电路和天线，
在所述供电电路与所述天线之间连接有权利要求4或5所述的合分波器。
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