CN205428912U - 模块以及模块元器件 - Google Patents

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高木阳一
野村忠志
吉田正人
小川伸明
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Abstract

本实用新型的目的在于提供一种能实现小型化、降低高度,并且高频特性优异的模块。模块(1)包括:母基板(2);分别与该母基板(2)相对配置的第一、第二子基板(3a、4a);多个电子元器件(3f~3h),该多个电子元器件(3f~3h)分别在相对的两个面具有相互电连接的第一电极(3f1~3h1)以及第二电极(3f2~3h2),第一电极(3f1~3h1)与第一子基板(3a)相连接,第二电极(3f2~3h2)与母基板(2)相连接;以及多个电子元器件(4d、4e),该多个电子元器件(4d、4e)分别在相对的两个面具有相互电连接的第一电极(4d1、4e1)以及第二电极(4d2、4e2),第一电极(4d1、4e1)与第二子基板(4a)相连接,第二电极(4d2、4e2)与母基板(2)相连接。

Description

模块以及模块元器件
技术领域
本实用新型涉及包括两个电路基板、配置在这些电路基板间的IC、贴片电容器等电子元器件的模块、构成所述模块的模块元器件以及所述模块的制造方法。
背景技术
以往,已知有如图10所示那样在电路基板上安装有用于连接至外部的母基板等的柱状导体的模块(参照专利文献1)。该模块100包括:在表面及内部形成有布线电极的电路基板101;分别安装于该电路基板101的一个主面的贴片电容器等贴片元器件102a及作为半导体元件的IC102b等多个电子元器件102;同样地安装于电路基板101的一个主面的多个柱状导体103;以及覆盖各电子元器件102和各柱状导体103的树脂层104。通过利用焊料等将从树脂层104的表面露出的各柱状导体103的端面与形成于外部的母基板等的规定电极相连接,从而使电路基板101和母基板等相连接。
此时,各柱状导体103具有将电路基板101和外部的母基板等电连接的功能、作为用于在电路基板101和母基板之间配置各电子元器件102的间隔件的功能、将电路基板101固定于母基板的固定功能。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利特开2004-71961号公报(参照段落0023~0026、图1等)
实用新型内容
实用新型所要解决的技术问题
然而,若如上所述那样将各柱状导体103安装于电路基板101,则需要在电路基板101上确保用于安装各柱状导体103的安装区域,从而模块100难以小型化。此外,各柱状导体103的长度需要比安装于电路基板101的各电子元器件102的从电路基板101起算的高度要长,因此会阻碍模块100的高度的降低。
用于将各柱状导体103分别与各电子元器件102的规定端子相连接的布线电极形成于电路基板101,但有时电路基板的主面面积、电路基板的层数会增大相当于形成该布线电极的大小,在该情况下,会妨碍模块的小型化、高度的降低。并且,在该模块100中使用高频的情况下,若该布线电极增长,则不需要的阻抗、寄生电感等寄生分量会增大、或不需要的辐射波会增大,从而也会产生模块100的高频特性发生劣化的问题。
本实用新型是鉴于上述问题而完成的,其目的在于提供一种能实现小型化、高度的降低,并且高频特性优异的模块。
解决技术问题所采用的技术手段
为了达到上述目的,本实用新型的模块包括:第一电路基板;与所述第一电路基板相对配置的第二电路基板;以及功能元器件,该功能元器件在相对的两个面具有相互电连接的第一电极和第二电极,所述第一电极连接到所述第一电路基板,所述第二电极连接到所述第二电路基板。
由此,连接到第二电路基板的功能元器件的第二电极与第一电极电连接,因此无需如现有的模块那样设置用于使功能元器件的第一电极与第二电路基板相连接的柱状导体。因而,无需确保用于在第一电路基板及第二电路基板上分别安装柱状导体的区域,因此能使第一电路基板及第二电路基板各自的主面面积缩小,由此,能实现模块的小型化。
此外,若如现有的模块那样采用利用柱状导体来连接第一电路基板和第二电路基板的结构,则需要使柱状导体的长度比功能元器件的从第一电路基板起算的高度要长,从而难以降低模块的高度。然而,根据本结构,功能元器件在其相对的两个面具有第一电极和第二电极,第一电极与第一电路基板相连,第二电极与第二电路基板相连,从而第一电路基板和第二电路基板相连接,从而能使第一电路基板和第二电路基板之间的间隔与功能元器件的从第一电路基板起算的高度大致相同,由此,能实现模块的高度的降低。
此外,例如在如现有的模块那样利用柱状导体将各电子元器件与第二电路基板电连接的情况下,如上所述,需要在第一电路基板上设置连接各电子元器件和柱状导体的布线电极。然而,根据上述结构,第一电极经由电连接的第二电极与第二电路基板相连接,因此无需在第一电路基板上设置连接第一电极和柱状导体的布线电极。因此,能将第一电路基板的主面面积缩小与不设置布线电极相对应的大小,或将其层数减少与不设置布线电极相对应的数量,因此能实现模块的小型化、高度的降低。在将第二电极与第一电路基板相连接的情况下也同样地,能经由电连接的第一电极与第一电路基板相连接而不在第二电路基板上设置布线电极,因此能实现模块的小型化、高度的降低。
此外,无需设置于电路基板的布线电极,因此例如在模块中使用高频的情况下,能防止因该布线电极增长而产生的不需要的阻抗、寄生电感等寄生分量的增大,并且能防止由布线电极产生的不需要的辐射波的增大,由此能提供高频特性优异的模块。
此外,可以在所述第一电路基板的与所述第二电路基板相对的面上形成基板侧电极,所述第一电极利用焊料与所述基板侧电极相连接。在该情况下,能利用一般的焊料作为连接电极彼此的材料,来连接第一电路基板的基板侧电极和功能元器件的第一电极。
此外,所述基板侧电极、所述第一电极及所述焊料中的至少一种优选为含有Cu-M类合金(M为Mn或Ni)。在该情况下,在基板侧电极和第一电极之间的连接部形成有高熔点的Sn-Cu-M类合金(M为Mn或Ni),因此,在之后利用焊料连接功能元器件的第二电极和第二电路元器件时,能防止在此时的加热温度下因形成基板侧电极和第一电极之间的连接部的合金发生熔融而导致功能元器件的位置偏移、焊料(连接基板电极和第一电极的焊料)滴落。
所述Cu-M类合金中的所述M的含量优选为5~30重量%。认为形成第一电路基板的基板侧电极和功能元器件的第一电极的连接部的Sn-Cu-M类合金(M为Mn或Ni)的高熔点化通过在Sn和Cu-M类合金之间所形成的金属间化合物来实现。因此,发明人通过实验来使Cu-M类合金中M的含量发生变化,并测定基板侧电极和第一电极的连接部中的不会有助于金属间化合物的形成的低熔点金属Sn的剩余率,可知在Cu-M类合金中的M的含量为5~30重量%时,能降低所述Sn的剩余率。
所述功能元器件在所述第一电路基板的大致中央位置连接有所述第一电极。在第一电路基板发生热收缩的情况下,此时的第一电路基板的中央收缩量与第一电路基板的边缘的收缩量相比较少。即,与功能元器件的第一电极和第一电路基板的边缘相连接的情况相比,连接到中央位置的情况下施加于第一电极和第一电路基板之间的连接部的应力变小,因此通过使功能元器件的第一电极在第一电路基板的大致中央位置相连,从而提高了第一电路基板和功能元器件之间的连接可靠性。
