WO2015143681A1 - 真空炉体 - Google Patents

真空炉体 Download PDF

Info

Publication number
WO2015143681A1
WO2015143681A1 PCT/CN2014/074229 CN2014074229W WO2015143681A1 WO 2015143681 A1 WO2015143681 A1 WO 2015143681A1 CN 2014074229 W CN2014074229 W CN 2014074229W WO 2015143681 A1 WO2015143681 A1 WO 2015143681A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
evaporation
target
baffle
object
furnace body
Prior art date
Application number
PCT/CN2014/074229
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
宋玉琪
宋世源
Original Assignee
宋玉琪
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to CN201420140625.3U priority Critical patent/CN203741405U/zh
Priority to CN201420140625.3 priority
Application filed by 宋玉琪 filed Critical 宋玉琪
Publication of WO2015143681A1 publication Critical patent/WO2015143681A1/zh

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50Substrate holders
    • C23C14/505Substrate holders for rotation of the substrates

Abstract

一种真空炉体,该真空炉体包括炉体本体(11),蒸发源(A),用于放置被镀物件(B)的物件挂架(14),用于放置物件挂架(14)的并移动该物件挂架(14)的转盘(C);炉体本体(11)的底板(111)、外壁(112)、内壁(113)和顶板共同围形成密闭空间(S);所述炉体本体(11)还包括第一挡板(17)和第二挡板(18);第一挡板(17)和第二挡板(18)相隔一定的距离并将所述密闭空间分隔成第一分隔空间(S1)和第二分隔空间(S2)。该真空炉体能杜绝瞬间产生的氧物质,避免氧物质污染到被镀物件表面上,从而避免被镀物件产生假性附着,提高产品品质的稳定性。

Description

真空炉体

技术领域

本实用新型涉及一种真空炉体。 背景技术

现在世界各国釆用圓型炉体设计。 始终造成 P VD(Phy sical Vapor

Deposition, 物理气相沉积镀膜(涂层), 有很多盲点。

生产时产品常常出现假性附着, 脱膜漏白。 假性附着是一种看不到摸不 到的技术难题, 是 PVD镀膜(涂层)最头痛的问题。 严重的假性附着出炉 后可以马上发觉漏白。 最怕的是轻微 ^^性着, 往往是产品到市场才发觉 PVD 镀膜(涂层) 漏白, 影响商誉。

参见图 1 - 3, 现有世界各国釆用圓型炉体设计的真空炉体 1 '包括真空室 11', 蒸发靶 12', 蒸发靶源 13', 物件挂架 14', 自转架 15'和公转盘 16'。

蒸发靶 12'分布于真空室 11'外表面。 现有技术的结构使得整个真空室 11' 布满沉积的各种钛灰尘, 残渣和氧化物质尺。 加温过程中释放出混杂气体, 很容易污染附着上被镀物件表面, 从而产生假性附着, 使得色泽不正, 残渣 容易掉在被镀物件上面产生漏白现象, 镀膜凃层过程中温度一直上升, 需要 停机等待降温到需求温度后, 才可以继績镀膜凃层。 参见图 2, 蒸发靶源 13' 分布于真空室 11'内。 可以看到, 靶源与靶源之间无法互相交叉蒸发。 很容易 造成死角无效区 17',还很容易造成被镀物件在凹角位置很难与正角位置同等 膜厚, 使得 PVD镀膜(涂层)膜厚不均勾。 炉体越大, PVD镀膜(涂层)膜 厚越不均匀。 凹角位置与正角位置 PVD镀膜(涂层)相差更大更严重。 物件 挂架 14'上的被镀物件产品无法实现自转。 PVD镀膜 (涂层)后产品膜厚无法 均匀, 如以 4un膜厚.误差值约 0.5un-lun以上。

