CN203741405U - 真空炉体 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种真空炉体，该真空炉体包括炉体本体（11），蒸发源（A），用于放置被镀物件（B）的物件挂架（14），用于放置物件挂架（14）的并移动该物件挂架（14）的转盘（C）；炉体本体（11）的底板（111）、外壁（112）、内壁（113）和顶板共同围形成密闭空间（S）；所述炉体本体（11）还包括第一挡板（17）和第二挡板（18）；第一挡板（17）和第二挡板（18）相隔一定的距离并将所述密闭空间分隔成第一分隔空间（S1）和第二分隔空间（S2）。本实用新型杜绝瞬间产生的氧物质，避免氧物质污染到被镀物件表面上，从而避免被镀物件产生假性附着，提高产品品质的稳定性。

Description

真空炉体

技术领域

本实用新型涉及一种真空炉体。

背景技术

现在世界各国采用圆型炉体设计。始终造成PVD(Physical Vapor Deposition，物理气相沉积镀膜(涂层)，有很多盲点。

生产时产品常常出现假性附着，脱膜漏白。假性附着是一种看不到摸不到的技术难题，是PVD镀膜（涂层）最头痛的问题。严重的假性附着出炉后可以马上发觉漏白。最怕的是轻微假性着，往往是产品到市场才发觉PVD镀膜（涂层）漏白，影响商誉。

参见图1－3，现有世界各国采用圆型炉体设计的真空炉体1'包括真空室11'，蒸发靶12'，蒸发靶源13'，物件挂架14'，自转架15'和公转盘16'。

蒸发靶12'分布于真空室11'外表面。现有技术的结构使得整个真空室11'布满沉积的各种钛灰尘，残渣和氧化物质R。加温过程中释放出混杂气体，很容易污染附着上被镀物件表面，从而产生假性附着，使得色泽不正，残渣容易掉在被镀物件上面产生漏白现象，镀膜凃层过程中温度一直上升，需要停机等待降温到需求温度后，才可以继绩镀膜凃层。参见图2，蒸发靶源13'分布于真空室11'内。可以看到，靶源与靶源之间无法互相交叉蒸发。很容易造成死角无效区17'，还很容易造成被镀物件在凹角位置很难与正角位置同等膜厚，使得PVD镀膜（涂层）膜厚不均匀。炉体越大，PVD镀膜（涂层）膜厚越不均匀。凹角位置与正角位置PVD镀膜（涂层）相差更大更严重。物件挂架14'上的被镀物件产品无法实现自转。PVD镀膜（涂层）后产品膜厚无法均匀，如以4un膜厚.误差值约0.5un-1un以上。

本实用新型提出了一种真空炉体，解决上述技术问题。.

实用新型内容

基于此，有必要提供一种真空炉体，解决了假性附着的技术问题。

本实用新型提供了一种真空炉体，包括炉体本体，蒸发源，用于放置被镀物件的物件挂架，用于放置物件挂架的并移动该物件挂架的转盘；

炉体本体包括底板、自底板弯折延伸的外壁、自底板弯折延伸的并与外壁相隔一定距离的内壁、连接外壁和内壁的顶板和由底板、外壁、内壁和顶板共同围形成密闭空间；

所述炉体本体还包括置于密闭空间内分别与底板、外壁、内壁和顶板相连的第一挡板和第二挡板；所述第一挡板和第二挡板相隔一定的距离并将所述密闭空间分隔成第一分隔空间和第二分隔空间；所述第一档板、第二挡板与所述外壁或内壁活动连接；

