CN207405229U - 成膜装置 - Google Patents

成膜装置 Download PDF

Info

Publication number
CN207405229U
CN207405229U CN201721088491.5U CN201721088491U CN207405229U CN 207405229 U CN207405229 U CN 207405229U CN 201721088491 U CN201721088491 U CN 201721088491U CN 207405229 U CN207405229 U CN 207405229U
Authority
CN
China
Prior art keywords
conveying
room
medium
pumped
film forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201721088491.5U
Other languages
English (en)
Inventor
野村忠志
小松了
小田哲也
新开秀树
中越英雄
小出泽彻
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of CN207405229U publication Critical patent/CN207405229U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/562Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/552Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Advancing Webs (AREA)

Abstract

本实用新型提供一种成膜装置,其能够抑制对被成膜对象物带来损伤,同时提高生产效率。成膜装置(1)具备:输送介质(60),其具有用于固定被成膜对象物(62)的粘着面(60a);搬入室(10),其供输送介质搬入;搬出室(20),其供输送介质搬出;至少一个成膜室(30),其在被成膜对象物(62)的表面进行成膜;多个连结部(40),它们将搬入室、成膜室以及搬出室连结;输送部(33a、33b),其对输送介质进行输送;以及冷却台(31),其在成膜室中,在上表面配置输送介质,对配置于输送介质的被成膜对象物进行冷却,在成膜室中,使输送介质紧贴于冷却台的同时对输送介质进行输送,并且在被成膜对象物的表面进行成膜。

