CN203674217U - 一种晶闸管芯片 - Google Patents
一种晶闸管芯片 Download PDFInfo
- Publication number
- CN203674217U CN203674217U CN201420028085.XU CN201420028085U CN203674217U CN 203674217 U CN203674217 U CN 203674217U CN 201420028085 U CN201420028085 U CN 201420028085U CN 203674217 U CN203674217 U CN 203674217U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- gate
- electrode
- chip
- cathode
- thyristor chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 claims abstract description 10
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 13
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 abstract description 15
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 abstract description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 abstract description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 abstract 1
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Thyristors (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种晶闸管芯片,包括硅片,硅片上设有阴极和门极,所述阴极上设有阴极电极;所述门极上设有门极电极。所述门极电极高度大于等于阴极电极的高度。本实用新型解决了现有晶闸管芯片门极与引线锡焊时易产生硅裂,应力大,门极易损坏的问题,同时,解决了由于门极低于阴极,在涂抹硅橡胶保护层时易覆盖门极,易造成焊接门极电极虚焊和阴极短路的问题。可广泛应用于晶闸管芯片领域。
Description
技术领域
本实用新型涉及晶闸管领域,尤其是涉及一种晶闸管芯片。
背景技术
大功率半导体芯片晶闸管一般都设有上下电极,而晶闸管门极均都不设金属电极,只在门极的多层金属层上直接采用焊锡焊引线,由于晶闸管的阴极和阳极均加上了钼等金属电极,又由于门极无电极,所以门极和阴极不在一个平面上,处于凹坑状态。焊接引线时及不方便,易造成与阴极短路。同时焊接引线时由于焊料较厚易产生应力导致硅裂,使门极损坏。同时,在涂抹硅橡胶保护层时,由于门极低,硅橡胶易流入门极内,覆盖住门极表面,影响后期焊接接线。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种晶闸管芯片,解决现有晶闸管芯片门极与引线锡焊时易产生硅裂,损坏门极的问题。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种晶闸管芯片,包括硅片,硅片上设有阴极和门极,所述阴极上设有阴极电极;所述门极上设有门极电极。
为避免焊接时门极虚焊及焊接时阴极和门极造成短路,所述门极电极高度大于等于阴极电极的高度。
优选的,所述门极电极的材料为铜或钼。
进一步的,所述门极电极的形状为圆形或多边形。
为方便焊接时不容易造成晶闸管芯片的损伤,所述晶闸管芯片的周边设置有绝缘材料,为防止焊接时门极和阴极造成短路,门极电极和阴极电极间也填充有绝缘材料。
优选的,所述绝缘材料为硅橡胶。
本实用新型的有益效果:通过在门极上设置门极电极,避免原来引线直接焊接在门极上,由于焊锡较厚,应力大,门极易产生硅裂,造成损坏的问题。所述的门极电极的高度大于等于阴极电极的高度,防止在涂抹硅橡胶保护的时候,硅橡胶覆盖在门极电极上,造成焊接门极虚焊和门极与阴极短路的问题。所述门极电极采用铜片或钼片,导电效果更好。所述晶闸管芯片的周边设置有绝缘材料,避免在焊接时,阴极和阳极造成短路,提高绝缘性能。同时,由于周边设置有绝缘材料,在搬运和焊接时,避免晶闸管芯片由于外力造成损伤。所述门极电极和阴极电极间填充有绝缘材料,避免阴极和门极焊接短路。
以下将结合附图和实施例,对本实用新型进行较为详细的说明。
附图说明
图1为本实用新型的剖视图。
具体实施方式
实施例,如图1所示,一种晶闸管芯片,包括硅片1,硅片1上设有阴极和门极,硅片1的另一面设置有阳极,阳极上设有阳极电极4。所述阴极上设有阴极电极2;所述门极上设有门极电极3。所述硅片1与阴极电极2、门极电极3及阳极电极4间通过焊料5焊接。所述门极电极,避免原来引线直接焊接在门极上,由于焊锡较厚,应力大,门极易产生硅裂,造成损坏的问题。进一步的,所述门极电极3高度大于等于阴极电极2的高度,防止在涂抹硅橡胶保护的时候,硅橡胶覆盖在门极上,造成焊接门极虚焊和门极与阴极短路的问题。优选的,所述门极电极3的材料为铜或钼;所述门极电极3的形状为圆形或多边形。
所述晶闸管芯片的周边设置有绝缘材料6,避免在焊接时,阴极和阳极造成短路,同时,由于周边设置有绝缘材料,在搬运和焊接时,避免晶闸管芯片由于外力造成损伤。门极电极3和阴极电极2间也填充有绝缘材料6,避免焊接时阴极和门极短路。
优选的,所述绝缘材料6为硅橡胶。
Claims (4)
1.一种晶闸管芯片,包括硅片(1),硅片(1)上设有阴极和门极,所述阴极上设有阴极电极(2);其特征在于:所述门极上设有门极电极(3);所述门极电极(3)高度大于等于阴极电极(2)的高度;
所述晶闸管芯片的周边设置有绝缘材料(6),门极电极(3)和阴极电极(2)间也填充有绝缘材料(6)。
