CN208368518U - 一种大功率肖特基二极管的结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种大功率肖特基二极管的结构，包括：芯片本体、凹槽、封盖、散热片、封装体、弹性凸点、第一引脚、第二引脚和底框；所述封装体内设有一凹槽，凹槽内放置有芯片本体，芯片本体的两侧连接有弹性凸点，两侧的弹性凸点分别连接有第一引脚，第一引脚延伸至封装体底部的底框内部，第一引脚底部还连接第二引脚；通过本实用新型，芯片本体产生的热量不仅可以传导至封装体外壳的上下面，同时还能传导至封装体外壳的左右面，达到热量向四周传播散失的目的，最大程度的将热量及时传导出去，提高了散热效率，保证了肖特基二极管的正常运行，提高二极管使用的稳定性；同时本装置结构简单，重量轻便，工艺实施简便，适用于批量成产。
Description
技术领域
本实用新型属于半导体技术领域，具体涉及一种大功率肖特基二极管的结构。
背景技术
大功率肖特基二极管（SBD）是贵金属A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属半导体器件,大功率肖特基二极管的结构和特点使其适合于在低压、大电流输出场合用作高频整流,在非常高的频率下用于检波和混频，在高速逻辑电路中用作箝位,除了普通PN结二极管的特性参数之外，用于检波和混频的大功率肖特基二极管电气参数还包括中频阻抗和噪声系数等。
现有的二极管这类元器件主要向小体积和轻重量的方向发展，多数二极管封装的体积小，因此提供的散热能力非常有限，导致散热性能不好，使得二极管的使用性能下降。
实用新型内容
为克服现有二极管封装体积小，存在散热性能不好的技术缺陷，本实用新型公开了一种大功率肖特基二极管的结构。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是一种大功率肖特基二极管的结构，包括：芯片本体、凹槽、封盖、散热片、封装体、弹性凸点、第一引脚、第二引脚和底框；
所述封装体内设有一凹槽，凹槽内放置有芯片本体，芯片本体的两侧连接有弹性凸点，两侧的弹性凸点分别连接有第一引脚，第一引脚延伸至封装体底部的底框内部，第一引脚底部还连接第二引脚；
所述凹槽上方还设有相适配的封盖，封盖的两侧面开设有与第一引脚的宽度相匹配的通孔，封盖的外侧上方对称设有连接至封装体顶部的散热片，凹槽的下方对称设有连接至封装体底部的散热片，所述散热片为矩形。
优选地，所述散热片上还均匀设置有散热孔，所述散热孔的数量至少为三个。
优选地，所述封盖和凹槽采用的材质为铜。
优选地，所述封装体壳体内的两个侧壁上还贴设有石墨导热片，所述石墨导热片与凹槽之间还设有间隙，该间隙内填充有绝缘胶层。
优选地，所述石墨导热片对应的封装体壳体外的侧壁上还均匀设有圆孔。
优选地，所述弹性凸点与芯片本体采用焊接连接。
本实用新型的有益效果是：通过本实用新型，芯片本体产生的热量不仅可以传导至封装体外壳的上下面，同时还能传导至封装体外壳的左右面，达到热量向四周传播散失的目的，最大程度的将热量及时传导出去，提高了散热效率，增强散热性能，保证了肖特基二极管的正常运行，提高二极管使用的稳定性；同时本装置结构简单，重量轻便，工艺实施简便，成本低廉，适用于批量成产。
附图说明
图1是本实用新型一种大功率肖特基二极管的结构的具体实施方式结构示意图。
附图标记：1-芯片本体，2-凹槽，3-封盖，4-散热片，5-封装体，6-弹性凸，7-第一引脚，8-第二引脚，9-底框，10-绝缘胶层，11-石墨导热片，12-散热孔。
具体实施方式
以下结合附图及附图标记对本实用新型的实施方式做更详细的说明，使熟悉本领域的技术人在研读本说明书后能据以实施。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
一种大功率肖特基二极管的结构，包括：芯片本体1、凹槽2、封盖3、散热片4、封装体5、弹性凸点6、第一引脚7、第二引脚8和底框9；
所述封装体5内设有一凹槽2，凹槽2内放置有芯片本体1，芯片本体1的两侧连接有弹性凸点6，两侧的弹性凸点分别连接有第一引脚7，第一引脚7延伸至封装体5底部的底框9内部，第一引脚7底部还连接第二引脚8；
