CN208290657U - 一种ptfe基pcb覆铜板 - Google Patents
一种ptfe基pcb覆铜板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN208290657U CN208290657U CN201820507664.0U CN201820507664U CN208290657U CN 208290657 U CN208290657 U CN 208290657U CN 201820507664 U CN201820507664 U CN 201820507664U CN 208290657 U CN208290657 U CN 208290657U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- ptfe base
- copper
- copper sheet
- buffer layer
- prepreg
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 title claims abstract description 78
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 title claims abstract description 78
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 78
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 77
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 77
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 5
- 229940058401 polytetrafluoroethylene Drugs 0.000 description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 description 27
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 3
- 230000007306 turnover Effects 0.000 description 3
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 3
- -1 Polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000002573 ethenylidene group Chemical group [*]=C=C([H])[H] 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000754 repressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
本实用新型涉及一种PTFE基PCB覆铜板，包括PTFE基半固化片、缓冲层和铜板，铜板与铜板之间均设有PTFE基半固化片，且PTFE基半固化片的表面均设有缓冲层与铜板接触，起码设有上下两层铜板与夹在铜板间的PTFE基半固化片及缓冲层对齐压合连接。通过施加缓冲层对PTFE基PCB覆铜板进行压合得到PTFE基PCB板材的铜板在半固化片上附着更牢固，对5G时代高频PCB覆铜板的应用具有重要作用。
Description
技术领域
本实用新型涉及PCB覆铜板的制备领域，特别是涉及一种PTFE基PCB覆铜板。
背景技术
印制电路板(Printed Circuit Board,PCB)，是重要的电子部件，是电子元器件的支撑体，是电子元器件电气连接的载体。随着电子信息技术发展的不断进步，电子设备高频化是发展趋势，尤其随着无线网络、卫星通讯的日益发展，信息产品在不断走向高速与高频化。发展新一代产品都需要高频PCB板，尤其卫星系统、移动电话接收基站等通信产品必须应用高频电路板，随着这些应用在未来几年内迅速发展，会对高频PCB板有大量需求。
聚四氟乙烯(Poly tetra fluoroethylene,PTFE，但也包括偏氟乙烯)具有优异的介电性能，它是目前为止发现的介电性能最好的有机材料，优异的介电性能有利于信号完整快速地传输。PTFE还有高耐热性和耐气候性能，这些性能保证电子设备可以在较恶劣的环境下长期正常工作，如暴露在户外、温差转换大的地方。所以，PTFE基覆铜板是军事、航天航空等领域不可缺少的材料之一。但是正是由于PTFE高度对称的结构及其F元素的特性使得PTFE基半固化片与铜片的压合非常困难，常规的压合覆铜方法非常容易引起铜片附着不牢固，从而容易脱落或者起泡，影响PTFE基PCB板铜线中信号的传输，尤其是对于高频信息的传输影响更大。因此本领域技术人员致力于开发一种能使铜片与PTFE基半固化片牢固结合的方法，为5G时代对PCB板的更高要求打下基础。
实用新型内容
本实用新型目的是，提出一种PTFE基PCB覆铜板及能使铜片与PTFE基半固化片牢固结合的方法，为5G时代对PCB板的更高要求打下基础。
为实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案：一种PTFE基PCB覆铜板，包括PTFE基半固化片、缓冲层和铜板，铜板与铜板之间均设有PTFE基半固化片，且PTFE基半固化片的表面均设有缓冲层与铜板接触，起码设有上下两层铜板与夹在铜板间的上缓冲层、PTFE基半固化片及下缓冲层对齐压合连接。
对两层PTFE基PCB覆铜板，所述的缓冲层包括设在PTFE基半固化片上下表面的上缓冲层和下缓冲层，所述铜板包括上铜板和下铜板，所述上铜板、上缓冲层、PTFE基半固化片、下缓冲层、下铜板从上到下依次对齐压合连接。
