CN204538168U - 高频信号线路 - Google Patents

Abstract

本实用新型的目的在于提供一种高频信号线路，能在降低插入损耗的同时抑制电介质层的损伤。电介质主体由电介质片(18a～18c)层叠形成。信号线路(20)在电介质片(18b)的表面形成。信号线路(21)在电介质片(18b)的背面形成，隔着电介质片(18b)与信号线路(20)相对并且与信号线路(20)电连接。基准接地导体(22)设置在比信号线路(20)更靠近z轴方向的正方向侧。辅助接地导体(24)设置在比信号线路(21)更靠近z轴方向的负方向侧。

Description

高频信号线路

技术领域

本实用新型涉及高频信号线路，更特定地为，涉及用于高频信号传输的高频信号线路。

背景技术

作为以往的涉及高频信号线路的发明，例如已知有专利文献1记载的信号线路。该信号线路包括层叠体、信号线及两个接地导体。层叠体由多个绝缘片层叠构成。信号线设置在层叠体内。在层叠体中两个接地导体从层叠方向夹着信号线。由此，信号线和两个接地导体形成三板(tri-plate)型的带状线构造。

进一步地，沿层叠方向俯视时，接地导体上设置有与信号线重叠的多个开口。由此，在设置了开口的位置上，信号线和接地导体之间难以形成电容。因此，可缩小信号线和接地导体在层叠方向上的距离而信号线的特性阻抗不会过小。其结果是，可实现高频信号线路的薄型化。如上文所述的高频信号线路被用于两个电路基板的连接等。

专利文献1记载的信号线路中，若想要降低插入损耗，则在制造时可能会损伤绝缘片。更详细而言，在信号线路中为了降低插入损耗，可增加信号线的厚度，增大信号线的截面积。

然而，若信号线的厚度变大，则用来将导体层加工成信号线的蚀刻工 序所需的时间也变长。蚀刻工序通过如下步骤施行：将整个表面形成有导体层的绝缘片从轧辊送出，并向导体层喷涂蚀刻液。接着，蚀刻工序后，在进行绝缘片的传送的同时，施行绝缘片的压接工序。因此，若蚀刻工序的处理速度下降，则蚀刻工序后的压接工序的处理速度也必须与蚀刻工序的处理速度相配合而下降。即，信号线路的制造所需的时间变长。

因此，为了提高蚀刻工序的处理速度，考虑使用具有更强酸性的蚀刻液。然而，具有更强酸性的蚀刻液可能会对绝缘片造成损伤。

现有技术文献

专利文献

专利文献：国际公开第2011/007660号刊物

实用新型内容

实用新型所要解决的技术问题

因此，本实用新型的目的在于提供一种高频信号线路，能在降低插入损耗的同时抑制电介质层的损伤。

解决技术问题所采用的技术方案

本实用新型的一个实施方式所涉及的高频信号线路的特征在于，包括：电介质主体，该电介质主体由包含第1电介质层的多个电介质层层叠而成；第1信号线路，该第1信号线路形成在所述第1电介质层中层叠方向的一侧的主面上且为线状；第2信号线路，该第2信号线路形成在所述第1电介质层中层叠方向的另一侧的主面上且为线状，并且隔着该第1电介质层与所述第1信号线路相对且与该第1信号线路电连接；第1接地导体，该第1接地导体设置在比所述第1信号线路更靠近层叠方向的一侧；以及第2接地导体，该第2接地导体设置在比所述第2信号线路更靠近层叠方向的 另一侧，所述第1信号线路的线宽比所述第2信号线路的线宽要大，所述第1信号线路弯曲以使得向层叠方向的一侧突出。

此外，本实用新型的一个实施方式所涉及的高频信号线路的特征在于，包括：电介质主体，该电介质主体由包含第1电介质层的多个电介质层层叠形成；第1信号线路，该第1信号线路形成在所述第1电介质层中层叠方向的一侧的主面上且为线状；第2信号线路，该第2信号线路形成在所述第1电介质层中层叠方向的另一侧的主面上且为线状，并且隔着该第1电介质层与所述第1信号线路相对且与该第1信号线路电连接；第1接地导体，该第1接地导体设置在比所述第1信号线路更靠近层叠方向的一侧；以及第2接地导体，该第2接地导体设置在比所述第2信号线路更靠近层叠方向的另一侧，所述第1信号线路中与所述第1电介质层相接的面的表面粗糙度比该第1信号线路中与该第1电介质层不相接的面的表面粗糙度要大，所述第2信号线路中与所述第1电介质层相接的面的表面粗糙度比该第2信号线路中与该第1电介质层不相接的面的表面粗糙度要大。

此外，本实用新型的一个实施方式所涉及的高频信号线路中，在所述第2接地导体上设置沿着所述第2信号线路排列的多个开口，所述第1信号线路和所述第1接地导体在层叠方向的距离比所述第2信号线路和所述第2接地导体在层叠方向的距离要大。

此外，本实用新型的一个实施方式所涉及的高频信号线路中，所述电介质主体具有挠性。

实用新型内容 

根据本实用新型，能在降低插入损失的同时抑制电介质层的损伤。

附图说明

图1是本实用新型的第1实施方式涉及的高频信号线路的外观立体图。

图2是图1的高频信号线路的电介质主体的分解图。

图3是高频信号线路的线路部的分解立体图。

图4是在图3的A-A处的剖面结构图。

图5是在图3的B-B处的剖面结构图。

图6是高频信号线路的连接器的外观立体图。

图7是高频信号线路的连接器的剖面结构图。

图8是从y轴方向俯视使用高频信号线路的电子设备的图。

图9是从z轴方向俯视使用高频信号线路的电子设备的图。

图10是第1变形例涉及的高频信号线路的电介质主体的分解图。

图11是第2变形例涉及的高频信号线路的电介质主体的分解图。

图12是高频信号线路的线路部的分解立体图。

图13是在高频信号线路的A-A处的剖面结构图。

图14是在高频信号线路的B-B处的剖面结构图。

图15是未弯曲的信号线路的剖面结构图和俯视图、以及示出了电流分布的图。

图16是弯曲了的信号线路的剖面结构图和俯视图、以及示出了电流分布的图。

图17是第3变形例涉及的高频信号线路的开口处的剖面结构图。

图18是第4变形例涉及的高频信号线路的电介质主体的剖面结构图。

具体实施方式

以下，对于本实用新型的实施方式涉及的高频信号线路，参照附图进行说明。

(第1实施方式)