可以包括多个所述功能元器件。各功能元器件各自的第一电极与第一电路基板相连,第二电极与第二电路基板相连,因此各功能元器件分别具有将第一电路基板和第二电路基板中的一个固定于另一个的固定功能。因而,利用多个功能元器件将第一电路基板和第二电路基板中的一个固定于另一个,从而与利用一个功能元器件固定两者的情况相比,提高了其固定功能。
各个所述功能元器件中的一部分的所述第二电极可以与设置于所述第二电路基板的虚设电极相连接。通过采用上述结构,即使在例如各功能元器件中存在无需与第二电路基板电连接的功能元器件的情况下,通过将该功能元器件的第二电极与设置于第二电路基板的虚设电极相连接,从而能够使该功能元器件有助于由各功能元器件所进行的两电路基板的固定功能的提高。
还可以包括第一电子元器件,该第一电子元器件安装于所述第一电路基板及所述第二电路基板中的一个的与所述功能元器件相连接的连接面的相反面。由此,通过在第一电路基板及第二电路基板中的一个的与功能元器件相连接的连接面的相反面上也安装第一电子元器件,从而能实现模块中的元器件的高密度安装化。
还可以在所述第一电路基板及所述第二电路基板中的一个的所述第一电子元器件的安装面上包括覆盖所述第一电子元器件的第一密封树脂层。由此,能通过第一密封树脂层来实现对第一电子元器件的保护。
例如,在利用一般的元器件搭载装置将第一电路基板·元器件集合体安装于第二电路基板的情况下,提高了该第一电路基板·元器件集合体安装到第二电路基板的安装性,该第一电路基板·元器件集合体通过将功能元器件的第一电极连接到第一电路基板的与功能元器件相连接的连接面,并且在第一电路基板的上述安装面上安装第一电子元器件而构成。具体而言,通过在设置于第一电路基板的安装面的第一密封树脂层的形成部分进行由元器件搭载装置所进行的第一电路基板·元器件集合体的吸附(拾取),由此能在不使第一电子元器件产生破损的情况下将其安装于第二电路基板。通过将第一密封树脂层的表面形成地较为平坦,从而能确保利用元器件搭载装置吸附第一电路基板·元器件集合体时的吸附面较宽,因此使第一电路基板·元器件集合体容易地安装到第二电路基板。
还可以包括第二密封树脂层,该第二密封树脂层覆盖所述第一电子元器件,并覆盖所述第一电路基板和所述第二电路基板中的一个,并且覆盖所述第一电路基板及所述第二电路基板中的另一个的与所述功能元器件相连接的连接面。通过采用上述结构,从而能利用第二密封树脂层对配置于第一电路基板及第二电路基板中的另一个的与功能元器件相连接的连接面侧的一个电路基板、功能元器件及第一电子元器件进行保护。
还可以包括第三密封树脂层,该第三密封树脂层覆盖所述第一密封树脂层,并且覆盖所述第一电路基板及所述第二电路基板中的另一个的与所述功能元器件相连接的连接面。通过采用上述结构,如上所述,能利用第一密封树脂来实现第一电路基板·元器件集合体的安装到第二电路基板的安装性的提高,并且能利用第三密封树脂层来实现对第一电路基板·元器件集合体及功能元器件的保护。
也可以为,所述第一电路基板及所述第二电路基板中的一个俯视时的面积比另一个大,还包括第二电子元器件,该第二电子元器件安装于所述第一电路基板及所述第二电路基板中的面积较大的一个的与所述功能元器件相连接的连接面中的俯视时不与另一个重叠的区域,所述第二电子元器件的高度比所述第一电路基板和所述第二电路基板之间的间隔要大。
由此,通过将高度比第一电路基板和第二电路基板之间的间隔要大的第二电子元器件安装于第一电路基板及第二电路基板中的面积较大的一个的与功能元器件相连接的连接面中的俯视时不与另一个重叠的区域,从而与在俯视时两电路基板相重叠的第一电路基板和第二电路基板之间配置第二电子元器件的结构相比,能实现模块的高度的降低。
本实用新型的模块元器件安装于安装基板,其特征在于,包括:第一电路基板,该第一电路基板在安装到所述安装基板时,与所述安装基板相对配置;以及功能元器件,该功能元器件在相对的两个面具有相互电连接的第一电极和第二电极,所述第一电极与所述第一电路基板相连接,通过使所述功能元器件的所述第二电极与所述安装基板相连接,从而将模块元器件安装于所述安装基板。
由此,无需设置用于将模块元器件所具备的功能元器件的第一电极与安装基板相连接的柱状导体,因此无需在第一电路基板上确保用于安装柱状导体的区域。因此,能缩小第一电路基板的主面面积,由此,能实现模块元器件的小型化。
在以往那样在模块元器件上设置用于连接到安装基板的柱状导体的结构中,需要使柱状导体的长度比功能元器件的从第一电路基板起算的高度要长,从而难以降低模块元器件的高度。然而,根据本结构,通过将功能元器件的第二电极连接到安装基板,从而能无需设置柱状导体而将模块元器件安装于安装基板,因此能实现模块元器件的高度的降低。
此外,在如以往那样经由柱状导体将安装基板与功能元器件的第一电极相连接的情况下,需要在第一电路基板上设置连接柱状导体和第一电极的布线电极,但根据上述结构,第一电极经由电连接的第二电极安装于安装基板,因此无需在第一电路基板上设置连接第一电极和柱状导体的布线电极。因此,能将第一电路基板的主面面积缩小与不设置布线电极相对应的大小,或将其层数减少与不设置布线电极相对应的大小,因此能实现模块元器件的小型化、高度的降低。例如,在模块元器件中利用高频信号的情况下,能防止因该布线电极增长而产生的不需要的阻抗、寄生电感等寄生分量的增大,并且能防止由布线电极产生的不需要的辐射波的增大,由此,能提供高频特性优异的模块元器件。
此外,也可以在所述第一电路基板的与所述安装基板相对的面上形成基板侧电极,所述第一电极利用焊料与所述基板侧电极相连接。在该情况下,能利用一般的焊料作为连接电极彼此的材料,来连接第一电路基板的基板侧电极和功能元器件的第一电极。
此外,所述基板侧电极、所述第一电极及所述焊料中的至少一种优选为含有Cu-M类合金(M为Mn或Ni)。在该情况下,在基板侧电极和第一电极之间的连接部形成有高熔点的Sn-Cu-M类合金,因此,在之后利用焊料连接功能元器件的第二电极和安装基板时,能防止在此时的加热温度下因形成基板侧电极和第一电极之间的连接部的合金发生熔融而导致功能元器件的位置偏移、焊料(连接基板电极和第一电极的焊料)滴落。
所述Cu-M类合金中的所述M的含量优选为5~30重量%。如上所述,认为形成第一电路基板的基板侧电极和功能元器件的第一电极的连接部的Sn-Cu-M类合金(M为Mn或Ni)的高熔点化通过在Sn和Cu-M类合金之间所形成的金属间化合物来实现。因此,发明人通过实验来使Cu-M类合金中M的含量发生变化,并测定基板侧电极和第一电极的连接部中的不会有助于金属间化合物的低熔点金属Sn的剩余率,可知在Cu-M类合金中的M的含量为5~30重量%时,能降低所述Sn的剩余率。
本实用新型的模块的制造方法的特征在于,包括如下工序:准备基板·元器件集合体的工序,该基板·元器件集合体包括在相对的两个面具有相互电连接的第一电极和第二电极的功能元器件、以及第一电路基板,并通过将所述第一电极与所述第一电路基板相连接而构成;将所述第一电路基板的与所述功能元器件的所述第一电极相连接的连接面与第二电路基板的一个主面相对配置,并且将所述功能元器件的所述第二电极与所述第二电路基板的一个主面相连接,并将所述基板·元器件集合体安装于所述第二电路基板的工序;以及形成树脂层以使得覆盖所述第二电路基板的一个主面以及安装于该第二电路基板的一个主面的所述基板·元器件集合体的工序。
在该情况下,通过将功能元器件的与第一电极电连接的第二电极与第二电路基板的一个主面相连接,并将基板·元器件集合体安装于第二电路基板,从而能制造功能元器件的第一电极与第二电路基板相连接的模块,因此与以往的功能元器件的第一电极经由柱状导体与第二电路基板相连接的结构相比,能制造能实现小型化、降低高度的模块。
实用新型效果