本实用新型提出了一种真空炉体, 解决上述技术问题。 . 实用新型内容

基于此, 有必要提供一种真空炉体, 解决了假性附着的技术问题 。 本实用新型提供了一种真空炉体, 包括炉体本体, 蒸发源, 用于放置被 镀物件的物件挂架, 用于放置物件挂架的并移动该物件挂架的转盘;

炉体本体包括底板、 自底板弯折延伸的外壁、 自底板弯折延伸的并与外 壁相隔一定距离的内壁、 连接外壁和内壁的顶板和由底板、 外壁、 内壁和顶 板共同围形成密闭空间;

所述炉体本体还包括置于密闭空间内分别与底板、 外壁、 内壁和顶板相 连的第一挡板和第二挡板; 所述第一挡板和第二挡板相隔一定的距离并将所 述密闭空间分隔成第一分隔空间和第二分隔空间; 所述第一档板、 第二挡板 与所述外壁或内壁活动连接;

蒸发源设置于第一分隔空间, 物件挂架和转盘设置于第二分隔空间; 在第一挡板和第二档板打开时,转盘将物件挂架从第二分隔空间移动至 第一分隔空间内。

优选的, 蒸发源包括第一蒸发源和第二蒸发源,

外壁包括位于第一分隔空间的第一外壁和位于第二分隔空间的与第一 外壁相连的第二外壁, 内壁包括位于第一分隔空间的第一内壁和位于第二分 隔空间与第一内壁相连的第二内壁;

第一蒸发源和第二蒸发源分别设在第一外壁和第一内壁,且第一蒸发源 和第二蒸发源相对设置。 优选的, 蒸发源包括蒸发靶和为蒸发靶提供动力的蒸发靶源。

优选的, 炉体本体的外壁设有至少两个门。

优选的, 蒸发靶源包括电弧靶源或平面靶源、 中频园柱靶源、 直流靶源 中的任一种或其任意组合。

本实用新型还提供了一种真空炉体, 该真空炉体包括密闭的真空室, 该 真空室通过挡板分隔成独立的物件区和靶蒸发区;

物件区, 用于放置被镀物件;

靶蒸发区, 用于给被镀物件物理气相沉积镀膜;

该真空炉体还包括

控制部件, 用于打开档板, 将分隔的物件区与靶蒸发区相通; 传送部件, 用于将被镀物件从物件区移动至靶蒸发区。

优选的, 靶蒸发区相对设置有第一蒸发源和第二蒸发源。

优选的, 第一蒸发源和第二蒸发源分别包括蒸发靶和为蒸发靶提供动力 的蒸发靶源; 挡板包括第一挡板和第二挡板。

釆用本实用新型提供的真空炉体,将蒸发源与被镀物件分别放置在两个 独立分隔的区域, 可以杜绝瞬间产生的氧物质, 避免氧物质污染到被镀物件 表面上, 从而避免被镀物件产生假性附着, 提高产品品质的稳定性。 本实用新型将蒸发源与被镀物件分别放置在两个独立分隔的区域,生产 过程中各种残渣, 钛灰尘, 氧化物, 只残留在单独分隔真空室蒸发区里面, 很容易完全清除干净。 物理气相沉积镀膜 (涂层)膜厚均勾。 没有无效蒸发区 域。

由于釆用了两组蒸发源, 使得内外侧靶源互相交差蒸发, 物理气相沉积 镀膜膜厚很均匀。 凹角位子与正角位子物理气相沉积镀膜 (涂层)膜厚均匀, 物理气相沉积镀膜 (涂层)膜厚误差小。 附图说明

图 1是本实用新型提供的现有技术真空炉体的示意图。

图 2是图 1的内部结构图;

图 3是图 1的俯视图;

图 4是本实用新型提供的一个实施例的整体结构示意图;

图 5是本实用新型提供的一个实施例的内部结构示意图;

图 6是本实用新型提供的 PVD镀膜时工作示意图;

图 7是本实用新型提供的一个实施例的内部结构示意图(电弧靶源或平 面靶源.中频园柱靶源及直流靶源)