Description

成膜装置
技术领域
本实用新型涉及成膜装置。
背景技术
以往,对于半导体封装件等模块而言,为了抑制搭载于模块内的部件受到电磁波等的影响,在模块的表面具有导电性的薄膜(电磁屏蔽膜)(例如,参照专利文献1)。电磁屏蔽膜例如在溅射装置等的成膜装置内成膜于模块的表面。
在专利文献1所记载的薄膜装置中,通过以托盘为单位将配置于托盘的模块搬入成膜装置内并进行溅射,从而在模块的表面形成电磁屏蔽膜。在形成电磁屏蔽膜时,模块端面的一部分被形成于托盘的肋固定。
专利文献1:日本特开2015-115557号公报
然而,在现有的成膜装置中,由于将被成膜对象物亦即模块固定于托盘,并以托盘为单位进行成膜,所以在与托盘接触的模块的端面的一部分不会形成屏蔽膜、或者屏蔽膜附着于托盘,因此在下次使用之前,需要除去所附着的膜,存在无法提高生产效率的问题。另外,即使在成膜时因等离子能量以及溅射粒子的碰撞等的影响而使得模块发热,由于与托盘接触的模块的面积较小,所以也无法经由托盘充分地进行放热,模块可能会由于成膜时的发热而受到损伤。
实用新型内容
鉴于上述课题,本实用新型的目的在于提供一种成膜装置,其能够抑制对被成膜对象物带来损伤,并且提高生产效率。
为了实现上述目的,本实用新型所涉及的成膜装置的一方式具备:输送介质,其具有用于固定被成膜对象物的粘着面;搬入室,其供上述输送介质搬入;搬出室,其供上述输送介质搬出;至少一个成膜室,其配置于上述搬入室与上述搬出室之间,在上述被成膜对象物的表面进行成膜;多个连结部,它们将上述搬入室、上述成膜室以及上述搬出室连结;输送部,其设置于上述搬入室、上述成膜室、上述搬出室以及上述连结部,对上述输送介质进行输送;以及冷却台,其在上述成膜室中,在上表面配置上述输送介质,对配置于上述输送介质的上述被成膜对象物进行冷却,在上述成膜室中,使上述输送介质紧贴于上述冷却台的同时对输送介质进行输送,并且在上述被成膜对象物的表面进行成膜。
由此,被成膜对象物固定于具有粘着面的输送介质并在成膜室中被输送,在被输送的同时进行成膜。另外,成膜后的被成膜对象物能够从输送介质剥离。因此,能够提高被成膜对象物的生产效率。
另外,由于对被成膜对象物进行成膜时,输送介质紧贴于冷却台,所以能够充分地对固定于输送介质的被成膜对象物进行冷却。因此,能够抑制被成膜对象物因成膜时的发热而受到损伤。
另外,上述输送介质也可以为单面具有上述粘着面的卷筒式片材。
由此,能够在输送介质固定多个被成膜对象物,对输送介质进行连续输送的同时在被成膜对象物的表面形成屏蔽膜。因此,能够高效地形成多个相同条件的屏蔽膜。
另外,上述输送介质也可以为在基材上形成有具有上述粘着面的粘着层的层叠片材。
由此,在屏蔽膜形成后,层叠片材的粘着层被从基材剥离,因此能够对基材进行再利用。
另外,上述输送部也可以具有上输送辊以及下输送辊,通过在上述上输送辊以及上述下输送辊之间夹着上述输送介质进行旋转,从而对上述输送介质进行输送。
由此,无论输送介质为卷筒式片材还是层叠片材,都能够容易地对输送介质进行输送。
另外,上述输送部也可以代替上述下输送辊而具有链式输送机,上述链式输送机具有与形成于上述输送介质的孔嵌合的突起部。
由此,在设置于链式输送机的突起部与设置于输送介质的孔嵌合的状态下对输送介质进行输送,因此能够稳定地对输送介质进行输送。
另外,上述上输送辊也可以使上述输送介质紧贴于上述冷却台。
由此,上输送辊使输送介质紧贴于冷却台,因此能够在成膜中对被成膜对象物进行充分的冷却。
另外,也可以具备引导件,上述引导件配置于的上述输送介质的在与上述输送介质的行进方向正交的方向的两侧。
由此,输送介质的行进方向的两边在行进方向上被引导,所以能够稳定地对输送介质进行输送。
根据本实用新型,能够提供一种成膜装置,其能够在抑制对被成膜对象物带来损伤的同时提高生产效率。
附图说明
图1是表示实施方式1所涉及的成膜装置的结构的示意图。
图2是表示实施方式1所涉及的成膜装置的成膜室的结构的示意图。
图3是表示实施方式1所涉及的成膜装置的成膜室的结构的俯视图。
图4是表示实施方式1所涉及的片材的结构的示意图。
图5是用于对实施方式1所涉及的成膜室中的片材的移动进行说明的俯视图。
图6是用于对实施方式1所涉及的成膜室中的片材的移动进行说明的俯视图。
图7是表示从实施方式1所涉及的片材剥离模块的动作的图。
图8是表示实施方式1的变形例所涉及的成膜装置的结构的一部分的图。
图9是表示实施方式2所涉及的成膜装置的结构的示意图。
图10是表示实施方式2所涉及的层叠片材的结构的示意图。
图11是表示实施方式2所涉及的成膜装置的成膜室的结构的示意图。
图12是用于对实施方式2所涉及的成膜室中的层叠片材的移动进行说明的俯视图。
图13是表示从实施方式2所涉及的层叠片材剥离模块的动作的图。
图14是表示在实施方式2所涉及的层叠片材中,从基材剥离粘着层的动作的图。
图15是表示实施方式2的变形例所涉及的成膜装置的结构的一部分的图。
附图标记说明:
1、2…成膜装置;1a…腔室;10…搬入室;12…片材辊;14、22…卷取辊;16、26…输送辊;20…搬出室;30…成膜室;31…冷却台;32…溅射靶材;33a、34a、35a、35b、35c、42a、44a、45a、45b、45c、102a、103a、202a、203a…上输送辊;33b、34b、42b、44b、102b、103b、202b、203b…下输送辊;36a、36b、37a、37b…引导件;40…连结部;46…链式输送机;46a…主体部;47…突起部;50…挡板;60…卷筒式片材(输送介质);62…模块(被成膜对象物);64、164…孔;101、201…机架;110…层叠片材(输送介质);111…基材;112…粘着层。
