CN207503916U - 一种遮挡装置以及刻蚀机台 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种遮挡装置以及刻蚀机台，应用于刻蚀机台的反应腔体中，静电吸附盘上用以放置待刻蚀的晶圆，其中，包括：一对伸缩结构，每个伸缩结构包括一固定端以及一伸缩端，固定端固定设置于腔体的侧壁；一对承托结构，分别与伸缩结构的伸缩端连接；当伸缩结构位于一初始位置时，一对承托结构分别位于静电吸附盘的两侧；当伸缩结构由初始位置伸出至一预定位置时，一对承托结构用以配合形成一承托位置，承托位置位于静电吸附盘的正上方；遮挡结构，用以通过一外部的传送结构将遮挡结构传送至反应腔体内，并放置于承托结构上。其可以可在同一机台上实现对晶圆的整体刻蚀以及对刻蚀后的晶圆的边缘残留的聚合物进行清洗的操作，提高了刻蚀效率。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体制备领域，尤其涉及一种遮挡装置以及刻蚀机台。
背景技术
刻蚀通常包括干法刻蚀和湿法刻蚀，干法刻蚀和湿法刻蚀它们之间的区别就在于湿法使用溶剂或溶液来进行刻蚀，湿法刻蚀是一个纯粹的化学反应过程，是指利用溶液与预刻蚀材料之间的化学反应来去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而达到刻蚀目的。刻蚀一般是在刻蚀机台的反应腔体内进行操作，现有的刻蚀操作包括，在一刻蚀机台中对晶圆进行整体刻蚀，在经过整体刻蚀之后会在晶圆的边缘位置形成聚合物，因此需要进一步对晶圆的边缘进行清洗，现有的做法是提供另一刻蚀机台对晶圆的边缘的聚合物进行清洗去除，在整个刻蚀过程中需要提供两种机台实现上述操作，不仅操作不便而且使使用机台陈本上升。
发明内容
针对现有技术中在对晶圆进行刻蚀中存在的上述问题，现提供一种在操作方便，同一机台上实现对晶圆的整体刻蚀以及对晶圆边缘的聚合物进行清洗操作，提高刻蚀效率可降低机台使用成本的遮挡装置以及刻蚀机台。
具体技术方案如下：
一种遮挡装置，应用于刻蚀机台的反应腔体中，所述反应腔体内包括一静电吸附盘，所述静电吸附盘上用以放置待刻蚀的晶圆，其中，包括：
一对伸缩结构，每个所述伸缩结构包括一固定端以及一伸缩端，所述固定端固定设置于所述反应腔体的侧壁；
一对承托结构，所述承托结构与所述伸缩结构一一对应，每个所述承托结构分别与对应的所述伸缩结构的所述伸缩端连接；
当所述伸缩结构位于一初始位置时，一对所述承托结构分别位于所述静电吸附盘的两侧；
当所述伸缩结构由所述初始位置伸出至一预定位置时，一对所述承托结构用以配合形成一承托位置，所述承托位置位于所述静电吸附盘的正上方；
遮挡结构，用以通过一外部的传送结构将所述遮挡结构传送至所述反应腔体内，并放置于所述承托位置上。
优选的，每个所述承托结构包括：
一连接部，垂直的与所述伸缩结构的所述伸缩端连接；
一承托板，一端垂直的设置于所述连接部上，另一端悬空，且悬空的一端背向同一侧的所述伸缩结构的所述固定端；
所述承托板的顶部与所述静电吸附盘之间设置有一预定距离。
优选的，所述连接部与所述承托板一体形成。
优选的，一对所述伸缩结构之间的距离等于所述遮挡结构的宽度。
优选的，所述遮挡结构呈一圆形状。
优选的，一对所述伸缩结构以垂直所述静电吸附盘圆心的垂直线为对称轴呈轴对称设置。
优选的，所述遮挡结构由陶瓷材质制成。
优选的，所述传送结构为设置于所述机台上的传送机械臂。
还包括一种刻蚀机台，其特征在于，包括上述的遮挡装置。
上述技术方案具有如下优点或有益效果：可在同一机台上实现对晶圆的整体刻蚀以及对刻蚀后的晶圆的边缘残留的聚合物进行清洗的操作，提高了刻蚀效率，克服了现有技术中需提供两个机台实现上述两种操作带来的操作不便以及机台使用成本上升的缺陷。
附图说明
图1为本实用新型一种遮挡装置的实施例的整体结构示意图；
图2为本实用新型一种遮挡装置的实施例中，关于承托结构的示意图；
附图标记表示：
1、反应腔体；2、静电吸附盘；3、伸缩结构；4、承托结构；5、遮挡结构；6、晶圆；7、刻蚀装置；
