JP6511962B2 - 積層型電子部品 - Google Patents

Description

本発明は、バランを含む積層型電子部品に関する。

携帯電話機、無線ＬＡＮ通信機器等の無線通信機器の送受信回路に使用され得る電子部品の１つとして、不平衡信号と平衡信号との間の変換を行うバランがある。バランには、広い周波数帯域において振幅バランス特性および位相バランス特性が良好であることが求められる。振幅バランス特性が良好であるというのは、バランから出力される平衡信号を構成する２つの平衡要素信号の振幅の差が０に近いことである。位相バランス特性が良好であるというのは、２つの平衡要素信号の位相差が１８０度に近いことである。

広帯域で使用可能なバランとしては、例えば特許文献１および特許文献２に記載されているようなマーチャントバランが知られている。

特開２００４−５６７９９号公報 特開２００６−２７０４４４号公報

近年、ＬＴＥ（Long Term Evolution）規格の移動体通信システムが実用化され、ＬＴＥ規格の発展規格であるＬＴＥ−Ａｄｖａｎｃｅｄ規格の移動体通信システムの実用化が検討されている。ＬＴＥ−Ａｄｖａｎｃｅｄ規格における主要技術の一つに、キャリアアグリゲーション（Carrier Aggregation、以下ＣＡとも記す。）がある。ＣＡは、コンポーネントキャリアと呼ばれる複数のキャリアを同時に用いて広帯域伝送を可能にする技術である。

ＣＡに対応した移動体通信機器では、複数の周波数帯域が同時に使用される。そのため、ＣＡに対応した移動体通信機器では、従来よりも広帯域で使用可能なバランが求められている。

また、特に移動体通信機器では、そこに使用されるバラン等の電子部品の小型化が求められている。

特許文献１には、バランの広帯域化を図るために、第１の結合線路および第２の結合線路からなるマーチャントバランと、第３の結合線路および第４の結合線路からなるマーチャントバランを並列接続して１つのバランを構成する技術が記載されている。また、特許文献１には、バランのより広帯域化を図るために、第１ないし第４の結合線路の各々を、少なくとも１本の第１の線路と、この第１の線路の両側にそれぞれ少なくとも１本ずつ配置された第２の線路とによる多線条結合線路によって構成する技術が記載されている。

しかし、特許文献１に記載されたバランでは、以下のような問題点がある。すなわち、特許文献１に記載されたバランでは、第１ないし第４の結合線路の全てが、半導体基板の同一面上に配置されている。そのため、このバランでは、占有面積が大きくなって、小型化が困難である。また、このバランでは、小型化しようとすると、結合させるべきではない複数の線路が互いに近づき、これらの線路間で不要な結合が生じて、所望の特性が得られなくなるおそれがある。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、広い周波数帯域において振幅バランス特性および位相バランス特性が良好なバランを含み、且つ小型化が可能な電子部品を提供することにある。

本発明の積層型電子部品は、積層体と、積層体を用いて構成されたバランとを備えている。積層体は、積層された複数の誘電体層と複数の導体層とを含んでいる。バランは、不平衡ポートと、第１の平衡ポートと、第２の平衡ポートと、不平衡伝送線路と、第１ないし第４の平衡伝送線路とを含んでいる。不平衡伝送線路は、直列に接続された第１の線路部分と第２の線路部分とを含んでいる。第１の平衡伝送線路および第２の平衡伝送線路は、第１の線路部分に対して電磁界結合する。第３の平衡伝送線路および第４の平衡伝送線路は、第２の線路部分に対して電磁界結合する。

第１および第２の線路部分と第１ないし第４の平衡伝送線路の各々は、互いに反対側に位置する第１の端部および第２の端部を有している。第１の線路部分の第１の端部は、不平衡ポートに接続されている。第１の線路部分の第２の端部は、第２の線路部分の第２の端部に接続されている。第１の平衡伝送線路の第１の端部および第２の平衡伝送線路の第１の端部は、第１の平衡ポートに接続されている。第３の平衡伝送線路の第１の端部および第４の平衡伝送線路の第１の端部は、第２の平衡ポートに接続されている。第１および第２の線路部分と第１ないし第４の平衡伝送線路の各々は、複数の導体層のうちの少なくとも１つの導体層を用いて構成されている。

本発明の積層型電子部品において、第１の線路部分と第１の平衡伝送線路と第２の平衡伝送線路は、複数の誘電体層の積層方向における互いに異なる位置に配置され、第１の線路部分は、第１の平衡伝送線路と第２の平衡伝送線路の間に介在していてもよい。同様に、第２の線路部分と第３の平衡伝送線路と第４の平衡伝送線路は、複数の誘電体層の積層方向における互いに異なる位置に配置され、第２の線路部分は、第３の平衡伝送線路と第４の平衡伝送線路の間に介在していてもよい。この場合、第１および第２の線路部分と第１ないし第４の平衡伝送線路の各々は、コイルを含んでいてもよい。

また、本発明の積層型電子部品において、第１の線路部分と第１の平衡伝送線路と第２の平衡伝送線路は、積層体内の第１の領域に配置され、第２の線路部分と第３の平衡伝送線路と第４の平衡伝送線路は、積層体内の第２の領域に配置されていてもよい。第１の領域と第２の領域は、複数の誘電体層の積層方向に分かれている。

本発明の積層型電子部品は、更に、積層体を用いて構成されてバランに接続された分波回路を備えていてもよい。分波回路は、不平衡ポートに接続された第１のフィルタおよび第２のフィルタを含んでいてもよい。第１のフィルタは、第１の周波数帯域内の周波数の第１の信号を選択的に通過させる。第２のフィルタは、第１の周波数帯域よりも高い周波数帯域である第２の周波数帯域内の周波数の第２の信号を選択的に通過させる。

本発明の積層型電子部品では、バランは、不平衡伝送線路の第１の線路部分に対して電磁界結合する第１および第２の平衡伝送線路と、不平衡伝送線路の第２の線路部分に対して電磁界結合する第３および第４の平衡伝送線路とを含んでいる。これにより、広い周波数帯域において振幅バランス特性および位相バランス特性が良好なバランを実現することが可能になる。また、本発明では、バランは積層体を用いて構成されている。これにより、バランを含む積層型電子部品の小型化が可能になる。以上のことから、本発明によれば、広い周波数帯域において振幅バランス特性および位相バランス特性が良好なバランを含み、且つ小型化が可能な積層型電子部品を実現することが可能になるという効果を奏する。

本発明の一実施の形態に係る積層型電子部品に含まれるバランの回路構成を示す回路図である。 本発明の一実施の形態に係る積層型電子部品に含まれる回路全体の構成を示す回路図である。 本発明の一実施の形態に係る積層型電子部品の斜視図である。 図３に示した積層型電子部品の積層体の内部を示す斜視図である。 図３に示した積層型電子部品の積層体の断面図である。 図３に示した積層型電子部品の積層体における１層目ないし３層目の誘電体層の上面を示す説明図である。 図３に示した積層型電子部品の積層体における４層目ないし６層目の誘電体層の上面を示す説明図である。 図３に示した積層型電子部品の積層体における７層目ないし９層目の誘電体層の上面を示す説明図である。 図３に示した積層型電子部品の積層体における１０層目ないし１２層目の誘電体層の上面を示す説明図である。 図３に示した積層型電子部品の積層体における１３層目ないし１５層目の誘電体層の上面を示す説明図である。 図３に示した積層型電子部品の積層体における１６層目ないし１８層目の誘電体層の上面を示す説明図である。 図３に示した積層型電子部品の積層体における１９層目ないし２１層目の誘電体層の上面を示す説明図である。 図３に示した積層型電子部品の積層体における２２層目ないし２４層目の誘電体層の上面を示す説明図である。 図３に示した積層型電子部品の積層体における２５層目ないし２７層目の誘電体層の上面を示す説明図である。 図３に示した積層型電子部品の積層体における２７層目の誘電体層の下面を示す説明図である。 比較例のバランの回路構成を示す回路図である。 比較例のバランの振幅バランス特性の一例を示す特性図である。 比較例のバランの位相バランス特性の一例を示す特性図である。 本発明の一実施の形態におけるバランの振幅バランス特性の一例を示す特性図である。 本発明の一実施の形態におけるバランの位相バランス特性の一例を示す特性図である。 比較例の積層型電子部品における低域の振幅バランス特性を示す特性図である。 比較例の積層型電子部品における低域の位相バランス特性を示す特性図である。 比較例の積層型電子部品における高域の振幅バランス特性を示す特性図である。 比較例の積層型電子部品における高域の位相バランス特性を示す特性図である。 実施例の積層型電子部品における低域の振幅バランス特性を示す特性図である。 実施例の積層型電子部品における低域の位相バランス特性を示す特性図である。 実施例の積層型電子部品における高域の振幅バランス特性を示す特性図である。 実施例の積層型電子部品における高域の位相バランス特性を示す特性図である。

以下、本発明の一実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。図３は、本発明の一実施の形態に係る積層型電子部品１の斜視図である。図３に示したように、本実施の形態に係る積層型電子部品１は、積層体５０を備えている。後で詳しく説明するが、積層体５０は、積層された複数の誘電体層と複数の導体層とを含んでいる。

積層体５０は、外周部を有する直方体形状をなしている。積層体５０の外周部は、上面５０Ａと、底面５０Ｂと、４つの側面５０Ｃ〜５０Ｆとを含んでいる。上面５０Ａと底面５０Ｂは互いに反対側を向き、側面５０Ｃ，５０Ｄも互いに反対側を向き、側面５０Ｅ，５０Ｆも互いに反対側を向いている。側面５０Ｃ〜５０Ｆは、上面５０Ａおよび底面５０Ｂに対して垂直になっている。積層体５０において、上面５０Ａおよび底面５０Ｂに垂直な方向が、複数の誘電体層の積層方向である。図３では、この積層方向を、記号Ｔを付した矢印で示している。

図３に示したように、積層型電子部品１は、第１の信号端子１１と、第２の信号端子１２と、第１の平衡端子１３Ａと、第２の平衡端子１３Ｂと、２つのグランド端子１４，１５を備えている。グランド端子１４，１５は、グランドに接続される。端子１１，１２，１３Ａ，１３Ｂ，１４，１５は、積層体５０の底面５０Ｂに配置されている。

積層型電子部品１は、更に、積層体５０を用いて構成されたバラン２を備えている。図１は、バラン２の回路構成を示す回路図である。図１に示したように、バラン２は、不平衡ポート２０と、第１の平衡ポート２３Ａと、第２の平衡ポート２３Ｂと、不平衡伝送線路２４と、第１の平衡伝送線路２５Ａと、第２の平衡伝送線路２６Ａと、第３の平衡伝送線路２５Ｂと、第４の平衡伝送線路２６Ｂとを含んでいる。

不平衡伝送線路２４は、直列に接続された第１の線路部分２４Ａと第２の線路部分２４Ｂとを含んでいる。第１の平衡伝送線路２５Ａおよび第２の平衡伝送線路２６Ａは、第１の線路部分２４Ａに対して電磁界結合する。第３の平衡伝送線路２５Ｂおよび第４の平衡伝送線路２６Ｂは、第２の線路部分２４Ｂに対して電磁界結合する。