具体实施方式
以下,对本实用新型的实施方式进行说明。此外,以下进行说明的实施方式皆表示本实用新型的优选的一个具体例。因此,以下的实施方式所示的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置位置以及连接方式等为一个例子,而并非是对本实用新型进行限定的主旨。因此,以下的实施方式的构成要素之中,对于表示本实用新型的最上位概念的独立权利要求所没有记载的构成要素,作为任意的构成要素而进行说明。
另外,各图为示意图,而并非一定进行严格地图示。在各图中,对于实际上相同的结构,标注相同的附图标记,并省略或者简化重复的说明。
(实施方式1)
以下,使用图1~图8,对实施方式进行说明。
[1.成膜装置的结构]
首先,对本实施方式所涉及的成膜装置1的结构进行说明。图1是表示本实施方式所涉及的成膜装置1的结构的示意图。图2是表示本实施方式所涉及的成膜装置1的成膜室30的结构的示意图。图3是表示本实施方式所涉及的成膜装置1的成膜室30的结构的俯视图。图4是表示本实施方式所涉及的卷筒式片材60的结构的示意图。
本实施方式所涉及的成膜装置1为在配置于片状的输送介质上的多个模块的表面同时进行溅射而形成成为电磁屏蔽件的导电性的薄膜(屏蔽膜)的装置。
如图1所示,成膜装置1具备搬入室10、搬出室20、三个成膜室30、连结部40、搬入室10、将搬出室20以及成膜室30各自与连结部40之间的空间分离的挡板50、以及作为输送介质的卷筒式片材60。
成膜装置1具有与搬入室10、搬出室20、三个成膜室30以及连结部40设置为一体的腔室1a。通过腔室1a,将搬入室10、搬出室20、三个成膜室30以及连结部40的内部的气氛与成膜装置1的外部的气氛分离。此外,在图1中,为了便于成膜装置1的结构的理解,作为剖视图,仅示出腔室1a。
搬入室10为处理室,其将能够卷取为卷筒状使用的卷筒式片材60作为输送介质而搬入成膜装置1内进行配置。搬入室10具有开闭部(未图示),通过开闭部,从外部向搬入室10搬入卷筒式片材60。如在后文进行详述那样,在卷筒式片材60配置有作为被成膜对象物的模块62。
搬入室10具有片材辊12、卷取辊14与多个输送辊16。片材辊12是将卷筒式片材60设置为卷筒状的辊。由于卷筒式片材60的单面具有粘着性,所以片材辊12夹着脱模膜而卷取。
卷取辊14是在将卷筒式片材60从搬入室10向成膜室30送出时用于卷取上述脱模膜的旋转辊。
另外,输送辊16为圆柱形的辊,是用于将卷筒式片材60从搬入室10向成膜室30送出的辊。输送辊16通过在输送辊16与片材辊12之间、或者在输送辊16彼此之间夹持卷筒式片材60的同时进行旋转,从而对卷筒式片材60进行输送。
搬出室20是用于对形成了屏蔽膜后的卷筒式片材60进行卷取,并将其从成膜装置1向外部搬出的处理室。搬出室20具有开闭部(未图示),通过开闭部,将卷筒式片材60从搬出室20内向外部搬出。搬出室20具有卷取辊22与多个输送辊26。
卷取辊22是用于对形成了屏蔽膜的卷筒式片材60进行卷取的旋转辊。卷取辊22例如具备马达(未图示),并利用马达进行旋转对卷筒式片材60进行卷取。
输送辊26为圆柱形的辊,通过在输送辊26与卷取辊22之间、或者在输送辊26彼此之间夹持卷筒式片材60的同时进行旋转,从而将卷筒式片材60卷取并将其向卷取辊22输送。
成膜室30是对配置于卷筒式片材60上的模块62进行成膜的处理室。成膜方法例如为溅射法。通过设置多个成膜室30,从而能够形成多层构造的薄膜。多层构造的情况下,也可以适当地变更形成各层的薄膜的材料以及膜厚。此外,成膜方法并不局限于溅射法,也可以为蒸镀法等其他的方法。
如图2以及图3所示,成膜室30具有冷却台31、溅射靶材32、上输送辊33a、34a、35a、35b及35c、下输送辊33b及34b、以及引导件36a、36b、37a及37b。另外,成膜室30也可以与一般的溅射装置相同,具备阳极、阴极、永磁体、线圈、高频电源(未图示)等。
冷却台31为对配置有作为被成膜对象物的模块62的卷筒式片材60进行载置的载置台,具有冷却机构(未图示)。另外,冷却台31具有作为溅射装置中的阳极的功能。
冷却机构例如为水冷式的机构,其使冷却水在设置于冷却台的内部的管循环的同时进行冷却。此外,冷却机构也可以为利用了珀耳帖元件的机构,也可以使用在冷却台31的表面设置气体喷出口而向卷筒式片材60喷射气体来进行冷却等其他的方法。
如图2所示,在冷却台31中,利用上输送辊35a、35b以及35c,将卷筒式片材60的端部按压于冷却台31,使卷筒式片材60紧贴于冷却台31的同时进行输送。由此,对配置于卷筒式片材60的模块62进行冷却。
溅射靶材32是将形成于模块62的表面的屏蔽膜的材料形成为规定的形状的靶材。作为屏蔽膜的材料,例如使用Al、Cu、Ni等金属材料。在形成多层构造的屏蔽膜的情况下,也可以根据需要变更材料。例如,也可以对于与模块主体紧贴的紧贴层选择与树脂材料紧贴性较高的Ti、SUS等金属材料,对于最外层选择防锈性较高的Ni、SUS等金属材料,对于紧贴层与最外层之间的层选择导电性较高的Al、Cu等金属材料、Ni等磁性金属材料。另外,对于紧贴层与最外层之间的层而言,也可以交替层叠多层导电性较高的金属材料与磁性金属材料。溅射靶材32相对于卷筒式片材60,设置于与冷却台31相反的一侧的位置,以便与配置于冷却台31的卷筒式片材60对置。在溅射靶材32的与卷筒式片材60对置的面的相反侧的面配置有阴极(未图示)。此外,在成膜时,固定于卷筒式片材60的模块62配置于与溅射靶材32对置的位置。
