CN207116420U - 一种dfn0603高密度框架 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种半导体制造技术，具体涉及一种DFN0603高密度框架，包括板状结构的矩形框架，在框架上设多个与DFN0603封装结构相适应的芯片安装部，每个芯片安装部上均设有两个芯片安置区，所述芯片安置区周围设有延伸连筋，所述延伸连筋的宽度大于普通芯片安置区边缘宽度，相邻的芯片安装部之间设有横边连接筋或竖边连接筋。该框架在芯片安置区周围形成一圈阻止银胶外流的保护圈，改善银胶溢出问题，增加框架的强度、有效增加焊盘面积，保证注浆后的产品性能和质量，减少返工率、节约成本。

Description

一种DFN0603高密度框架

技术领域

本实用新型涉及一种半导体制造技术，特别是一种DFN0603高密度框架。

背景技术

半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，其在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用，如二极管就是采用半导体制作的器件。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体都具有巨大的重要性。

在半导体的制造过程中，通常是将半导体集成到引线框架上，让引线框架作为集成电路的芯片载体，形成电气回路，起到了和外部导线连接的桥梁作用。

在框架上布置更多的芯片安装部，一直是行业的普遍追求，但在面对芯片封装形式为DFN0603的芯片安装部时，其每个芯片安装部的封装尺寸为0.6*0.3mm，由于单个芯片安装部的尺寸较大，需要的银胶量也就大，在浇注时，银胶易出现溢出状况，得到的产品性能和质量大打折扣，急需对现有的芯片安装部和框架结构进行改进设计。

实用新型内容

本实用新型的发明目的在于：针对现有DFN0603封装形式的芯片框架封装时，因单个芯片安装部的尺寸大，需注银胶浆量大，易出现银胶溢出现象、造成产品性能和质量大打折扣的问题，提供一种DFN0603高密度框架，该框架在芯片安置区周围形成一圈阻止银胶外流的保护圈，改善银胶溢出问题，增加框架的强度、有效增加焊盘面积，保证注浆后的产品性能和质量，减少返工率、节约成本。

为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案为：

一种DFN0603高密度框架，包括板状结构的矩形框架，在框架上设多个与DFN0603封装结构相适应的芯片安装部，每个芯片安装部上均设有两个芯片安置区，所述芯片安置区周围设有延伸连筋，所述延伸连筋的宽度大于普通芯片安置区边缘宽度，相邻的芯片安装部之间设有横边连接筋或竖边连接筋。

该高密度框架通过在芯片安置区周围设置延伸连筋，且延伸连筋的宽度大于普通芯片安置区的边缘宽度，这样就在芯片安置区周围形成一圈阻止银胶外流的保护圈，改善银胶溢出问题，且延伸连筋的设计可以有效增加整个框架片体的强度、有效增加焊盘面积，保证注浆后的产品性能和质量，减少返工率、节约成本。

作为本实用新型的优选方案，所述芯片安装部为矩形，所有芯片安装部的长边与框架的短边平行布置，相邻芯片安装部长边之间的连筋为竖边连接筋，短边之间的连筋为横边连接筋。将所有芯片安装部的长边与框架的短边平行布置，规整的布置方式有利于增加框架基体的利用率；而在相邻芯片安装部之间设置竖边连接筋和横边连接筋，增加框架强度和各个芯片安装部的稳定性。

同时，也因为单个芯片安装部的尺寸较大，要在相同的框架尺寸上布置密度更高的芯片安装部，就需要合理设置相邻芯片安装部之间的距离，但距离更窄后怎么实现准备切割、且不损伤产品，本框架是采用以下技术方案进行改进设计的：

作为本实用新型的优选方案，在每个竖边连接筋的中部设有贯穿框架的竖边分隔槽，所述竖边分隔槽与横边连接筋平行。在每个竖边连接筋的中部设分隔槽分开，节约材料用量，也能在焊接时起到散热作用。