蒸发源设置于第一分隔空间，物件挂架和转盘设置于第二分隔空间；

在第一挡板和第二档板打开时，转盘将物件挂架从第二分隔空间移动至第一分隔空间内。

优选的，蒸发源包括第一蒸发源和第二蒸发源，

外壁包括位于第一分隔空间的第一外壁和位于第二分隔空间的与第一外壁相连的第二外壁，内壁包括位于第一分隔空间的第一内壁和位于第二分隔空间与第一内壁相连的第二内壁；

第一蒸发源和第二蒸发源分别设在第一外壁和第一内壁，且第一蒸发源和第二蒸发源相对设置。

优选的，蒸发源包括蒸发靶和为蒸发靶提供动力的蒸发靶源。

优选的，炉体本体的外壁设有至少两个门。

优选的，蒸发靶源包括电弧靶源或平面靶源、中频园柱靶源、直流靶源中的任一种或其任意组合。

本实用新型还提供了一种真空炉体，该真空炉体包括密闭的真空室，该真空室通过挡板分隔成独立的物件区和靶蒸发区；

物件区，用于放置被镀物件；

靶蒸发区，用于给被镀物件物理气相沉积镀膜；

该真空炉体还包括

控制部件，用于打开档板，将分隔的物件区与靶蒸发区相通；

传送部件，用于将被镀物件从物件区移动至靶蒸发区。

优选的，靶蒸发区相对设置有第一蒸发源和第二蒸发源。

优选的，第一蒸发源和第二蒸发源分别包括蒸发靶和为蒸发靶提供动力的蒸发靶源；挡板包括第一挡板和第二挡板。

采用本实用新型提供的真空炉体，将蒸发源与被镀物件分别放置在两个独立分隔的区域，可以杜绝瞬间产生的氧物质，避免氧物质污染到被镀物件表面上，从而避免被镀物件产生假性附着，提高产品品质的稳定性。

本实用新型将蒸发源与被镀物件分别放置在两个独立分隔的区域，生产过程中各种残渣，钛灰尘，氧化物，只残留在单独分隔真空室蒸发区里面，很容易完全清除干净。物理气相沉积镀膜(涂层)膜厚均匀。没有无效蒸发区域。

由于采用了两组蒸发源，使得内外侧靶源互相交差蒸发，物理气相沉积镀膜膜厚很均匀。凹角位子与正角位子物理气相沉积镀膜(涂层)膜厚均匀，物理气相沉积镀膜(涂层)膜厚误差小。

附图说明

图1是本实用新型提供的现有技术真空炉体的示意图。

图2是图1的内部结构图；

图3是图1的俯视图；

图4是本实用新型提供的一个实施例的整体结构示意图；

图5是本实用新型提供的一个实施例的内部结构示意图；

图6是本实用新型提供的PVD镀膜时工作示意图；

图7是本实用新型提供的一个实施例的内部结构示意图（电弧靶源或平面靶源.中频园柱靶源及直流靶源）

图8是本实用新型提供的一个实施例的内部结构示意图（蒸发源为电弧靶源或平面靶源.中频园柱靶源及直流靶源）；

图9是本实用新型提供的一个实施例的内部结构示意图（电弧靶源或平面靶源.中频园柱靶源及直流靶源）。

具体实施方式

下面结合具体的实施例及附图对的技术方案进行详细的描述，以使其更加清楚。以下实施例仅为了描述本实用新型所列举的较为详细的实施例，并不作为对本实用新型所的限定。

实施例一

参见图4－7和图9，本实用新型提供的真空炉体10，包括炉体本体11，蒸发源A，用于放置被镀物件B的物件挂架14，用于放置物件挂架14的并移动该物件挂架14的转盘C。

炉体本体11包括底板111、自底板111弯折延伸的外壁112、自底板111弯折延伸的并与外壁112相隔一定距离的内壁113、连接外壁112和内壁113的顶板（未标示）和由底板111、外壁112、内壁113和顶板共同围形成密闭空间S（真空室）。

所述炉体本体11还包括置于分隔空间S内分别与底板111、外壁112、内壁113和顶板相连的第一挡板17和第二挡板18；所述第一挡板17和第二挡板18相隔一定的距离并将所述分隔空间S分隔成第一分隔空间S1和第二分隔空间S2；所述第一档板17、第二挡板18与所述外壁112或内壁113活动连接。