2.如权利要求1所述的晶闸管芯片,其特征在于:所述门极电极(3)的材料为铜或钼。
3.如权利要求1或2所述的晶闸管芯片,其特征在于:所述门极电极(3)的形状为圆形或多边形。
4.如权利要求1所述的晶闸管芯片,其特征在于:所述绝缘材料(6)为硅橡胶。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201420028085.XU CN203674217U (zh) | 2014-01-16 | 2014-01-16 | 一种晶闸管芯片 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201420028085.XU CN203674217U (zh) | 2014-01-16 | 2014-01-16 | 一种晶闸管芯片 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN203674217U true CN203674217U (zh) | 2014-06-25 |
Family
ID=50970482
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201420028085.XU Expired - Lifetime CN203674217U (zh) | 2014-01-16 | 2014-01-16 | 一种晶闸管芯片 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN203674217U (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111128900A (zh) * | 2018-10-30 | 2020-05-08 | 株洲中车时代电气股份有限公司 | Igbt芯片子单元的封装结构及其制造方法 |
-
2014
- 2014-01-16 CN CN201420028085.XU patent/CN203674217U/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111128900A (zh) * | 2018-10-30 | 2020-05-08 | 株洲中车时代电气股份有限公司 | Igbt芯片子单元的封装结构及其制造方法 |
CN111128900B (zh) * | 2018-10-30 | 2021-06-08 | 株洲中车时代半导体有限公司 | Igbt芯片子单元的封装结构及其制造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103177995A (zh) | 一种igbt一次焊接用定位板 | |
CN103426780A (zh) | 焊球阵列用作高度垫块及焊料固定物 | |
CN203674217U (zh) | 一种晶闸管芯片 | |
CN105390585A (zh) | 芯片封装模块与封装基板 | |
CN204885277U (zh) | 扣式碰焊电池防短路保护结构 | |
CN203521472U (zh) | 一种倒装led芯片的焊接电极结构及倒装led芯片 | |
CN103779341A (zh) | 一种大功率半桥模块 | |
CN104332465B (zh) | 一种3d封装结构及其工艺方法 | |
CN104362137A (zh) | 一种高散热性二极管 | |
CN205984897U (zh) | 一种使用高耐压快恢复芯片的助焊二极管 | |
CN203774337U (zh) | 大功率整流器件 | |
CN203733805U (zh) | 低功耗整流器件 | |
CN204216026U (zh) | 一种高散热性二极管 | |
CN204481021U (zh) | 新型二极管 | |
TWI423415B (zh) | 具有低阻值基材與低損耗功率之半導體結構 | |
CN104125768A (zh) | 数码管的制作工艺 | |
CN202231626U (zh) | 陶瓷壳体高频三相整流桥结构 | |
CN203277488U (zh) | 倒装led芯片焊接保护结构 | |
CN206947319U (zh) | 一种大功率瞬态电压抑制器结构 | |
CN204189783U (zh) | 降低mos芯片内阻的封装结构 | |
CN203733808U (zh) | 整流二极管器件 | |
CN203434182U (zh) | 一种led共晶晶片 | |
CN104409430B (zh) | 一种半导体器件及其封装方法 | |
CN204189545U (zh) | 贴片元件 | |
CN203733807U (zh) | 高可靠性表面贴装二极管 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CP03 | Change of name, title or address | ||
CP03 | Change of name, title or address |
Address after: 245000 No. 449 Xinxing Road, Qimen County, Anhui, Huangshan City Patentee after: Huangshan core Microelectronics Co.,Ltd. Address before: 245600 No. 449 Xinxing Road, Qimen County, Anhui, Huangshan City Patentee before: HUANGSHAN ELECTRIC APPLIANCE Co.,Ltd. |
|
CX01 | Expiry of patent term | ||
CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20140625 |