作为本实用新型的优选方案，被竖边分隔槽分开的竖边连接筋之间设置竖向连接块。采用竖向连接块将分隔槽分开的竖边连接筋连接，增加稳定性。

作为本实用新型的优选方案，在竖向连接块上还设有竖向掏空槽，所述竖向连接块设置于相邻芯片安装部之间的中心位置，且与芯片安装部长边平行。在竖向连接块上增设竖向掏空槽，且将竖向连接块设置于相邻芯片安装部的中心并与芯片安装部长边平行，形成芯片安装部之间的竖向切割槽，便于分隔芯片安装部，减少对刀具的要求和对产品的损伤，减少切割难度、保证产品质量。

作为本实用新型的优选方案，所述竖向掏空槽延伸至竖边连接筋边缘。将竖向掏空槽延伸至竖边连接筋的边缘，即竖向的切割槽长度增加，进一步减小切割难度。

作为本实用新型的优选方案，相邻横边连接筋之间连有横向连接块，所述横向连接块上设有贯穿框架的横向掏空槽，所述横向连接块和横向掏空槽均与芯片安装部短边平行。横边连接筋之间设置的横向连接块增加框架强度和芯片安装部的稳定性，而横向掏空槽的设置形成芯片安装部的横向切割槽，减少切割难度、保证产品质量；更优化的方案是将横向连接块设置在相邻芯片安装部的中心位置。

作为本实用新型的优选方案，所述横向掏空槽往框架短边方向延伸，并延伸至框架的边缘。将横向掏空槽延伸至框架短边的边缘，即横向的切割槽长度增加，芯片安装部分割的难度进一步减小。

作为本实用新型的优选方案，在框架的边框和布置芯片的区域之间设置有一圈边框切割道，包括横向边框切割道和竖向边框切割道，在横向边框切割道和竖向边框切割道上设有与芯片安装部之间的切割位置对应的切割对准线槽。在横向边框切割道和竖向边框切割道上分别设置切割芯片安装部的切割对准线槽，有利于芯片安装部的定位切割。具体为在横向边框切割道上设有与横向掏空槽对应设置的切割对准线槽，在竖向边框切割道上也设有与竖向掏空槽对应设置的切割对准线槽。

作为本实用新型的优选方案，所述竖向边框切割道和横向边框切割道上还设有间隔设置的半腐蚀区域。竖向边框切割道和横向边框切割道上间隔设置的半腐蚀区域，利于边框和安置芯片的区域的快速切割分离。

综上所述，由于采用了上述技术方案，本实用新型的有益效果是：

1、该框架在芯片安置区周围形成一圈阻止银胶外流的保护圈，改善银胶溢出问题，增加框架的强度、有效增加焊盘面积，保证注浆后的产品性能和质量，减少返工率、节约成本；

2、在每个竖边连接筋的中部设分隔槽分开，节约材料用量，也能在焊接时起到散热作用；采用竖向连接块将分隔槽分开的竖边连接筋连接，增加稳定性；而在竖向连接块上增设竖向掏空槽，形成芯片安装部之间的竖向切割槽，便于分隔芯片安装部，减少对刀具的要求和对产品的损伤，减少切割难度、保证产品质量；

3、横边连接筋之间设置的横向连接块增加框架强度和芯片安装部的稳定性，而横向掏空槽的设置形成芯片安装部的横向切割槽，减少切割难度、保证产品质量；

4、在横向边框切割道和竖向边框切割道上分别设置切割芯片安装部的切割对准线槽，有利于芯片安装部的定位切割。

附图说明

图1是本实用新型DFN0603高密度框架的结构示意图。

图2为实施例中靠近边框的部分框架结构示意图。

图3为另一实施例中靠近边框的部分框架结构示意图。

图4为单个芯片安装部的结构示意图。

图5为图4中A-A向视图。

图中标记：1-框架，101-芯片安装单元，2-单元分隔槽，3-芯片安装部，301-阳极芯片安置区，302-阴极芯片安置区，303-长边连筋，304-中部延伸筋，305-短边连筋，4-竖向边框切割道，401-中部腐蚀区，402-切割对准块，5-横向边框切割道，501-切割对准线槽，502-半腐蚀区，6-横边连接筋，601-横向掏空槽，7-竖边连接筋，701-竖边分隔槽，702-竖向掏空槽。