蒸发源A设置于第一分隔空间S1，物件挂架14和转盘C设置于第二分隔空间S2。

在第一挡板17打开时，转盘C将物件挂架14从第二分隔空间S2移动至第一分隔空间S1内。

蒸发源A包括第一蒸发源A1和第二蒸发源A2。当然也可以只有一个蒸发源。

外壁112包括位于第一分隔空间S1的第一外壁和位于第二分隔空间S2的第二外壁，内壁113包括位于第一分隔空间S1的第一内壁和位于第二分隔空间S2第二内壁。第一外壁和第二外壁相连，第一内壁和第二内壁相连。也就是说，第一外壁、第一内壁、底板和顶板构成了第一分隔空间S1；第二外壁、第二内壁、底板和顶板构成了第二分隔空间。

第一蒸发源A1和第二蒸发源A2分别设在第一外壁和第一内壁，且第一蒸发源A1和第二蒸发源A2相对设置。

设置两个蒸发源，能更好的提高PVD镀膜(涂层)的效率。参见图6，可以看到，两个蒸发源，会互相交叉蒸发离子L，提高效率。

蒸发源A包括蒸发靶12和为蒸发靶12提供动力的蒸发靶源13。

本实用新型中，蒸发源A设置第一分隔空间，使得生产过程中，残留的各种残渣、钛灰尘、氧化物等残物，很容易完全清干净。

蒸发源A设置在第一分隔空间，采用公转横插挂方式，镀出PVD镀层（涂层）物件，物理气相沉积镀膜膜厚均匀，蒸发靶源设置在第一分隔空间。

蒸发源A设置在第一分隔空间，PVD镀膜（涂层）时温度不会一直上升，可以控制在100-500摄氏度。不用停机等待降温，可以继绩镀膜(涂层)。第二分隔空间可以装制温，冷却控制糸统。

蒸发源A设置在第一分隔空间，定期清理，清理时间约2小时以下就可从新开机工作。

蒸发源A设置在第一分隔空间，可以无限放大真空室，没有无效蒸发区域。两组蒸发源源互相交叉蒸发，PVD镀膜(涂层)膜厚很均匀，凹角位子与正角位子PVD镀膜(涂层)相当均匀，PVD镀膜(涂层)膜厚4un误差值约0.02un以下。

炉体本体11的外壁，本实用新型提高的实施例中，参见图4，在第一分隔空间设置了1个门11d、在第二分隔空间设置了3个门11a，11b，11c。这样方便清理、打扫。

转盘C包括自转盘15和公转盘16，被镀物件放置在物件挂架14上，物件挂架14设置在自转盘15上，自转盘15与公转盘16转动连接。通过公转盘16的转动将被镀物件从物件区S2移入靶蒸发区S1。

蒸发靶源13可以是蒸发源为电弧靶源或平面靶源、中频园柱靶源、直流靶源中的任一种或其任意组合。

由于本发明将真空炉体通过第一档板和第二档板分隔成两个空间——第一分隔空间和第二分隔空间，可以事先调整好第一分隔空间中PVD镀膜各参数的条件，待满足PVD镀膜各参数条件后，再将被镀物件从第二分隔空间移动入第一分隔空间。这样，可以杜绝瞬间产生的氧物质，避免氧物质污染到被镀物件表面上，从而避免被镀物件产生假性附着，提高产品品质的稳定性。

在真空炉体内，对被镀物件进行PVD镀膜(涂层)的过程为：

将被镀物件B放于真空炉体的第二分隔S2空间；

设置第一分隔空间S1中蒸发源的参数，并使蒸发源A开始工作；

当参数达到物理气相沉积镀膜(涂层)的要求时，打开第一挡板17和第二挡板18，利用转盘C将被镀物件从第二分隔空间S2移入第一分隔空间S1进行物理气相沉积镀膜(涂层)。