根据本实用新型,模块包括:第一电路基板;与该第一电路基板相对配置的第二电路基板;以及功能元器件,该功能元器件在相对的两个面具有相互电连接的第一电极和第二电极,第一电极连接到第一电路基板,第二电极连接到第二电路基板。由此,由于连接到第二电路基板的功能元器件的第二电极与第一电极电连接,因此无需像以往的模块那样,设置用于将功能元器件的第一电极与第二电路基板相连接的柱状导体。因而,无需确保用于在第一电路基板及第二电路基板上分别安装柱状导体的区域,能使第一电路基板及第二电路基板各自的主面面积缩小,由此,能实现模块的小型化。
附图说明
图1是本实用新型的实施方式1所涉及的模块的剖视图。
图2(a)~图2(c)是用于说明图1的模块的制造方法的图。
图3(a)~图3(c)是用于说明本实用新型的实施方式2所涉及的模块的制造方法的图。
图4是本实用新型的实施方式3所涉及的模块的剖视图。
图5是本实用新型的实施方式4所涉及的模块的剖视图。
图6是本实用新型的实施方式5所涉及的模块的剖视图。
图7是用于说明本实用新型的实施方式6所涉及的模块的制造方法的图。
图8是元器件侧电极、基板侧电极、及焊糊的组合结构图。
图9是表示元器件侧电极和基板侧电极的连接部所含有的Cu-M类合金(M为Mn或Ni)和Sn的剩余率之间的关系的图。
图10是现有的模块的剖视图。
具体实施方式
<实施方式1>
参照图1对本实用新型的实施方式1所涉及的模块1进行说明。另外,图1是实施方式1所涉及的模块1的剖视图。
如图1所示,本实施方式所涉及的模块1包括:母基板2、分别安装于该母基板2的一个主面的第一子基板·元器件集合体3、第二子基板·元器件集合体4、电子元器件5a、5b、以及树脂层8,例如作为电源电路模块、无线电路模块来使用。另外,第一子基板·元器件集合体3和第二子基板·元器件集合体4分别相当于本实用新型的基板·元器件集合体。
母基板2例如由树脂、陶瓷、玻璃等形成,在其一个主面上形成有用于安装第一子基板·元器件集合体3、第二子基板·元器件集合体4以及两电子元器件5a、5b的多个安装电极6,并且在另一个主面上形成有用于将模块1与外部相连接的外部电极7。此外,内部也形成有过孔导体(未图示)、布线电极(未图示)等。母基板2相当于本实用新型中的第二电路基板。
第一子基板·元器件集合体3包括与母基板2相对配置的第一子基板3a、安装于该第一子基板3a的一个主面的多个电子元器件3b~3e、以及安装于第一子基板3a的另一个主面的多个电子元器件3f~3k。此时,各电子元器件3f~3k配置于母基板2和第一子基板3a之间。此外,本实施方式中,第一子基板3a俯视时的面积比母基板2形成得要小。第一子基板3a相当于本实用新型中的第一电路基板,安装于第一子基板3a的一个主面的各电子元器件3b~3e相当于本实用新型中的第一电子元器件。
各电子元器件3b~3k分别由Si、GaAs等所形成的IC、贴片电容器、贴片电感器等贴片元器件中的任一种构成。作为电子元器件,例如可以使用旁通电容器、贴片电阻、0Ω电阻(跳线芯片(jumperchip))、熔断器、变阻器、滤波器、铁氧体磁珠、共模扼流圈等。
如图1所示,配置在母基板2和第一子基板3a之间的各电子元器件3f~3k中的三个电子元器件3f~3h(本实施方式中,各个贴片电容器、贴片电感器等贴片元器件)与第一子基板3a及母基板2双方相连接。此时,上述各电子元器件3f~3h分别在其相对的两面上具有第一电极3f1~3h1及第二电极3f2~3h2,第一电极3f1~3h1与子基板3a相连,且第二电极3f2~3h2与母基板2相连。
具体而言,各电子元器件3f~3h分别在与第一子基板3a相对的面上形成有两个第一电极3f1~3h1,并且在与母基板2相对的面上形成有两个第二电极3f2~3h2。两第一电极3f1~3h1分别通过焊料与形成于第一子基板3a的与母基板2相对的面(第一子基板3a的另一个主面)上的基板侧电极31直接连接,并且两第二电极3f2~3h2分别通过焊料与母基板2的安装电极6直接连接。另外,为了使各电子元器件3f~3h各自与第一子基板3a及母基板2的连接变得容易,优选为各电子元器件3f~3h各自从第一子基板3a的另一个主面起算的高度大致相同。
在各个电子元器件3f~3h中,相对应的第一电极3f1~3h1以及第二电极3f2~3h2彼此通过侧面电极3f3~3h3相互电连接。相对应的第一电极3f1~3h1以及第二电极3f2~3h2彼此的连接并不限于通过侧面电极3f3~3h3来进行,也可以使用设置于各个电子元器件3f~3h的内部的过孔导体、柱电极等柱状导体、布线电极等来进行。
由此,与母基板2及第一子基板3a双方相连接的各电子元器件3f~3h相当于本实用新型中的功能元器件。该功能元器件是在模块1内起到电容器、电感器、驱动电路等作用的元器件,是除对层间进行连接的柱状导体等仅用于导通的元器件以外的元器件。例如,在将模块1用作电源管理模块的情况下,若使用旁通电容器作为配置在电路和接地之间的功能元器件,则能提高效率、负载调节的特性。作为配置在电路上的功能元器件,也能使用0Ω电阻(跳线芯片)。若在此处配置压敏电阻保险丝(fusevaristor),则能防止过电流。在将模块1用作无线电路模块的情况下,通过使用滤波器、铁氧体磁珠、共模扼流圈等来作为功能元器件,能去除噪声以提高高频特性。
如上所述,通过将各电子元器件3f~3h的第一电极3f1~3h1与第一基板3a相连接,并将第二电极3f2~3h2与母基板2相连接,从而将第一子基板·元器件集合体3(第一子基板3a)固定于母基板2。相对应的第一电极3f1~3h1以及第二电极3f2~3h2彼此通过侧面电极3f3~3h3电连接,因此如现有模块那样,无需设置柱状导体就能将第一子基板3a与母基板2电连接。
第二子基板·元器件集合体4具有与上述第一子基板·元器件集合体3大致相同的结构,包括与母基板2相对配置的第二子基板4a、安装于该第二子基板4a的一个主面的多个电子元器件4b、4c、以及安装于第二子基板4a的另一个主面的多个电子元器件4d~4f。此时,各电子元器件4d~4f配置于母基板2和第二子基板4a之间。此外,本实施方式中,第二子基板4a俯视时的面积比母基板2形成得要小。第二子基板4a也相当于本实用新型中的第一电路基板,安装于第二子基板4a的一个主面的两电子元器件4b、4c也相当于本实用新型中的第一电子元器件。
各电子元器件4b~4f与第一子基板·元器件集合体3的各电子元器件3b~3k同样,分别由Si、GaAs等所形成的IC、贴片电容器、贴片电感器等贴片元器件中的任一个来构成。作为电子元器件4b~4f,例如可以使用旁通电容器、贴片电阻、0Ω电阻(跳线芯片)、熔断器、变阻器、滤波器、铁氧体磁珠、共模扼流圈等。
如图1所示,配置在母基板2和第二子基板4a之间的各电子元器件4d~4f中的两个电子元器件4d、4e(本实施方式中,各个贴片电容器、贴片电感器等贴片元器件)与第一子基板·元器件集合体3同样地与第二子基板4a及母基板2双方相连接。此时,两电子元器件4d、4e分别在与第二子基板4a相对的面上形成有第一电极4d1、4e1,并且在与母基板2相对的面上形成有两个第二电极4d2、4e2。两第一电极4d1、4e1分别通过焊料与形成于第二子基板4a的与母基板2相对的面(第二子基板4a的另一个主面)上的基板侧电极31直接连接,并且两第二电极4d2、4e2分别通过焊料与母基板2直接连接。
在各个两电子元器件4d、4e中,相对应的第一电极4d1、4e1以及第二电极4d2、4e2彼此通过侧面电极4d3、4e3相互电连接。相对应的第一电极4d1、4e1以及第二电极4d2、4e2彼此的连接并不限于通过侧面电极4d3、4e3来进行,也可以通过设置于两电子元器件4d、4e各自的内部的过孔导体、柱电极等柱状导体、布线电极等来进行。与母基板2及第二子基板4a双方相连接的两电子元器件4d、4e也相当于本实用新型中的功能元器件。