第１の線路部分２４Ａは、互いに反対側に位置する第１の端部２４Ａ１および第２の端部２４Ａ２を有している。第２の線路部分２４Ｂは、互いに反対側に位置する第１の端部２４Ｂ１および第２の端部２４Ｂ２を有している。第１の線路部分２４Ａの第１の端部２４Ａ１は、不平衡ポート２０に接続されている。第１の線路部分２４Ａの第２の端部２４Ａ２は、第２の線路部分２４Ｂの第２の端部２４Ｂ２に接続されている。

第１の平衡伝送線路２５Ａは、互いに反対側に位置する第１の端部２５Ａ１および第２の端部２５Ａ２を有している。第２の平衡伝送線路２６Ａは、互いに反対側に位置する第１の端部２６Ａ１および第２の端部２６Ａ２を有している。第３の平衡伝送線路２５Ｂは、互いに反対側に位置する第１の端部２５Ｂ１および第２の端部２５Ｂ２を有している。第４の平衡伝送線路２６Ｂは、互いに反対側に位置する第１の端部２６Ｂ１および第２の端部２６Ｂ２を有している。

第１の平衡伝送線路２５Ａの第１の端部２５Ａ１および第２の平衡伝送線路２６Ａの第１の端部２６Ａ１は、第１の平衡ポート２３Ａに接続されている。第３の平衡伝送線路２５Ｂの第１の端部２５Ｂ１および第４の平衡伝送線路２６Ｂの第１の端部２６Ｂ１は、第２の平衡ポート２３Ｂに接続されている。

図３に示した第１の平衡端子１３Ａは、第１の平衡ポート２３Ａに対応する。図３に示した第２の平衡端子１３Ｂは、第２の平衡ポート２３Ｂに対応する。第１ないし第４の平衡伝送線路２５Ａ，２６Ａ，２５Ｂ，２６Ｂのそれぞれの第２の端部２５Ａ２，２６Ａ２，２５Ｂ２，２６Ｂ２は、図３に示したグランド端子１４，１５に接続されている。

第１および第２の平衡伝送線路２５Ａ，２６Ａは並列に接続されている。第３および第４の平衡伝送線路２５Ｂ，２６Ｂも並列に接続されている。

本実施の形態におけるバラン２は、マーチャントバランの範疇に入る。第１および第２の線路部分２４Ａ，２４Ｂと第１ないし第４の平衡伝送線路２５Ａ，２６Ａ，２５Ｂ，２６Ｂの各々は、バラン２の使用周波数帯域内の所定の周波数に対応する波長の１／４に相当する長さを有する１／４波長線路である。

第１および第２の線路部分２４Ａ，２４Ｂと第１ないし第４の平衡伝送線路２５Ａ，２６Ａ，２５Ｂ，２６Ｂのそれぞれの第１の端部２４Ａ１，２４Ｂ１，２５Ａ１，２６Ａ１，２５Ｂ１，２６Ｂ１は、開放端である。第１ないし第４の平衡伝送線路２５Ａ，２６Ａ，２５Ｂ，２６Ｂのそれぞれの第２の端部２５Ａ２，２６Ａ２，２５Ｂ２，２６Ｂ２は、短絡端である。

第１の平衡伝送線路２５Ａは、第１の端部２５Ａ１が第１の線路部分２４Ａの第２の端部２４Ａ２に近接し、第２の端部２５Ａ２が第１の線路部分２４Ａの第１の端部２４Ａ１に近接した状態で、第１の線路部分２４Ａに対向している。同様に、第２の平衡伝送線路２６Ａは、第１の端部２６Ａ１が第１の線路部分２４Ａの第２の端部２４Ａ２に近接し、第２の端部２６Ａ２が第１の線路部分２４Ａの第１の端部２４Ａ１に近接した状態で、第１の線路部分２４Ａに対向している。

第３の平衡伝送線路２５Ｂは、第１の端部２５Ｂ１が第２の線路部分２４Ｂの第２の端部２４Ｂ２に近接し、第２の端部２５Ｂ２が第２の線路部分２４Ｂの第１の端部２４Ｂ１に近接した状態で、第２の線路部分２４Ｂに対向している。同様に、第４の平衡伝送線路２６Ｂは、第１の端部２６Ｂ１が第２の線路部分２４Ｂの第２の端部２４Ｂ２に近接し、第２の端部２６Ｂ２が第２の線路部分２４Ｂの第１の端部２４Ｂ１に近接した状態で、第２の線路部分２４Ｂに対向している。

後で詳しく説明するが、第１および第２の線路部分２４Ａ，２４Ｂと第１ないし第４の平衡伝送線路２５Ａ，２６Ａ，２５Ｂ，２６Ｂの各々は、積層体５０に含まれる複数の導体層のうちの少なくとも１つの導体層を用いて構成されている。

図２は、積層型電子部品１に含まれる回路全体の構成を示す回路図である。図２に示したように、積層型電子部品１は、バラン２に接続された分波回路３を備えている。この分波回路３は、バラン２と同様に、積層体５０を用いて構成されている。

分波回路３は、バラン２の不平衡ポート２０に接続された第１のフィルタ３０および第２のフィルタ４０を含んでいる。第１のフィルタ３０は、第１の周波数帯域内の周波数の第１の信号を選択的に通過させる。第２のフィルタ４０は、第１の周波数帯域よりも高い周波数帯域である第２の周波数帯域内の周波数の第２の信号を選択的に通過させる。例えば、フィルタ３０，４０は、いずれもバンドパスフィルタである。図２には、フィルタ３０，４０の構成の一例を示している。以下、このフィルタ３０，４０の構成の一例について説明する。

図２において、符号４は、第１のフィルタ３０と第２のフィルタ４０の接続点を示している。この接続点４は、バラン２の不平衡ポート２０に接続されている。

第１のフィルタ３０は、接続点４と第１の信号端子１１の間に、接続点４側から順に直列に設けられたインダクタ３１，３２を有している。第１のフィルタ３０は、更に、キャパシタ３３，３４，３５を有している。キャパシタ３３は、インダクタ３２に対して並列に設けられている。キャパシタ３４は、インダクタ３１，３２の接続点とグランドとの間に設けられている。キャパシタ３５は、第１の信号端子１１とグランドとの間に設けられている。

第２のフィルタ４０は、接続点４と第２の信号端子１２の間に、接続点４側から順に直列に設けられたキャパシタ４１，４２，４３を有している。第２のフィルタ４０は、更に、キャパシタ４２，４３の接続点と接続点４との間に設けられたキャパシタ４４を有している。第２のフィルタ４０は、更に、インダクタ４５，４６を有している。インダクタ４５は、キャパシタ４１，４２の接続点とグランドとの間に設けられている。インダクタ４６は、キャパシタ４３に対して並列に設けられている。

図２に示した例では、積層型電子部品１は、更に、キャパシタ２９，４９を備えている。キャパシタ２９は、第２の平衡端子１３Ｂ（第２の平衡ポート２３Ｂ）とグランドとの間に設けられている。キャパシタ４９は、第２の線路部分２４Ｂの第１の端部２４Ｂ１と接続点４との間に設けられている。

次に、積層体５０について詳しく説明する。積層体５０は、積層された２７層の誘電体層を有している。以下、この２７層の誘電体層を、上から順に１層目ないし２７層目の誘電体層と呼ぶ。図４は、積層体５０の内部を示す斜視図である。図５は、積層体５０の断面図である。図６において（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、１層目ないし３層目の誘電体層の上面を示している。図７において（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、４層目ないし６層目の誘電体層の上面を示している。図８において（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、７層目ないし９層目の誘電体層の上面を示している。図９において（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、１０層目ないし１２層目の誘電体層の上面を示している。図１０において（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、１３層目ないし１５層目の誘電体層の上面を示している。図１１において（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、１６層目ないし１８層目の誘電体層の上面を示している。図１２において（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、１９層目ないし２１層目の誘電体層の上面を示している。図１３において（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、２２層目ないし２４層目の誘電体層の上面を示している。図１４において（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、２５層目ないし２７層目の誘電体層の上面を示している。図１５は、２７層目の誘電体層の下面を示している。図１５では、２７層目の誘電体層の下面とそこに配置された導体層を、上から見た状態で表している。

図６（ａ）に示したように、１層目の誘電体層５１の上面には、マークとして用いられる導体層５１１が形成されている。図６（ｂ）に示したように、２層目の誘電体層５２の上面には、第３の平衡伝送線路２５Ｂを構成するために用いられる導体層５２１が形成されている。導体層５２１は、コイルを構成している。導体層５２１は、互いに反対側に位置する第１端と第２端を有している。また、誘電体層５２には、スルーホール５２Ｔ５，５２Ｔ７が形成されている。スルーホール５２Ｔ５は、導体層５２１における第１端の近傍部分に接続されている。スルーホール５２Ｔ７は、導体層５２１における第２端の近傍部分に接続されている。

図６（ｃ）に示したように、３層目の誘電体層５３の上面には、インダクタ３１を構成するために用いられる導体層５３２と、インダクタ４５を構成するために用いられる導体層５３３と、キャパシタ４９を構成するために用いられる導体層５３４が形成されている。導体層５３２と導体層５３４は、互いに接続されている。図６（ｃ）では、導体層５３２と導体層５３４の境界を点線で示している。導体層５３３は、互いに反対側に位置する第１端と第２端を有している。

また、誘電体層５３には、スルーホール５３Ｔ５，５３Ｔ７，５３Ｔ９，５３Ｔ１０，５３Ｔ１３が形成されている。スルーホール５３Ｔ５は、導体層５３３における第１端の近傍部分と、図６（ｂ）に示したスルーホール５２Ｔ５に接続されている。スルーホール５３Ｔ７は、図６（ｂ）に示したスルーホール５２Ｔ７に接続されている。スルーホール５３Ｔ９は、導体層５３２における導体層５３４との境界の近傍部分に接続されている。スルーホール５３Ｔ１０は、導体層５３２における導体層５３４との境界とは反対側に位置する端部の近傍部分に接続されている。スルーホール５３Ｔ１３は、導体層５３３における第２端の近傍部分に接続されている。

図７（ａ）に示したように、４層目の誘電体層５４の上面には、不平衡伝送線路２４の第２の線路部分２４Ｂを構成するために用いられる導体層５４１と、インダクタ３１を構成するために用いられる導体層５４２と、インダクタ４５を構成するために用いられる導体層５４３と、キャパシタ４９を構成するために用いられる導体層５４４が形成されている。導体層５４１と導体層５４４は、互いに接続されている。図７（ａ）では、導体層５４１と導体層５４４の境界を点線で示している。導体層５４１は、コイルを構成している。導体層５４２，５４３の各々は、互いに反対側に位置する第１端と第２端を有している。