由于将真空炉体分隔为两个空间，可以事先调整好蒸发靶源的电流以及气体各参数条件，待稳定后开始PVD镀膜（涂层），使得在启动蒸发靶源（包括电弧靶源或平面靶源、中频园柱靶源及直流靶源）时可以杜绝瞬间产生的氧物质，避免氧物质污染到被镀物件表面上，从而避免被镀物件产生假性附着，提高产品品质的稳定性。

实施例二

在另外一个实施例中，参见图8，本实用新型提供的另一种真空炉体10''，该真空炉体包括分隔的真空室，该真空室通过挡板D''分隔成独立的物件区S2''和靶蒸发区S1''。

物件区S2''，用于放置被镀物件B。

靶蒸发区S1''，用于给被镀物件物理气相沉积镀膜(涂层)。

该真空炉体还包括控制部件（未图示），用于打开档板D''，将物件区S2''与靶蒸发区S1''连通。

传送部件C''，用于将物件区S2''的被镀物件移动至靶蒸发区S1''。

靶蒸发区S1''相对设置有第一蒸发源A1''和第二蒸发源A2''。

当然，一个蒸发源也是可以的，但是两个蒸发源可以提高效率，速度快，PVD镀膜(涂层)比较均匀，PVD镀膜(涂层)的效果更好。

第一蒸发源A1''和第二蒸发源A2''分别包括蒸发靶和为蒸发靶提供动力的蒸发靶源；挡板D''包括第一挡板17''和第二挡板18''。当然挡板D''也可以只有一个，只要能够将物件区S2''和靶蒸发区S1''隔离就可以。

本实用新型中，蒸发源A''设置靶蒸发区，使得生产过程中，残留各种残渣、钛灰尘、氧化物等残物，很容易完全清干净。

蒸发源A''设置靶蒸发区，采用公转横插挂方式，镀出PVD镀膜（涂层）物件，物理气相沉积镀膜(涂层)膜厚均匀。

蒸发源A''设置靶蒸发区，PVD镀膜（涂层）时温度不会一直上升，可以控制在100-500摄氏度。不用停机等待降温，可以继绩物理气相沉积镀膜(涂层)。物件区可以装制温，冷却控制糸统。

蒸发源A''设置靶蒸发区，定期清理，清理时间约2小时以下就可从新开机工作。

蒸发源A''设置靶蒸发区，可以无限放大真空室，没有无效蒸发区域。两组蒸发源源互相交叉蒸发，物理气相沉积镀膜(涂层)膜厚很均匀，凹角位子与正角位子物理气相沉积镀膜相当均匀，物理气相沉积镀膜(涂层)膜厚4un误差值约0.02un以下。

由于本发明将真空炉体通过档板分隔成两个空间——靶蒸发区和物件区，可以事先调整好靶蒸发区中PVD镀膜各参数的条件，待满足PVD镀膜(涂层)各参数条件后，再将被镀物件从物件区移动入靶蒸发区。这样，可以杜绝瞬间产生的氧物质，避免氧物质污染到被镀物件表面上，从而避免被镀物件产生假性附着，提高产品品质的稳定性。

在真空炉体内，对被镀物件进行PVD镀膜(涂层)的过程为：

将被镀物件B放于真空炉体的物件区S2''；

设置靶蒸发区S1''中蒸发源A''的参数，并使蒸发源A''开始工作；

当参数达到物理气相沉积镀膜(涂层)的要求时，打开挡板D''，将被镀物件从物件区S2''移入靶蒸发区S1''进行物理气相沉积镀膜(涂层)。

传送部件C''包括自转盘15''和公转盘16''，被镀物件放置在物件挂架14''上，物件挂架14''设置在自转盘15''上，自转盘15''与公转盘16''转动连接。通过公转盘16''的转动将被镀物件从物件区S2''移入靶蒸发区S1''。