如上所述,通过将两电子元器件4d、4e的第一电极4d1、4e1与第二子基板4a相连接,并将第二电极4d2、4e2与母基板2相连接,从而将第二子基板·元器件集合体4(第二子基板4a)固定于母基板2。相对应的第一电极4d1、4e1以及第二电极4d2、4e2彼此通过侧面电极4d3、4e3电连接,因此如现有模块那样,无需设置柱状导体就能将第二子基板4a与母基板2电连接。
安装于母基板2的一个主面的两电子元器件5a、5b分别与第一子基板·元器件集合体3及第二子基板·元器件集合体4的各电子元器件3b~3k、4b~4f同样地由Si、GaAs等所形成的IC、贴片电容器、贴片电感器等贴片元器件中的任一个来构成。如图1所示,两电子元器件5a、5b分别安装于母基板2的一个主面上的俯视时不与第一、第二子基板3a、3b相重叠的区域。此时,电子元器件5a的从母基板2的一个主面起算的高度h例如形成为比第一子基板3a和母基板2之间的间隔H要大。另外,电子元器件5a相当于本实用新型中的第二电子元器件。
树脂层8例如由环氧树脂形成,并覆盖第一子基板·元器件集合体3、第二子基板·元器件集合体4、各电子元器件5a、5b及母基板2的与功能元器件(各电子元器件3f~3h、4d、4e)相连接的连接面即一个主面。树脂层8相当于本实用新型中的第二密封树脂层。
(模块1的制造方法)
下面,参照图2(a)~图2(c)对模块1的制造方法进行说明。图2(a)~图2(c)是用于说明模块1的制造方法的图,(a)~(c)表示各工序。
首先,如图2(a)所示,准备第一子基板·元器件集合体3、第二子基板·元器件集合体4、两个电子元器件5a、5b、以及母基板2,该第一子基板·元器件集合体3利用公知的表面安装技术在第一子基板3a的两主面安装各电子元器件3b~3k而形成,该第二子基板·元器件集合体4利用公知的表面安装技术在第二子基板4a的两主面安装各电子元器件4b~4f而形成,该母基板2在其一个主面上形成有多个安装电极6,并且在其另一个主面上形成有多个用于与外部进行连接的外部电极7。此时,在形成于母基板2的一个主面的各安装电极6上利用印刷技术等预先涂布焊糊9。
接着,如图2(b)所示,利用一般的元器件搭载装置将第一子基板·元器件集合体3、第二子基板·元器件集合体4、各电子元器件5a、5b分别搭载于母基板2的一个主面的规定位置上,并将搭载了上述元器件的母基板2投入到回流炉等中,从而将第一子基板·元器件集合体3、第二子基板·元器件集合体4、各电子元器件5a、5b安装于母基板2。
最后,如图2(c)所示,形成树脂层8以使得覆盖第一子基板·元器件集合体3、第二子基板·元器件集合体4、各电子元器件5a、5b及母基板2的与各电子元器件3f~3h、4d、4e相连接的连接面即一个主面,来制造模块1。此时,能利用压缩模塑方式、传递模塑方式、印刷方式等各种方法形成树脂层8。由此,通过将第一、第二子基板·元器件集合体3、4安装于母基板2,来将两子基板·元器件集合体3、4的各电子元器件3f~3h、4d、4e的第一电极3f1~3h1、4d1、4e1与母基板2相连接,因此与设有柱状导体来连接第一电极3f1~3h1、4d1、4e1与母基板2的现有的模块结构相比,能制造能实现小型化、降低高度的模块1。
因而,根据上述实施方式,在第一子基板·元器件集合体3中,与各电子元器件3f~3h(功能元器件)各自的第一子基板3a相连的第一电极3f1~3h1通过侧面电极3f3~3h3与连接到母基板2的第二电极3f2~3h2电连接,因此无需例如为了将各个电子元器件3f~3h的第一电极3f1~3h1分别与母基板2电连接而设置现有的模块那样的柱状导体。因而,无需确保用于在第一子基板3a及母基板2上分别安装柱状导体的区域,因此能使第一子基板3a及母基板2各自的主面面积缩小,由此,能实现模块1的小型化。第二子基板·元器件集合体4中,也具有与第一子基板·元器件集合体3大致相同的结构,因此能获得同样的效果。
此外,若如现有的模块那样采用利用柱状导体来连接第一子基板3a(或第二子基板4a)和母基板2的结构,则柱状导体的长度需要比配置在第一子基板3a(或第二子基板4a)和母基板2之间的各电子元器件3f~3k(或各电子元器件4d~4f)的从第一子基板3a(或第二子基板4a)起算的高度长,从而难以使模块1的高度降低。然而,根据本实施方式,则无需柱状导体,能使第一子基板3a(或第二子基板4a)和母基板2之间的间隔与各电子元器件3f~3k(或各电子元器件4d~4f)的从第一子基板3a(或第二子基板4a)起算的高度(高度最高的电子元器件的高度)大致相同,由此,能实现模块1的高度的降低。
例如,如现有的模块那样利用柱状导体将第一子基板·元器件集合体3的电子元器件3f(功能元器件)的第一电极3f1与母基板2相连接的情况下,需要在第一子基板3a上设置连接第一电极3f1和柱状导体的布线电极。在上述情况下,有时需要使第一子基板3a的主面面积增大、或需要增多其层数,但在本实施方式中,第一电极3f1经由侧面电极3f3与连接到母基板2的第二电极3f2电连接,因此无需在第一子基板3a上设置用于连接柱状导体和第一电极3f1的布线电极。因此,能将第一子基板3a的主面面积缩小与不设置布线电极相对应的大小,或将其层数减少与不设置布线电极相对应的数量,能实现模块1的小型化、高度的降低。
将第二电极3f2与第一子基板3a相连接的情况下也同样地无需在母基板2上设置布线电极,因此能缩小母基板2的主面面积、或减少其层数,由此,能实现模块1的小型化、高度的降低。第二子基板·元器件集合体4也具有与第一子基板·元器件集合体3大致相同的结构,因此能获得同样的效果。
此外,无需在第一子基板3a(或第二子基板4a)上设置布线电极,因此例如在模块1中使用高频的情况下,能防止因该布线电极增长而产生的不需要的阻抗、寄生电感等寄生分量的增大,并且能防止由布线电极产生的不需要的辐射波的增大,由此能提供高频特性优异的模块1。
此外,第一子基板·元器件集合体3中,各电子元器件3f~3h(功能元器件)各自的第一电极3f1~3h1与第一子基板3a相连,并且第二电极3f2~3h2与母基板2相连接,由此各电子元器件3f~3h分别具有将第一子基板3a固定于母基板2的固定功能。本实施方式中,由多个(本实施方式中为三个)电子元器件3f~3h来承担该固定功能,因此与由一个电子元器件(功能元器件)来承担的情况相比,其固定功能得到了提高。第二子基板·元器件集合体4中,也具有与第一子基板·元器件集合体3大致相同的结构,因此能获得同样的效果。
在第一子基板3a(或第二子基板4a)的另一个主面上安装有各电子元器件3f~3k(或各电子元器件4d~4f)的基础上,在一个主面上也安装有各电子元器件3b~3e(或各电子元器件4b、4c),因此能实现模块1中的各电子元器件3b~3k、4b~4f的高密度安装化。此外,由于采用在母基板2上分别安装有第一子基板·元器件集合体3及第二子基板·元器件集合体4的结构,其中,第一子基板·元器件集合体3及第二子基板·元器件集合体4安装有多个电子元器件3b~3k、4b~4f,因此能实现模块1的各电子元器件3b~3k、4b~4f的高密度安装化,进而能实现模块1的小型化。
模块1中形成有覆盖第一子基板·元器件集合体3、第二子基板·元器件集合体4、两电子元器件5a、5b及母基板2的一个主面的树脂层8,因此能实现对它们的保护。