また、誘電体層５４には、スルーホール５４Ｔ５，５４Ｔ６，５４Ｔ７，５４Ｔ９，５４Ｔ１０，５４Ｔ１３が形成されている。スルーホール５４Ｔ５，５４Ｔ７，５４Ｔ９は、それぞれ、図６（ｃ）に示したスルーホール５３Ｔ５，５３Ｔ７，５３Ｔ９に接続されている。スルーホール５４Ｔ６は、導体層５４１における導体層５４４との境界とは反対側に位置する端部の近傍部分に接続されている。スルーホール５４Ｔ１０は、導体層５４２における第１端の近傍部分に接続されている。スルーホール５４Ｔ１３は、導体層５４３における第１端の近傍部分に接続されている。図６（ｃ）に示したスルーホール５３Ｔ１０は、導体層５４２における第２端の近傍部分に接続されている。図６（ｃ）に示したスルーホール５３Ｔ１３は、導体層５４３における第２端の近傍部分に接続されている。

図７（ｂ）に示したように、５層目の誘電体層５５の上面には、インダクタ３１を構成するために用いられる導体層５５２と、インダクタ４５を構成するために用いられる導体層５５３と、キャパシタ４９を構成するために用いられる導体層５５４が形成されている。導体層５４２，５４３の各々は、互いに反対側に位置する第１端と第２端を有している。

また、誘電体層５５には、スルーホール５５Ｔ５，５５Ｔ６，５５Ｔ７，５５Ｔ９，５５Ｔ１０，５５Ｔ１３が形成されている。スルーホール５５Ｔ５，５５Ｔ６，５５Ｔ７は、それぞれ、図７（ａ）に示したスルーホール５４Ｔ５，５４Ｔ６，５４Ｔ７に接続されている。スルーホール５５Ｔ９は、導体層５５４と、図７（ａ）に示したスルーホール５４Ｔ９に接続されている。スルーホール５５Ｔ１０は、導体層５５２における第１端の近傍部分に接続されている。スルーホール５５Ｔ１３は、導体層５５３における第１端の近傍部分に接続されている。図７（ａ）に示したスルーホール５４Ｔ１０は、導体層５５２における第２端の近傍部分に接続されている。図７（ａ）に示したスルーホール５４Ｔ１３は、導体層５５３における第２端の近傍部分に接続されている。

図７（ｃ）に示したように、６層目の誘電体層５６の上面には、第４の平衡伝送線路２６Ｂを構成するために用いられる導体層５６１と、インダクタ３１を構成するために用いられる導体層５６２と、インダクタ４５を構成するために用いられる導体層５６３が形成されている。導体層５６１は、コイルを構成している。導体層５６１，５６２，５６３の各々は、互いに反対側に位置する第１端と第２端を有している。

また、誘電体層５６には、スルーホール５６Ｔ３Ｂ，５６Ｔ５，５６Ｔ６，５６Ｔ７，５６Ｔ９，５６Ｔ１０，５６Ｔ１３が形成されている。スルーホール５６Ｔ３Ｂは、導体層５６１における第１端の近傍部分に接続されている。スルーホール５６Ｔ５は、導体層５６１における第２端の近傍部分と、図７（ｂ）に示したスルーホール５５Ｔ５に接続されている。スルーホール５６Ｔ６，５６Ｔ７，５６Ｔ９は、それぞれ、図７（ｂ）に示したスルーホール５５Ｔ６，５５Ｔ７，５５Ｔ９に接続されている。スルーホール５６Ｔ１０は、導体層５６２における第１端の近傍部分に接続されている。スルーホール５６Ｔ１３は、導体層５６３における第１端の近傍部分に接続されている。図７（ｂ）に示したスルーホール５５Ｔ１０は、導体層５６２における第２端の近傍部分に接続されている。図７（ｂ）に示したスルーホール５５Ｔ１３は、導体層５６３における第２端の近傍部分に接続されている。

図８（ａ）に示したように、７層目の誘電体層５７の上面には、導体層５７１，５７２が形成されている。導体層５７１，５７２の各々は、互いに反対側に位置する第１端と第２端を有している。また、誘電体層５７には、スルーホール５７Ｔ３Ｂ，５７Ｔ５，５７Ｔ６，５７Ｔ７，５７Ｔ９，５７Ｔ１０，５７Ｔ１３が形成されている。スルーホール５７Ｔ３Ｂは、導体層５７１における第１端の近傍部分に接続されている。スルーホール５７Ｔ５，５７Ｔ６，５７Ｔ７，５７Ｔ９，５７Ｔ１０は、それぞれ、図７（ｃ）に示したスルーホール５６Ｔ５，５６Ｔ６，５６Ｔ７，５６Ｔ９，５６Ｔ１０に接続されている。スルーホール５７Ｔ１３は、導体層５７２における第１端の近傍部分に接続されている。図７（ｃ）に示したスルーホール５６Ｔ３Ｂは、導体層５７１における第２端の近傍部分に接続されている。図７（ｃ）に示したスルーホール５６Ｔ１３は、導体層５７２における第２端の近傍部分に接続されている。

図８（ｂ）に示したように、８層目の誘電体層５８の上面には、導体層５８１，５８２が形成されている。導体層５８１は、互いに反対側に位置する第１端と第２端を有している。また、誘電体層５８には、スルーホール５８Ｔ３Ｂ，５８Ｔ５，５８Ｔ６，５８Ｔ７，５８Ｔ９，５８Ｔ１０，５８Ｔ１３が形成されている。スルーホール５８Ｔ３Ｂ，５８Ｔ５，５８Ｔ９，５８Ｔ１０，５８Ｔ１３は、それぞれ、図８（ａ）に示したスルーホール５７Ｔ３Ｂ，５７Ｔ５，５７Ｔ９，５７Ｔ１０，５７Ｔ１３に接続されている。スルーホール５８Ｔ６は、導体層５８１における第１端の近傍部分に接続されている。スルーホール５８Ｔ７は、導体層５８２に接続されている。図８（ａ）に示したスルーホール５７Ｔ６は、導体層５８１における第２端の近傍部分に接続されている。図８（ａ）に示したスルーホール５７Ｔ７は、導体層５８２に接続されている。

図８（ｃ）に示したように、９層目の誘電体層５９の上面には、インダクタ３２を構成するために用いられる導体層５９２が形成されている。導体層５９２は、互いに反対側に位置する第１端と第２端を有している。また、誘電体層５９には、スルーホール５９Ｔ１，５９Ｔ３Ｂ，５９Ｔ５，５９Ｔ６，５９Ｔ７，５９Ｔ９，５９Ｔ１０，５９Ｔ１１，５９Ｔ１３が形成されている。スルーホール５９Ｔ１は、導体層５９２における第１端の近傍部分に接続されている。スルーホール５９Ｔ３Ｂ，５９Ｔ５，５９Ｔ６，５９Ｔ７，５９Ｔ９，５９Ｔ１０，５９Ｔ１３は、それぞれ、図８（ｂ）に示したスルーホール５８Ｔ３Ｂ，５８Ｔ５，５８Ｔ６，５８Ｔ７，５８Ｔ９，５８Ｔ１０，５８Ｔ１３に接続されている。スルーホール５９Ｔ１１は、導体層５９２における第２端の近傍部分に接続されている。

図９（ａ）に示したように、１０層目の誘電体層６０の上面には、導体層６０１が形成されている。導体層６０１は、互いに反対側に位置する第１端と第２端を有している。また、誘電体層６０には、スルーホール６０Ｔ１，６０Ｔ３Ｂ，６０Ｔ５，６０Ｔ６，６０Ｔ９，６０Ｔ１０，６０Ｔ１１，６０Ｔ１３が形成されている。スルーホール６０Ｔ１，６０Ｔ５，６０Ｔ６，６０Ｔ９，６０Ｔ１０，６０Ｔ１１，６０Ｔ１３は、それぞれ、図８（ｃ）に示したスルーホール５９Ｔ１，５９Ｔ５，５９Ｔ６，５９Ｔ９，５９Ｔ１０，５９Ｔ１１，５９Ｔ１３に接続されている。スルーホール６０Ｔ３Ｂは、導体層６０１における第１端の近傍部分と、図８（ｃ）に示したスルーホール５９Ｔ３Ｂに接続されている。図８（ｃ）に示したスルーホール５９Ｔ７は、導体層６０１における第２端の近傍部分に接続されている。

図９（ｂ）に示したように、１１層目の誘電体層６１の上面には、導体層６１１と、インダクタ３２を構成するために用いられる導体層６１２と、インダクタ４６を構成するために用いられる導体層６１３が形成されている。導体層６１１，６１２，６１３の各々は、互いに反対側に位置する第１端と第２端を有している。また、誘電体層６１には、スルーホール６１Ｔ１，６１Ｔ２，６１Ｔ３Ａ，６１Ｔ３Ｂ，６１Ｔ５，６１Ｔ６，６１Ｔ８，６１Ｔ９，６１Ｔ１０，６１Ｔ１１，６１Ｔ１２，６１Ｔ１３が形成されている。スルーホール６１Ｔ１，６１Ｔ３Ｂ，６１Ｔ５，６１Ｔ６，６１Ｔ９，６１Ｔ１０，６１Ｔ１３は、それぞれ、図９（ａ）に示したスルーホール６０Ｔ１，６０Ｔ３Ｂ，６０Ｔ５，６０Ｔ６，６０Ｔ９，６０Ｔ１０，６０Ｔ１３に接続されている。スルーホール６１Ｔ２は、導体層６１３における第１端の近傍部分に接続されている。スルーホール６１Ｔ３Ａは、導体層６１１における第１端の近傍部分に接続されている。スルーホール６１Ｔ８は、導体層６１１における第２端の近傍部分に接続されている。スルーホール６１Ｔ１１は、導体層６１２における第１端の近傍部分に接続されている。スルーホール６１Ｔ１２は、導体層６１３における第２端の近傍部分に接続されている。図９（ａ）に示したスルーホール６０Ｔ１１は、導体層６１２における第２端の近傍部分に接続されている。

図９（ｃ）に示したように、１２層目の誘電体層６２の上面には、インダクタ４６を構成するために用いられる導体層６２３が形成されている。導体層６２３は、互いに反対側に位置する第１端と第２端を有している。また、誘電体層６２には、スルーホール６２Ｔ１，６２Ｔ２，６２Ｔ３Ａ，６２Ｔ３Ｂ，６２Ｔ５，６２Ｔ６，６２Ｔ８，６２Ｔ９，６２Ｔ１０，６２Ｔ１１，６２Ｔ１２，６２Ｔ１３が形成されている。スルーホール６２Ｔ１，６２Ｔ２，６２Ｔ３Ａ，６２Ｔ３Ｂ，６２Ｔ５，６２Ｔ６，６２Ｔ８，６２Ｔ９，６２Ｔ１０，６２Ｔ１１，６２Ｔ１３は、それぞれ、図９（ｂ）に示したスルーホール６１Ｔ１，６１Ｔ２，６１Ｔ３Ａ，６１Ｔ３Ｂ，６１Ｔ５，６１Ｔ６，６１Ｔ８，６１Ｔ９，６１Ｔ１０，６１Ｔ１１，６１Ｔ１３に接続されている。スルーホール６２Ｔ１２は、導体層６２３における第１端の近傍部分に接続されている。図９（ｂ）に示したスルーホール６１Ｔ１２は、導体層６２３における第２端の近傍部分に接続されている。