三层以上及更多层的PTFE基PCB覆铜板，类似上述，均保证每两层铜板间均设的夹在铜板间的上缓冲层、PTFE基半固化片及下缓冲层对齐(一道)压合连接。所述缓冲层是通过磁控溅射方法溅射的金属铜薄膜，厚度为10-30微米。
通过两步法压合PTFE基半固化片与铜片，包括：包括PTFE基半固化片、缓冲层和铜板，所述的缓冲层是通过磁控溅射的方法溅射的金属铜薄膜缓冲层，包括上缓冲层和下缓冲层，所述铜板包括上铜板和下铜板。首先在PTFE基半固化片上下溅射上缓冲层后，再放置于上铜板和下铜板之间对齐连接，然后进行热压处理。
先将PTFE基半固化片上下表面用磁控溅射的方法溅射一层铜薄膜缓冲层，然后将上铜板和下铜板放置于有缓冲层的PTFE基半固化片的两侧，放于抽真空的热压炉中施以合适的温度和压力进行压合。通过先溅射缓冲层的方法，然后再进行热压覆铜，缓冲层保证了铜片和PTFE基半固化片结合的牢固性。PTFE基半固化片通过缓冲层再与铜板接触压合，所述缓冲层是通过磁控溅射方法溅射的金属铜薄膜，可以保证可靠PTFE基半固化片缓冲层再与铜板的接触强度。
经过大量的实验数据显示，通过先在PTFE基半固化片是溅射铜缓冲层的方法，制备的覆铜板的综合性能更好。
本实用新型提供的一种通过两步方法，先溅射缓冲层的再热压的方法，包括以下步骤：
S1：将PTFE基半固化片放入磁控溅射腔体中，先将PTFE基半固化片的一面进行铜金属的溅射，溅射速率为每秒6-14纳米，溅射厚度为10-30微米，溅射过程中加热温度为120-200℃，然后将半固化片翻面，再对另一面进行铜金属的溅射，溅射厚度与第一面溅射厚度相同；或采用双面磁控溅射设备同时对PTFE基半固化片双面进行溅射，溅射厚度及溅射温度同上述；
S2：将溅射了铜金属薄膜缓冲层的PTFE基半固化片放于两片铜板之间；
S3：将S2所述结构的材料放于真空热压机中，真空度抽到大于5×10-3mbar，然后开始升温，升温过程为先用30-50分钟快速升到150℃，然后用80-150分钟时间升温到200-270℃。保温时间为60-120分钟。加压的过程分为两步，升温过程施加压力为3-4GPa，保温过程施加压力为3.5-4.5Gpa，并保证保温过程中施加压力比升温过程中施加压力大0.3-0.7Gpa。
S4：保温保压时间结束后，自然降温至室温，然后卸压，卸压速度小于0.1Gpa/s。
S5：将压合好的PTFE基PCB覆铜板从热压炉中取出，然后用裁边机对PTFE基PCB板裁边。
本实用新型的有益效果：本实用新型通过先对PTFE基半固化片用磁控溅射进行缓冲层溅射，从而避免PTFE基半固化片与铜板直接接触，使铜片与缓冲层接触，更容易键合，保证压合的稳固性和耐压性。同时通过合理的缓冲层厚度、热压温度、热压压力和时间压合覆铜板，使PTFE基半固化片与铜板结合更好，此方法得到PTFE基PCB板材的铜在半固化片上附着更牢固。
附图说明：
图1为本实用新型二层PCB覆铜板截面结构示意图。
具体实施方式：
下面通过具体实施例对本实用新型做进一步的说明。
实施例1：
包括PTFE基半固化片1、缓冲层和铜板，所述的缓冲层包括设在PTFE基半固化片上下表面的上缓冲层和下缓冲层，所述铜板包括上铜板31和下铜板32，所述上铜板31、上缓冲层21、PTFE基半固化片1、下缓冲层22、下铜板32从上到下依次对齐压合连接。
S1：将PTFE基半固化片放入磁控溅射腔体中，先将PTFE基半固化片的一面进行铜金属的溅射，溅射速率为每秒10纳米，溅射厚度为22微米，溅射过程中加热温度为125℃，然后将PTFE基半固化片翻面，再对另一面进行铜金属的溅射，溅射厚度与第一面溅射厚度相同。亦可采用双面磁控溅射设备同时对PTFE基半固化片双面进行溅射。构成上缓冲层21、PTFE基半固化片1、下缓冲层22材料。
S2：将溅射了铜金属薄膜缓冲层的PTFE基半固化片放于两片铜板之间。
S3：将S2所述结构放于真空热压机中，真空度抽到3×10-3mbar，然后开始升温，升温过程为先用40分钟快速升到150℃，然后用100分钟时间升温到220℃。保温时间为90分钟。加压的过程分为两步，升温过程施加压力为3.5GPa，保温过程施加压力为4Gpa。
S4：保温保压时间结束后，自然降温至室温，然后卸压，卸压速度为0.1Gpa/s。
S5：将压合好的PTFE基PCB覆铜板从热压炉中取出，然后用裁边机对PTFE基PCB板裁边。多层板制备时一道对齐压合。工艺条件同上。
实施例2：
具体实施步骤如下：
S1：将PTFE基半固化片放入磁控溅射腔体中，先将PTFE基半固化片的一面进行铜金属的溅射，溅射速率为每秒12纳米，溅射厚度为25微米，溅射过程中加热温度为150℃，然后将PTFE基半固化片翻面，再对另一面进行铜金属的溅射，溅射厚度与第一面溅射厚度相同。
S2：将溅射了铜金属薄膜缓冲层的PTFE基半固化片放于两片铜板之间。
S3：将S2所述结构放于真空热压机中，真空度抽到1×10-3mbar，然后开始升温，升温过程为先用50分钟快速升到170℃，然后用110分钟时间升温到250℃。保温时间为120分钟。加压的过程分为两步，升温过程施加压力为4GPa，保温过程施加压力为4.5Gpa。
S4：保温保压时间结束后，自然降温至室温，然后卸压，卸压速度为0.1Gpa/s。
S5：将压合好的PTFE基PCB覆铜板从热压炉中取出，然后用裁边机对PTFE基PCB板裁边。
以上所述两个实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述的两个实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此理解为对实用新型范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (3)