图 8是本实用新型提供的一个实施例的内部结构示意图(蒸发源为电弧 靶源或平面靶源.中频园柱靶源及直流靶源;);

图 9是本实用新型提供的一个实施例的内部结构示意图(电弧靶源或平 面靶源.中频园柱靶源及直流靶源)。 具体实施方式

下面结合具体的实施例及附图对的技术方案进行详细的描述, 以使其更 加清楚。 以下实施例仅为了描述本实用新型所列举的较为详细的实施例, 并 不作为对本实用新型所的限定。 实施例一

参见图 4 - 7和图 9,本实用新型提供的真空炉体 10, 包括炉体本体 11, 蒸发源 A, 用于放置被镀物件 B的物件挂架 14, 用于放置物件挂架 14的并 移动该物件挂架 14的转盘 C。

炉体本体 11包括底板 111、 自底板 111弯折延伸的外壁 112、 自底板 111 弯折延伸的并与外壁 112相隔一定距离的内壁 113、连接外壁 112和内壁 113 的顶板(未标示)和由底板 111、 外壁 112、 内壁 113和顶板共同围形成密 闭空间 S (真空室)。

所述炉体本体 11还包括置于分隔空间 s内分别与底板 111、 外壁 112、 内壁 113和顶板相连的第一挡板 17和第二挡板 18;所述第一挡板 17和第二 挡板 18相隔一定的距离并将所述分隔空间 S分隔成第一分隔空间 S 1和第二 分隔空间 S2; 所述第一档板 17、 第二挡板 18与所述外壁 112或内壁 113活 动连接。

蒸发源 A设置于第一分隔空间 S1,物件挂架 14和转盘 C设置于第二分 隔空间 S2。

在第一挡板 17打开时, 转盘 C将物件挂架 14从第二分隔空间 S2移动 至第一分隔空间 S1内。 蒸发源 A包括第一蒸发源 A1和第二蒸发源 A2。 当然也可以只有一个 蒸发源。

外壁 112包括位于第一分隔空间 S1的第一外壁和位于第二分隔空间 S2 的第二外壁, 内壁 113包括位于第一分隔空间 S1的第一内壁和位于第二分 隔空间 S2第二内壁。 第一外壁和第二外壁相连, 第一内壁和第二内壁相连。 也就是说, 第一外壁、 第一内壁、 底板和顶板构成了第一分隔空间 S1; 第 二外壁、 第二内壁、 底板和顶板构成了第二分隔空间。

第一蒸发源 A1和第二蒸发源 A2分别设在第一外壁和第一内壁, 且第 一蒸发源 A1和第二蒸发源 A2相对设置。

设置两个蒸发源, 能更好的提高 PVD镀膜 (涂层)的效率。 参见图 6, 可 以看到, 两个蒸发源, 会互相交叉蒸发离子 L, 提高效率。

蒸发源 A包括蒸发靶 12和为蒸发靶 12提供动力的蒸发靶源 13。

本实用新型中, 蒸发源 A设置第一分隔空间, 使得生产过程中, 残留的 各种残渣、 钛灰尘、 氧化物等残物, 很容易完全清干净。

蒸发源 A设置在第一分隔空间, 釆用公转横插挂方式, 镀出 PVD镀层 (涂层)物件,物理气相沉积镀膜膜厚均匀,蒸发靶源设置在第一分隔空间。

蒸发源 A设置在第一分隔空间, PVD镀膜(涂层) 时温度不会一直上 升, 可以控制在 100-500摄氏度。 不用停机等待降温, 可以继績镀膜 (涂层)。 第二分隔空间可以装制温, 冷却控制糸统。

蒸发源 A设置在第一分隔空间,定期清理, 清理时间约 2小时以下就可 从新开机工作。 蒸发源 A设置在第一分隔空间,可以无限放大真空室,没有无效蒸发区 域。 两组蒸发源源互相交叉蒸发, PVD镀膜 (涂层)膜厚很均匀, 凹角位子与 正角位子 PVD 镀膜 (涂层)相当均勾, PVD镀膜 (涂层)膜厚 4un误差值约 0.02un以下。