図１０（ａ）に示したように、１３層目の誘電体層６３の上面には、導体層６３１と、インダクタ３２を構成するために用いられる導体層６３２と、インダクタ４６を構成するために用いられる導体層６３３と、導体層６３４が形成されている。導体層６３１，６３２，６３３の各々は、互いに反対側に位置する第１端と第２端を有している。また、誘電体層６３には、スルーホール６３Ｔ１，６３Ｔ２，６３Ｔ３Ａ，６３Ｔ３Ｂ，６３Ｔ５，６３Ｔ６，６３Ｔ８，６３Ｔ９，６３Ｔ１０，６３Ｔ１１，６３Ｔ１２，６３Ｔ１３が形成されている。スルーホール６３Ｔ１，６３Ｔ２，６３Ｔ３Ａ，６３Ｔ３Ｂ，６３Ｔ５，６３Ｔ９，６３Ｔ１０，６３Ｔ１３は、それぞれ、図９（ｃ）に示したスルーホール６２Ｔ１，６２Ｔ２，６２Ｔ３Ａ，６２Ｔ３Ｂ，６２Ｔ５，６２Ｔ９，６２Ｔ１０，６２Ｔ１３に接続されている。スルーホール６３Ｔ６は、導体層６３１における第１端の近傍部分に接続されている。スルーホール６３Ｔ８は、導体層６３４に接続されている。スルーホール６３Ｔ１１は、導体層６３２における第１端の近傍部分に接続されている。スルーホール６３Ｔ１２は、導体層６３３における第１端の近傍部分に接続されている。図９（ｃ）に示したスルーホール６２Ｔ６は、導体層６３１における第２端の近傍部分に接続されている。図９（ｃ）に示したスルーホール６２Ｔ８は、導体層６３４に接続されている。図９（ｃ）に示したスルーホール６２Ｔ１１は、導体層６３２における第２端の近傍部分に接続されている。図９（ｃ）に示したスルーホール６２Ｔ１２は、導体層６３３における第２端の近傍部分に接続されている。

図１０（ｂ）に示したように、１４層目の誘電体層６４の上面には、導体層６４１が形成されている。導体層６４１は、互いに反対側に位置する第１端と第２端を有している。また、誘電体層６４には、スルーホール６４Ｔ１，６４Ｔ２，６４Ｔ３Ａ，６４Ｔ３Ｂ，６４Ｔ５，６４Ｔ６，６４Ｔ７，６４Ｔ８，６４Ｔ９，６４Ｔ１０，６４Ｔ１１，６４Ｔ１２，６４Ｔ１３が形成されている。スルーホール６４Ｔ１，６４Ｔ２，６４Ｔ３Ｂ，６４Ｔ５，６４Ｔ６，６４Ｔ８，６４Ｔ９，６４Ｔ１０，６４Ｔ１１，６４Ｔ１２，６４Ｔ１３は、それぞれ、図１０（ａ）に示したスルーホール６３Ｔ１，６３Ｔ２，６３Ｔ３Ｂ，６３Ｔ５，６３Ｔ６，６３Ｔ８，６３Ｔ９，６３Ｔ１０，６３Ｔ１１，６３Ｔ１２，６３Ｔ１３に接続されている。スルーホール６４Ｔ３Ａは、導体層６４１における第１端の近傍部分と、図１０（ａ）に示したスルーホール６３Ｔ３Ａに接続されている。スルーホール６４Ｔ７は、導体層６４１における第２端の近傍部分に接続されている。

図１０（ｃ）に示したように、１５層目の誘電体層６５の上面には、第１の平衡伝送線路２５Ａを構成するために用いられる導体層６５１と、導体層６５２が形成されている。導体層６５１は、コイルを構成している。導体層６５１は、互いに反対側に位置する第１端と第２端を有している。また、誘電体層６５には、スルーホール６５Ｔ１，６５Ｔ２，６５Ｔ３Ａ，６５Ｔ３Ｂ，６５Ｔ５，６５Ｔ６，６５Ｔ８，６５Ｔ９，６５Ｔ１０，６５Ｔ１１，６５Ｔ１２，６５Ｔ１３が形成されている。スルーホール６５Ｔ１，６５Ｔ２，６５Ｔ３Ａ，６５Ｔ３Ｂ，６５Ｔ６，６５Ｔ８，６５Ｔ９，６５Ｔ１０，６５Ｔ１１，６５Ｔ１３は、それぞれ、図１０（ｂ）に示したスルーホール６４Ｔ１，６４Ｔ２，６４Ｔ３Ａ，６４Ｔ３Ｂ，６４Ｔ６，６４Ｔ８，６４Ｔ９，６４Ｔ１０，６４Ｔ１１，６４Ｔ１３に接続されている。スルーホール６５Ｔ５は、導体層６５１における第１端の近傍部分と、図１０（ｂ）に示したスルーホール６４Ｔ５に接続されている。スルーホール６５Ｔ１２は、導体層６５２に接続されている。図１０（ｂ）に示したスルーホール６４Ｔ７は、導体層６５１における第２端の近傍部分に接続されている。図１０（ｂ）に示したスルーホール６４Ｔ１２は、導体層６５２に接続されている。

図１１（ａ）に示したように、１６層目の誘電体層６６には、スルーホール６６Ｔ１，６６Ｔ２，６６Ｔ３Ａ，６６Ｔ３Ｂ，６６Ｔ５，６６Ｔ６，６６Ｔ８，６６Ｔ９，６６Ｔ１０，６６Ｔ１１，６６Ｔ１２，６６Ｔ１３が形成されている。スルーホール６６Ｔ１，６６Ｔ２，６６Ｔ３Ａ，６６Ｔ３Ｂ，６６Ｔ５，６６Ｔ６，６６Ｔ８，６６Ｔ９，６６Ｔ１０，６６Ｔ１１，６６Ｔ１２，６６Ｔ１３は、それぞれ、図１０（ｃ）に示したスルーホール６５Ｔ１，６５Ｔ２，６５Ｔ３Ａ，６５Ｔ３Ｂ，６５Ｔ５，６５Ｔ６，６５Ｔ８，６５Ｔ９，６５Ｔ１０，６５Ｔ１１，６５Ｔ１２，６５Ｔ１３に接続されている。

図１１（ｂ）に示したように、１７層目の誘電体層６７の上面には、不平衡伝送線路２４の第１の線路部分２４Ａを構成するために用いられる導体層６７１が形成されている。導体層６７１は、コイルを構成する主要部分と、主要部分に接続された枝部とを有している。主要部分は、互いに反対側に位置する第１端と第２端を有している。枝部は、主要部分の第１端の近傍部分に接続されている。

また、誘電体層６７には、スルーホール６７Ｔ１，６７Ｔ２，６７Ｔ３Ａ，６７Ｔ３Ｂ，６７Ｔ５，６７Ｔ８，６７Ｔ９，６７Ｔ１０，６７Ｔ１１，６７Ｔ１２，６７Ｔ１３が形成されている。スルーホール６７Ｔ１，６７Ｔ２，６７Ｔ３Ａ，６７Ｔ３Ｂ，６７Ｔ５，６７Ｔ８，６７Ｔ１０，６７Ｔ１１，６７Ｔ１２，６７Ｔ１３は、それぞれ、図１１（ａ）に示したスルーホール６６Ｔ１，６６Ｔ２，６６Ｔ３Ａ，６６Ｔ３Ｂ，６６Ｔ５，６６Ｔ８，６６Ｔ１０，６６Ｔ１１，６６Ｔ１２，６６Ｔ１３に接続されている。スルーホール６７Ｔ９は、導体層６７１の枝部と、図１１（ａ）に示したスルーホール６６Ｔ９に接続されている。図１１（ａ）に示したスルーホール６６Ｔ６は、導体層６７１の主要部分における第２端の近傍部分に接続されている。

図１１（ｃ）に示したように、１８層目の誘電体層６８の上面には、キャパシタ４１を構成するために用いられる導体層６８３と、導体層６８４が形成されている。また、誘電体層６８には、スルーホール６８Ｔ１，６８Ｔ２，６８Ｔ３Ａ，６８Ｔ３Ｂ，６８Ｔ５，６８Ｔ８，６８Ｔ９，６８Ｔ１０，６８Ｔ１１，６８Ｔ１２，６８Ｔ１３が形成されている。スルーホール６８Ｔ１，６８Ｔ２，６８Ｔ３Ａ，６８Ｔ３Ｂ，６８Ｔ５，６８Ｔ８，６８Ｔ１１，６８Ｔ１２，６８Ｔ１３は、それぞれ、図１１（ｂ）に示したスルーホール６７Ｔ１，６７Ｔ２，６７Ｔ３Ａ，６７Ｔ３Ｂ，６７Ｔ５，６７Ｔ８，６７Ｔ１１，６７Ｔ１２，６７Ｔ１３に接続されている。スルーホール６８Ｔ９，６８Ｔ１０は、それぞれ、導体層６８３，６８４に接続されている。図１１（ｂ）に示したスルーホール６７Ｔ９，６７Ｔ１０は、それぞれ、導体層６８３，６８４に接続されている。

図１２（ａ）に示したように、１９層目の誘電体層６９の上面には、第２の平衡伝送線路２６Ａを構成するために用いられる導体層６９１と、キャパシタ３３を構成するために用いられる導体層６９２と、キャパシタ４１を構成するために用いられる導体層６９３と、導体層６９４が形成されている。導体層６９１は、コイルを構成している。導体層６９１，６９４の各々は、互いに反対側に位置する第１端と第２端を有している。

また、誘電体層６９には、スルーホール６９Ｔ１，６９Ｔ２，６９Ｔ３Ａ，６９Ｔ３Ｂ，６９Ｔ５，６９Ｔ９，６９Ｔ１０，６９Ｔ１２，６９Ｔ１３が形成されている。スルーホール６９Ｔ１は、導体層６９２と、図１１（ｃ）に示したスルーホール６８Ｔ１に接続されている。スルーホール６９Ｔ２，６９Ｔ３Ａ，６９Ｔ３Ｂ，６９Ｔ９，６９Ｔ１２は、それぞれ、図１１（ｃ）に示したスルーホール６８Ｔ２，６８Ｔ３Ａ，６８Ｔ３Ｂ，６８Ｔ９，６８Ｔ１２に接続されている。スルーホール６９Ｔ５は、導体層６９１における第１端の近傍部分と、図１１（ｃ）に示したスルーホール６８Ｔ５に接続されている。スルーホール６９Ｔ１０は、導体層６９４における第１端と第２端の中間の位置の近傍部分に接続されている。スルーホール６９Ｔ１３は、導体層６９３と、図１１（ｃ）に示したスルーホール６８Ｔ１３に接続されている。図１１（ｃ）に示したスルーホール６８Ｔ８は、導体層６９１における第２端の近傍部分に接続されている。図１１（ｃ）に示したスルーホール６８Ｔ１０は、導体層６９４における第１端の近傍部分に接続されている。図１１（ｃ）に示したスルーホール６８Ｔ１１は、導体層６９４における第２端の近傍部分に接続されている。