上输送辊33a与下输送辊33b隔着卷筒式片材60而成对配置。上输送辊33a与下输送辊33b作为输送部在进行旋转的同时输送卷筒式片材60。此外,上输送辊33a以及下输送辊33b例如也可以构成为至少一方具有马达(未图示),利用马达进行旋转来输送卷筒式片材60,也可以构成为不具备马达。同样地,上输送辊34a与下输送辊34b隔着卷筒式片材60而成对配置。上输送辊34a与下输送辊34b作为输送部在进行旋转的同时输送卷筒式片材60。上输送辊34a以及下输送辊34b也可以和上输送辊33a与下输送辊33b相同,构成为具备马达,也可以构成为不具备马达。
如图2以及图3所示,上输送辊33a以及34a为圆柱形的辊,配置于沿着卷筒式片材60的行进方向的冷却台31的对置的两边侧,以便下端与冷却台31的上表面形成为大致相同的高度。另外,下输送辊33b以及34b为圆柱形的辊,具有与冷却台31的在和卷筒式片材60的行进方向正交的方向的宽度大致相同的长度。下输送辊33b以及34b配置为上端形成为与冷却台31的上表面大致相同的高度。
上输送辊35a、35b以及35c为圆柱形的辊,配置于沿着卷筒式片材60的行进方向的冷却台31的对置的两边,以便在上输送辊35a、35b以及35c各自与冷却台31之间夹持卷筒式片材60。由此,对于卷筒式片材60而言,沿着卷筒式片材60的行进方向的两侧的端部夹持于上输送辊35a、35b以及35c各自与冷却台31之间,卷筒式片材60与冷却台31接触。因此,固定于卷筒式片材60之上的模块62被冷却台31冷却。
引导件36a、36b、37a以及37b配置于与卷筒式片材60的行进方向正交的方向的两侧。引导件36a、36b、37a以及37b为抑制卷筒式片材60向与卷筒式片材60的行进方向正交的方向偏移的引导件。如图3所示,引导件36a以及36b配置于上输送辊35a与35b之间。同样地,引导件37a以及37b配置于上输送辊35b与35c之间。
连结部40是用于将搬入室10与成膜室30、搬出室20与成膜室30、以及成膜室30彼此连结的连结部。如图1所示,连结部40具有上输送辊42a以及44a、下输送辊42b以及44b。上输送辊42a以及下输送辊42b隔着卷筒式片材60而成对配置。同样地,上输送辊44a以及下输送辊44b隔着卷筒式片材60而成对配置。
上输送辊42a、44a以及下输送辊42b、44b和上述上输送辊33a、34a以及下输送辊33b、34b相同,作为输送部在进行旋转的同时输送卷筒式片材60。上输送辊42a、44a以及下输送辊42b、44b和上输送辊33a以及下输送辊33b相同,可以构成为具备马达,也可以构成为不具备马达。
挡板50分别设置于连结部40与搬入室10、搬出室20以及成膜室30之间。挡板50是用于对搬入室10、搬出室20以及成膜室30各自与连结部40之间的空间进行分离,对连结部40、与搬入室10、搬出室20以及成膜室30的各自的气氛(例如,真空度)进行保持的开闭门。在屏蔽膜形成时,卷筒式片材60从搬入室10到搬出室20连续地配置,因此连结部40、与搬入室10、搬出室20以及成膜室30的各自的挡板50全部形成为敞开状态。另外,在将卷筒式片材60向搬入室10搬入时、以及在将卷筒式片材60从搬出室20搬出时,挡板50全部形成为关闭状态。此外,挡板50可以为手动开闭,也可以利用马达等进行开闭。
如图4所示,卷筒式片材60是单面为粘着面60a的长条的粘着片材。卷筒式片材60为将长条的粘着片材卷绕为卷筒状的卷筒式的片材。在卷筒式片材60的粘着面60a固定有模块62。如上所述,卷筒式片材60在粘着面60a固定有模块62的状态下,卷绕为卷筒状。此时,也可以夹持脱模膜,以便不使粘着面60a粘贴于卷筒式片材60的背面侧。
图5以及图6是用于对本实施方式所涉及的成膜室30中的卷筒式片材60的移动的状态进行说明的俯视图。
如图5以及图6所示,在成膜室30中形成屏蔽膜时,利用上输送辊33a、34a与下输送辊33b、34b,从卷筒式片材60的端部按顺序以恒定的速度输送卷筒式片材60。另外,在连结部40中,利用上输送辊42a以及44a与下输送辊42b以及44b,以恒定的速度输送卷筒式片材60。由此,固定于卷筒式片材60的模块62从搬入室10通过成膜室30,以恒定的速度通过直至搬出室20。此时,通过在各成膜室30进行溅射,对各模块62连续地形成相同条件的多个屏蔽膜。
另外,此时,通过上输送辊35a、35b以及35c,使卷筒式片材60与冷却台31紧贴的同时进行输送。由此,在屏蔽膜的形成中,配置于卷筒式片材60的模块62被冷却。
在屏蔽膜的厚度的调整中,能够通过调整各成膜室30中的溅射率、或调整溅射靶材32的大小以及个数、或调整卷筒式片材60的输送速度来应对。另外,也可以通过连续连结多个具有相同材料的溅射靶材32的成膜室30,从而增加成膜的次数。
图7是表示从本实施方式所涉及的片材剥离模块的动作的图。如图7所示,形成有屏蔽膜的模块62在从搬出室20取出卷筒式片材60后,被从卷筒式片材60剥离。由此,能够得到各个模块62。在从卷筒式片材60剥离的模块62中,在不与卷筒式片材60接触的面形成屏蔽膜,仅在与卷筒式片材60接触的面不形成屏蔽膜。此外,将剥离了模块62后的卷筒式片材60废弃。
[2.效果等]
以上,根据本实施方式所涉及的成膜装置1,能够在具有粘着面60a的卷筒式片材60固定模块62,以恒定的速度使卷筒式片材60连续地通过成膜室30的同时形成屏蔽膜。因此,能够得到形成有相同条件的屏蔽膜的多个模块62。另外,由于以恒定的速度使卷筒式片材60连续地移动的同时形成屏蔽膜,所以模块62的生产效率提高。
另外,由于卷筒式片材60紧贴于配置在成膜室30的冷却台31之上,所以能够对模块62进行冷却的同时形成屏蔽膜。因此,能够抑制模块62因发热而受到损伤。
并且,在屏蔽膜形成后,模块62被从卷筒式片材60剥离,并将卷筒式片材60废弃,因此无需如以往那样,除去附着于托盘的屏蔽膜。
根据以上,在成膜装置1中,能够抑制损伤模块62,同时提高生产效率。
(变形例)
接下来,对本实施方式的变形例1进行说明。本变形例中的成膜装置在代替下输送辊33b以及34b而具备链式输送机46这一点上,与实施方式1所示的成膜装置1不同。
图8是表示本实施方式的变形例所涉及的成膜装置的结构的一部分的图。在图8的(a)以及(b)中,示出了成膜室30中的冷却台31的、配置于卷筒式片材60的行进方向的前后两侧的链式输送机46与其周边的结构。
链式输送机46配置于成膜室30中的冷却台31的在卷筒式片材60的行进方向的左右两侧。换句话说,链式输送机46代替下输送辊33b以及34b而配置。
如图8的(a)所示,链式输送机46配置于卷筒式片材60的沿行进方向的两端之下。链式输送机46也可以构成为,例如使由合金等构成的多个板状的部件组合为链状并旋转。链式输送机46具有板状的主体部46a与突起部47,上述突起部47配置为在主体部46a的表面突出。另外,卷筒式片材60形成有与突起部47嵌合的孔64。例如,如图8的(b)所示,突起部47的高度比卷筒式片材60的厚度高。此外,突起部47的高度也可以为与卷筒式片材60相同的高度,也可以低于卷筒式片材60的高度。
在链式输送机46的上方配置有上输送辊45a、45b以及45c。上输送辊45a、45b以及45c为圆柱形的辊。上输送辊45a、45b以及45c配置于链式输送机46之上,以便在上输送辊45a、45b以及45c各自与链式输送机46之间夹持卷筒式片材60的沿着行进方向的两端。由此,卷筒式片材60伴随着链式输送机46的移动而被输送。
在该结构中,由于在突起部47嵌合于孔64的状态下输送卷筒式片材60,所以卷筒式片材60不会向与卷筒式片材60的行进方向正交的方向偏移,而被稳定地输送。因此,无需设置实施方式1所涉及的成膜装置1所具备的引导件36a、36b、37a以及37b,因此能够简化装置的结构。
此外,本变形例所涉及的成膜装置在代替下输送辊33b以及34b而使用链式输送机46的情况下,也可以具有引导件36a、36b、37a以及37b。
(实施方式2)
接下来,使用图9~14对实施方式2进行说明。
本实施方式所涉及的成膜装置2与实施方式1所涉及的成膜装置1不同的点在于,代替实施方式1所示的卷筒式片材60,而使用层叠片材110。此外,以下,对于与实施方式1所示的成膜装置1相同的结构,省略详细的说明。
图9是表示本实施方式所涉及的成膜装置2的结构的示意图。图10是表示本实施方式所涉及的层叠片材110的结构的示意图。
如图9所示,成膜装置2与实施方式1所示的成膜装置1相同,具备搬入室10、搬出室20、三个成膜室30、连结部40、挡板50、以及作为输送介质的层叠片材110。
搬入室10为将在后文详述的层叠片材110搬入成膜装置2内进行配置的处理室。层叠片材110配置有作为被成膜对象物的模块62。如图9所示,层叠片材110在配置于机架101的状态下,以机架101为单位,配置于搬入室10。机架101为具有多个层的机架,以便配置多个层叠片材110。
另外,搬入室10具有上输送辊102a以及103a与下输送辊102b以及103b。上输送辊102a以及下输送辊102b隔着层叠片材110而成对配置。同样地,上输送辊103a以及下输送辊103b隔着层叠片材110而成对配置。
上输送辊102a、103a以及下输送辊102b、103b和上述的上输送辊33a、34a以及下输送辊33b、34b相同,作为输送部进行旋转的同时输送层叠片材110。上输送辊102a以及下输送辊102b也可以和上输送辊33a与下输送辊33b相同,构成为具备马达,也可以构成为不具备马达。
搬出室20是用于将形成了屏蔽膜后的层叠片材110从成膜装置2搬出的处理室。
如图9所示,形成了屏蔽膜后的层叠片材110配置于机架201,并在配置于机架201的状态下,以机架201为单位被从搬入室10搬出。机架201为与机架101相同的结构,是具有多个层的机架,以便配置多个层叠片材110。
另外,搬出室20具有上输送辊202a以及203a与下输送辊202b以及203b。上输送辊202a以及下输送辊202b隔着层叠片材110而成对配置。同样地,上输送辊203a以及下输送辊203b隔着层叠片材110而成对配置。
由于上输送辊202a、203a以及下输送辊202b、203b为与上述上输送辊102a、103a以及下输送辊102b、103b相同的结构,所以省略详细的说明。
如图10所示,层叠片材110具有基材111与粘着层112。基材111,例如由Al等的热传导率较高的金属构成。粘着层112是两面具有粘着性的粘着面。粘着层112的一个面粘贴于基材111。如图10所示,粘着层112的另一个面固定有模块62。
只要输送层叠片材110时的行进方向的长度比冷却台31与上输送辊33a、34a之间的距离大,则层叠片材110的大小可以为任意的大小。另外,只要层叠片材110的大小比上输送辊34a与上输送辊42a之间、上输送辊44a与上输送辊33a之间的距离大即可。
图11是表示本实施方式所涉及的成膜装置2的成膜室30的结构的示意图。图12是用于对本实施方式所涉及的成膜室30中的层叠片材110的移动进行说明的俯视图。