炉体本体 11的外壁, 本实用新型提高的实施例中, 参见图 4, 在第一分 隔空间设置了 1个门 lld、 在第二分隔空间设置了 3个门 lla, lib, llc。 这 样方便清理、 打扫。

转盘 C包括自转盘 15和公转盘 16, 被镀物件放置在物件挂架 14上, 物件挂架 14设置在自转盘 15上, 自转盘 15与公转盘 16转动连接。 通过公 转盘 16的转动将被镀物件从物件区 S2移入靶蒸发区 Sl。

蒸发靶源 13可以是蒸发源为电弧靶源或平面靶源、 中频园柱靶源、 直 流靶源中的任一种或其任意组合。

由于本发明将真空炉体通过第一档板和第二档板分隔成两个空间—— 第一分隔空间和第二分隔空间, 可以事先调整好第一分隔空间中 PVD镀膜 各参数的条件, 待满足 PVD镀膜各参数条件后, 再将被镀物件从第二分隔 空间移动入第一分隔空间。 这样, 可以杜绝瞬间产生的氧物质, 避免氧物质 污染到被镀物件表面上, 从而避免被镀物件产生假性附着, 提高产品品质的 稳定性。

在真空炉体内, 对被镀物件进行 PVD镀膜 (涂层)的过程为:

将被镀物件 B放于真空炉体的第二分隔 S2空间;

设置第一分隔空间 S1中蒸发源的参数, 并使蒸发源 A开始工作; 当参数达到物理气相沉积镀膜 (涂层)的要求时,打开第一挡板 17和第二 挡板 18, 利用转盘 C将被镀物件从第二分隔空间 S2移入第一分隔空间 S1 进行物理气相沉积镀膜 (涂层)。

由于将真空炉体分隔为两个空间,可以事先调整好蒸发靶源的电流以及 气体各参数条件,待稳定后开始 PVD镀膜(涂层),使得在启动蒸发靶源(包 括电弧靶源或平面靶源、 中频园柱靶源及直流靶源)时可以杜绝瞬间产生的 氧物质, 避免氧物质污染到被镀物件表面上, 从而避免被镀物件产生假性附 着, 提高产品品质的稳定性。

实施例二

在另外一个实施例中,参见图 8,本实用新型提供的另一种真空炉体 10", 该真空炉体包括分隔的真空室, 该真空室通过挡板 D"分隔成独立的物件区 S2"和靶蒸发区 Sl"。

物件区 S2", 用于放置被镀物件 B。

靶蒸发区 Sl", 用于给被镀物件物理气相沉积镀膜 (涂层)。

该真空炉体还包括控制部件(未图示),用于打开档板 D",将物件区 S2" 与靶蒸发区 S1"连通。

传送部件 C", 用于将物件区 S2"的被镀物件移动至靶蒸发区 Sl"。

靶蒸发区 S1"相对设置有第一蒸发源 ΑΓ和第二蒸发源 A2"。

当然,一个蒸发源也是可以的,但是两个蒸发源可以提高效率,速度快, PVD镀膜 (涂层)比较均匀, PVD镀膜 (涂层)的效果更好。

第一蒸发源 ΑΓ和第二蒸发源 A2"分别包括蒸发靶和为蒸发靶提供动力 的蒸发靶源; 挡板 D"包括第一挡板 17"和第二挡板 18"。 当然挡板 D"也可以 只有一个, 只要能够将物件区 S2"和靶蒸发区 S1"隔离就可以。