对于从母基板2的一个主面起算的高度比第一子基板3a和母基板2之间的间隔要大的电子元器件5a,通过将其安装于母基板2的一个主面上的俯视时不与第一子基板3a及第二子基板4a的任一方重叠的区域,从而与将该电子元器件5a安装于第一子基板3a的两主面的任一方的结构相比,能实现模块1的高度的降低。
<实施方式2>
参照图3(a)~图3(c)对本实用新型的实施方式2所涉及的模块1a进行说明。另外,图3(a)~图3(c)是用于说明模块1a的制造方法的图,(a)~(c)表示各工序。
本实施方式的模块1a与参照图1说明的实施方式1的模块1的不同点在于,如图3(a)~图3(c)所示,还设有覆盖第一子基板·元器件集合体3的第一子基板3a的一个主面(各电子元器件3b~3e的安装面)及安装于该一个主面的各电子元器件3b~3e的树脂层8a和覆盖第二子基板·元器件集合体4的第二子基板4a的一个主面(两电子元器件4b、4c的安装面)及安装于该主面的两电子元器件4b、4c的树脂层8b。其他结构与实施方式1的模块1相同,因此通过标注相同标号来省略说明。下面,对模块1a的制造方法进行说明。
(模块1a的制造方法)
首先,以与参照图2(a)说明的实施方式1的模块1的制造方法相同的要领来准备第一子基板·元器件集合体3、第二子基板·元器件集合体4、两电子元器件5a、5b、母基板2。此时,第一子基板·元器件集合体3中,形成树脂层8a以使得覆盖第一子基板3a的一个主面以及安装于该一个主面的各电子元器件3b~3e。第二子基板·元器件集合体4中,形成树脂层8b以使得覆盖第二子基板4a的一个主面以及安装于该一个主面的两电子元器件4b、4c(参照图3(a))。能利用压缩模塑方式、传递模塑方式、印刷方式等各种方法形成这些树脂层8a、8b。
接着,如图3(b)所示,利用一般的元器件搭载装置将形成有树脂层8a的第一子基板元器件集合体3、形成有树脂层8b的第二子基板元器件集合体4、各电子元器件5a、5b分别搭载于母基板2的一个主面的规定位置上,并将搭载了上述元器件的母基板2投入到回流炉等中,从而将第一子基板元器件集合体3、第二子基板元器件集合体4、各电子元器件5a、5b安装于母基板2。此时,为了使利用元器件搭载装置所进行的搭载(例如元器件的吸附)变得容易,优选使形成于第一子基板·元器件集合体3的树脂层8a及形成于第二子基板·元器件集合体4的树脂层8b各自的表面变得平坦。上述树脂层8a及树脂层8b分别相当于本实用新型中的第一密封树脂层。
最后,如图3(c)所示,形成树脂层8c以使得覆盖包含树脂层8a的第一子基板·元器件集合体3、包含树脂层8b的第二子基板·元器件集合体4、母基板2的一个主面(与各电子元器件3f~3k及各电子元器件4d~4f相连接的连接面)(相当于本实用新型中的第三密封树脂层),来制造模块1a。也能利用压缩模塑方式、传递模塑方式、印刷方式等各种方法来形成该树脂层8c。另外,模块1a也可以是未形成树脂层8c的结构。树脂层8c可以与形成树脂层8a、树脂层8b的树脂相同,也可以不同。
因此,根据本实施方式,在第一子基板·元器件集合体3的第一子基板3a的一个主面形成树脂层8a,并且在第二子基板·元器件集合体4的第二子基板4a的一个主面形成树脂层8b,因此通过这些树脂层8a、8b,能实现对安装于第一子基板3a的一个主面的各电子元器件3b~3e及安装于第二子基板4a的一个主面的两电子元器件4b、4c的保护。具体而言,例如在将第一子基板·元器件集合体3及第二子基板·元器件集合体4搭载于母基板2时,利用元器件搭载装置的吸附部来吸附(拾取(pickup))树脂层8a和树脂层8b,由此能防止搭载第一子基板·元器件集合体3及第二子基板·元器件集合体4时安装于第一子基板3a的一个主面的各电子元器件3b~3e及安装于第二子基板4a的一个主面的两电子元器件4b、4c产生破损。
若将两树脂层8a、8b各自的表面形成地较为平坦,则在利用元器件搭载装置的吸附部吸附第一子基板·元器件集合体3和第二子基板·元器件集合体4时,能确保其吸附面积较宽,因此使利用元器件搭载装置对第一子基板·元器件集合体3和第二子基板·元器件集合体4所进行的吸附变得容易,由此,两者3、4安装到母基板2的安装性得到提高。
利用树脂层8c进一步覆盖第一子基板·元器件集合体3、第二子基板·元器件集合体4及两电子元器件5a、5b,因此提高了第一子基板·元器件集合体3和第二子基板·元器件集合体4安装到母基板2的安装性,并且能实现对安装于母基板2的一个主面的元器件(第一子基板·元器件集合体3、第二子基板·元器件集合体4及两电子元器件5a、5b)的保护。
<实施方式3>
参照图4对本实用新型的实施方式3所涉及的模块1b进行说明。另外,图4是模块1b的剖视图。
本实施方式所涉及的模块1b与参照图1说明的实施方式1的模块1的不同点在于,如图4所示,在母基板2的另一个主面上也安装有多个电子元器件10a~10d。其他结构与实施方式1的模块1相同,因此通过标注相同标号来省略说明。
在该情况下,在母基板2的与安装有第一子基板·元器件集合体3及第二子基板·元器件集合体4等的一个主面相反侧的主面即另一个主面通过公知的表面安装技术安装有各电子元器件10a~10d,并且设有多个用于与外部相连接的柱状导体11。覆盖各电子元器件10a~10d及各柱状导体11的树脂层8d也设置在母基板2的另一个主面上。另外,作为各柱状导体11,例如可举出过孔导体、柱电极、针状导体等。
根据本实施方式,在母基板2的另一个主面上也安装有各电子元器件10a~10d,因此能实现模块1b中的元器件的高密度安装化。
<实施方式4>
参照图5对本实用新型的实施方式4所涉及的模块1c进行说明。另外,图5是模块1c的局部剖视图,表示模块1c的配置有第一子基板·元器件集合体3的部分。
本实施方式所涉及的模块1c与参照图1说明的实施方式1的模块1的不同点在于,如图5所示,在配置于第一子基板·元器件集合体3的第一子基板3a和母基板2之间的各电子元器件3f~3k中,在实施方式1的模块1中不与母基板2相连的电子元器件3k也与母基板2相连接。其他结构与实施方式1的模块1相同,因此通过标注相同标号来省略说明。
在该情况下,如图5所示,电子元器件3k的与第一子基板3a相对的面上设有两个第一电极3k1,并且电子元器件3k的与母基板2相对的面上设有两个第二电极3k2。然后,两第一电极3k1分别与第一子基板3a的另一个主面相连接,两第二电极3k2分别与设置于母基板2的一个主面上且未与母基板2内的任一个电极等相连接的虚设电极6a相连接。
由此,例如在安装于第一子基板3a的另一个主面的各电子元器件3f~3k中,存在无需与母基板2相连的电子元器件3k的情况下,通过在母基板2的一个主面上设有虚设电极6a,使电子元器件3k的两个第二电极3k2与该虚设电极6a相连,从而电子元器件3k也能有助于提高将第一子基板3a固定于母基板2的固定功能。另外,关于第二子基板·元器件集合体4,也能同样地应用本实施方式。
<实施方式5>
参照图6对本实用新型的实施方式5所涉及的模块1d进行说明。另外,图6是模块1d的局部剖视图,表示模块1d的配置有第一子基板·元器件集合体3的部分。
本实施方式所涉及的模块1d与参照图1说明的实施方式1的模块1的不同点在于,如图6所示,与第一子基板·元器件集合体3的第一子基板3a及母基板2双方相连接的电子元器件3p、3p各自的第一电极3p1、3q1连接在第一子基板3a的另一主面的大致中央位置。其他结构与实施方式1的模块1相同,因此通过标注相同标号来省略说明。
在该情况下,在第一子基板·元器件集合体3的第一子基板3a的另一个主面上安装有多个电子元器件3m、3n、3p~3r,在这些各电子元器件3m、3n、3p~3r中的配置于第一子基板3a的另一个主面的大致中央位置的两个电子元器件3p、3q各自的第一电极3p1、3q1与第一子基板3a相连接,并且第二电极3p2、3q2与母基板2(安装电极6)相连接。