(高频信号线路的结构)

下面，对于本实用新型的第1实施方式涉及的高频信号线路的结构，参照附图进行说明。图1是本实用新型的第1实施方式涉及的高频信号线 路10的外观立体图。图2是图1的高频信号线路10的电介质主体12的分解图。图3是高频信号线路10的线路部12a的分解立体图。图4是在图3的A-A处的剖面结构图。图5是在图3的B-B处的剖面结构图。以下将高频信号线路10的层叠方向定义为z轴方向。另外，将高频信号线路10的长边方向定义为x轴方向，将正交于x轴方向及z轴方向的方向定义为y轴方向。

例如在移动电话等电子设备内，高频信号线路10用来连接两个高频电路。如图1至图3所示，高频信号线路10包括电介质主体12、外部端子16a、16b、信号线20、21、基准接地导体22、辅助接地导体24、过孔导体b1～b4、B1～B6以及连接器100a、100b。

如图1所示，电介质主体12从z轴方向俯视时，是沿x轴方向延伸的具有挠性的板状部件，包含线路部12a及连接部12b、12c。如图2所示，电介质主体12是从z轴方向的正方向侧向负方向侧将保护层14、电介质片18a、18b及保护层15依次层叠而构成的层叠体。下面，将电介质主体12的z轴方向的正方向侧的主面称作表面，将电介质主体12的z轴方向的负方向侧的主面称作背面。

如图1所示，线路部12a沿x轴方向延伸。连接部12b、12c分别连接至线路部12a的x轴方向的负方向侧端部及x轴方向的正方向侧端部，且呈矩形。连接部12b、12c的y轴方向宽度比线路部12a的y轴方向宽度要大。

如图2所示，从z轴方向俯视时，电介质片18a～18c沿x轴方向延伸，且其形状与电介质主体12相同。电介质片18a～18c由聚酰亚胺、液晶聚合物等具有挠性的热塑性树脂构成。下面，将电介质片18a～18c的z轴方向的正方向侧的主面称作表面，将电介质片18a～18c的z轴方向的负方向 侧的主面称作背面。

如图4及图5所示，电介质片18a的厚度D1比电介质片18c的厚度D2要大。电介质片18a～18c进行层叠后，厚度D1为例如50μm～300μm。本实施方式中，厚度D1为150μm。另外，厚度D2为例如10μm～100μm。本实施方式中，厚度D2为50μm。另外，电介质片18b的厚度D3为例如3μm～50μm。本实施方式中，厚度D3为12.5μm。

另外，如图2所示，电介质片18a由线路部18a-a及连接部18a-b、18a-c构成。电介质片18b由线路部18b-a及连接部18b-b、18b-c构成。电介质片18c由线路部18c-a及连接部18c-b、18c-c构成。线路部18a-a、18b-a、18c-a构成线路部12a。连接部18a-b、18b-b、18c-b构成连接部12b。连接部18a-c、18b-c、18c-c构成连接部12c。

如图2及图3所示，信号线20是传输高频信号且设置在电介质主体12上的导体。本实施方式中，信号线20是形成在电介质片18b的表面上且沿x轴方向延伸的直线状导体。如图2所示，信号线20的x轴方向的负方向侧的端部位于连接部18b-b的中央。如图2所示，信号线20的x轴方向的正方向侧的端部位于连接部18b-c的中央。信号线20由以银、铜为主成分的电阻率小的金属材料制作而成。此处，信号线20形成在电介质片18b的表面是指：对通过镀覆形成在电介质片18b的表面的金属箔进行图案化而形成信号线20，或对粘贴在电介质片18b的表面的金属箔进行图案化而形成信号线20。另外，由于对信号线20的表面实施平滑化处理，因此信号线20中与电介质片18b相接的面的表面粗糙度比信号线20中与电介质片18b未相接的面的表面粗糙度要大。另外，表面粗糙度是指JISB0601-2001(以ISO4287-1997为基准)中确定的算术平均粗糙度Ra，以下相同。

如图2及图3所示，信号线21是传输高频信号且设置在电介质主体12上的导体。本实施方式中，信号线21是形成在电介质片18b的背面上且沿x轴方向延伸的直线状导体。如图2所示，信号线21的x轴方向的负方向侧的端部位于连接部18b-b的中央。如图2所示，信号线21的x轴方向的正方向侧的端部位于连接部18b-c的中央。信号线21由以银、铜为主成分的电阻率小的金属材料制作而成。此处，信号线21形成在电介质片18b的背面是指：对通过镀覆形成在电介质片18b的背面的金属箔进行图案化而形成信号线21，或对粘贴在电介质片18b的背面的金属箔进行图案化而形成信号线21。另外，由于对信号线21的背面实施平滑化处理，因此信号线21中与电介质片18b相接的面的表面粗糙度比信号线21中与电介质片18b未相接的面的表面粗糙度要大。

这里，如图2至图5所示，信号线20和信号线21经由电介质片18b彼此相对。本实施方式中，由于信号线20和信号线21具有相同形状，因此从z轴方向俯视时，以一致的状态重合。另外，从z轴方向俯视时，信号线20和信号线21也可不形成完全一致的状态，为了实质上作为一个信号线发挥作用，优选以实质上一致的状态重合。