本实用新型中, 蒸发源 A"设置靶蒸发区, 使得生产过程中, 残留各种 残渣、 钛灰尘、 氧化物等残物, 很容易完全清干净。

蒸发源 A"设置靶蒸发区, 釆用公转横插挂方式,镀出 PVD镀膜 (涂层 ) 物件, 物理气相沉积镀膜 (涂层)膜厚均匀。

蒸发源 A"设置靶蒸发区, PVD镀膜(涂层) 时温度不会一直上升, 可 以控制在 100-500摄氏度。 不用停机等待降温, 可以继績物理气相沉积镀膜 (涂层)。 物件区可以装制温, 冷却控制糸统。

蒸发源 A"设置靶蒸发区, 定期清理, 清理时间约 2小时以下就可从新 开机工作。

蒸发源 A"设置靶蒸发区, 可以无限放大真空室, 没有无效蒸发区域。 两组蒸发源源互相交叉蒸发, 物理气相沉积镀膜 (涂层)膜厚很均勾, 凹角位 子与正角位子物理气相沉积镀膜相当均勾, 物理气相沉积镀膜 (涂层)膜厚 4un误差值约 0.02un以下。

由于本发明将真空炉体通过档板分隔成两个空间——靶蒸发区和物件 区, 可以事先调整好靶蒸发区中 PVD镀膜各参数的条件, 待满足 PVD镀膜 (涂层)各参数条件后, 再将被镀物件从物件区移动入靶蒸发区。 这样, 可以 杜绝瞬间产生的氧物质, 避免氧物质污染到被镀物件表面上, 从而避免被镀 物件产生假性附着, 提高产品品质的稳定性。

在真空炉体内, 对被镀物件进行 PVD镀膜 (涂层)的过程为: 将被镀物件 B放于真空炉体的物件区 S2";

设置靶蒸发区 S1"中蒸发源 A"的参数, 并使蒸发源 A"开始工作; 当参数达到物理气相沉积镀膜 (涂层)的要求时, 打开挡板 D", 将被镀物 件从物件区 S2"移入靶蒸发区 S1"进行物理气相沉积镀膜 (涂层)。

传送部件 C"包括自转盘 15"和公转盘 16",被镀物件放置在物件挂架 14" 上, 物件挂架 14"设置在自转盘 15"上, 自转盘 15"与公转盘 16"转动连接。 通过公转盘 16"的转动将被镀物件从物件区 S2"移入靶蒸发区 Sl"。

蒸发靶源可以是电弧靶源或平面靶源 .中频园柱靶源及直流靶源。

由于将真空炉体分隔为两个空间,可以事先调整好蒸发靶源的电流以及 气体各参数条件, 待稳定后开始 PVD镀膜 (涂层), 使得在启动蒸发靶源(包 括电弧靶源或平面靶源.中频园柱靶源及直流靶源)时可以杜绝瞬间产生的氧 物质,避免氧物质污染到被镀物件表面上,从而避免被镀物件产生假性附着, 提高产品品质的稳定性。

本实施例中, 在靶蒸发区设置了 1个门、 物件区设置了 3个门。 这样方 便清理、 打扫。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式,其描述较为具体 和详细, 但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。 应当指出的 是, 对于本领域的普通技术人员来说, 在不脱离本实用新型构思的前提下, 还可以做出若干变形和改进, 这些都属于本实用新型的保护范围。 因此, 本 实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims

权利要求书
1、 一种真空炉体, 包括炉体本体(11), 蒸发源 (A), 用于放置被镀物 件 (B ) 的物件挂架 (14), 用于放置物件挂架 (14) 的并移动该物件挂架
( 14) 的转盘(C);
其特征在于, 炉体本体 ( 11 ) 包括底板( 111 )、 自底板( 111 ) 弯折延伸 的外壁 (112)、 自底板(111 ) 弯折延伸的并与外壁 (112)相隔一定距离的 内壁 (113)、 连接外壁和内壁的顶板和由底板( 111 )、 外壁 ( 112)、 内壁 ( 113)和顶板共同围形成密闭空间 (S);
所述炉体本体( 11 )还包括置于密闭空间 (S ) 内分别与底板(111)、 外壁 (112)、 内壁 (113)和顶板相连的第一挡板(17) 和第二挡板(18); 所述第一挡板(17)和第二挡板(18)相隔一定的距离并将所述密闭空间分 隔成第一分隔空间 (S1 )和第二分隔空间 ( S2 ); 所述第一档板(17)、 第二 挡板(18)与所述外壁 (112)或内壁 (113)活动连接;
蒸发源 (A)设置于第一分隔空间 (Sl), 物件挂架 (14)和转盘 (C) 设置于第二分隔空间 (S2);
在第一挡板 ( 17 ) 和第二档板 (18 ) 打开时, 转盘 (C) 将物件挂架 ( 14)从第二分隔空间 (S2)移动至第一分隔空间 (S1 ) 内。
2、 根据权利要求 1所述的真空炉体, 其特征在于, 蒸发源 (A) 包括第 一蒸发源 (A1 )和第二蒸发源 (A2),
外壁 (112) 包括位于第一分隔空间 (S1 ) 的第一外壁和位于第二分隔 空间 (S2) 的与第一外壁相连的第二外壁, 内壁 (113 ) 包括位于第一分隔 空间 (S1 ) 的第一内壁和位于第二分隔空间 (S2) 与第一内壁相连的第二内 壁;
第一蒸发源 (A1 ) 和第二蒸发源 (A2 ) 分别设在第一外壁和第一内 壁, 且第一蒸发源 (A1 )和第二蒸发源 (A2)相对设置。 3、 根据权利要求 1或 2所述的真空炉体, 其特征在于, 蒸发源 (A) 包 括蒸发靶( 12 )和为蒸发靶( 12 )提供动力的蒸发靶源 ( 13 )。
4、 根据权利要求 1 所述的真空炉体, 其特征在于, 炉体本体(11) 的 外壁设置有至少两个门。
5、 根据权利要求 3 所述的真空炉体, 其特征在于, 蒸发靶源 (13) 包 括电弧靶源或平面靶源、 中频园柱靶源、 直流靶源中的任一种或其任意组 合。
6、 一种真空炉体, 其特征在于, 该真空炉体包括密闭的真空室, 该真空 室通过挡板(D")分隔成独立的物件区 (S2")和靶蒸发区 (S1");
物件区 ( S2" ), 用于放置被镀物件 ( B );
靶蒸发区 (Sl"), 用于给被镀物件物理气相沉积镀膜;
该真空炉体还包括
控制部件, 用于打开档板(D"), 将分隔的物件区 (S2") 与靶蒸发区 (S1")相通;
传送部件 (C"), 用于将被镀物件从物件区 (S2") 移动至靶蒸发区
(sr)。
7、 根据权利要求 6 所述的真空炉体, 其特征在于, 靶蒸发区相对设置 有第一蒸发源 (ΑΓ)和第二蒸发源 (A2")。
8、 根据权利要求 7所述的真空炉体, 其特征在于, 第一蒸发源 (A1") 和第二蒸发源 (A2") 分别包括蒸发靶和为蒸发靶提供动力的蒸发靶源; 挡 板(D") 包括第一挡板(17")和第二挡板(18")。
PCT/CN2014/074229 2014-03-26 2014-03-27 真空炉体 WO2015143681A1 (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201420140625.3U CN203741405U (zh) 2014-03-26 2014-03-26 真空炉体
CN201420140625.3 2014-03-26

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2015143681A1 true WO2015143681A1 (zh) 2015-10-01

Family

ID=51341229

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/CN2014/074229 WO2015143681A1 (zh) 2014-03-26 2014-03-27 真空炉体

Country Status (3)

Country Link
CN (1) CN203741405U (zh)
TW (2) TWI565925B (zh)
WO (1) WO2015143681A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106868457B (zh) * 2017-03-22 2019-03-12 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种蒸镀组件及蒸镀设备