然而,在第一子基板3a发生热收缩的情况下,此时第一子基板3a的中央的收缩量比其边缘的收缩量要少。于是,与两电子元器件3p、3q各自的第一电极3p1、3q1与第一子基板3a的边缘相连接的情况相比,连接至中央的情况下施加于第一电极3p1、3q1和第一子基板3a之间的连接部的应力变小。因而,通过将两电子元器件3p、3q各自的第一电极3p1、3q1在第一子基板3a的另一个主面的大致中央位置相连,从而提高了第一子基板3a与两电子元器件3p、3q之间的连接可靠性。
<实施方式6>
参照图7对本实用新型的实施方式6所涉及的模块1e进行说明。另外,图7是用于说明模块1e的制造方法的图,(a)~(c)表示其制造方法的各工序。
本实施方式所涉及的模块1e与参照图1说明的实施方式1的模块1的不同点在于,关于模块1e的制造方法,准备相当于实施方式1的模块1的第一子基板·元器件集合体3的模块元器件30的工序。其他结构与实施方式1的模块1相同,因此通过标注相同标号来省略说明。下面,对模块1e的制造方法进行说明。
首先,如图7(a)所示,准备模块元器件30、电子元器件5a、以及母基板20(相当于本实用新型的安装基板),该模块元器件30利用公知的表面安装技术将各电子元器件3b~3k安装于第一子基板30a的两主面而构成,该母基板20在其一个主面形成有多个安装电极6,并且在其另一个主面形成有多个用于与外部相连的外部电极7。此时,在形成于母基板20的一个主面的各安装电极6上利用印刷技术等预先涂布焊糊9。
关于安装于母基板20的模块元器件30的准备,若进行具体说明,则在安装到母基板20时,在与该母基板20相对配置的第一子基板30a的一个主面上利用焊料安装多个电子元器件3b~3e,并且利用焊料在第一子基板30a的另一个主面(与母基板20相对的面)上安装多个电子元器件3f~3k。
此时,对于安装于第一子基板30a的另一个主面侧的各电子元器件3f~3k,与连接相关的电极及焊料(焊糊)各自的材料由图8所示的组合来构成。另外,图8是表示在将与第一子基板30a及母基板20双方相连的第一子基板30a的另一个主面侧的各电子元器件3f~3h各自的第一电极3f1~3h1以及第一子基板30a的另一个主面侧的其他的各电子元器件3i~3k各自的用于安装到第一子基板的电极汇总作为元器件侧电极的情况下的元器件侧电极、基板侧电极31以及焊糊各自的材料的组合的图。图8中,基板侧电极31的记载为Cu-M的部分表示包含Cu-Mn类合金或Cu-Ni类合金的镀敷电极、记载为Ni/Au的部分表示在Ni上层叠Au的镀敷电极,焊糊的记载为Sn类的部分表示含有Sn的焊糊,记载为Cu-M的部分表示在Sn中含有Cu-Mn类合金或Cu-Ni类合金的焊糊,元器件侧电极的记载为Sn类的部分表示含有Sn的镀敷电极、记载为Cu-M的部分表示含有Cu-Mn类合金或Cu-Ni类合金的镀敷电极。
在该情况下,图8所示的(i)~(vii)的所有组合中,元器件侧电极、基板侧电极31、焊糊中的至少一个含有Cu-M类合金(M为Mn或Ni)。通过采用上述组合,在将各电子元器件3f~3k安装于第一子基板30a后,各电子元器件3f~3k各自与第一子基板30a相连接的连接部形成有由Cu-M类合金和Sn之间形成的金属间化合物获得的高熔点的合金(Sn-Cu-M类合金)。
认为该Sn-Cu-M类合金(M为Mn或Ni)的高熔点化通过在Sn和Cu-M类合金之间形成的金属间化合物来实现,该金属间化合物的生成量越多,就能获得更稳定的高熔点合金。对于连接部的所述金属间化合物的生成量,认为在通过焊料连接基板侧电极31和元器件侧电极后,该连接部所含有的Sn成分的剩余量越少,所述金属间化合物的生成量越多。因此,发明人通过实验准备使Cu-M类合金中的M的含量改变的多个样品(图9中示出9种数据),并测定基板侧电极31和第一电极3f1~3h1的连接部中的不会有助于形成金属间化合物的低熔点的Sn的剩余率(连接部中剩余Sn的体积%)。
根据该测定结果,如图9所示,可知在Cu-M类合金中M的含量为5~30重量%时,剩余Sn成分降低至某一程度,但在Cu-M类合金中M的含量为10~15重量%时,能实现剩余Sn成分进一步的下降。因而,为了实现元器件侧电极和基板侧电极31的连接部的高熔点合金化,该连接部所含有的Cu-M类合金的M的含量优选为5~30重量%,进一步优选为10~15重量%。图9所示的测定结果通过示差扫描量热法测定(DSC测定)来获得,具体而言,切取各样品中的元器件侧电极和基板侧电极31之间的连接界面部分,根据由DSC测定获得的DSC图表的Sn熔融温度的熔融吸热峰值的吸热量来对剩余的Sn成分量进行定量化。根据该Sn成分量来求取Sn成分相对于金属成分整体的比例,以作为“低熔点金属剩余率”。
接着,如图7(b)所示,利用一般的元器件搭载装置将准备好的模块元器件30及电子元器件5a搭载于母基板20的一个主面的规定位置,将搭载了模块元器件30及电子元器件5a的母基板20投入到回流炉等中,从而将模块元器件30及电子元器件5a安装于母基板20的一个主面上。此时,通过使用不含有Cu-M类合金(M为Mn或Ni)的焊料,将模块元器件30中的搭载于第一子基板30a的另一个主面的各电子元器件3f~3h各自的第二电极3f2~3h2与母基板20的对应的安装电极6相连接,从而将模块元器件30安装于母基板20。元器件搭载装置的模块元器件30的拾取利用安装于第一子基板30a的一个主面的电子元器件3d(IC)的上表面。
如上所述,模块元器件30中的安装于第一子基板30a的另一个主面的各电子元器件3f~3k分别在其与第一子基板30a相连接的连接部形成有高熔点的Sn-Cu-M类合金,因此在将模块30元器件安装于母基板20时,在设定为用于不含有Cu-M类合金的焊料的温度分布的回流炉中,各电子元器件3f~3k各自的上述连接部中的Sn-Cu-M类合金不会熔融。因而,本实施方式中,即使模块元器件30在回流炉中置于规定温度(不含有Cu-M类合金的焊料发生熔融的温度)下,也能防止因形成各电子元器件3f~3k各自的连接部的合金发生熔融而导致的各电子元器件3f~3k位置偏移、焊料滴落。
最后,如图7(c)所示,形成树脂层8以使得覆盖模块元器件30、电子元器件5a、母基板20的一个主面,来制造模块1e。此时,能利用压缩模塑方式、传递模塑方式、印刷方式等各种方法来形成树脂层8。
另外,对于上述元器件侧电极、基板侧电极31以及焊糊的任一个含有Cu-M类合金的结构以及与Cu-M类合金中M的含量(重量%)有关的结构,也能同样地应用于上述其他的实施方式中。
因此,根据上述实施方式,通过将模块元器件30的各电子元器件3f~3h各自的第二电极3f2~3h2与母基板20相连,并将模块元器件30安装于母基板20,从而无需设置用于将模块元器件30的各电子元器件3f~3h第一电极3f1~3h1连接到母基板20的柱状导体,因此无需确保用于将柱状导体安装于模块元器件30的第一子基板30a的区域。因此,能缩小第一子基板30a的主面面积,由此,能实现模块元器件30的小型化。
由于采用在第一电路基板30a的与安装基板20相对的面上形成有基板侧电极31,并利用焊料将功能元器件(电子元器件3f~3h)的第一电极3f1~3h1与基板侧电极31相连的结构,因此能利用一般的焊料作为连接电极彼此的材料,来连接第一电路基板30a的基板侧电极31和功能元器件的第一电极3f1~3h1。
以往那样的在模块元器件30上设置用于连接到母基板20的柱状导体的结构中,需要使柱状导体的长度比安装于第一子基板30a的另一个主面的各电子元器件3f~3k的从第一子基板30a起算的高度要长,从而难以降低模块元器件30的高度。然而,根据本结构,通过将各电子元器件3f~3h的第二电极3f2~3h2连接到母基板20,从而能将模块元器件30安装于母基板20而不设置柱状导体,因此能实现模块元器件30的高度的降低。
如以往那样,在经由柱状导体连接母基板20和各电子元器件3f~3h的第一电极3f1~3h1的情况下,需要在第一子基板30a上设置连接柱状导体和第一电极3f1~3h1的布线电极,根据上述结构,第一电极3f1~3h1经由电连接的第二电极3f2~3h2安装于母基板20,因此无需在第一子基板30a上设置连接第一电极3f1~3h1和柱状导体的布线电极。因而,能将第一子基板30a的主面面积缩小与不设置布线电极相对应的大小,或将其层数减少与不设置布线电极相对应的数量,因此能实现模块元器件30的小型化、高度的降低。例如,在模块元器件30中利用高频信号的情况下,能防止因该布线电极增长而产生的不需要的阻抗、寄生电感等寄生分量的增大,并且能防止由布线电极产生的不需要的辐射波的增大,由此,能提供高频特性优异的模块元器件30。
另外,本实用新型并不限于上述各实施方式,在不脱离其要点的范围内,能进行上述以外的各种变更。
例如,上述各实施方式中,对将连接到第一子基板3a、30a(或第二子基板4a)以及母基板2、20双方的电子元器件3f~3h、3p、3q、4d、4e作为贴片电容器等贴片元器件的情况进行了说明,但连接到第一子基板3a、30a(或第二子基板4a)以及母基板2、20双方的电子元器件3f~3h、3p、3q、4d、4e也可以是IC。在该情况下,在IC的与第一子基板3a、30a(或第二子基板4a)相对的面上形成有第一电极,并且IC的与母基板2相对的面上形成有第二电极,使这些第一电极和第二电极在IC内电连接即可。
也可以是配置在第一子基板3a、30a(或第二子基板4a)和母基板2、20之间的各电子元器件3f~3k、3m、3n、3p~3r、4d~4f全部与第一子基板3a、30a(或第二子基板4a)及母基板2、20双方相连接的结构。在该情况下,例如对于各电子元器件3f~3k、3m、3n、3p~3r、4d~4f中的无需连接到母基板2、20的电子元器件,与实施方式4的模块1c同样地在母基板2、20上设置虚设电极6a,并与第二电极相连接即可。由此,通过各电子元器件3f~3k、3m、3n、3p~3r、4d~4f使第一子基板3a、30a(或第二子基板4a)固定于母基板2、20的固定功能进一步提高。
工业上的实用性
此外,本实用新型能应用于在两个基板间配置电子元器件的各种模块。
标号说明
1、1a、1b、1c、1d、1e模块
2母基板(第二电路基板)
3a、30a第一子基板(第一电路基板)
4a第二子基板(第一电路基板)
3b~3e、4b、4c电子元器件(第一电子元器件)
3f~3h、3p、3q、4d、4e电子元器件(功能元器件)
3f1~3h1、3p1、3q1、4d1、4e1第一电极
3f2~3h2、3p2、3q2、4d2、4e2第二电极
5a电子元器件(第二电子元器件)
6a虚设电极
8树脂层(第二密封树脂层)
8a、8b树脂层(第一密封树脂层)
8c树脂层(第三密封树脂层)
20母基板(安装基板)
30模块元器件
31基板侧电极

Claims (14)

1.一种模块,其特征在于,包括:
第一电路基板;
与所述第一电路基板相对配置的第二电路基板;以及
功能元器件,该功能元器件在相对的两个面具有相互电连接的第一电极和第二电极,所述第一电极连接到所述第一电路基板,所述第二电极连接到所述第二电路基板。
2.如权利要求1所述的模块,其特征在于,
所述第一电路基板的与所述第二电路基板相对的面上形成有基板侧电极,
所述第一电极利用焊料与所述基板侧电极相连接。
3.如权利要求2所述的模块,其特征在于,
所述基板侧电极、所述第一电极及所述焊料中的至少一种含有Cu-M类合金,其中M为Mn或Ni。
4.如权利要求1至3的任一项所述的模块,其特征在于,
所述功能元器件在所述第一电路基板的中央位置连接有所述第一电极。
5.如权利要求1至3的任一项所述的模块,其特征在于,
包括多个所述功能元器件。
6.如权利要求5所述的模块,其特征在于,
各个所述功能元器件中的一部分的所述第二电极与设置于所述第二电路基板的虚设电极相连接。
7.如权利要求1或6所述的模块,其特征在于,
还包括第一电子元器件,该第一电子元器件安装于所述第一电路基板及所述第二电路基板中的一个的与所述功能元器件相连接的连接面的相反面。
8.如权利要求7所述的模块,其特征在于,
在所述第一电路基板及所述第二电路基板中的一个的所述第一电子元器件的安装面上还包括覆盖所述第一电子元器件的第一密封树脂层。
9.如权利要求7所述的模块,其特征在于,
还包括第二密封树脂层,该第二密封树脂层覆盖所述第一电子元器件,并覆盖所述第一电路基板和所述第二电路基板中的一个,并且覆盖所述第一电路基板及所述第二电路基板中的另一个的与所述功能元器件相连接的连接面。
10.如权利要求8所述的模块,其特征在于,
还包括第三密封树脂层,该第三密封树脂层覆盖所述第一密封树脂层,并且覆盖所述第一电路基板及所述第二电路基板中的另一个的与所述功能元器件相连接的连接面。
11.如权利要求1至3、6、8至10的任一项所述的模块,其特征在于,
所述第一电路基板及所述第二电路基板中的一个俯视时的面积比另一个大,
还包括第二电子元器件,该第二电子元器件安装于所述第一电路基板及所述第二电路基板中的面积较大的一个的与所述功能元器件相连接的连接面中的俯视时不与另一个重叠的区域,
所述第二电子元器件的高度比所述第一电路基板和所述第二电路基板之间的间隔要大。
12.一种模块元器件,该模块元器件安装于安装基板,其特征在于,包括:
第一电路基板,该第一电路基板在安装到所述安装基板时,与所述安装基板相对配置;
以及功能元器件,该功能元器件在相对的两个面具有相互电连接的第一电极和第二电极,所述第一电极与所述第一电路基板相连接,
通过使所述功能元器件的所述第二电极与所述安装基板相连接,从而将模块元器件安装于所述安装基板。
13.如权利要求12所述的模块元器件,其特征在于,
所述第一电路基板的与所述安装基板相对的面上形成有基板侧电极,
所述第一电极利用焊料与所述基板侧电极相连接。
14.如权利要求13所述的模块元器件,其特征在于,
所述基板侧电极、所述第一电极及所述焊料中的至少一种含有Cu-M类合金,其中M为Mn或Ni。
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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101656269B1 (ko) * 2014-12-30 2016-09-12 주식회사 네패스 반도체 패키지 및 그 제조방법
US9825597B2 (en) 2015-12-30 2017-11-21 Skyworks Solutions, Inc. Impedance transformation circuit for amplifier
US10362678B2 (en) * 2016-04-18 2019-07-23 Skyworks Solutions, Inc. Crystal packaging with conductive pillars
US10062670B2 (en) 2016-04-18 2018-08-28 Skyworks Solutions, Inc. Radio frequency system-in-package with stacked clocking crystal
FR3061827B1 (fr) 2017-01-06 2021-06-18 Commissariat Energie Atomique Module electrique tridimensionnel comportant un condensateur de decouplage
US10515924B2 (en) 2017-03-10 2019-12-24 Skyworks Solutions, Inc. Radio frequency modules
US20210092845A1 (en) * 2017-04-13 2021-03-25 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Connecting circuit boards using functional components
WO2019123995A1 (ja) * 2017-12-20 2019-06-27 株式会社村田製作所 電子部品
KR102008344B1 (ko) * 2018-01-02 2019-08-07 삼성전자주식회사 반도체 패키지
US10225932B1 (en) * 2018-08-27 2019-03-05 Tactotek Oy Interfacing arrangement, method for manufacturing an interfacing arrangement, and multilayer structure hosting an interfacing arrangement
US11166363B2 (en) 2019-01-11 2021-11-02 Tactotek Oy Electrical node, method for manufacturing electrical node and multilayer structure comprising electrical node
WO2020174941A1 (ja) * 2019-02-28 2020-09-03 ソニー株式会社 電子機器及び基板
US11083089B1 (en) * 2020-03-11 2021-08-03 Analog Devices International Unlimited Company Integrated device package
CN116057693A (zh) * 2020-10-30 2023-05-02 株式会社村田制作所 电源电路模块
WO2022133448A1 (en) * 2020-12-17 2022-06-23 Tesla, Inc. Stacked component array structure
US11985804B2 (en) * 2021-07-22 2024-05-14 Qualcomm Incorporated Package comprising a block device with a shield and method of fabricating the same
CN115757216A (zh) * 2021-09-03 2023-03-07 戴尔产品有限公司 具有电容器模块的存储驱动器
CN118633158A (zh) * 2022-02-18 2024-09-10 株式会社村田制作所 电源模块

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2958937A (en) * 1955-08-27 1960-11-08 Degussa Hard soldering of difficultly solderable materials
US6985363B2 (en) * 2000-10-02 2006-01-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Card type recording medium and production method therefor
JP4436582B2 (ja) * 2000-10-02 2010-03-24 パナソニック株式会社 カード型記録媒体及びその製造方法
JP2003142797A (ja) * 2001-11-02 2003-05-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品実装済完成品の製造方法及び電子部品実装済完成品
US7176055B2 (en) 2001-11-02 2007-02-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method and apparatus for manufacturing electronic component-mounted component, and electronic component-mounted component
JP4072816B2 (ja) 2002-08-08 2008-04-09 太陽誘電株式会社 複合モジュール及びその製造方法
US6884939B2 (en) * 2003-06-18 2005-04-26 Intel Corporation Constructing of an electronic assembly having a decoupling capacitor
US7613010B2 (en) * 2004-02-02 2009-11-03 Panasonic Corporation Stereoscopic electronic circuit device, and relay board and relay frame used therein
US7258549B2 (en) * 2004-02-20 2007-08-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Connection member and mount assembly and production method of the same
TWI260097B (en) * 2005-01-19 2006-08-11 Via Tech Inc Interconnection structure through passive component
US20060245308A1 (en) * 2005-02-15 2006-11-02 William Macropoulos Three dimensional packaging optimized for high frequency circuitry
US7205652B2 (en) * 2005-03-23 2007-04-17 Delphi Technologies, Inc Electronic assembly including multiple substrates
JP2010199171A (ja) * 2009-02-24 2010-09-09 Shinko Electric Ind Co Ltd チップ部品実装配線基板
JP5648533B2 (ja) * 2011-03-01 2015-01-07 株式会社村田製作所 電子部品実装基板およびその製造方法

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