如图2所示，基准接地导体22是设置在比信号线20更靠近z轴方向的正方向侧的面状导体层。更详细而言，基准接地导体22形成在电介质片18a的表面上，隔着电介质片18a与信号线20相对。基准接地导体22在与信号线20重合的位置未设置开口。基准接地导体22由以银、铜为主成分的电阻率小的金属材料制作而成。这里，基准接地导体22形成在电介质片18a的表面是指：对通过镀覆形成在电介质片18a的表面的金属箔进行图案化而形成基准接地导体22，或对粘贴在电介质片18a的表面的金属箔进行图案化而形成基准接地导体22。另外，由于对基准接地导体22的表面实施平滑化处理，因此如图4及图5所示，基准接地导体22中与电介质片18a相接的面的表面粗糙度比基准接地导体22中与电介质片18a未相接的面的 表面粗糙度要大。

另外，如图2所示，基准接地导体22由线路部22a以及端子部22b、22c构成。线路部22a设置在线路部18a-a的表面，沿着x轴方向延伸。端子部22b设置在线路部18a-b的表面，呈矩形环。端子部22b连接至线路部22a的x轴方向的负方向侧的端部。端子部22c设置在线路部18a-c的表面，呈矩形环。端子部22c连接至线路部22a的x轴方向的正方向侧的端部。

如图2所示，辅助接地导体24是设置在比信号线21更靠近z轴方向的负方向侧的导体层。更详细而言，辅助接地导体24形成在电介质片18c的背面上，隔着电介质片18c与信号线21相对。辅助接地导体24由以银、铜为主成分的电阻率小的金属材料制作而成。这里，辅助接地导体24形成在电介质片18c的背面是指：对通过镀覆形成在电介质片18c的背面的金属箔进行图案化而形成辅助接地导体24，或对粘贴在电介质片18c的背面的金属箔进行图案化而形成辅助接地导体24。另外，由于对辅助接地导体24的表面实施平滑化处理，因此如图4及图5所示，辅助接地导体24中与电介质片18c相接的面的表面粗糙度比辅助接地导体24中与电介质片18c未相接的面的表面粗糙度要大。

另外，如图2所示，辅助接地导体24由线路部24a以及端子部24b、24c构成。线路部24a设置在线路部18c-a的背面，沿着x轴方向延伸。端子部24b设置在线路部18c-b的背面，呈矩形环。端子部24b连接至线路部24a的x轴方向的负方向侧的端部。端子部24c设置在线路部18c-c的背面，呈矩形环。端子部24c连接至线路部24a的x轴方向的正方向侧的端部。

另外，如图2及图3所示，在线路部24a设置有沿x轴方向排列并且 呈长方形的多个开口30。由此，线路部24a形成梯子状。另外，在辅助接地导体24中，将相邻的开口30所包夹的部分称为桥接部60。桥接部60沿y轴方向延伸。从z轴方向俯视时，多个开口30以及多个桥接部60与信号线20交替重合。并且，本实施方式中，信号线20沿x轴方向横穿开口30以及桥接部60的x轴方向的中央。

如图2所示，外部端子16a是在连接部18a－b的表面上的中央形成的矩形导体。由此，从z轴方向俯视时，外部端子16a与信号线20、21的x轴方向的负方向侧的端部重合。如图2所示，外部端子16b是在连接部18a－c的表面上的中央形成的矩形导体。由此，从z轴方向俯视时，外部端子16b与信号线20、21的x轴方向的正方向侧的端部重合。外部端子16a、16b是由以银、铜为主成分的电阻率小的金属材料制作而成。另外，在外部端子16a、16b的表面实施镀Ni/Au。这里，外部端子16a、16b形成在电介质片18a的表面是指：对通过镀覆形成在电介质片18a的表面的金属箔进行图案化而形成外部端子16a、16b，或对粘贴在电介质片18a的表面的金属箔进行图案化而形成外部端子16a、16b。此外，由于对外部端子16a、16b的表面实施平滑化处理，因此外部端子16a、16b中与电介质片18a相接的面的表面粗糙度比外部端子16a、16b中与电介质片18a未相接的面的表面粗糙度要大。

外部端子16a、16b、信号线20、21、基准接地导体22以及辅助接地导体24具有几乎相等的厚度。外部端子16a、16b、信号线20、21、基准接地导体22以及辅助接地导体24的厚度为例如10μm～20μm。

如上所述，信号线20、21被基准接地导体22及辅助接地导体24从z轴方向的两侧夹住。即，信号线20、21、基准接地导体22及辅助接地导体24形成三板型的带状线结构。另外，信号线20和基准接地导体22的间隔(z轴方向上的距离)如图4及图5所示，与电介质片18a的厚度D1基本 相等，例如为50μm～300μm。本实施方式中，信号线20和基准接地导体22的间隔为150μm。另外，信号线21和辅助接地导体24的间隔(z轴方向上的距离)如图4及图5所示，与电介质片18c的厚度D2基本相等，例如为10μm～100μm。本实施方式中，信号线21和辅助接地导体24的间隔为50μm。由此，信号线20和基准接地导体22的z轴方向的距离比信号线21和辅助接地导体24的z轴方向的距离要大。

如图2所示，多个过孔导体B1在比信号线20、21更靠近y轴方向的正方向侧沿z轴方向贯通电介质片18a，沿x轴方向等间隔地排成一列。如图2所示，多个过孔导体B2在比信号线20、21更靠近y轴方向的正方向侧沿z轴方向贯通电介质片18b，沿x轴方向等间隔地排成一列。如图2所示，多个过孔导体B3在比信号线20、21更靠近y轴方向的正方向侧沿z轴方向贯通电介质片18c，沿x轴方向等间隔地排成一列。过孔导体B1～B3通过相互连接从而构成一根过孔导体。另外，过孔导体B1的z轴方向的正方向侧的端部与基准接地导体22连接。过孔导体B3的z轴方向的负方向侧的端部与辅助接地导体24连接，更详细而言，在比桥接部60更靠近y轴方向的正方向侧，与辅助接地导体24连接。过孔导体B1～B3是通过对形成在电介质片18a～18c上的过孔填充以银、锡或铜等为主成分的导电性浆体，并进行固化而形成的。

如图2所示，多个过孔导体B4在比信号线20、21更靠近y轴方向的负方向侧沿z轴方向贯通电介质片18a，沿x轴方向等间隔地排成一列。如图2所示，多个过孔导体B5在比信号线20、21更靠近y轴方向的负方向侧沿z轴方向贯通电介质片18b，沿x轴方向等间隔地排成一列。如图2所示，多个过孔导体B6在比信号线20、21更靠近y轴方向的负方向侧沿z轴方向贯通电介质片18c，沿x轴方向等间隔地排成一列。过孔导体B4～B6通过相互连接从而构成一根过孔导体。另外，过孔导体B4的z轴方向的正方向侧的端部与基准接地导体22连接。过孔导体B6的z轴方向的负方 向侧的端部与辅助接地导体24连接，更详细而言，在比桥接部60更靠近y轴方向的负方向侧，与辅助接地导体24连接。过孔导体B4～B6是通过对形成在电介质片18a～18c上的贯通孔填充以银、锡或铜等为主成分的导电性浆体，并进行固化而形成的。

如图2所示，过孔导体b1在z轴方向贯通电介质片18a，并连接外部端子16a和信号线20的x轴方向的负方向侧的端部。如图2所示，过孔导体b3在z轴方向贯通电介质片18b，并连接信号线20的x轴方向的负方向侧的端部和信号线21的x轴方向的负方向侧的端部。如图2所示，过孔导体b2在z轴方向贯通电介质片18a，并连接外部端子16b和信号线20的x轴方向的正方向侧的端部。如图2所示，过孔导体b4在z轴方向贯通电介质片18b，并连接信号线20的x轴方向的正方向侧的端部和信号线21的x轴方向的正方向侧的端部。由此，信号线20、21连接在外部端子16a、16b之间。另外，信号线20和信号线21电连接。过孔导体b1～b4是通过对形成在电介质片18a、18b上的过孔填充以银、锡或铜等为主成分的导电性浆体，并进行固化而形成的。

保护层14是几乎覆盖电介质片18a的整个表面的绝缘膜。由此，保护层14覆盖基准接地导体22。保护层14由例如抗蚀剂等挠性树脂形成。

另外，如图2所示，保护层14由线路部14a以及连接部14b、14c构成。线路部14a覆盖线路部18a-a的整个表面，且覆盖线路部22a。

连接部14b连接至线路部14a的x轴方向的负方向侧端部，且覆盖连接部18a-b的表面。其中，在连接部14b设置有开口Ha～Hd。开口Ha是设置在连接部14b中央的矩形开口。外部端子16a经由开口Ha向外部露出。另外，开口Hb是设置在比开口Ha更靠近y轴方向的正方向侧的矩形开口。开口Hc是设置在比开口Ha更靠近x轴方向的负方向侧的矩形开口。开口 Hd是设置在比开口Ha更靠近y轴方向的负方向侧的矩形开口。端子部22b由于经由开口Hb～Hd向外部露出，从而起到作为外部端子的作用。

连接部14c连接至线路部14a的x轴方向的正方向侧的端部，且覆盖连接部18a-c的表面。其中，在连接部14c设置有开口He～Hh。开口He是设置在连接部14c中央的矩形开口。外部端子16b经由开口He向外部露出。另外，开口Hf是设置在比开口He更靠近y轴方向的正方向侧的矩形开口。开口Hg是设置在比开口He更靠近x轴方向的正方向侧的矩形开口。开口Hh是设置在比开口He更靠近y轴方向的负方向侧的矩形开口。端子部22c由于经由开口Hf～Hh向外部露出，从而起到作为外部端子的作用。

保护层15是覆盖电介质片18c的几乎整个背面的绝缘膜。由此，保护层15覆盖辅助接地导体24。保护层15由例如抗蚀剂等挠性树脂形成。

如上文所述那样构成的高频信号线路10中，信号线20的特性阻抗在阻抗Z1和阻抗Z2之间周期性地变动。更详细而言，在信号线20、21中与开口30重合的区间A1上，在信号线20、21和辅助接地导体24之间形成相对较小的电容。因此，区间A1上的信号线20、21的特性阻抗成为相对较高的阻抗Z1。

另一方面，在信号线20、21中与桥接部60重合的区间A2上，在信号线20、21和辅助接地导体24之间形成相对较大的电容。因此，区间A2上的信号线20、21的特性阻抗成为相对较低的阻抗Z2。并且，区间A1和区间A2沿x轴方向交替排列。由此，信号线20、21的特性阻抗在阻抗Z1和阻抗Z2之间周期性地变动。阻抗Z1为例如55Ω，阻抗Z2为例如45Ω。并且，信号线20、21整体的平均特性阻抗为例如50Ω。

如图1所示，连接器100a、100b分别安装在连接部12b、12c的表面 上。由于连接器100a、100b的结构相同，下文以连接器100b的结构为例进行说明。图6是高频信号线路10的连接器100b的外观立体图。图7是高频信号线路10的连接器100b的剖面结构图。

如图1、图6及图7所示，连接器100b由连接器主体102、外部端子104、106、中心导体108及外部导体110构成。连接器主体102形成矩形的板部件与圆筒部件连结的形状，由树脂等绝缘材料制成。

外部端子104设置在连接器主体102的板部件的z轴方向的负方向侧的面上，与外部端子16b相对的位置。外部端子106设置在连接器主体102的板部件的z轴方向的负方向侧的面上，与经由开口Hf～Hh露出的端子部22c相对应的位置。

中心导体108设置在连接器主体102的圆筒部件的中心，与外部端子104连接。中心导体108是高频信号输入或输出的信号端子。外部导体110设置在连接器主体102的圆筒部件的内周面上，与外部端子106连接。外部导体110是保持在接地电位的接地端子。

如图6及图7所示，如上文所述那样构成的连接器100b安装在连接部12c的表面上，以使外部端子104与外部端子16b连接，外部端子106与端子部22c连接。由此，信号线20与中心导体108电连接。另外，基准接地导体22及辅助接地导体24与外部导体110电连接。

高频信号线路10如下文所说明那样被使用。图8是从y轴方向俯视使用高频信号线路10的电子设备200的图。图9是从z轴方向俯视使用高频信号线路10的电子设备200的图。

电子设备200包括高频信号线路10、电路基板202a、202b，插座204a、 204b，电池组(金属体)206以及壳体210。

在电路基板202a，例如设置有包含天线的发送电路或接收电路。在电路基板202b，例如设置有供电电路。电池组206是例如锂离子2次电池，具有其表面由金属盖覆盖的结构。电路基板202a、电池组206以及电路基板202b按该顺序从x轴方向的负方向侧向正方向侧排列。

插座204a、204b分别设置在电路基板202a、202b的z轴方向的负方向侧的主面上。插座204a、204b分别与连接器100a、100b连接。由此，向连接器100a、100b的中心导体108经由插座204a、204b施加在电路基板202a、202b之间传输的例如频率为2GHz的高频信号。另外，连接器100a、100b的外部导体110经由电路基板202a、202b以及插座204a、204b，保持在接地电位。由此，高频信号线路10连接在电路基板202a、202b之间。

这里，电介质主体12的表面(更准确为保护层14)与电池组206接触。并且，电介质主体12和电池组206由粘合剂等固定。

(高频信号线路的制造方法)

以下，针对高频信号线路10的制造方法，参照附图进行说明。虽然下文中以制作一个高频信号线路10的情况为例进行说明，但实际上，通过层叠并切割大片的电介质片，从而可同时制作多个高频信号线路10。

首先，准备电介质片18a、18c，该电介质片18a、18c由一方的整个主面形成有铜箔(金属膜)的热塑性树脂构成。具体而言，在电介质片18a、18c的一方的主面上粘贴铜箔。然后，进一步地，在电介质片18a、18c的铜箔的表面上，例如实施镀锌以防锈，进行平滑化。由此得到覆铜的电介质片18a、18c，其具有表面粗糙度小的非固定面(光滑面)和表面粗糙度大的固定面(粗糙面)。电介质片18a、18c为液晶聚合物。另外，铜箔的 厚度为10μm～20μm。

另外，准备电介质片18b，该电介质片材18b由两方的整个主面形成有铜箔(金属膜)的热塑性树脂构成。具体而言，在电介质片18b的两方的主面上粘贴铜箔。进一步地，在电介质片18b的铜箔的表面上，例如实施镀锌以防锈，进行平滑化。电介质片18b为液晶聚合物。另外，铜箔的厚度为10μm～20μm。

接着，通过对形成在电介质片18a表面上的铜箔进行图案化，从而如图2所示，在电介质片18a的表面上形成外部端子16a、16b以及基准接地导体22。具体而言，在电介质片18a的表面的铜箔上，印刷与图2所示的外部端子16a、16b以及基准接地导体22形状相同的抗蚀剂。并且，通过对铜箔实施蚀刻处理，从而除去未被抗蚀剂覆盖的部分的铜箔。之后，喷涂抗蚀剂液以去除抗蚀剂。由此，如图2所示的外部端子16a、16b以及基准接地导体22通过光刻工序形成在电介质片18a的表面上。

接着，如图2所示，在电介质片18b的表面上形成信号线20，在电介质片18b的背面上形成信号线21。并且，如图2所示，在电介质片18c的背面上形成辅助接地导体24。另外，由于信号线20、21以及辅助接地导体24的形成工序与外部端子16a、16b、信号线20以及基准接地导体22的形成工序相同，故省略说明。

接着，通过在电介质片18a～18c的形成过孔导体b1～b4、B1～B6的位置上照射激光束从而形成贯通孔。并且，向贯通孔填充导电性浆体，形成过孔导体b1～b4，B1～B6。

接着，如图2所示，从z轴方向的正方向侧向负方向侧依次层叠电介质片18a～18c，形成电介质主体12。此时，通过从z轴方向的正方向侧及 负方向侧对电介质片18a～18c加热加压，从而压接电介质片材18a～18c。

接着，如图2所示，通过丝网印刷来涂布树脂(抗蚀剂)浆体，从而在电介质片18a的表面上形成覆盖基准接地导体22的保护层14。

接着，如图2所示，通过丝网印刷来涂布树脂(抗蚀剂)浆体，从而在电介质片18c的背面上形成覆盖辅助接地导体24的保护层15。

最后，使用焊料将连接器100a、100b安装在连接部12b、12c上的外部端子16a、16b以及端子部22b、22c上。由此，得到图1所示的高频信号线路10。

(效果)

根据上文所述结构的高频信号线路10，能降低插入损耗。更详细而言，高频信号线路10中，在电介质片18b的表面形成信号线20，在电介质片18b的背面形成信号线21。并且，信号线20和信号线21彼此相对并且电连接。由此，信号线20和信号线21构成一根信号线路。由此，由信号线20及信号线21构成的信号线路的厚度为信号线20的厚度和信号线21的厚度的总和。因而，由信号线20及信号线21构成的信号线路的截面积增大，高频信号线路10的插入损耗降低。

另外，根据高频信号线路10，由于以下理由也能降低插入损耗。更详细而言，信号线20中流通高频信号时，由于表皮效应，电流集中流向信号线20的表面附近。特别是，在信号线20中，电流集中流向与基准接地导体22相对的面(即与电介质片18b不相接的面)。因此，在高频信号线路10中，信号线20中与电介质片18b不相接的面的表面粗糙度比信号线20中与电介质片18b相接的面的表面粗糙度要小。由此，从信号线20中与电介质片18b不相接的面到预定深度为止的区域(电流集中的区域)中导体 所占的比例，相比于从信号线20中与电介质片18b相接的面到预定深度为止的区域中导体所占的比例要高。即，信号线20中与电介质片18b不相接的面附近的一方相比于信号线20中与电介质片18b相接的面附近，电流更易流动。其结果是，高频信号线路10中，插入损耗降低。另外，同样的现象也在信号线21中产生。

另外，根据高频信号线路10，能抑制电介质片18a、18b的损伤。更详细而言，高频信号线路10的信号线路由信号线20、21构成。因此，通过蚀刻来加工具有信号线20的厚度的导体层，从而能形成信号线20。同样地，通过蚀刻来加工具有信号线21的厚度的导体层，从而能形成信号线21。因此，不需要为了形成由信号线20、21构成的信号线路，而蚀刻厚度为信号线20的厚度和信号线21的厚度的总和的导体层。其结果是，不需要使用具有更强酸性的蚀刻液。如上所述，由信号线20、21形成的信号线路的形成工序中，抑制了电介质片18a、18b中发生损伤。

