CN208540262U - 一种ptfe基pcb覆铜板 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种PTFE基PCB覆铜板,主要包括:采用电子束蒸镀的方法在PTFE半固化片的上下两个表面先蒸镀一层金属薄膜,采用电子束蒸镀的方法在PTFE半固化片的上下两个表面先蒸镀一层金属薄膜,然后再放置于两片铜箔间进行压合覆铜,其中金属薄膜可以是钛薄膜,也可以是镍薄膜,根据所覆薄膜选择合适的蒸镀条件。由此得到的PTFE基PCB覆铜板的铜箔剥离强度明显提高,为5G时代对PCB板的更高要求打下基础。
Description
技术领域
本发明涉及一种PTFE基PCB覆铜板,属于PCB覆铜板的制备领域。
背景技术
印制电路板(Printed Circuit Board,PCB),是重要的电子部件,是电子元器件的支撑体,是电子元器件电气连接的载体。随着电子信息技术发展的不断进步,电子设备高频化是发展趋势,尤其随着无线网络、卫星通讯的日益发展,信息产品在不断走向高速与高频化。发展新一代产品都需要高频PCB板,尤其卫星系统、移动电话接收基站等通信产品必须应用高频电路板,随着这些应用在未来几年内迅速发展,会对高频PCB板有大量需求。
覆铜板是PCB的基本材料,由于随着应用频率的升高,PCB对覆铜板的质量要求也越来越高。高质量的覆铜板是提高PCB板性能的关键。PTFE基覆铜板中一个非常关键的技术是PTFE半固化片与铜片的压合,常规的压合覆铜方法非常容易引起铜片附着不牢固,从而容易脱落或者起泡,影响PCB板铜线中信号的传输,尤其是对于高频信息的传输影响更大。因此本领域技术人员致力于开发一种能使铜片与PTFE半固化片牢固结合的方法,为5G时代对PCB板的更高要求打下基础。
发明内容
发明目的:为了克服现有技术中存在的不足,本发明提供一种PTFE基PCB覆铜板,采用电子束蒸镀的方法在PTFE半固化片的上下两个表面先蒸镀一层金属薄膜,然后再放置于两片铜箔间进行压合覆铜,大大提高PTFE基PCB覆铜板的铜箔剥离强度,为5G时代对PCB板的更高要求打下基础。
技术方案:为实现上述目的,本发明采用的技术方案为:
一种PTFE基PCB覆铜板,包括PTFE半固化片、铜箔,PTFE半固化片与铜箔之间有一层用电子束蒸镀方法得到的金属薄膜。
进一步的,所述金属薄膜为金属钛薄膜或者金属镍薄膜,且金属钛薄膜的生长厚度为200-500nm,金属镍薄膜的生长厚度为150-300nm。
进一步的,所述上下两层铜箔与夹在铜箔间的上下两层金属薄膜、PTFE半固化片之间对齐压合连接。
本发明的工作原理为:用电子束蒸镀的方法在PTFE半固化片的上下两个表面先蒸镀一层金属薄膜,然后再放置于两片铜箔间进行压合覆铜,其中金属薄膜可以是钛薄膜,也可以是镍薄膜。由此得到的PTFE基PCB覆铜板的铜箔剥离强度明显提高。
本发明提供的所述PTFE基PCB覆铜板的覆铜方法,包括以下步骤:
S1:将裁剪好的玻璃纤维布浸渍到PTFE乳液中,浸渍5-10分钟后,取出烘干,得到PTFE半固化片;
S2:将步骤S1中得到的PTFE半固化片放置于电子束蒸镀腔体中,进行金属薄膜蒸镀;
S3:将步骤S2中得到的样品的上下两面放上铜箔,放到热压炉中进行热压;
S4:步骤S3过程结束后,自然降温至室温,然后卸压,卸压速度小于0.1MPa/s,将压合好的PTFE基PCB覆铜板从热压炉中取出,得到最后所要的样品。
进一步的,所述步骤S1中PTFE乳液的固含量大于50%,PH值为9-10,且烘干温度为250℃,烘干时间为15-20分钟。
进一步的,所述步骤S2中,生长金属钛薄膜时,生长前,腔体真空度抽到1×10- 7mbar以下,生长速度为0.05nm/s,生长厚度为200-500nm,PTFE半固化片的温度为250-300℃。
进一步的,所述步骤S2中,生长金属镍薄膜时,生长前,腔体真空度抽到1×10- 7mbar以下,生长速度为0.1nm/s,生长厚度为150-300nm,PTFE半固化片温度为280-320℃。
进一步的,所述步骤S4中的热压条件为,真空度抽到大于1×10-3mbar后,开始升温,升温过程为先用30-50分钟快速升到150℃,然后用90-100分钟时间升温到340-360℃,而后保温120-180分钟,加压的过程分为两步,升温过程施加压力为2-4MPa,保温过程施加压力为4-6MPa。
有益效果:本发明提供的一种PTFE基PCB覆铜板,相对于现有技术,具有以下优点:(1)制作工艺简单,成本较低,操作周期短,重复性能好,适合量产;(2)采用电子束蒸镀的方法在PTFE半固化片的上下两个表面先蒸镀一层金属薄膜,然后再放置于两片铜箔间进行压合覆铜,大大提高PTFE基PCB覆铜板的铜箔剥离强度,为5G时代对PCB板的更高要求打下基础。
附图说明
图1为本发明一种PTFE基PCB覆铜板的结构示意图;