具体实施方式

下面结合附图，对本实用新型作详细的说明。

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

实施例1

如图1至图5所示，本实施例的DFN0603高密度框架，包括板状结构的矩形框架1，框架1由单元分隔槽2均分为两个芯片单元101，在每个芯片单元101上设多个与DFN0603封装结构相适应的芯片安装部3，每个芯片安装部3上均设有两个芯片安置区，所述芯片安置区周围设有延伸连筋，所述延伸连筋的宽度大于普通芯片安置区边缘宽度，相邻的芯片安装部3之间设有横边连接筋6或竖边连接筋7。

具体地，芯片安装部3上的两个芯片安置区分别为阳极芯片安置区301和阴极芯片安置区302，在芯片安置区周围设置的延伸连筋包括长边连筋303和短边连筋305，在阳极芯片安置区301和阴极芯片安置区302之间还设有中部延伸筋304。

进一步地，所述芯片安装部3为矩形，所有芯片安装部3的长边与框架1的短边平行布置，相邻芯片安装部3长边之间的连筋为竖边连接筋7，短边之间的连筋为横边连接筋6。将所有芯片安装部的长边与框架的短边平行布置，规整的布置方式有利于增加框架基体的利用率；而在相邻芯片安装部之间设置竖边连接筋和横边连接筋，增加框架强度和各个芯片安装部的稳定性。

综上所述，本实施例的高密度框架通过在芯片安置区周围设置延伸连筋，且延伸连筋的宽度大于普通芯片安置区的边缘宽度，这样就在芯片安置区周围形成一圈阻止银胶外流的保护圈，改善银胶溢出问题，且延伸连筋的设计可以有效增加整个框架片体的强度、有效增加焊盘面积，保证注浆后的产品性能和质量，减少返工率、节约成本。

实施例2

如图1至图5所示，根据实施例1所述的DFN0603高密度框架，为了解决单个芯片安装部的尺寸较大的问题，要在相同的框架尺寸上布置密度更高的芯片安装部，就需要合理设置相邻芯片安装部之间的距离，但距离更窄后怎么实现准备切割、且不损伤产品，本实施例的框架是采用以下技术方案进行改进设计的：

在每个竖边连接筋7的中部设有贯穿框架1的竖边分隔槽701，所述竖边分隔槽701与横边连接筋6平行。在每个竖边连接筋的中部设分隔槽分开，节约材料用量，也能在焊接时起到散热作用。

进一步地，被竖边分隔槽701分开的竖边连接筋7之间设置竖向连接块。采用竖向连接块将分隔槽分开的竖边连接筋连接，增加稳定性。

具体地，在竖向连接块上还设有竖向掏空槽702，所述竖向连接块设置于相邻芯片安装部3之间的中心位置，且与芯片安装部3长边平行。在竖向连接块上增设竖向掏空槽，且将竖向连接块设置于相邻芯片安装部的中心并与芯片安装部长边平行，形成芯片安装部之间的竖向切割槽，便于分隔芯片安装部，减少对刀具的要求和对产品的损伤，减少切割难度、保证产品质量。

另一方面，相邻横边连接筋6之间连有横向连接块，所述横向连接块上设有贯穿框架1的横向掏空槽601，所述横向连接块和横向掏空槽601均与芯片安装部3短边平行。横边连接筋之间设置的横向连接块增加框架强度和芯片安装部的稳定性，而横向掏空槽的设置形成芯片安装部的横向切割槽，减少切割难度、保证产品质量；更优化的方案是将横向连接块设置在相邻芯片安装部的中心位置。