図１２（ｂ）に示したように、２０層目の誘電体層７０の上面には、キャパシタ３３，３４を構成するために用いられる導体層７０２と、キャパシタ４１を構成するために用いられる導体層７０３が形成されている。また、誘電体層７０には、スルーホール７０Ｔ１，７０Ｔ２，７０Ｔ３Ａ，７０Ｔ３Ｂ，７０Ｔ５，７０Ｔ９，７０Ｔ１０，７０Ｔ１２，７０Ｔ１３が形成されている。スルーホール７０Ｔ１，７０Ｔ２，７０Ｔ３Ａ，７０Ｔ３Ｂ，７０Ｔ５，７０Ｔ１２，７０Ｔ１３は、それぞれ、図１２（ａ）に示したスルーホール６９Ｔ１，６９Ｔ２，６９Ｔ３Ａ，６９Ｔ３Ｂ，６９Ｔ５，６９Ｔ１２，６９Ｔ１３に接続されている。スルーホール７０Ｔ９は、導体層７０３と、図１２（ａ）に示したスルーホール６９Ｔ９に接続されている。スルーホール７０Ｔ１０は、導体層７０２に接続されている。図１２（ａ）に示したスルーホール６９Ｔ１０は、導体層７０２に接続されている。

図１２（ｃ）に示したように、２１層目の誘電体層７１の上面には、キャパシタ３４を構成するために用いられる導体層７１２と、キャパシタ４１，４２を構成するために用いられる導体層７１３と、導体層７１４が形成されている。また、誘電体層７１には、スルーホール７１Ｔ１，７１Ｔ２，７１Ｔ３Ａ，７１Ｔ３Ｂ，７１Ｔ４，７１Ｔ５，７１Ｔ９，７１Ｔ１０，７１Ｔ１２，７１Ｔ１３が形成されている。スルーホール７１Ｔ１，７１Ｔ２，７１Ｔ３Ａ，７１Ｔ３Ｂ，７１Ｔ５，７１Ｔ９，７１Ｔ１２は、それぞれ、図１２（ｂ）に示したスルーホール７０Ｔ１，７０Ｔ２，７０Ｔ３Ａ，７０Ｔ３Ｂ，７０Ｔ５，７０Ｔ９，７０Ｔ１２に接続されている。スルーホール７１Ｔ４は、導体層７１２に接続されている。スルーホール７１Ｔ１０は、導体層７１４に接続されている。スルーホール７１Ｔ１３は、導体層７１３と、図１２（ｂ）に示したスルーホール７０Ｔ１３に接続されている。図１２（ｂ）に示したスルーホール７０Ｔ１０は、導体層７１４に接続されている。

図１３（ａ）に示したように、２２層目の誘電体層７２の上面には、キャパシタ３４を構成するために用いられる導体層７２２と、キャパシタ４２を構成するために用いられる導体層７２３が形成されている。また、誘電体層７２には、スルーホール７２Ｔ１，７２Ｔ２，７２Ｔ３Ａ，７２Ｔ３Ｂ，７２Ｔ４，７２Ｔ５，７２Ｔ９，７２Ｔ１０，７２Ｔ１２，７２Ｔ１３が形成されている。スルーホール７２Ｔ１，７２Ｔ２，７２Ｔ３Ａ，７２Ｔ３Ｂ，７２Ｔ４，７２Ｔ５，７２Ｔ９，７２Ｔ１３は、それぞれ、図１２（ｃ）に示したスルーホール７１Ｔ１，７１Ｔ２，７１Ｔ３Ａ，７１Ｔ３Ｂ，７１Ｔ４，７１Ｔ５，７１Ｔ９，７１Ｔ１３に接続されている。スルーホール７２Ｔ１０は、導体層７２２と、図１２（ｃ）に示したスルーホール７１Ｔ１０に接続されている。スルーホール７２Ｔ１２は、導体層７２３と、図１２（ｃ）に示したスルーホール７１Ｔ１２に接続されている。

図１３（ｂ）に示したように、２３層目の誘電体層７３の上面には、キャパシタ３４を構成するために用いられる導体層７３２と、キャパシタ４２を構成するために用いられる導体層７３３が形成されている。また、誘電体層７３には、スルーホール７３Ｔ１，７３Ｔ２，７３Ｔ３Ａ，７３Ｔ３Ｂ，７３Ｔ４，７３Ｔ５，７３Ｔ９，７３Ｔ１０，７３Ｔ１２が形成されている。スルーホール７３Ｔ１，７３Ｔ２，７３Ｔ３Ａ，７３Ｔ３Ｂ，７３Ｔ５，７３Ｔ９，７３Ｔ１０，７３Ｔ１２は、それぞれ、図１３（ａ）に示したスルーホール７２Ｔ１，７２Ｔ２，７２Ｔ３Ａ，７２Ｔ３Ｂ，７２Ｔ５，７２Ｔ９，７２Ｔ１０，７２Ｔ１２に接続されている。スルーホール７３Ｔ４は、導体層７３２と、図１３（ａ）に示したスルーホール７２Ｔ４に接続されている。図１３（ａ）に示したスルーホール７２Ｔ１３は、導体層７３３に接続されている。

図１３（ｃ）に示したように、２４層目の誘電体層７４の上面には、キャパシタ２９を構成するために用いられる導体層７４１と、キャパシタ３４を構成するために用いられる導体層７４２と、キャパシタ４２，４３，４４を構成するために用いられる導体層７４３が形成されている。また、誘電体層７４には、スルーホール７４Ｔ１，７４Ｔ２，７４Ｔ３Ａ，７４Ｔ３Ｂ，７４Ｔ４，７４Ｔ５，７４Ｔ９が形成されている。スルーホール７４Ｔ１，７４Ｔ２，７４Ｔ３Ａ，７４Ｔ４，７４Ｔ５，７４Ｔ９は、それぞれ、図１３（ｂ）に示したスルーホール７３Ｔ１，７３Ｔ２，７３Ｔ３Ａ，７３Ｔ４，７３Ｔ５，７３Ｔ９に接続されている。スルーホール７４Ｔ３Ｂは、導体層７４１と、図１３（ｂ）に示したスルーホール７３Ｔ３Ｂに接続されている。図１３（ｂ）に示したスルーホール７３Ｔ１０，７３Ｔ１２は、それぞれ、導体層７４２，７４３に接続されている。

図１４（ａ）に示したように、２５層目の誘電体層７５の上面には、キャパシタ２９を構成するために用いられる導体層７５１と、キャパシタ３４，３５を構成するために用いられる導体層７５２と、キャパシタ４３を構成するために用いられる導体層７５３と、キャパシタ４４を構成するために用いられる導体層７５４が形成されている。また、誘電体層７５には、スルーホール７５Ｔ１，７５Ｔ２，７５Ｔ３Ａ，７５Ｔ３Ｂ，７５Ｔ４，７５Ｔ５が形成されている。スルーホール７５Ｔ１，７５Ｔ３Ａ，７５Ｔ３Ｂは、それぞれ、図１３（ｃ）に示したスルーホール７４Ｔ１，７４Ｔ３Ａ，７４Ｔ３Ｂに接続されている。スルーホール７５Ｔ２は、導体層７５３に接続されている。スルーホール７５Ｔ４は、導体層７５２と、図１３（ｃ）に示したスルーホール７４Ｔ４に接続されている。スルーホール７５Ｔ５は、導体層７５１と、図１３（ｃ）に示したスルーホール７４Ｔ５に接続されている。図１３（ｃ）に示したスルーホール７４Ｔ２，７４Ｔ９は、それぞれ、導体層７５３，７５４に接続されている。

図１４（ｂ）に示したように、２６層目の誘電体層７６の上面には、キャパシタ３５を構成するために用いられる導体層７６２と、導体層７６３，７６４，７６５，７６６が形成されている。導体層７６６は、互いに反対側に位置する第１端と第２端を有している。また、誘電体層７６には、スルーホール７６Ｔ１，７６Ｔ２，７６Ｔ３Ａ，７６Ｔ３Ｂ，７６Ｔ４，７６Ｔ５が形成されている。スルーホール７６Ｔ１，７６Ｔ２，７６Ｔ３Ａ，７６Ｔ３Ｂは、それぞれ、導体層７６２，７６３，７６４，７６５に接続されている。スルーホール７６Ｔ４は、導体層７６６における第１端の近傍部分に接続されている。スルーホール７６Ｔ５は、導体層７６６における第２端の近傍部分と、図１４（ａ）に示したスルーホール７５Ｔ５に接続されている。図１４（ａ）に示したスルーホール７５Ｔ１，７５Ｔ２，７５Ｔ３Ａ，７５Ｔ３Ｂは、それぞれ、導体層７６２，７６３，７６４，７６５に接続されている。図１４（ａ）に示したスルーホール７５Ｔ４は、導体層７６６における第１端の近傍部分に接続されている。

図１４（ｃ）に示したように、２７層目の誘電体層７７には、スルーホール７７Ｔ１，７７Ｔ２，７７Ｔ３Ａ，７７Ｔ３Ｂ，７７Ｔ４，７７Ｔ５が形成されている。スルーホール７７Ｔ１，７７Ｔ２，７７Ｔ３Ａ，７７Ｔ３Ｂ，７７Ｔ４，７７Ｔ５は、それぞれ、図１４（ｂ）に示したスルーホール７６Ｔ１，７６Ｔ２，７６Ｔ３Ａ，７６Ｔ３Ｂ，７６Ｔ４，７６Ｔ５に接続されている。

図１５に示した２７層目の誘電体層７７の下面、すなわち積層体５０の底面５０Ｂには、第１の信号端子１１、第２の信号端子１２、第１の平衡端子１３Ａ、第２の平衡端子１３Ｂおよび２つのグランド端子１４，１５が形成されている。図１４（ｃ）に示したスルーホール７７Ｔ１，７７Ｔ２，７７Ｔ３Ａ，７７Ｔ３Ｂ，７７Ｔ４，７７Ｔ５は、それぞれ、端子１１，１２，１３Ａ，１３Ｂ，１４，１５に接続されている。

図３に示した積層体５０は、１層目ないし２７層目の誘電体層５１〜７７が積層されて構成される。そして、この積層体５０の底面５０Ｂに対して端子１１，１２，１３Ａ，１３Ｂ，１４，１５が形成されて、図３に示した積層型電子部品１が完成する。なお、図３では、導体層５１１を省略している。

誘電体層５１〜７７の材料としては、樹脂、セラミック、あるいは両者を複合した材料等、種々のものを用いることができる。積層体５０としては、特に、誘電体層５１〜７７の材料をセラミックとして低温同時焼成法によって作製したものが、高周波特性に優れるため好ましい。

図４は、積層体５０の内部を示している。図５は、側面５０Ｃ側から見た積層体５０の断面を示している。

以下、図２に示した積層型電子部品１の回路の構成要素と、図６ないし図１４に示した積層体５０の内部の構成要素との対応関係について説明する。不平衡伝送線路２４の第１の線路部分２４Ａは、図１１（ｂ）に示した導体層６７１によって構成されている。第１の平衡伝送線路２５Ａは、図１０（ｃ）に示した導体層６５１によって構成されている。第２の平衡伝送線路２６Ａは、図１２（ａ）に示した導体層６９１によって構成されている。第１の線路部分２４Ａ（導体層６７１）と第１の平衡伝送線路２５Ａ（導体層６５１）と第２の平衡伝送線路２６Ａ（導体層６９１）は、複数の誘電体層の積層方向Ｔにおける互いに異なる位置に配置されている。第１の線路部分２４Ａ（導体層６７１）は、第１の平衡伝送線路２５Ａ（導体層６５１）と第２の平衡伝送線路２６Ａ（導体層６９１）の間に介在している。第１の平衡伝送線路２５Ａ（導体層６５１）は、誘電体層６５，６６を介して、第１の線路部分２４Ａ（導体層６７１）に対向している。第２の平衡伝送線路２６Ａ（導体層６９１）は、誘電体層６７，６８を介して、第１の線路部分２４Ａ（導体層６７１）に対向している。

