CN204570081U - 一种用于生长大尺寸高纯碳化硅单晶的装置 - Google Patents
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Cited By (6)
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---|---|---|---|---|
CN104775149A (zh) * | 2015-05-05 | 2015-07-15 | 山东天岳先进材料科技有限公司 | 一种生长高纯半绝缘碳化硅单晶的方法及装置 |
CN104862780A (zh) * | 2015-05-05 | 2015-08-26 | 山东天岳先进材料科技有限公司 | 一种制备无色碳化硅晶体的方法及装置 |
CN111270308A (zh) * | 2020-03-16 | 2020-06-12 | 华厦半导体(深圳)有限公司 | 一种制备高纯镓的装置及制备方法 |
CN111424315A (zh) * | 2020-05-18 | 2020-07-17 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种单晶炉热场加热器组件及单晶炉 |
CN111945218A (zh) * | 2019-05-17 | 2020-11-17 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 坩埚高温线的高度控制系统和方法、生长炉 |
CN112663136A (zh) * | 2020-12-02 | 2021-04-16 | 中电化合物半导体有限公司 | 碳化硅晶体生长方法及生长装置 |
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104775149A (zh) * | 2015-05-05 | 2015-07-15 | 山东天岳先进材料科技有限公司 | 一种生长高纯半绝缘碳化硅单晶的方法及装置 |
CN104862780A (zh) * | 2015-05-05 | 2015-08-26 | 山东天岳先进材料科技有限公司 | 一种制备无色碳化硅晶体的方法及装置 |
CN104862780B (zh) * | 2015-05-05 | 2017-11-14 | 山东天岳先进材料科技有限公司 | 一种制备无色碳化硅晶体的方法及装置 |
CN111945218A (zh) * | 2019-05-17 | 2020-11-17 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 坩埚高温线的高度控制系统和方法、生长炉 |
CN111945218B (zh) * | 2019-05-17 | 2021-11-16 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 坩埚高温线的高度控制系统和方法、生长炉 |
CN111270308A (zh) * | 2020-03-16 | 2020-06-12 | 华厦半导体(深圳)有限公司 | 一种制备高纯镓的装置及制备方法 |
CN111424315A (zh) * | 2020-05-18 | 2020-07-17 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种单晶炉热场加热器组件及单晶炉 |
CN112663136A (zh) * | 2020-12-02 | 2021-04-16 | 中电化合物半导体有限公司 | 碳化硅晶体生长方法及生长装置 |
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Address after: No.99, Tianyue South Road, Huaiyin District, Jinan City, Shandong Province Patentee after: Shandong Tianyue advanced technology Co., Ltd Address before: 250101 3-409, Yinhe building, 2008 Xinluo street, Lixia District, Jinan City, Shandong Province Patentee before: Shandong Tianyue Advanced Materials Technology Co.,Ltd. |