1.一种PTFE基PCB覆铜板，其特征在于：包括PTFE基半固化片、缓冲层和铜板，铜板与铜板之间均设有PTFE基半固化片，且PTFE基半固化片的表面均设有缓冲层与铜板接触，起码设有上下两层铜板与夹在铜板间的PTFE基半固化片及缓冲层对齐压合连接。
2.根据权利要求1所述的PTFE基PCB覆铜板，其特征在于：对两层PTFE基PCB覆铜板，所述的缓冲层包括设在PTFE基半固化片上下表面的上缓冲层和下缓冲层，所述铜板包括上铜板和下铜板，所述上铜板、上缓冲层、PTFE基半固化片、下缓冲层、下铜板从上到下依次对齐压合连接。
3.根据权利要求1所述的PTFE基PCB覆铜板，其特征在于：所述缓冲层是磁控溅射溅射的金属铜薄膜，厚度为10-30微米。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201820507664.0U CN208290657U (zh) | 2018-04-11 | 2018-04-11 | 一种ptfe基pcb覆铜板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201820507664.0U CN208290657U (zh) | 2018-04-11 | 2018-04-11 | 一种ptfe基pcb覆铜板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN208290657U true CN208290657U (zh) | 2018-12-28 |
Family
ID=64726344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201820507664.0U Expired - Fee Related CN208290657U (zh) | 2018-04-11 | 2018-04-11 | 一种ptfe基pcb覆铜板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN208290657U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108688278A (zh) * | 2018-04-11 | 2018-10-23 | 南京大学 | 一种ptfe基pcb覆铜板及压合方法 |
-
2018
- 2018-04-11 CN CN201820507664.0U patent/CN208290657U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108688278A (zh) * | 2018-04-11 | 2018-10-23 | 南京大学 | 一种ptfe基pcb覆铜板及压合方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN206490891U (zh) | 具有复合式叠构的低介电损耗frcc基板 | |
| CN207772540U (zh) | Lcp或氟系聚合物高频高传输双面铜箔基板及fpc | |
| CN206840863U (zh) | 复合式lcp高频高速双面铜箔基板 | |
| JP3238556U (ja) | 高周波配線基板の新規材料層構造の塗布成形方法及びその製品 | |
| CN110126422B (zh) | 一种双面覆铜lcp板的制备方法 | |
| CN108012414A (zh) | 具有frcc的高频高传输fpc及制备方法 | |
| CN114771050B (zh) | 一种高频覆铜板及其制备方法 | |
| TWM616307U (zh) | 一種材料層結構 | |
| CN208290657U (zh) | 一种ptfe基pcb覆铜板 | |
| CN207744230U (zh) | 复合式氟系聚合物高频高传输双面铜箔基板及fpc | |
| CN108859326B (zh) | 一种ptfe基pcb覆铜板的覆铜方法 | |
| CN108839407A (zh) | 一种石墨烯基pcb覆铜板及制备方法 | |
| CN212115764U (zh) | 一种高频低介电双面柔性覆铜板 | |
| KR102619078B1 (ko) | 회로기판 신규 재료 층 구조의 제조 방법 및 그 제품 | |
| WO2021035917A1 (zh) | 一种高频线路板材料层结构的压合成型方法及其制品 | |
| CN108688278A (zh) | 一种ptfe基pcb覆铜板及压合方法 | |
| CN111465217A (zh) | 5g通信用高频柔性基板的制作方法 | |
| CN208572570U (zh) | 一种石墨烯改性的ptfe基pcb覆铜板 | |
| TW201930076A (zh) | 高頻高傳輸雙面銅箔基板、用於軟性印刷電路板之複合材料及其製法 | |
| CN111613385B (zh) | 用于5g高频通信的ptfe覆铜板及其制作方法 | |
| CN111867243A (zh) | 一种高频线路板新型材料层结构的制备方法及其制品 | |
| CN208540262U (zh) | 一种ptfe基pcb覆铜板 | |
| WO2021035915A1 (zh) | 一种多层双面软硬结合板的制作方法及其制品 | |
| CN207854265U (zh) | 具有frcc的高频高传输fpc | |
| CN108684151A (zh) | 一种ptfe基pcb覆铜板及覆铜方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20181228 Termination date: 20210411 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |