CN207367971U - 一种esd保护电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种ESD保护电路，包括GCNMOS结构、达林顿复合晶体管和电阻R1、R2；所述GCNMOS结构包括NMOS管、电容C和电阻Rp；所述NPN1和NPN2的基极分别通过所述电阻R1、R2连接到GND，所述NPN1和NPN2的集电极和所述NMOS管的漏极连接到PAD。本实用新型采用GCNMOS触发达林顿晶体管来泄放ESD瞬态电流；与GGNMOS触发的达林顿晶体管相比，GCNMOS触发结构具有触发电压Vt1较GGNMOS低且易于调控的优点；本实用新型中GCNMOS对ESD瞬态电流的响应比达林顿晶体管更快，且GCNMOS在多指（multi‑fingers）结构下能够均匀开启，具有GCNMOS和达林顿晶体管两条电流泄放路径，对受保护器件的ESD保护更有效。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种集成电路，特别提供一种ESD保护电路。
背景技术
在生活中由两个物体相互摩擦或者感应出的静电无处不在，当物体带有静电而靠近或接触不带电导体时会对后者产生静电放电（ESD）。通常集成电路（IC）对这种静电放电是非常敏感的，静电放电容易损坏集成电路（IC）内部电路，引起其功能失效，造成人力财力的不必要损失。
对于BiCMOS和BCD工艺而言，使用传统NPN作为ESD器件，ESD效率高，但是触发电压往往高于电路工作电压，因而在ESD应力下无法正常触发，引起IC内部电路失效。
GCNMOS（Gate-Coupled NMOS）通过RC耦合增加栅极电压，与GGNMOS（Gate-Grounded NMOS）相比其具有更低的触发电压Vt1，且在ESD瞬态电流下具有更快的响应时间，因此其对低电压的受保护器件更有效。另外，GCNMOS为导通型ESD器件，在ESD电流下沟道率先开启而代替MOS结构漏衬结击穿而产生导通电流，这样在多指（Multi-finger）结构下可以让多个finger同时开启进入导通状态，每个finger都来承受ESD电流，形成较大的电流释放路径来泄放ESD电流。
同极NPN 达林顿复合晶体（Darlington）管由两个三极管的前极NPN发射极和后极NPN基极串联而成，其电流放大倍数是两个三极管的电流放电倍数之乘积，因此其用于ESD保护器件时具有很高的放电能力，但其基极无额外触发结构时触发电压过高，无法成为有效的ESD保护器件。
实用新型内容
为了解决上述问题，本实用新型的目的是提供一种通过GCNMOS来触发达林顿复合晶体管的ESD保护电路及其制造方法。
为达到上述目的，本实用新型的技术方案如下：一种ESD保护电路包括GCNMOS结构、达林顿复合晶体管和电阻R1、R2；所述GCNMOS结构包括NMOS管、电容C和电阻Rp；所述达林顿复合晶体管由两个三极管NPN1和NPN2并联构成；所述NMOS管的栅极分别通过所述电容C和所述电阻Rp连接到PAD端和GND，所述NMOS管的源极连接所述NPN1的基极，所述NPN1的发射极和所述NPN2的基极相连，所述NPN1和NPN2的基极分别通过所述电阻R1、R2连接到GND，所述NPN1和NPN2的集电极和所述NMOS管的漏极连接到PAD，所述NPN2的发射极连接到GND。
进一步，所述电容C为多晶硅电容。
进一步，所述电阻R1、R2和Rp为多晶硅电阻。
本实用新型的有益效果是：（1）采用GCNMOS触发达林顿复合晶体管来泄放ESD瞬态电流；（2）与GGNMOS触发的达林顿复合晶体管相比，本专利具有GCNMOS触发电压Vt1较GGNMOS低且易于调控；（3）GCNMOS对ESD瞬态电流的响应比达林顿晶复合体管更快，对受保护器件的ESD保护更有效；（4）GCNMOS multi-fingers 开启均匀，且有GCNMOS和达林顿晶复合体管两条电流泄放路径。
附图说明
图1为本实用新型结构原理图。
具体实施方式
下面结合附图详细描述本实用新型的具体实施方式。
一种ESD保护电路及其制造方法包括GCNMOS结构、达林顿复合晶体管和电阻R1、R2；所述GCNMOS结构包括NMOS管、电容C和电阻Rp；所述达林顿复合晶体管由两个三极管NPN1和NPN2并联构成；所述NMOS管的栅极分别通过所述电容C和所述电阻Rp连接到PAD端和GND，所述NMOS管的源极连接所述NPN1的基极，所述NPN1的发射极和所述NPN2的基极相连，所述NPN1和NPN2的基极分别通过所述电阻R1、R2连接到GND，所述NPN1和NPN2的集电极和所述NMOS管的漏极连接到PAD，所述NPN2的发射极连接到GND。
所述电容C为多晶硅电容。
所述电阻R1、R2和Rp为多晶硅电阻。
工作机理：ESD脉冲来临，RC耦合下GCNMOS的gate端产生电压，GCNMOS导通，电流通过电阻R1流向GND，当R1上的压降大于0.7V时，NPN1的基-射（E-B）结开启，基极电流形成，电流通过R2流向GND，当R2上的压降大于0.7V时，NPN2的基-射（E-B）结导通，NPN2开启，NPN1同NPN2基极电流相互驱动和反馈，形成很大的电流而实现ESD脉冲电流的迅速泄放。
以上是对本实用新型的较佳实施进行了具体说明，但本实用新型创造并不限于所述实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本实用新型精神的前提下还可作出种种的等同变形或替换，这些等同的变形或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。
Claims (3)
1.一种ESD保护电路，其特征在于：包括GCNMOS结构、达林顿复合晶体管和电阻R1、R2；所述GCNMOS结构包括NMOS管、电容C和电阻Rp；所述达林顿复合晶体管由两个三极管NPN1和NPN2并联构成；所述NMOS管的栅极分别通过所述电容C和所述电阻Rp连接到PAD端和GND，所述NMOS管的源极连接所述NPN1的基极，所述NPN1的发射极和所述NPN2的基极相连，所述NPN1和NPN2的基极分别通过所述电阻R1、R2连接到GND，所述NPN1和NPN2的集电极和所述NMOS管的漏极连接到PAD，所述NPN2的发射极连接到GND。
2.根据权利要求1所述的一种ESD保护电路，其特征在于：所述电容C为多晶硅电容。
3.根据权利要求1所述的一种ESD保护电路，其特征在于：所述电阻R1、R2和Rp为多晶硅电阻。
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Cited By (3)
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| CN108878416A (zh) * | 2018-06-28 | 2018-11-23 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 静电放电保护电路 |
| CN109375698A (zh) * | 2018-10-31 | 2019-02-22 | 西安微电子技术研究所 | 电源对地esd保护单元及双电源宽带线性稳压器保护结构 |
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2017
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| CN109375698B (zh) * | 2018-10-31 | 2020-08-11 | 西安微电子技术研究所 | 电源对地esd保护单元及双电源宽带线性稳压器保护结构 |
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