41、连接部；42、承托板。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本实用新型中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步说明，但不作为本实用新型的限定。
如图1所示，一种遮挡装置的实施例，应用于刻蚀机台的反应腔体1中，所述反应腔体1内包括一静电吸附盘2，所述静电吸附盘2上用以放置待刻蚀的晶圆6，其中，包括：
一对伸缩结构3，每个伸缩结构3包括一固定端以及一伸缩端，固定端固定设置于腔体的侧壁；
一对承托结构4，承托结构4与伸缩结构3一一对应，每个承托结构3 分别与对应的伸缩结构3的伸缩端连接；
当伸缩结构3位于一初始位置时，一对承托结构4分别位于静电吸附盘 2的两侧；
当伸缩结构3由初始位置伸出至一预定位置时，一对承托结构4用以配合形成一承托位置，承托位置位于静电吸附盘2的正上方；
遮挡结构5，用以通过一外部的传送结构将遮挡结构5传送至反应腔体1 内，并放置于承托位置上。
针对现有技术中对晶圆6的整体刻蚀，以及对刻蚀后的晶圆6的边缘的聚合物进行清洗时需要分别提供对应的机台进行操作，存在的刻蚀效率较低，操作不便以及机台使用成本较高的缺陷。
本实用新型中，当对晶圆6进行整体刻蚀时，通过伸缩结构3控制承托结构4位于初始位置，此时位于反应腔体1内的一对承托结构4分别位于静电吸附盘2的两侧，进而可以通过刻蚀装置7对晶圆6的表面进行整体刻蚀，刻蚀装置7设置于反应腔体1内的顶部，并朝向静电吸附盘2；
当晶圆6表面的整体刻蚀操作结束之后，由于晶圆6边缘会残留反应之后生成的聚合物，因此需要对晶圆6的边缘进行清洗，此时通过伸缩结构3 由初始位置伸出至预定位置，即将一对承托结构4送至静电吸附盘2的上方，一对承托结构4构成的承托位置位于静电吸附盘2的正上方，在通过外部的传送结构将遮挡结构5从反应腔体1的外部传送至反应腔体1内并放置于承托位置上，放置于承托位置上的遮挡结构5正好遮挡住放置于静电吸附盘2 上的晶圆6的中间位置，同时将晶圆6的边缘位置露出，进而可方便腔体内的刻蚀装置7对晶圆6的边缘进行清洗操作，上述技术方案可在同一机台上实现对晶圆6的整体刻蚀以及对刻蚀后的晶圆6的边缘残留的聚合物进行清洗的操作，提高了刻蚀效率。
需要说明的是，在反应腔体的侧壁开设有可关闭和打开的阀门，该阀门用以传送晶圆或者传送上述的遮挡结构5至对应的静电吸附盘2的顶部以及对应的承托位置。
在一种较优的实施方式中，如图2所示，每个承托结构4包括：
一连接部41，垂直的与伸缩结构3的伸缩端连接；
一承托板42，一端垂直的设置于连接部41上，另一端悬空，且悬空的一端背向同一侧的伸缩结构3的固定端；
承托板42的顶部与静电吸附盘2之间设置有一预定距离。
上述技术方案中，承托板42用以承托遮挡结构5的底部，使遮挡结构5 位于承托板42上。
在一种较优的实施方式中，连接部41与承托板42一体形成。
在一种较优的实施方式中，一对伸缩结构3之间的距离等于遮挡结构5 的宽度。
在一种较优的实施方式中，遮挡结构5呈一圆形状。
上述技术方案中，为了对晶圆6的中间位置进行遮挡而露出边缘位置，因此将遮挡结构5设置为圆形状，且底部面积小于晶圆6的顶部面积。
在一种较优的实施方式中，一对伸缩结构3以垂直静电吸附盘2圆心的垂直线为对称轴呈轴对称设置。
上述技术方案中，一对承托板42相对悬空一端之间的间隔小于遮挡结构 5的宽度，且在伸缩结构3处于初始位置时，每个承托板42悬空的一端分别位于对应静电吸附盘2一侧。
在一种较优的实施方式中，遮挡结构5由陶瓷材质制成。
上述技术方案中，放置于承托位置上的遮挡结构5应当具有耐腐蚀的特性，因此遮挡结构5可优选为陶瓷材质制成。
在一种较优的实施方式中，传送结构为设置于机台上的传送机械臂。
本实用新型的技术方案中还包括一种刻蚀机台。
一种刻蚀机台的实施例，其中，在该刻蚀机台中设置有上述的遮挡装置。
以上所述仅为本实用新型较佳的实施例，并非因此限制本实用新型的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本实用新型说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本实用新型的保护范围内。