所述凹槽2上方还设有相适配的封盖3，封盖3的两侧面开设有与第一引脚7的宽度相匹配的通孔，封盖3的外侧上方对称设有连接至封装体5顶部的散热片4，凹槽2的下方对称设有连接至封装体5底部的散热片4，所述散热片4为矩形；所述凹槽2用于支撑芯片本体1，弹性凸点6与第一引脚7电性连接，采用弹性凸点6便于与第一引脚7的焊接，不占空间，在第一引脚7与弹性凸点6连接后再盖上封盖3，封盖3两侧面的通孔方便第一引脚7的伸出；通过在封盖3的外侧上方对称设置的连接至封装体5顶部的散热片4将芯片本体1产生的热量传导至封装体5的顶部，通过在凹槽2的下方对称设有连接至封装体5底部的散热片4将芯片本体1产生的热量传导至封装体5底部，同时通过对称设置的散热片4使得散热均匀，通过这样的设计及时将芯片本体1产生的热量传导至封装体5上，采用双向散热，加快散热速率，提升散热效果；通过将第一引脚7延伸至底框9内部便于第一引脚7的定型，增强第一引脚7与第二引脚8连接的稳固性。
所述散热片4上还均匀设置有散热孔12，所述散热孔12的数量至少为三个；所述散热孔12加快散热片4的散热速率，同时设计为孔形减轻了整个二极管结构的重量，使用更加轻便。
所述封盖3和凹槽2采用的材质为铜；所述铜材质的导热性能和散热性能优良，增强了散热效果。
所述封装体5壳体内的两个侧壁上还贴设有石墨导热片11，所述石墨导热片11与凹槽2之间还设有间隙，该间隙内填充有绝缘胶层10；使用时，热量通过绝缘胶层10传导至石墨导热片11上，石墨导热片11将热量传导至封装体5的两侧外壳上，由此热量不仅可以传导至封装体5外壳的上下面，同时还能传导至封装体5外壳的左右面，达到热量向四周传播散失的目的，最大程度的将热量及时传导出去，提高了散热效率，增强散热性能。
所述石墨导热片11对应的封装体5壳体外的侧壁上还均匀设有圆孔；所述圆孔进一步增强了散热效率，及时将热量散失出去，提高散热效果。
所述弹性凸点6与芯片本体1采用焊接连接；所述弹性凸点6采用锡球，锡球导电性能好，在与芯片本体1的连接过程中易变形便于连接，同时还能与第一引脚7保持良好的导电性能。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本实用新型作的进一步详细说明，不能认定本实用新型的具体实施方式只局限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型的技术方案下得出的其他实施方式，均应包含在本实用新型的保护范围内。
Claims (6)
1.一种大功率肖特基二极管的结构，其特征在于：包括：芯片本体（1）、凹槽（2）、封盖（3）、散热片（4）、封装体（5）、弹性凸点（6）、第一引脚（7）、第二引脚（8）和底框（9）；
所述封装体（5）内设有一凹槽（2），凹槽（2）内放置有芯片本体（1），芯片本体（1）的两侧连接有弹性凸点（6），两侧的弹性凸点分别连接有第一引脚（7），第一引脚（7）延伸至封装体（5）底部的底框（9）内部，第一引脚（7）底部还连接第二引脚（8）；
所述凹槽（2）上方还设有相适配的封盖（3），封盖（3）的两侧面开设有与第一引脚（7）的宽度相匹配的通孔，封盖（3）的外侧上方对称设有连接至封装体（5）顶部的散热片（4），凹槽（2）的下方对称设有连接至封装体（5）底部的散热片（4），所述散热片（4）为矩形。
2.如权利要求1所述的一种大功率肖特基二极管的结构，其特征在于：所述散热片（4）上还均匀设置有散热孔（12），所述散热孔（12）的数量至少为三个。
3.如权利要求1所述的一种大功率肖特基二极管的结构，其特征在于：所述封盖（3）和凹槽（2）采用的材质为铜。
4.如权利要求1所述的一种大功率肖特基二极管的结构，其特征在于：所述封装体（5）壳体内的两个侧壁上还贴设有石墨导热片（11），所述石墨导热片（11）与凹槽（2）之间还设有间隙，该间隙内填充有绝缘胶层（10）。
5.如权利要求4所述的一种大功率肖特基二极管的结构，其特征在于：所述石墨导热片（11）对应的封装体（5）壳体外的侧壁上还均匀设有圆孔。
6.如权利要求1所述的一种大功率肖特基二极管的结构，其特征在于：所述弹性凸点（6）与芯片本体（1）采用焊接连接。
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