不平衡伝送線路２４の第２の線路部分２４Ｂは、図７（ａ）に示した導体層５４１によって構成されている。第３の平衡伝送線路２５Ｂは、図６（ｂ）に示した導体層５２１によって構成されている。第４の平衡伝送線路２６Ｂは、図７（ｃ）に示した導体層５６１によって構成されている。第２の線路部分２４Ｂ（導体層５４１）と第３の平衡伝送線路２５Ｂ（導体層５２１）と第４の平衡伝送線路２６Ｂ（導体層５６１）は、複数の誘電体層の積層方向Ｔにおける互いに異なる位置に配置されている。第２の線路部分２４Ｂ（導体層５４１）は、第３の平衡伝送線路２５Ｂ（導体層５２１）と第４の平衡伝送線路２６Ｂ（導体層５６１）の間に介在している。第３の平衡伝送線路２５Ｂ（導体層５２１）は、誘電体層５２，５３を介して、第２の線路部分２４Ｂ（導体層５４１）に対向している。第４の平衡伝送線路２６Ｂ（導体層５６１）は、誘電体層５４，５５を介して、第２の線路部分２４Ｂ（導体層５４１）に対向している。

ここで、図５に示したように、積層体５０内の第１の領域Ｒ１と第２の領域Ｒ２を定義する。第１の領域Ｒ１は、積層体５０内の誘電体層６４から誘電体層６９までの領域である。第２の領域Ｒ２は、積層体５０内の誘電体層５１から誘電体層５６までの領域である。第１の領域Ｒ１と第２の領域Ｒ２は、複数の誘電体層の積層方向Ｔに分かれている。第１の線路部分２４Ａ（導体層６７１）と第１の平衡伝送線路２５Ａ（導体層６５１）と第２の平衡伝送線路２６Ａ（導体層６９１）は、第１の領域Ｒ１に配置されている。第２の線路部分２４Ｂ（導体層５４１）と第３の平衡伝送線路２５Ｂ（導体層５２１）と第４の平衡伝送線路２６Ｂ（導体層５６１）は、第２の領域Ｒ２に配置されている。

第１のフィルタ３０のインダクタ３１は、以下のように構成されている。図６（ｃ）および図７（ａ），（ｂ），（ｃ）に示した導体層５３２，５４２，５５２，５６２は、スルーホール５３Ｔ１０，５４Ｔ１０，５５Ｔ１０によって直列に接続されている。インダクタ３１は、これらの導体層５３２，５４２，５５２，５６２と、スルーホール５３Ｔ１０，５４Ｔ１０，５５Ｔ１０とによって構成されている。図１１（ｂ）に示したスルーホール６７Ｔ９と導体層６７１の枝部との交点は、図２に示した接続点４に対応する。導体層５３２は、スルーホール５３Ｔ９〜６６Ｔ９を介して上記交点に接続されている。

第１のフィルタ３０のインダクタ３２は、以下のように構成されている。図８（ｃ）、図９（ｂ）および図１０（ａ）に示した導体層５９２，６１２，６３２は、スルーホール５９Ｔ１１，６０Ｔ１１，６１Ｔ１１，６２Ｔ１２によって直列に接続されている。インダクタ３２は、これらの導体層５９２，６１２，６３２と、スルーホール５９Ｔ１１，６０Ｔ１１，６１Ｔ１１，６２Ｔ１２とによって構成されている。導体層６３２は、スルーホール６３Ｔ１１〜６８Ｔ１１、導体層６９４、スルーホール６８Ｔ１０、導体層６８４およびスルーホール５６Ｔ１０〜６７Ｔ１０を介してインダクタ３１を構成する導体層５６２に接続されている。導体層５９２は、スルーホール５９Ｔ１〜７５Ｔ１、導体層７６２およびスルーホール７６Ｔ１，７７Ｔ１を介して第１の信号端子１１に接続されている。

第１のフィルタ３０のキャパシタ３３は、図１２（ａ），（ｂ）に示した導体層６９２，７０２と、誘電体層６９とによって構成されている。導体層６９２の下面は、誘電体層６９を介して導体層７０２の上面に対向している。導体層６９２は、スルーホール５９Ｔ１〜６８Ｔ１を介してインダクタ３２を構成する導体層５９２に接続されている。導体層７０２は、スルーホール６９Ｔ１０、導体層６９４およびスルーホール６３Ｔ１１〜６８Ｔ１１を介してインダクタ３２を構成する導体層６３２に接続されている。

第１のフィルタ３０のキャパシタ３４は、図１２（ｂ），（ｃ）、図１３（ａ），（ｂ），（ｃ）および図１４（ａ）に示した導体層７０２，７１２，７２２，７３２，７４２，７５２と、誘電体層７０，７１，７２，７３，７４とによって構成されている。導体層７１２の上面は、誘電体層７０を介して導体層７０２の下面に対向している。導体層７１２の下面は、誘電体層７１を介して導体層７２２の上面に対向している。導体層７３２の上面は、誘電体層７２を介して導体層７２２の下面に対向している。導体層７３２の下面は、誘電体層７３を介して導体層７４２の上面に対向している。導体層７５２の上面は、誘電体層７４を介して導体層７４２の下面に対向している。

図１２（ａ）に示した導体層６９４は、インダクタ３１，３２の接続点に対応する。導体層７０２，７２２，７４２は、スルーホール６９Ｔ１０，７０Ｔ１０、導体層７１４およびスルーホール７１Ｔ１０〜７３Ｔ１０を介して導体層６９４に接続されている。導体層７１２，７３２，７５２は、スルーホール７１Ｔ４〜７５Ｔ４、導体層７６６およびスルーホール７６Ｔ４，７７Ｔ４を介してグランド端子１４に接続されている。

第１のフィルタ３０のキャパシタ３５は、図１４（ａ），（ｂ）に示した導体層７５２，７６２と、誘電体層７５とによって構成されている。導体層７５２の下面は、誘電体層７５を介して導体層７６２の上面に対向している。導体層７６２は、スルーホール７６Ｔ１，７７Ｔ１を介して第１の信号端子１１に接続されている。導体層７５２は、スルーホール７５Ｔ４、導体層７６６およびスルーホール７６Ｔ４，７７Ｔ４を介してグランド端子１４に接続されている。

第２のフィルタ４０のキャパシタ４１は、図１１（ｃ）および図１２（ａ），（ｂ），（ｃ）に示した導体層６８３，６９３，７０３，７１３と、誘電体層６８，６９，７０とによって構成されている。導体層６９３の上面は、誘電体層６８を介して導体層６８３の下面に対向している。導体層６９３の下面は、誘電体層６９を介して導体層７０３の上面に対向している。導体層７１３の上面は、誘電体層７０を介して導体層７０３の下面に対向している。導体層６８３，７０３は、スルーホール６７Ｔ９〜６９Ｔ９を介して図１１（ｂ）に示したスルーホール６７Ｔ９と導体層６７１の枝部との交点（接続点４）に接続されている。

第２のフィルタ４０のキャパシタ４２は、図１２（ｃ）および図１３（ａ），（ｂ），（ｃ）に示した導体層７１３，７２３，７３３，７４３と、誘電体層７１，７２，７３とによって構成されている。導体層７２３の上面は、誘電体層７１を介して導体層７１３の下面に対向している。導体層７２３の下面は、誘電体層７２を介して導体層７３３の上面に対向している。導体層７４３の上面は、誘電体層７３を介して導体層７３３の下面に対向している。キャパシタ４１，４２は、導体層７１３によって互いに接続されている。

第２のフィルタ４０のキャパシタ４３は、図１３（ｃ）および図１４（ａ）に示した導体層７４３，７５３と、誘電体層７４とによって構成されている。導体層７４３の下面の一部は、誘電体層７４を介して導体層７５３の上面に対向している。キャパシタ４２，４３は、導体層７４３によって互いに接続されている。導体層７５３は、スルーホール７５Ｔ２、導体層７６３およびスルーホール７６Ｔ２，７７Ｔ２を介して第２の信号端子１２に接続されている。

第２のフィルタ４０のキャパシタ４４は、図１３（ｃ）および図１４（ａ）に示した導体層７４３，７５４と、誘電体層７４とによって構成されている。導体層７４３の下面の他の一部は、誘電体層７４を介して導体層７５４の上面に対向している。キャパシタ４２，４３，４４は、導体層７４３によって互いに接続されている。導体層７５４は、スルーホール６８Ｔ９〜７４Ｔ９、導体層６８３およびスルーホール６７Ｔ９を介してスルーホール６７Ｔ９と導体層６７１の枝部との交点（接続点４）に接続されている。

第２のフィルタ４０のインダクタ４５は、以下のように構成されている。図６（ｃ）および図７（ａ），（ｂ），（ｃ）に示した導体層５３３，５４３，５５３，５６３は、スルーホール５３Ｔ１３，５４Ｔ１３，５５Ｔ１３によって直列に接続されている。インダクタ４５は、これらの導体層５３３，５４３，５５３，５６３と、スルーホール５３Ｔ１３，５４Ｔ１３，５５Ｔ１３とによって構成されている。導体層５６３は、スルーホール５６Ｔ１３、導体層５７２およびスルーホール５７Ｔ１３〜７０Ｔ１３を介して導体層７１３すなわちキャパシタ４１，４２の接続点に接続されている。導体層５３３は、スルーホール５３Ｔ５〜７７Ｔ５を介してグランド端子１５に接続されている。

第２のフィルタ４０のインダクタ４６は、以下のようにして構成されている。図９（ｂ），（ｃ）および図１０（ａ）に示した導体層６１３，６２３，６３３は、スルーホール６１Ｔ１２，６２Ｔ１２によって直列に接続されている。インダクタ４６は、これらの導体層６１３，６２３，６３３と、スルーホール６１Ｔ１２，６２Ｔ１２とによって構成されている。導体層６１３は、スルーホール６１Ｔ２〜７４Ｔ２を介してキャパシタ４３を構成する導体層７５３に接続されている。導体層６３３は、スルーホール６３Ｔ１２，６４Ｔ１２、導体層６５２、スルーホール６５Ｔ１２〜７３Ｔ１２を介してキャパシタ４３を構成する導体層７４３に接続されている。

キャパシタ２９は、図１３（ｃ）および図１４（ａ）に示した導体層７４１，７５１と、誘電体層７４とによって構成されている。導体層７４１の下面は、誘電体層７４を介して導体層７５１の上面に対向している。導体層７４１は、スルーホール７４Ｔ３Ｂ，７５Ｔ３Ｂ、導体層７６５およびスルーホール７６Ｔ３Ｂ，７７Ｔ３Ｂを介して第２の平衡端子１３Ｂに接続されている。導体層７５１は、スルーホール７５Ｔ５〜７７Ｔ５を介してグランド端子１５に接続されている。

キャパシタ４９は、図６（ｃ）および図７（ａ），（ｂ）に示した導体層５３４，５４４，５５４と、誘電体層５３，５４とによって構成されている。導体層５４４の上面は、誘電体層５３を介して導体層５３４の下面に対向している。導体層５４４の下面は、誘電体層５４を介して導体層５５４の上面に対向している。導体層５４４は、第２の線路部分２４Ｂを構成する導体層５４１に接続されている。導体層５３４，５５４は、スルーホール５３Ｔ９〜６６Ｔ９を介してスルーホール６７Ｔ９と導体層６７１の枝部との交点（接続点４）に接続されている。

次に、本実施の形態に係る積層型電子部品１におけるバラン２の作用について説明する。バラン２では、不平衡ポート２０において不平衡信号が入出力され、第１の平衡ポート２３Ａにおいて第１の平衡要素信号が入出力され、第２の平衡ポート２３Ｂにおいて第２の平衡要素信号が入出力される。第１の平衡要素信号と第２の平衡要素信号は、平衡信号を構成する。バラン２は、不平衡信号と平衡信号との間の変換を行う。

次に、本実施の形態に係る積層型電子部品１における分波回路３の作用について説明する。バラン２の不平衡ポート２０から出力された信号は、第１のフィルタ３０と第２のフィルタ４０の接続点４に与えられる。第１のフィルタ３０は、第１の周波数帯域内の周波数の第１の信号を選択的に通過させる。第２のフィルタ４０は、第１の周波数帯域よりも高い周波数帯域である第２の周波数帯域内の周波数の第２の信号を選択的に通過させる。従って、接続点４に与えられた第１の信号は第１の信号端子１１から出力され、接続点４に与えられた第２の信号は第２の信号端子１２から出力される。このようにして、分波回路３は、第１の周波数帯域内の周波数の第１の信号と第２の周波数帯域内の周波数の第２の信号を互いに分離する。第１の信号端子１１に入力された第１の信号と、第２の信号端子１２に入力された第２の信号は、いずれも、接続点４を経由して、バラン２の不平衡ポート２０に与えられる。

以下、本実施の形態に係る積層型電子部品１の効果について説明する。本実施の形態に係る積層型電子部品１では、バラン２は、不平衡伝送線路２４の第１の線路部分２４Ａに対して電磁界結合する第１および第２の平衡伝送線路２５Ａ，２６Ａと、不平衡伝送線路２４の第２の線路部分２４Ｂに対して電磁界結合する第３および第４の平衡伝送線路２５Ｂ，２６Ｂを含んでいる。これにより、広い周波数帯域において振幅バランス特性および位相バランス特性が良好なバラン２を実現することが可能になる。

以下、比較例のバラン２０２と本実施の形態におけるバラン２について、シミュレーションによって振幅バランス特性および位相バランス特性を求めた結果について説明する。図１６は、比較例のバラン２０２の回路構成を示す回路図である。図１６に示したように、比較例のバラン２０２は、本実施の形態におけるバラン２から第２の平衡伝送線路２６Ａと第４の平衡伝送線路２６Ｂを除いた構成である。

ここで、比較例のバラン２０２と本実施の形態におけるバラン２の特性に関連する振幅差と位相差を、以下のように定義する。振幅差は、不平衡ポート２０に不平衡信号を入力したときに、第１の平衡ポート２３Ａから出力される第１の平衡要素信号と第２の平衡ポート２３Ｂから出力される第２の平衡要素信号の振幅の差である。振幅差は、第１の平衡要素信号の振幅が第２の平衡要素信号の振幅よりも大きい場合には正の値で表し、第１の平衡要素信号の振幅が第２の平衡要素信号の振幅よりも小さい場合には負の値で表す。

位相差は、不平衡ポート２０に不平衡信号を入力したときに、第１の平衡ポート２３Ａから出力される第１の平衡要素信号と第２の平衡ポート２３Ｂから出力される第２の平衡要素信号の位相の差である。具体的には、位相差は、第２の平衡要素信号の位相に対して第１の平衡要素信号の位相が進んでいる大きさを表している。

振幅バランス特性は、振幅差の周波数特性である。バランの使用周波数帯域において、振幅差が±Ｍ［ｄＢ］（Ｍは正の値）の範囲内に納まるとして、Ｍの値が小さいほど振幅バランス特性が良好であると言える。Ｍの値は、１．５以下であることが好ましく、１．０以下であることがより好ましい。

位相バランス特性は、位相差の周波数特性である。バランの使用周波数帯域において、位相差が１８０±Ｐ［ｄｅｇ（度）］（Ｐは正の値）の範囲内に納まるとして、Ｐの値が小さいほど位相バランス特性が良好であると言える。Ｐの値は、１５以下であることが好ましく、６以下であることがより好ましい。

図１７は、比較例のバラン２０２の振幅バランス特性の一例を示す特性図である。図１８は、比較例のバラン２０２の位相バランス特性の一例を示す特性図である。図１９は、本実施の形態におけるバラン２の振幅バランス特性の一例を示す特性図である。図２０は、本実施の形態におけるバラン２の位相バランス特性の一例を示す特性図である。図１７ないし図２０において、横軸は周波数である。図１７および図１９において、縦軸は振幅差である。図１８および図２０において、縦軸は位相差である。図１７ないし図２０に示した特性は、シミュレーションによって求めたものである。このシミュレーションでは、それぞれ、使用周波数帯域が０．７〜２．７ＧＨｚになるように設計したバラン２０２のモデルとバラン２のモデルを使用した。

図１７に示した比較例のバラン２０２の振幅バランス特性と、図１９に示した本実施の形態におけるバラン２の振幅バランス特性のいずれにおいても、使用周波数帯域内における振幅差は、±１［ｄＢ］の範囲内に納まっている。ここで、２．７ＧＨｚを超える周波数領域について、図１７と図１９を比較する。図１７では、周波数が約３ＧＨｚ以上になると、振幅差は±１［ｄＢ］の範囲から外れる。これに対し、図１９では、周波数が約３．３ＧＨｚに達するまでは、振幅差は±１［ｄＢ］の範囲内に納まっている。このことから、本実施の形態におけるバラン２の振幅バランス特性は、比較例のバラン２０２の振幅バランス特性に比べて、より高い周波数まで良好であると言える。

図１８に示した比較例のバラン２０２の位相バランス特性と、図２０に示した本実施の形態におけるバラン２の位相バランス特性のいずれにおいても、使用周波数帯域内における位相差は、１８０±１５［ｄｅｇ］の範囲内に納まっている。ここで、２．７ＧＨｚを超える周波数領域について、図１８と図２０を比較する。図１８では、周波数が約３．１ＧＨｚ以上になると、位相差は１８０±１５［ｄｅｇ］の範囲から外れる。これに対し、図２０では、周波数が約３．３５ＧＨｚに達するまでは、位相差は１８０±１５［ｄｅｇ］の範囲内に納まっている。このことから、本実施の形態におけるバラン２の位相バランス特性は、比較例のバラン２０２の位相バランス特性に比べて、より高い周波数まで良好であると言える。

図１７ないし図２０に示したシミュレーションの結果から、本実施の形態におけるバラン２によれば、比較例のバラン２０２に比べて、より広い周波数帯域振幅において良好なバランス特性および位相バランス特性を実現できることが分かる。

ここで、本実施の形態におけるバラン２が、比較例のバラン２０２に比べて、より広い周波数帯域振幅において良好なバランス特性および位相バランス特性を実現できる理由について考察する。

以下、電磁界結合する１／４波長線路の対を結合２線路と言う。この結合２線路に関しては、結合する２つの１／４波長線路間の容量（以下、線路間容量と言う。）を大きくすると、結合２線路の奇モードインピーダンスが小さくなり、その結果、結合２線路の比帯域が大きくなることが知られている。特許文献１には、これと同様の主旨の記載がある。

比較例のバラン２０２では、第１の線路部分２４Ａと第１の平衡伝送線路２５Ａの組と、第２の線路部分２４Ｂと第３の平衡伝送線路２５Ｂの組が、それぞれ結合２線路に相当する。

本実施の形態におけるバラン２では、第１の線路部分２４Ａに対して第１および第２の平衡伝送線路２５Ａ，２６Ａが電磁界結合する。ここで、並列に接続された第１および第２の平衡伝送線路２５Ａ，２６Ａを１つの１／４波長線路とみなせば、第１の線路部分２４Ａと第１および第２の平衡伝送線路２５Ａ，２６Ａの組は、結合２線路に相当する。同様に、第２の線路部分２４Ｂと第３および第４の平衡伝送線路２５Ｂ，２６Ｂの組も、結合２線路に相当する。

本実施の形態におけるバラン２では、比較例のバラン２０２に比べて、線路間容量が大きくなる。これにより、本実施の形態におけるバラン２では、比較例のバラン２０２に比べて、結合２線路の奇モードインピーダンスが小さくなって、結合２線路の比帯域が大きくなると考えられる。このことが、本実施の形態におけるバラン２が、比較例のバラン２０２に比べて、より広い周波数帯域振幅において良好なバランス特性および位相バランス特性を実現できる理由と考えられる。

以上説明したように、本実施の形態に係る積層型電子部品１によれば、広い周波数帯域において振幅バランス特性および位相バランス特性が良好なバラン２を実現することが可能になる。

また、本実施の形態では、バラン２は積層体５０を用いて構成されている。これにより、バラン２の占有面積を小さくすることができ、その結果、バラン２を含む積層型電子部品１の小型化が可能になる。以上のことから、本実施の形態によれば、広い周波数帯域において振幅バランス特性および位相バランス特性が良好なバラン２を含み、且つ小型化が可能な積層型電子部品１を実現することが可能になる。

また、本実施の形態では、第１の線路部分２４Ａと第１および第２の平衡伝送線路２５Ａ，２６Ａは、積層方向Ｔにおける互いに異なる位置に配置され、第１の線路部分２４Ａは、第１の平衡伝送線路２５Ａと第２の平衡伝送線路２６Ａの間に介在している。このような配置によれば、第１の線路部分２４Ａと第１および第２の平衡伝送線路２５Ａ，２６Ａが同一平面上に配置されている場合に比べて、容易に線路間容量を大きくすることができる。

同様に、第２の線路部分２４Ｂと第３および第４の平衡伝送線路２５Ｂ，２６Ｂは、積層方向Ｔにおける互いに異なる位置に配置され、第２の線路部分２４Ｂは、第３の平衡伝送線路２５Ｂと第４の平衡伝送線路２６Ｂの間に介在している。このような配置によれば、第２の線路部分２４Ｂと第３および第４の平衡伝送線路２５Ｂ，２６Ｂが同一平面上に配置されている場合に比べて、容易に線路間容量を大きくすることができる。

従って、本実施の形態によれば、容易に、広い周波数帯域において良好な振幅バランス特性および位相バランス特性を有するバラン２を実現することができる。

また、本実施の形態では、第１および第２の線路部分２４Ａ，２４Ｂと第１ないし第４の平衡伝送線路２５Ａ，２６Ａ，２５Ｂ，２６Ｂの各々は、渦巻状に巻かれた導体よりなるコイルを含んでいる。これにより、本実施の形態によれば、バラン２の占有面積をより小さくすることができる。なお、コイルの巻数は１以上であればよい。

また、本実施の形態では、第１の線路部分２４Ａと第１および第２の平衡伝送線路２５Ａ，２６Ａは、誘電体層６４から誘電体層６９までの積層体５０内の第１の領域Ｒ１に配置されている。第２の線路部分２４Ｂと第３および第４の平衡伝送線路２５Ｂ，２６Ｂは、誘電体層５１から誘電体層５６までの積層体５０内の第２の領域Ｒ２に配置されている。第１の領域と第２の領域は、積層方向Ｔに分かれている。これにより、本実施の形態によれば、第１の線路部分２４Ａと第１および第２の平衡伝送線路２５Ａ，２６Ａの組と、第２の線路部分２４Ｂと第３および第４の平衡伝送線路２５Ｂ，２６Ｂの組の間で不要な結合が生じることを防止することができ、不要な結合によってバラン２の特性が劣化することを防止することができる。

また、本実施の形態に係る積層型電子部品１は、バラン２に接続された分波回路３を備えている。分波回路３は、複数の周波数帯域を扱う。本実施の形態におけるバラン２は、広い周波数帯域において振幅バランス特性および位相バランス特性が良好である。そのため、本実施の形態によれば、分波回路３が扱う複数の周波数帯域毎に、それらの周波数帯域に適したバランを用意する必要がなく、１つのバラン２を、分波回路３が扱う複数の周波数帯域について使用することが可能である。これにより、本実施の形態によれば、バラン２と分波回路３を含む積層型電子部品１の小型化が可能になる。

次に、本実施の形態におけるバラン２が、分波回路３と共に積層体５０内に設けられた状態においても、広い周波数帯域において良好な振幅バランス特性および位相バランス特性を有することを確認した実験の結果について説明する。実験では、比較例の積層型電子部品と本実施の形態に係る積層型電子部品１とを実際に作製し、これらについて、振幅バランス特性および位相バランス特性を測定した。以下、実際に作製した本実施の形態に係る積層型電子部品１を、実施例の積層型電子部品１と言う。比較例の積層型電子部品は、実施例の積層型電子部品１から、バラン２の第２および第４の平衡伝送線路２６Ａ，２６Ｂを除いた構成である。すなわち、比較例の積層型電子部品は、バラン２の代わりに比較例のバラン２０２を備えている。

比較例の積層型電子部品と実施例の積層型電子部品１では、バラン２０２，２の使用周波数帯域を０．７〜２．７ＧＨｚとし、第１のフィルタ３０の通過帯域である第１の周波数帯域を０．７〜０．９６ＧＨｚとし、第２のフィルタ４０の通過帯域である第２の周波数帯域を１．７１〜２．７ＧＨｚとした。

振幅バランス特性および位相バランス特性については、低域と高域とに分けて測定した。ここで、低域とは、第１の周波数帯域を含む０．５〜１．２５ＧＨｚの周波数帯域である。また、高域とは、第２の周波数帯域を含む１．５〜３ＧＨｚの周波数帯域である。

低域の振幅バランス特性と低域の位相バランス特性を測定する際には、第１の信号端子１１に不平衡信号を入力した。高域の振幅バランス特性と高域の位相バランス特性を測定する際には、第２の信号端子１２に不平衡信号を入力した。

図２１は、比較例の積層型電子部品における低域の振幅バランス特性を示す特性図である。図２２は、比較例の積層型電子部品における低域の位相バランス特性を示す特性図である。図２３は、比較例の積層型電子部品における高域の振幅バランス特性を示す特性図である。図２４は、比較例の積層型電子部品における高域の位相バランス特性を示す特性図である。

図２５は、実施例の積層型電子部品１における低域の振幅バランス特性を示す特性図である。図２６は、実施例の積層型電子部品１における低域の位相バランス特性を示す特性図である。図２７は、実施例の積層型電子部品１における高域の振幅バランス特性を示す特性図である。図２８は、実施例の積層型電子部品１における高域の位相バランス特性を示す特性図である。

図２１ないし図２８において、横軸は周波数である。図２１、図２３、図２５および図２７において、縦軸は振幅差である。図２２、図２４、図２６および図２８において、縦軸は位相差である。

図２１、図２３、図２５および図２７に示したように、比較例の積層型電子部品と実施例の積層型電子部品１のいずれにおいても、第１の周波数帯域内における振幅差と第２の周波数帯域内における振幅差は、±１．５［ｄＢ］の範囲内に納まっている。

図２２および図２４に示したように、比較例の積層型電子部品では、第１の周波数帯域内における位相差と第２の周波数帯域内における位相差は、１８０±１５［ｄｅｇ］の範囲内に納まっているが、１８０±６［ｄｅｇ］の範囲内には収まっていない。これに対し、図２６および図２８に示したように、実施例の積層型電子部品１では、第１の周波数帯域内における位相差と第２の周波数帯域内における位相差は、１８０±６［ｄｅｇ］の範囲内に収まっている。

従って、実施例の積層型電子部品１では、比較例の積層型電子部品に比べて、第１および第２の周波数帯域における位相バランス特性が優れている。

以上の実験結果から、本実施の形態におけるバラン２は、分波回路３と共に積層体５０内に設けられた状態においても、広い周波数帯域において良好な振幅バランス特性および位相バランス特性を有することを確認できた。

なお、本発明は、上記実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、本発明において、第１および第２の線路部分と第１ないし第４の平衡伝送線路のうちの少なくとも１つは、積層体５０に含まれる複数の導体層のうちの２つ以上の導体層を用いて構成されていてもよい。

また、本発明におけるバランは、不平衡伝送線路の第１の線路部分に対して電磁界結合する平衡伝送線路として、第１および第２の平衡伝送線路の他に、第１および第２の平衡伝送線路に対して並列に接続された１つ以上の平衡伝送線路を含んでいてもよい。

同様に、本発明におけるバランは、不平衡伝送線路の第２の線路部分に対して電磁界結合する平衡伝送線路として、第３および第４の平衡伝送線路の他に、第３および第４の平衡伝送線路に対して並列に接続された１つ以上の平衡伝送線路を含んでいてもよい。

また、本発明におけるバランは、並列に接続された複数の不平衡伝送線路を含んでいてもよい。複数の不平衡伝送線路の各々は、第１の線路部分と第２の線路部分を含む。この場合、複数の不平衡伝送線路のうちの少なくとも１つが、特許請求の範囲で規定された不平衡伝送線路の要件を満たしていればよい。

また、本発明の積層型電子部品は、少なくともバランを含んでいればよく、分波回路を含んでいなくてもよい。本発明の積層型電子部品が分波回路を含む場合、分波回路は、周波数が互いに異なる３つ以上の信号を分離するものであってもよい。

また、本発明の積層型電子部品は、フィルタ、整合回路等の、分波回路以外の回路を含んでいてもよい。

１…積層型電子部品、２…バラン、３…分波回路、２０…不平衡ポート、２３Ａ…第１の平衡ポート、２３Ｂ…第２の平衡ポート、２４…不平衡伝送線路、２４Ａ…第１の線路部分、２４Ｂ…第２の線路部分、２５Ａ…第１の平衡伝送線路、２６Ａ…第２の平衡伝送線路、２５Ｂ…第３の平衡伝送線路、２６Ｂ…第４の平衡伝送線路、５０…積層体。

Claims (5)

1. 積層体と、前記積層体を用いて構成されたバランとを備えた積層型電子部品であって、
   前記積層体は、積層された複数の誘電体層と複数の導体層とを含み、
   前記バランは、
   不平衡ポートと、
   第１の平衡ポートと、
   第２の平衡ポートと、
   直列に接続された第１の線路部分と第２の線路部分とを含む不平衡伝送線路と、
   前記第１の線路部分に対して電磁界結合する第１の平衡伝送線路および第２の平衡伝送線路と、
   前記第２の線路部分に対して電磁界結合する第３の平衡伝送線路および第４の平衡伝送線路とを含み、
   前記第１および第２の線路部分と前記第１ないし第４の平衡伝送線路の各々は、互いに反対側に位置する第１の端部および第２の端部を有し、
   前記第１の線路部分の第１の端部は、前記不平衡ポートに接続され、
   前記第１の線路部分の第２の端部は、前記第２の線路部分の第２の端部に接続され、
   前記第１の平衡伝送線路の第１の端部および前記第２の平衡伝送線路の第１の端部は、前記第１の平衡ポートに接続され、
   前記第３の平衡伝送線路の第１の端部および前記第４の平衡伝送線路の第１の端部は、前記第２の平衡ポートに接続され、
   前記第１および第２の線路部分と前記第１ないし第４の平衡伝送線路の各々は、前記複数の導体層のうちの少なくとも１つの導体層を用いて構成され、
   前記第１の線路部分と前記第１の平衡伝送線路と前記第２の平衡伝送線路は、前記積層体内の第１の領域に配置され、前記第２の線路部分と前記第３の平衡伝送線路と前記第４の平衡伝送線路は、前記積層体内の第２の領域に配置され、
   前記第１の領域と前記第２の領域は、前記複数の誘電体層の積層方向に分かれており、
   前記第１の平衡伝送線路の第１の端部を前記第１の平衡ポートに接続するための導体層と、前記第２の平衡伝送線路の第１の端部を前記第１の平衡ポートに接続するための導体層と、前記第３の平衡伝送線路の第１の端部を前記第２の平衡ポートに接続するための導体層と、前記第４の平衡伝送線路の第１の端部を前記第２の平衡ポートに接続するための導体層が、前記第１の領域と前記第２の領域の間に存在していることを特徴とする積層型電子部品。
2. 前記第１の線路部分と前記第１の平衡伝送線路と前記第２の平衡伝送線路は、前記複数の誘電体層の積層方向における互いに異なる位置に配置され、前記第１の線路部分は、前記第１の平衡伝送線路と前記第２の平衡伝送線路の間に介在し、
   前記第２の線路部分と前記第３の平衡伝送線路と前記第４の平衡伝送線路は、前記複数の誘電体層の積層方向における互いに異なる位置に配置され、前記第２の線路部分は、前記第３の平衡伝送線路と前記第４の平衡伝送線路の間に介在していることを特徴とする請求項１記載の積層型電子部品。
3. 前記第１および第２の線路部分と前記第１ないし第４の平衡伝送線路の各々は、コイルを含むことを特徴とする請求項２記載の積層型電子部品。
4. 更に、前記積層体を用いて構成されて前記バランに接続された分波回路を備えたことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の積層型電子部品。
5. 前記分波回路は、前記不平衡ポートに接続された第１のフィルタおよび第２のフィルタを含み、
   前記第１のフィルタは、第１の周波数帯域内の周波数の第１の信号を選択的に通過させ、
   前記第２のフィルタは、前記第１の周波数帯域よりも高い周波数帯域である第２の周波数帯域内の周波数の第２の信号を選択的に通過させることを特徴とする請求項４記載の積層型電子部品。

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