另外，根据高频信号线路10，高频信号线路10能易于弯曲。更详细而言，在弯曲高频信号线路10时，例如位于外周侧的信号线20伸长，位于内周侧的信号线21缩短。因此，信号线20和信号线21产生偏差。因此，在信号线20和信号线21之间设置具有挠性的电介质片18b。由此，在信号线20伸长而信号线21缩短时，电介质片18b发生变形。其结果是，高频信号线路10被弯曲时，信号线20和信号线21之间易产生偏差。由此，高频信号线路10能易于弯曲。

另外，根据高频信号线路10，能实现薄型化。更详细而言，在高频信号线路10中，在区间A1，从z轴方向俯视时，信号线20、21与辅助接地导体24不重合。因此，信号线20、21和辅助接地导体24之间难以形成电容。因而，即使信号线20、21和辅助接地导体24在z轴方向上的距离减小，在信号线20、21和辅助接地导体24之间形成的电容也不会过大。由 此，信号线20、21的特性阻抗不易偏离预定的特性阻抗(例如50Ω)。其结果是，根据高频信号线路10，可在将信号线20、21的特性阻抗维持在预定的特性阻抗的同时实现薄型化。

另外，根据高频信号线路10，在高频信号线路10粘贴在电池组206这样的金属体上的情况下，抑制了信号线20、21的特性阻抗发生变动。更详细而言，高频信号线路10粘贴于电池组206，以使面状的基准接地导体22位于信号线20、21和电池组206之间。由此，信号线20、21和电池组206不再隔着开口相对，抑制了信号线20、21和电池组206之间形成电容。其结果是，抑制了由于将高频信号线路10粘贴于电池组206而导致信号线20、21的特性阻抗下降。

(第1变形例)

下面，对于第1变形例涉及的高频信号线路的结构，参照附图进行说明。图10是第1变形例涉及的高频信号线路10a的电介质主体12的分解图。对于高频信号线路10a的外观立体图，引用图1。

高频信号线路10a在基准接地导体22上设置有开口34这一点上，与高频信号线路10不同。

更详细而言，如图10所示，在基准接地导体22的线路部22a设置有沿x轴方向排列并且呈长方形的多个开口34。由此，线路部22a形成梯子状。另外，在基准接地导体22中，将相邻的开口34所包夹的部分称为桥接部62。桥接部62沿y轴方向延伸。从z轴方向俯视时，多个开口34以及多个桥接部62与信号线20交替重合。并且，本实施方式中，信号线20沿x轴方向横穿开口34以及桥接部62的y轴方向的中央。

另外，开口34的尺寸比开口30的尺寸要小。更详细而言，开口34的 x轴方向的长度比开口30的x轴方向的长度更大。另外，开口34的y轴方向的宽度比开口30的y轴方向的宽度要小。并且，从z轴方向俯视时，开口30的外缘和开口34的外缘不重合。从z轴方向俯视时，开口34收在开口30内。

根据上文所述结构的高频信号线路10a，以与高频信号线路10相同的理由，能降低插入损耗。

另外，根据高频信号线路10a，以与高频信号线路10相同的理由，能抑制电介质片18a、18b的损伤。

另外，根据高频信号线路10a，以与高频信号线路10相同的理由，高频信号线路10a能易于弯曲。 

另外，根据高频信号线路10a，以与高频信号线路10相同的理由，能实现薄型化。

另外，根据高频信号线路10a，能进一步实现插入损耗的降低。高频信号线路10a中，若在信号线20、21上流通电流i 1，则在基准接地导体22上流通反电流i2，在辅助接地导体24上流通反电流i3。由于表皮效应，反电流i2、i3沿着开口30、34的外缘流动。其中，高频信号线路10a中，开口30的外缘和开口34的外缘不重合。由此，反电流i2流通的位置远离反电流i3流通的位置。其结果是，能减弱反电流i2和反电流i3的耦合，电流i1易于流通。由此，实现了高频信号线路10a的插入损耗降低。

(第2变形例)

下面，对于第2变形例涉及的高频信号线路的结构，参照附图进行说明。图11是第2变形例涉及的高频信号线路10b的电介质主体12的分解 图。图12是高频信号线路10b的线路部12a的分解立体图。图13是在高频信号线路10b的A-A处的剖面结构图。图14是在高频信号线路10b的B-B处的剖面结构图。对于高频信号线路10b的外观立体图，引用图1。

高频信号线路10b在信号线20的线宽和信号线21的线宽不同这一点上，以及使用通孔导体T1～T4这一点上，与高频信号线路10不同。更详细而言，如图11及图12所示，信号线20的线宽比信号线21的线宽要大。另外，从z轴方向俯视时，信号线21收在信号线20内。另外，从z轴方向俯视时，虽然信号线21也可不完全收在信号线20内，但为了实质上作为一个信号线发挥作用，优选为信号线21实质上收在信号线20内。

如上所述的高频信号线路10b中，在电介质主体12层叠·压接时，信号线20发生变形。更详细而言，如图13及图14所示，信号线20以向z轴方向的正方向侧突出的方式弯曲。

如图11所示，多个通孔导体T1在比信号线20、21更靠近y轴方向的正方向侧沿z轴方向贯通电介质片18a～18c，沿x轴方向等间隔地排成一列。通孔导体T1的z轴方向的正方向侧的端部与基准接地导体22连接。通孔导体T1的z轴方向的负方向侧的端部与辅助接地导体24连接。由此，通孔导体T1连接基准接地导体22和辅助接地导体24。通孔导体T1是通过在贯通电介质片18a～18c的通孔的内周面上利用镀覆形成以镍或金等为主成分的金属膜而形成的。

如图11所示，多个通孔导体T2在比信号线20、21更靠近y轴方向的负方向侧沿z轴方向贯通电介质片18a～18c，沿x轴方向等间隔地排成一列。通孔导体T2的z轴方向的正方向侧的端部与基准接地导体22连接。通孔导体T2的z轴方向的负方向侧的端部与辅助接地导体24连接。由此，通孔导体T2连接基准接地导体22和辅助接地导体24。通孔导体T2是通过 在贯通电介质片18a～18c的通孔的内周面上利用镀覆形成以镍或金等为主成分的金属膜而形成的。

如图11所示，通孔导体T3在z轴方向贯通电介质片18a～18c，并连接外部端子16a和信号线20的x轴方向的负方向侧的端部和信号线21的x轴方向的负方向侧的端部。如图11所示，通孔导体T4在z轴方向贯通电介质片18a～18c，并连接外部端子16b和信号线20的x轴方向的正方向侧的端部和信号线21的x轴方向的正方向侧的端部。由此，信号线20、21连接在外部端子16a、16b之间。另外，信号线20和信号线21电连接。通孔导体T3、T4是通过在贯通电介质片18a～18c的通孔的内周面上利用镀覆形成以镍或金等为主成分的金属膜而形成的。

另外，在保护层14上，开口01、02设置在与通孔T1、T2重合的位置。另外，在保护层15上，开口03～06设置在与通孔T1～T4重合的位置。

根据上文所述结构的高频信号线路10b，以与高频信号线路10相同的理由，能降低插入损耗。

另外，根据高频信号线路10b，以与高频信号线路10相同的理由，能抑制电介质片18a、18b的损伤。

另外，根据高频信号线路10b，以与高频信号线路10相同的理由，高频信号线路10b能易于弯曲。 

另外，根据高频信号线路10b，以与高频信号线路10相同的理由，能实现薄型化。

另外，根据高频信号线路10b，以与高频信号线路10相同的理由，在 高频信号线路10粘贴于电池组206这样的金属体的情况下，抑制了信号线20、21的特性阻抗发生变动。

另外，高频信号线路10b中，由于以下理由，也能降低插入损耗。更详细而言，若电流在信号线20中流动，由于边界效应会产生从信号线20的y轴方向的两端向基准接地导体22集中的电力线。由此，若电力线从信号线20的y轴方向的两端集中产生，则电流集中流向信号线20的y轴方向的两端。由此，信号线20中电流流通的区域变窄，电流难以在信号线20中流动。

因此，信号线20弯曲以使y轴方向的中央向z轴方向的正方向侧突出。由此，信号线20的y轴方向的两端相比于信号线20的y轴方向的中央更远离基准接地导体22。因此，抑制了从信号线20的y轴方向的两端集中产生电力线。其结果是，电流在信号线20的整体中流动，信号线20变得易于流通电流。如上所述，高频信号线路10b中，插入损耗降低。

另外，高频信号线路10b中，由于以下理由也能降低插入损耗。图15是未弯曲的信号线20的剖面结构图和俯视图、以及示出了电流分布的图。图16是弯曲了的信号线20的剖面结构图和俯视图、以及示出了电流分布的图。

如图15及图16所示，若电流在信号线20上流动，则产生磁场以使得环绕电流的周围。并且，通过电磁感应，产生阻碍电流的反电流。这里，如图15及图16所示，在信号线20的y轴方向的中央部分流通的电流的y轴方向的两侧有反电流流通。另一方面，对于在信号线20的y轴方向的正方向侧的端部流通的电流，反电流只在y轴方向的负方向侧流通。同样地，对于在信号线20的y轴方向的负方向侧的端部流通的电流，反电流只在y轴方向的正方向侧流通。由此，高频信号线20中，信号线20的y轴方向 的中央部分的电流值比信号线20的y轴方向的两端的电流值要小。

这里，图16所示的信号线20的y轴方向的宽度比图15所示的信号线20的y轴方向的宽度要窄。因此，在图15所示的信号线20上流通的电流的总和与图16所示的信号线20上流通的电流的总和相等的情况下，图16所示的信号线20的y轴方向的中央部分上流通的电流比图15所示的信号线20的y轴方向的中央部分上流通的电流要大。由此，电流在信号线20的整体中流动，信号线20变得易于流通电流。如上所述，高频信号线路10b中，插入损耗降低。即，由于表皮效应在信号线20的端部出现，因此宽度较窄且弯曲了的信号线20不易出现表皮效应，能减小插入损耗。

(第3变形例)

下面，对于第3变形例涉及的高频信号线路的结构，参照附图进行说明。图17是第3变形例涉及的高频信号线路10c的开口30处的剖面结构图。对于高频信号线路10c的外观立体图，引用图1。

高频信号线路10c在设置有过孔导体b1～b4、B1～B6以代替通孔T1～T4这一点上，与高频信号线路10b不同。

根据上文所述结构的高频信号线路10c，以与高频信号线路10b相同的理由，能降低插入损耗。

另外，根据高频信号线路10c，以与高频信号线路10b相同的理由，能抑制电介质片18a、18b的损伤。

另外，根据高频信号线路10c，以与高频信号线路10b相同的理由，高频信号线路10c能易于弯曲。 

另外，根据高频信号线路10c，以与高频信号线路10b相同的理由，能实现薄型化。

另外，根据高频信号线路10c，以与高频信号线路10b相同的理由，在高频信号线路10c粘贴于电池组206这样的金属体的情况下，抑制了信号线20、21的特性阻抗发生变动。

(第4变形例)

下面，对于第4变形例涉及的高频信号线路的结构，参照附图进行说明。图18是第4变形例涉及的高频信号线路10d的剖面结构图。对于高频信号线路10d的外观立体图，引用图1。

高频信号线路10d在基准接地导体22及辅助接地导体24所设置的位置这一点上，与高频信号线路10不同。更详细而言，高频信号线路10d中，电介质片18d在电介质片18a的z轴方向的正方向侧层叠，电介质片18e在电介质片18c的z轴方向的负方向侧层叠。