图中包括:1、PTFE半固化片,2、金属薄膜,3、铜箔。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作更进一步的说明。
实施例1:
如图1所示,包括PTFE半固化片1、铜箔3,PTFE半固化片1与铜箔3之间有一层用电子束蒸镀方法得到的金属钛薄膜2,所述上下两层铜箔3与夹在铜箔3间的上下两层金属钛薄膜2、PTFE半固化片1之间对齐压合连接。
S1:将裁剪好的玻璃纤维布浸渍到PTFE乳液中,PTFE乳液的固含量为60%,PH值为10,浸渍10分钟后,取出烘干,烘干温度为250℃,烘干时间为20分钟,得到PTFE半固化片;
S2:将步骤S1中得到的PTFE半固化片放置于电子束蒸镀腔体中,进行金属钛薄膜蒸镀,蒸镀前,腔体真空度抽到2×10-8mbar,生长速度为0.05nm/s,生长厚度为400nm,PTFE半固化片的温度为300℃;
S3:将步骤S2中得到的样品的上下两面放上铜箔,放到热压炉中进行热压,热压条件为,真空度抽到7×10-4mbar后,开始升温,升温过程为先用50分钟快速升到150℃,然后用100分钟时间升温到360℃,而后保温180分钟,加压的过程分为两步,升温过程施加压力为4MPa,保温过程施加压力为6MPa;
S4:步骤S3过程结束后,自然降温至室温,然后卸压,卸压速度为0.05Pa/s,将压合好的PTFE基PCB覆铜板从热压炉中取出,得到最后所要的样品。
对样品进行180°剥离强度测试,测试结果为4.5N/mm,比普通覆铜方法得到的结果优异。
实施例2:
如图1所示,包括PTFE半固化片1、铜箔3,PTFE半固化片1与铜箔3之间有一层用电子束蒸镀方法得到的金属镍薄膜2,所述上下两层铜箔3与夹在铜箔3间的上下两层金属镍薄膜2、PTFE半固化片1之间对齐压合连接。
S1:将裁剪好的玻璃纤维布浸渍到PTFE乳液中,PTFE乳液的固含量为54%,PH值为9.5,浸渍10分钟后,取出烘干,烘干温度为250℃,烘干时间为20分钟,得到PTFE半固化片;
S2:将步骤S1中得到的PTFE半固化片放置于电子束蒸镀腔体中,进行金属镍薄膜,蒸镀前,腔体真空度抽到9×10-8mbar,生长速度为0.1nm/s,生长厚度为250nm,PTFE半固化片温度为320℃;
S3:将步骤S2中得到的样品的上下两面放上铜箔,放到热压炉中进行热压,热压条件为,真空度抽到4×10-4mbar后,开始升温,升温过程为先用50分钟快速升到150℃,然后用90分钟时间升温到340℃,而后保温120分钟,加压的过程分为两步,升温过程施加压力为4MPa,保温过程施加压力为6MPa;
S4:步骤S3过程结束后,自然降温至室温,然后卸压,卸压速度为0.05MPa/s,将压合好的PTFE基PCB覆铜板从热压炉中取出,得到最后所要的样品。
对样品进行180°剥离强度测试,测试结果为4.9N/mm,比普通覆铜方法得到的结果优异。
此外,经过大量的实验数据表明,用电子束蒸镀的方法在PTFE半固化片的上下两个表面先蒸镀一层金属薄膜,然后再放置于两片铜箔间进行压合覆铜,其中金属薄膜可以是钛薄膜,也可以是镍薄膜。通过此方法得到的PTFE基PCB覆铜板的铜箔剥离强度明显提高,为5G时代对PCB板的更高要求打下基础。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出:对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (3)
1.一种PTFE基PCB覆铜板,其特征在于,包括PTFE半固化片(1)、铜箔(3),PTFE半固化片(1)与铜箔(3)之间有一层用电子束蒸镀方法得到的金属薄膜(2)。
2.根据权利要求1所述的一种PTFE基PCB覆铜板,其特征在于,所述金属薄膜(2)为金属钛薄膜或者金属镍薄膜,且金属钛薄膜的生长厚度为200-500nm,金属镍薄膜的生长厚度为150-300nm。
3.根据权利要求1所述的一种PTFE基PCB覆铜板,其特征在于,上下两层所述铜箔(3)与夹在铜箔(3)间的上下两层金属薄膜(2)、PTFE半固化片(1)之间对齐压合连接。
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CN108684151A (zh) * | 2018-06-29 | 2018-10-19 | 南京大学 | 一种ptfe基pcb覆铜板及覆铜方法 |
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2018
- 2018-06-29 CN CN201821023003.7U patent/CN208540262U/zh active Active
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