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2736368Y (zh) * 2004-09-09 2005-10-26 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 一种光学镀膜设备
JP2006077308A (ja) * 2004-09-13 2006-03-23 Murata Mfg Co Ltd 真空蒸着装置
CN101760720A (zh) * 2009-12-30 2010-06-30 东莞宏威数码机械有限公司 真空腔体遮挡装置
CN101876058A (zh) * 2010-03-23 2010-11-03 东莞宏威数码机械有限公司 真空蒸镀装置
JP2012164847A (ja) * 2011-02-08 2012-08-30 Sumitomo Electric Ind Ltd 蒸着法における成膜条件の評価方法、および蒸着装置
CN102978577A (zh) * 2011-09-06 2013-03-20 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 中频磁控溅射镀膜装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2736368Y (zh) * 2004-09-09 2005-10-26 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 一种光学镀膜设备
JP2006077308A (ja) * 2004-09-13 2006-03-23 Murata Mfg Co Ltd 真空蒸着装置
CN101760720A (zh) * 2009-12-30 2010-06-30 东莞宏威数码机械有限公司 真空腔体遮挡装置
CN101876058A (zh) * 2010-03-23 2010-11-03 东莞宏威数码机械有限公司 真空蒸镀装置
JP2012164847A (ja) * 2011-02-08 2012-08-30 Sumitomo Electric Ind Ltd 蒸着法における成膜条件の評価方法、および蒸着装置
CN102978577A (zh) * 2011-09-06 2013-03-20 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 中频磁控溅射镀膜装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN203741405U (zh) 2014-07-30
TWI565925B (zh) 2017-01-11
TW201537131A (zh) 2015-10-01
TWM491046U (zh) 2014-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201624589A (zh) 增進製程均勻性的方法及系統
CN103261474B (zh) 用于基板的载具及组装该载具的方法
JP5912228B2 (ja) ガスバリア性積層体の製造方法
US7060167B2 (en) Vacuum arc vapor deposition apparatus
CN1902445B (zh) 热烹饪设备
JP2015146347A5 (zh)
WO2009086013A3 (en) Method and apparatus for controlling temperature of a substrate
BR9912722A (pt) Sistema e processo para fundir e evaporar continuamente um material sólido, sistema de revestimento por deposição de vapor, eletrodo continuamente alimentado, aparelho de descarga de arco elétrico , processos para produzir uma descarga de arco elétrico, para revestir por deposição de vapor, para ionizar um vapor de revestimento, para medir o grau de ionização e a taxa de evaporação a partir de um evaporador em um sistema de revestimento por deposição de vapor e para remover material depositado em uma célula de vácuo por um vapor de revestimento
CN103938168B (zh) 磁控溅射镀膜系统
KR100800223B1 (ko) 아크 이온 도금장치
JP2008520525A (ja) 配列構造を有するコーティングの蒸着方法および設備
US9934948B2 (en) Magnetron-sputtering coating system and method, and display substrate
TW201225205A (en) Deposition ring and electrostatic chuck for physical vapor deposition chamber
JP2015515551A5 (zh)
JP4727355B2 (ja) 成膜方法
TW200613577A (en) Vacuum treatment device and method for producing optical disk
CN205252105U (zh) 一种高压蒸汽灭菌器
JP2007138286A (ja) アークイオンプレーティング装置
JP4492963B2 (ja) 薄膜の成膜方法、気相成長装置、プログラム
EP0699246B1 (en) Apparatus for coating substrates
CN1535203A (zh) 蒸镀膜
WO2015056063A1 (en) Oven for the foodservice industry with a device for feeding the detergent to the washing system of the cooking chamber
TWI613311B (zh) 基板處理裝置
TW200710241A (en) Apparatus for depositing an organic layer and method for controlling a heating unit thereof
WO1999002463A1 (de) Temperaturbeständige und kratzfeste antihaftbeschichtung

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 14886840

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase in:

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 14886840

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1