另外，基准接地导体22形成在电介质片18d的背面上。基准接地导体22中与电介质片18d相接的面的表面粗糙度比基准接地导体22中与电介质片18d未相接的面的表面粗糙度要大。

辅助接地导体24形成在电介质片18e的表面上。辅助接地导体24中与电介质片18e相接的面的表面粗糙度比辅助接地导体24中与电介质片18e未相接的面的表面粗糙度要大。

根据上文所述结构的高频信号线路10d，以与高频信号线路10相同的理由，能降低插入损耗。

另外，根据高频信号线路10d，以与高频信号线路10相同的理由，能抑制电介质片18a、18b的损伤。

另外，根据高频信号线路10d，以与高频信号线路10相同的理由，高频信号线路10d能易于弯曲。 

另外，根据高频信号线路10d，以与高频信号线路10相同的理由，能实现薄型化。

另外，根据高频信号线路10d，以与高频信号线路10相同的理由，在高频信号线路10d粘贴于电池组206这样的金属体的情况下，抑制了信号线20、21的特性阻抗发生变动。

另外，根据高频信号线路10d，由于以下理由能降低插入损耗。更详细而言，若信号线20中流通高频信号，则由于表皮效应，电流集中流向信号线20的表面附近。特别是，在信号线20中，电流集中流向与基准接地导体22相对的面(即与电介质片18b不相接的面)。而且，在基准接地导体22中，反电流在与信号线20相对的面(即与电介质片18d不相接的面)上流动。因此，在高频信号线路10中，基准接地导体22中与电介质片18d不相接的面的表面粗糙度比基准接地导体22中与电介质片18d相接的面的表面粗糙度要小。由此，从基准接地导体22中与电介质片18d不相接的面到预定深度为止的区域中导体所占的比例，相比于从基准接地导体22中与电介质片18d相接的面到预定深度为止的区域中导体所占的比例要高。即，基准接地导体22中与电介质片18d不相接的面附近的一方相比于基准接地导体22中与电介质片18d相接的面附近，电流更易流动。其结果是，高频信号线路10d中，插入损耗降低。另外，同样的现象也在辅助接地导体24中产生。

(其它的实施方式)

本实用新型涉及的高频信号线路不限于高频信号线路10、10a～10d,可在其主旨范围内进行变更。

另外，也可对高频信号线路10、10a～10d的结构进行组合。

保护层14、15虽然通过丝网印刷形成，但也可通过光刻工序形成。

另外，高频信号线路10、10a～10d中，也可不安装连接器100a、100b。在这种情况下，高频信号线路10、10a～10d的端部与电路基板通过焊料连接。另外，也可只在高频信号线路10、10a～10d的一个端部上安装连接器100a。

另外，虽然连接器100a、100b安装在高频信号线路10的表面，但也可安装在高频信号线路10的背面。另外，虽然连接器100a安装在高频信号线路10的表面，但也可为连接器100b安装在高频信号线路10的背面。

另外，高频信号线路10、10a～10d中，也可不设置基准接地导体22及辅助接地导体24中的至少某一方。

另外，在辅助接地导体24上也可不设置开口。

另外，高频信号线路10、10a～10d也可用作天线前端模块等的RF电路中的高频信号线路。

工业上的实用性

如上所述，本实用新型适用于高频信号线路，特别是在能降低插入损耗的同时抑制电介质层的损伤这一方面有优势。

标号说明

10、10a～10d高频信号线路

12电介质主体

18a～18e电介质片

20、21信号线

22基准接地导体

24辅助接地导体

30、34开口

60、62桥接部。

Claims (6)

1.一种高频信号线路，其特征在于，包括：

电介质主体，该电介质主体由包含第1电介质层的多个电介质层层叠形成；

第1信号线路，该第1信号线路形成在所述第1电介质层中层叠方向的一侧的主面上且为线状；

第2信号线路，该第2信号线路形成在所述第1电介质层中层叠方向的另一侧的主面上且为线状，并且隔着该第1电介质层与所述第1信号线路相对且与该第1信号线路电连接；

第1接地导体，该第1接地导体设置在比所述第1信号线路更靠近层叠方向的一侧；以及

第2接地导体，该第2接地导体设置在比所述第2信号线路更靠近层叠方向的另一侧，

所述第1信号线路的线宽比所述第2信号线路的线宽要大，

所述第1信号线路弯曲以使得向层叠方向的一侧突出。

2.如权利要求1所述的高频信号线路，其特征在于，

在所述第2接地导体上设置沿着所述第2信号线路排列的多个开口，

所述第1信号线路和所述第1接地导体在层叠方向的距离比所述第2信号线路和所述第2接地导体在层叠方向的距离要大。

3.如权利要求1或2所述的高频信号线路，其特征在于，

所述电介质主体具有挠性。

4.一种高频信号线路，其特征在于，包括：

电介质主体，该电介质主体由包含第1电介质层的多个电介质层层叠形成；

第1信号线路，该第1信号线路形成在所述第1电介质层中层叠方向的一侧的主面上且为线状；

第2信号线路，该第2信号线路形成在所述第1电介质层中层叠方向 的另一侧的主面上且为线状，并且隔着该第1电介质层与所述第1信号线路相对且与该第1信号线路电连接；

第1接地导体，该第1接地导体设置在比所述第1信号线路更靠近层叠方向的一侧；以及

第2接地导体，该第2接地导体设置在比所述第2信号线路更靠近层叠方向的另一侧，

所述第1信号线路中与所述第1电介质层相接的面的表面粗糙度比该第1信号线路中与该第1电介质层不相接的面的表面粗糙度要大，

所述第2信号线路中与所述第1电介质层相接的面的表面粗糙度比该第2信号线路中与该第1电介质层不相接的面的表面粗糙度要大。

5.如权利要求4所述的高频信号线路，其特征在于，

在所述第2接地导体上设置沿着所述第2信号线路排列的多个开口，

所述第1信号线路和所述第1接地导体在层叠方向的距离比所述第2信号线路和所述第2接地导体在层叠方向的距离要大。

6.如权利要求4或5所述的高频信号线路，其特征在于，

所述电介质主体具有挠性。