进一步地，在框架1的边框和布置芯片的区域之间设置有一圈边框切割道，包括横向边框切割道5和竖向边框切割道4，在横向边框切割道5和竖向边框切割道4上设有与芯片安装部3之间的切割位置对应的切割对准线槽。

具体为在横向边框切割道5上设置的与竖向掏空槽702对应设置的切割对准线槽501，以及在竖向边框切割道4上设置的与横向掏空槽601对应设置的切割对准线槽。在横向边框切割道和竖向边框切割道上分别设置切割芯片安装部的切割对准线槽，有利于芯片安装部的定位切割。

进一步地，所述竖向边框切割道4和横向边框切割道5上还设有间隔设置的半腐蚀区域，如图2所述，本实施例的竖向边框切割道4分成了多个间隔设置的切割对准块402，切割对准线槽就设置在切割对准块402上，而在其余的竖向边框切割道4上则设置有中部腐蚀区401，便于切割操作；在横向边框切割道5上也设有多条半腐蚀区502。竖向边框切割道和横向边框切割道上间隔设置的半腐蚀区域，利于边框和安置芯片的区域的快速切割分离。

实施例3

如图3所示，根据实施例1或实施例2所述的DFN0603高密度框架，本实施例的竖向掏空槽702延伸至竖边连接筋7边缘。将竖向掏空槽延伸至竖边连接筋的边缘，即竖向的切割槽长度增加，进一步减小切割难度。

本实施例中，所述横向掏空槽601往框架1短边方向延伸，并延伸至框架1的边缘。将横向掏空槽延伸至框架短边的边缘，即横向的切割槽长度增加，芯片安装部分割的难度进一步减小。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种DFN0603高密度框架，包括板状结构的矩形框架，其特征在于，在框架上设多个与DFN0603封装结构相适应的芯片安装部，每个芯片安装部上均设有两个芯片安置区，所述芯片安置区周围设有延伸连筋，所述延伸连筋的宽度大于普通芯片安置区边缘宽度，相邻的芯片安装部之间设有横边连接筋或竖边连接筋。

2.根据权利要求1所述的DFN0603高密度框架，其特征在于，所述芯片安装部为矩形，所有芯片安装部的长边与框架的短边平行布置，相邻芯片安装部长边之间的连筋为竖边连接筋，短边之间的连筋为横边连接筋。

3.根据权利要求2所述的DFN0603高密度框架，其特征在于，在每个竖边连接筋的中部设有贯穿框架的竖边分隔槽，所述竖边分隔槽与横边连接筋平行。

4.根据权利要求3所述的DFN0603高密度框架，其特征在于，被竖边分隔槽分开的竖边连接筋之间设置竖向连接块。

5.根据权利要求4所述的DFN0603高密度框架，其特征在于，在竖向连接块上还设有竖向掏空槽，所述竖向连接块设置于相邻芯片安装部之间的中心位置，且与芯片安装部长边平行。

6.根据权利要求4或5所述的DFN0603高密度框架，其特征在于，所述竖向掏空槽延伸至竖边连接筋边缘。

7.根据权利要求2所述的DFN0603高密度框架，其特征在于，相邻横边连接筋之间连有横向连接块，所述横向连接块上设有贯穿框架的横向掏空槽，所述横向连接块和横向掏空槽均与芯片安装部短边平行，所述横向连接块设置在相邻芯片安装部的中心位置。

8.根据权利要求7所述的DFN0603高密度框架，其特征在于，所述横向掏空槽往框架短边方向延伸，并延伸至框架的边缘。

9.根据权利要求8所述的DFN0603高密度框架，其特征在于，在框架的边框和布置芯片的区域之间设置有一圈边框切割道，包括横向边框切割道和竖向边框切割道，在横向边框切割道和竖向边框切割道上设有与芯片安装部之间的切割位置对应的切割对准线槽。

10.根据权利要求9所述的DFN0603高密度框架，其特征在于，所述竖向边框切割道和横向边框切割道上还设有间隔设置的半腐蚀区域。