在成膜室30中形成屏蔽膜时,如图11所示,利用上输送辊33a、34a与下输送辊33b、34b,以恒定的速度输送层叠片材110。另外,在连结部40中,利用上输送辊42a以及44a与下输送辊42b以及44b,以恒定的速度输送层叠片材110。由此,固定于层叠片材110的模块62从搬入室10通过成膜室30,以恒定的速度通过直至搬出室20。此时,通过在各成膜室30进行溅射,从而对于各模块62,连续形成相同条件的多个屏蔽膜。
另外,此时,如图12所示,利用上输送辊35a、35b以及35c,使层叠片材110紧贴于冷却台31的同时进行输送。由此,在屏蔽膜的形成中,配置于层叠片材110的模块62被冷却。
此外,本实施方式所涉及的成膜室30也可以与实施方式1所示的成膜室30相同,在与层叠片材110的行进方向正交的方向的两侧具有引导件36a、36b、37a以及37b。利用引导件36a、36b、37a以及37b,能够抑制层叠片材110向与层叠片材110的行进方向正交的方向偏移。
另外,对于屏蔽膜的厚度的调整,能够通过调整各成膜室30的溅射率、或调整溅射靶材32的大小以及个数来应对。另外,也可以通过连续连结多个具有相同材料的溅射靶材32的成膜室30,从而增加成膜的次数。
图13是表示从本实施方式所涉及的层叠片材110剥离模块62的动作的图。
形成了屏蔽膜的模块62在从搬出室20取出层叠片材110后,如图13所示,被从层叠片材110剥离。从搬出室20搬出的层叠片材110为了降低粘着层的粘着力而被加热。然后,从粘着力降低的层叠片材110剥离模块62。由此,能够得到各个模块62。
此外,在从层叠片材110剥离的模块62中,在不与层叠片材110接触的面形成屏蔽膜,仅在与层叠片材110接触的面不形成屏蔽膜。
图14是表示在本实施方式所涉及的层叠片材110中,从基材111剥离粘着层112的动作的图。如上所述,被从搬出室20搬出的层叠片材110为了降低粘着层的粘着力而被加热。由此,层叠片材110的粘着层112成为易于从基材111剥离的状态。剥离了模块62后,如图14所示,层叠片材110的粘着层112被从基材111剥离。将被剥离的粘着层112废弃。
以上,根据本实施方式所涉及的成膜装置2,能够将模块62固定于在基材111形成有粘着层112的层叠片材110,并以恒定的速度使层叠片材110连续通过成膜室30的同时形成屏蔽膜。因此,能够得到形成有相同条件的屏蔽膜的多个模块62。另外,由于以恒定的速度连续使层叠片材110移动的同时形成屏蔽膜,所以提高模块62的生产效率。
另外,由于层叠片材110紧贴于配置在成膜室30的冷却台31之上,所以能够对模块62进行冷却的同时形成屏蔽膜。因此,能够抑制模块62因发热而受到损伤。
并且,由于在屏蔽膜的形成后,层叠片材110的粘着层112被从基材111剥离,所以无需如以往那样除去附着于托盘的屏蔽膜,能够再次使用基材111。
此外,在本实施方式所涉及的成膜装置2中,也可以与实施方式1的变形例相同,构成为代替下输送辊33b以及34b,而具备链式输送机46。
图15是表示本实施方式的变形例所涉及的成膜装置的结构的一部分的图。在图15的(a)以及(b)中,示出了成膜室30中的冷却台31的、配置于层叠片材110的行进方向的前后两侧的链式输送机46与其周边的结构。
即,如图15的(a)所示,链式输送机46配置于层叠片材110的沿着行进方向的两端之下。链式输送机46具有板状的主体部46a与突起部47,上述突起部47配置为在主体部46a的表面突出。另外,层叠片材110形成有与突起部47嵌合的孔164。另外,在链式输送机46的上方配置有上输送辊45a、45b以及45c。
此外,由于链式输送机46以及上输送辊45a、45b以及45c的结构与实施方式1所示的链式输送机46以及上输送辊45a、45b以及45c相同,所以省略详细的说明。
在该构成中,由于在突起部47与孔164嵌合的状态下输送层叠片材110,所以层叠片材110不会向与层叠片材110的行进方向正交的方向偏移,而被稳定地输送。因此,由于无需设置上述成膜装置2所具备的引导件36a、36b、37a以及37b,所以能够简化装置的结构。
(其他的实施方式)
此外,本实用新型并不局限于上述实施方式所记载的结构,例如,也可以如以下所示的变形例那样,适当地增加变更。
例如,在上述的实施方式所涉及的成膜装置中,虽然作为成膜方法而使用溅射,但是并不局限于溅射,也可以使用蒸镀法等其他的方法。
另外,在上述实施方式所涉及的成膜装置中,作为配置于成膜室的冷却台的冷却机构而使用水冷式的机构,但是冷却机构也可以为使用了珀耳帖元件的机构,也可以使用在冷却台的表面设置气体喷出口对片材喷射气体来进行冷却的方法等其他的方法。
另外,作为输送介质的片材并不局限于仅单面具有粘着性的材料,也可以为两面具有粘着性的材料。这种情况下,为了防止片材的粘着面相互接触,也可以在卷取片材时,在片材之间夹持脱模膜。
另外,片材并不局限于卷筒状的片材,也可以为在基材形成有粘着层的层叠片材。这种情况下,层叠片材向搬入室的搬入、以及层叠片材从搬出室的搬出也可以使用机架,以机架为单位对层叠片材进行搬入以及搬出。
另外,在片材或者层叠片材的输送中,并不局限于使用上输送辊以及下输送辊,例如也可以代替下输送辊,而使用链式输送机。
另外,在形成于作为被成膜对象物的模块的表面的屏蔽膜的厚度的调整中,也可以通过调整各成膜室的溅射率、或调整溅射靶材的大小以及个数、或调整片材的输送速度来应对。另外,也可以通过连续连结多个具有相同材料的溅射靶材的成膜室,从而增加成膜的次数。
除此之外,对上述实施方式及变形例实施本领域技术人员能够想到的各种变形而得到的方式、或通过在不脱离本实用新型主旨的范围内使上述实施方式及变形例的构成要素及功能任意地组合而实现的方式也包含在本实用新型中。
本实用新型能够应用于树脂密封有配置于基板的两面的电子部件等的成膜装置、具备该成膜装置的电路装置等。