Claims (9)
1.一种遮挡装置，应用于刻蚀机台的反应腔体中，所述反应腔体内包括一静电吸附盘，所述静电吸附盘上用以放置待刻蚀的晶圆，其特征在于，包括：
一对伸缩结构，每个所述伸缩结构包括一固定端以及一伸缩端，所述固定端固定设置于所述反应腔体的侧壁；
一对承托结构，所述承托结构与所述伸缩结构一一对应，每个所述承托结构分别与对应的所述伸缩结构的所述伸缩端连接；
当所述伸缩结构位于一初始位置时，一对所述承托结构分别位于所述静电吸附盘的两侧；
当所述伸缩结构由所述初始位置伸出至一预定位置时，一对所述承托结构用以配合形成一承托位置，所述承托位置位于所述静电吸附盘的正上方；
遮挡结构，用以通过一外部的传送结构将所述遮挡结构传送至所述反应腔体内，并放置于所述承托位置上。
2.根据权利要求1所述的遮挡装置，其特征在于，每个所述承托结构包括：
一连接部，垂直的与所述伸缩结构的所述伸缩端连接；
一承托板，一端垂直的设置于所述连接部上，另一端悬空，且悬空的一端背向同一侧的所述伸缩结构的所述固定端；
所述承托板的顶部与所述静电吸附盘之间设置有一预定距离。
3.根据权利要求2所述的遮挡装置，其特征在于，所述连接部与所述承托板一体形成。
4.根据权利要求1所述的遮挡装置，其特征在于，一对所述伸缩结构之间的距离等于所述遮挡结构的宽度。
5.根据权利要求1所述的遮挡装置，其特征在于，所述遮挡结构呈一圆形状。
6.根据权利要求1所述的遮挡装置，其特征在于，一对所述伸缩结构以垂直所述静电吸附盘圆心的垂直线为对称轴呈轴对称设置。
7.根据权利要求1所述的遮挡装置，其特征在于，所述遮挡结构由陶瓷材质制成。
8.根据权利要求1所述的遮挡装置，其特征在于，所述传送结构为设置于所述机台上的传送机械臂。
9.一种刻蚀机台，其特征在于，包括权利要求1-8中任一所述的遮挡装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201720892570.5U CN207503916U (zh) | 2017-07-21 | 2017-07-21 | 一种遮挡装置以及刻蚀机台 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201720892570.5U CN207503916U (zh) | 2017-07-21 | 2017-07-21 | 一种遮挡装置以及刻蚀机台 |
Publications (1)
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| CN207503916U true CN207503916U (zh) | 2018-06-15 |
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ID=62495978
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| CN201720892570.5U Active CN207503916U (zh) | 2017-07-21 | 2017-07-21 | 一种遮挡装置以及刻蚀机台 |
Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN207503916U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022143121A1 (zh) * | 2021-01-04 | 2022-07-07 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 改善刻蚀均匀性的双挡板装置 |
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2017
- 2017-07-21 CN CN201720892570.5U patent/CN207503916U/zh active Active
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