蒸发靶源可以是电弧靶源或平面靶源.中频园柱靶源及直流靶源。

由于将真空炉体分隔为两个空间，可以事先调整好蒸发靶源的电流以及气体各参数条件，待稳定后开始PVD镀膜(涂层)，使得在启动蒸发靶源（包括电弧靶源或平面靶源.中频园柱靶源及直流靶源）时可以杜绝瞬间产生的氧物质，避免氧物质污染到被镀物件表面上，从而避免被镀物件产生假性附着，提高产品品质的稳定性。

本实施例中，在靶蒸发区设置了1个门、物件区设置了3个门。这样方便清理、打扫。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (8)

1.一种真空炉体，包括炉体本体（11），蒸发源（A），用于放置被镀物件（B）的物件挂架（14），用于放置物件挂架（14）的并移动该物件挂架（14）的转盘（C）；

其特征在于，炉体本体（11）包括底板（111）、自底板（111）弯折延伸的外壁（112）、自底板（111）弯折延伸的并与外壁（112）相隔一定距离的内壁（113）、连接外壁和内壁的顶板和由底板（111）、外壁（112）、内壁（113）和顶板共同围形成密闭空间（S）；

所述炉体本体（11）还包括置于密闭空间（S）内分别与底板（111）、外壁（112）、内壁（113）和顶板相连的第一挡板（17）和第二挡板（18）；所述第一挡板（17）和第二挡板（18）相隔一定的距离并将所述密闭空间分隔成第一分隔空间（S1）和第二分隔空间（S2）；所述第一档板（17）、第二挡板（18）与所述外壁（112）或内壁（113）活动连接；

蒸发源（A）设置于第一分隔空间（S1），物件挂架（14）和转盘（C）设置于第二分隔空间（S2）；

在第一挡板（17）和第二档板（18）打开时，转盘（C）将物件挂架（14）从第二分隔空间（S2）移动至第一分隔空间（S1）内。

2.根据权利要求1所述的真空炉体，其特征在于，蒸发源（A）包括第一蒸发源（A1）和第二蒸发源（A2），

外壁（112）包括位于第一分隔空间（S1）的第一外壁和位于第二分隔空间（S2）的与第一外壁相连的第二外壁，内壁（113）包括位于第一分隔空间（S1）的第一内壁和位于第二分隔空间（S2）与第一内壁相连的第二内壁；

第一蒸发源（A1）和第二蒸发源（A2）分别设在第一外壁和第一内壁，且第一蒸发源（A1）和第二蒸发源（A2）相对设置。

3.根据权利要求1或2所述的真空炉体，其特征在于，蒸发源（A）包括蒸发靶（12）和为蒸发靶（12）提供动力的蒸发靶源（13）。

4.根据权利要求1所述的真空炉体，其特征在于，炉体本体（11）的外壁设置有至少两个门。

5.根据权利要求3所述的真空炉体，其特征在于，蒸发靶源（13）包括电弧靶源或平面靶源、中频园柱靶源、直流靶源中的任一种或其任意组合。

6.一种真空炉体，其特征在于，该真空炉体包括密闭的真空室，该真空室通过挡板（D''）分隔成独立的物件区（S2''）和靶蒸发区（S1''）；

物件区（S2''），用于放置被镀物件（B）；

靶蒸发区（S1''），用于给被镀物件物理气相沉积镀膜；

该真空炉体还包括

控制部件，用于打开档板（D''），将分隔的物件区（S2''）与靶蒸发区（S1''）相通；

传送部件（C''），用于将被镀物件从物件区（S2''）移动至靶蒸发区（S1''）。

7.根据权利要求6所述的真空炉体，其特征在于，靶蒸发区相对设置有第一蒸发源（A1''）和第二蒸发源（A2''）。

8.根据权利要求7所述的真空炉体，其特征在于，第一蒸发源（A1''）和第二蒸发源（A2''）分别包括蒸发靶和为蒸发靶提供动力的蒸发靶源；挡板（D''）包括第一挡板（17''）和第二挡板（18''）。