Claims (9)

1.一种成膜装置,其中,具备:
输送介质,其具有用于固定被成膜对象物的粘着面;
搬入室,其供所述输送介质搬入;
搬出室,其供所述输送介质搬出;
至少一个成膜室,其配置于所述搬入室与所述搬出室之间,在所述被成膜对象物的表面进行成膜;
多个连结部,它们将所述搬入室、所述成膜室以及所述搬出室连结;
输送部,其设置于所述搬入室、所述成膜室、所述搬出室以及所述连结部,对所述输送介质进行输送;以及
冷却台,其在所述成膜室中,在上表面配置所述输送介质,对配置于所述输送介质的所述被成膜对象物进行冷却,
在所述成膜室中,使所述输送介质紧贴于所述冷却台的同时对所述输送介质进行输送,并且在所述被成膜对象物的表面进行成膜。
2.根据权利要求1所述的成膜装置,其中,
所述输送介质为单面具有所述粘着面的卷筒式片材。
3.根据权利要求1所述的成膜装置,其中,
所述输送介质为在基材上形成有具有所述粘着面的粘着层的层叠片材。
4.根据权利要求2所述的成膜装置,其中,
所述输送介质为在基材上形成有具有所述粘着面的粘着层的层叠片材。
5.根据权利要求1所述的成膜装置,其中,
所述输送部具有上输送辊以及下输送辊,通过在所述上输送辊与所述下输送辊之间夹着所述输送介质进行旋转,从而对所述输送介质进行输送。
6.根据权利要求5所述的成膜装置,其中,
所述输送部代替所述下输送辊而具有链式输送机,所述链式输送机具有与形成于所述输送介质的孔嵌合的突起部。
7.根据权利要求5所述的成膜装置,其中,
所述上输送辊使所述输送介质与所述冷却台紧贴。
8.根据权利要求6所述的成膜装置,其中,
所述上输送辊使所述输送介质与所述冷却台紧贴。
9.根据权利要求1~8中的任一项所述的成膜装置,其中,
具备引导件,所述引导件配置于所述输送介质的在与所述输送介质的行进方向正交的方向的两侧。
CN201721088491.5U 2016-08-24 2017-08-24 成膜装置 Active CN207405229U (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016-163913 2016-08-24
JP2016163913A JP2018031056A (ja) 2016-08-24 2016-08-24 成膜装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN207405229U true CN207405229U (zh) 2018-05-25

Family

ID=61304940

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201721088491.5U Active CN207405229U (zh) 2016-08-24 2017-08-24 成膜装置

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2018031056A (zh)
KR (1) KR102006174B1 (zh)
CN (1) CN207405229U (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108588669A (zh) * 2018-05-15 2018-09-28 佛山市南海区晶鼎泰机械设备有限公司 一种连体镀膜机生产线
KR102274884B1 (ko) * 2019-02-18 2021-07-08 주식회사 테토스 롤투롤 스퍼터링 장치
JP7319799B2 (ja) * 2019-03-28 2023-08-02 芝浦メカトロニクス株式会社 成膜装置
CN115612993B (zh) * 2022-10-18 2024-07-19 江苏东玖光电科技有限公司 背管预涂铟设备

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090120034A (ko) * 2008-05-19 2009-11-24 주식회사 디알테크넷 필름상 박막형성장치 및 방법
JP2010095735A (ja) * 2008-10-14 2010-04-30 Fujifilm Corp 成膜装置、成膜方法およびガスバリアフィルム
JP2011184751A (ja) * 2010-03-09 2011-09-22 Sumitomo Heavy Ind Ltd 冷却機構
JP6011066B2 (ja) * 2012-06-28 2016-10-19 住友電気工業株式会社 半導体装置の製造方法
JP2015115557A (ja) 2013-12-13 2015-06-22 株式会社東芝 半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR102006174B1 (ko) 2019-08-01
KR20180022555A (ko) 2018-03-06
JP2018031056A (ja) 2018-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN207405229U (zh) 成膜装置
CN102758190B (zh) 真空成膜方法和由该方法得到的层积体
TWI577816B (zh) 真空成膜方法、及經由該方法所得之層積體
CN102899628B (zh) 双面真空成膜方法及利用该方法获得的层积体
TW201720660A (zh) 一種電磁加熱的pcb板多腔層壓機
EP3427291B1 (en) Chamber for degassing substrates
CN114824402A (zh) 用于制造双极板的装置及方法
JP5159768B2 (ja) 特にはんだ接続に用いられる熱処理方法及び熱処理装置
CN102899629A (zh) 双面真空成膜方法及利用该方法获得的层积体
CN102899630A (zh) 双面真空成膜方法及利用该方法获得的层积体
JP5450562B2 (ja) 薄膜を有する成形品の製造方法および製造装置
US11512386B2 (en) Film formation device for cutting tool provided with coating film, and film formation method for cutting tool provided with coating film
CN112795895B (zh) 一种用于卷绕式真空镀膜机的真空穿膜机构
KR101100525B1 (ko) 다층의 단계적 적층을 위한 장치
CN210759665U (zh) 采用模具加工铜基-石墨烯的装置
WO2022101468A2 (de) Vakuumprozesssystem, stützstruktur und verfahren zum transportieren eines substrats
CN114737157B (zh) 一种金属膜的生产加工设备
KR101870532B1 (ko) 배리어층을 포함하는 그라파이트 방열시트 및 그 제조방법
JP2011236487A (ja) 搬送式両面スパッタリング装置
CN113923879A (zh) 具有压合治具盒的叠板压合系统及方法
JP2013145828A (ja) 金属化フィルム製造方法及び金属化フィルム製造装置

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant