CN203674217U - 一种晶闸管芯片 - Google Patents

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王民安
王日新
黄富强
汪杏娟
叶民强
项建辉
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Huangshan Core Microelectronics Co ltd
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HUANGSHAN ELECTRIC APPLIANCE CO Ltd QIMEN COUNTY ANHUI PROV
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Abstract

本实用新型公开了一种晶闸管芯片,包括硅片,硅片上设有阴极和门极,所述阴极上设有阴极电极;所述门极上设有门极电极。所述门极电极高度大于等于阴极电极的高度。本实用新型解决了现有晶闸管芯片门极与引线锡焊时易产生硅裂,应力大,门极易损坏的问题,同时,解决了由于门极低于阴极,在涂抹硅橡胶保护层时易覆盖门极,易造成焊接门极电极虚焊和阴极短路的问题。可广泛应用于晶闸管芯片领域。

Description

一种晶闸管芯片
技术领域
本实用新型涉及晶闸管领域,尤其是涉及一种晶闸管芯片。
背景技术
大功率半导体芯片晶闸管一般都设有上下电极,而晶闸管门极均都不设金属电极,只在门极的多层金属层上直接采用焊锡焊引线,由于晶闸管的阴极和阳极均加上了钼等金属电极,又由于门极无电极,所以门极和阴极不在一个平面上,处于凹坑状态。焊接引线时及不方便,易造成与阴极短路。同时焊接引线时由于焊料较厚易产生应力导致硅裂,使门极损坏。同时,在涂抹硅橡胶保护层时,由于门极低,硅橡胶易流入门极内,覆盖住门极表面,影响后期焊接接线。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种晶闸管芯片,解决现有晶闸管芯片门极与引线锡焊时易产生硅裂,损坏门极的问题。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种晶闸管芯片,包括硅片,硅片上设有阴极和门极,所述阴极上设有阴极电极;所述门极上设有门极电极。
为避免焊接时门极虚焊及焊接时阴极和门极造成短路,所述门极电极高度大于等于阴极电极的高度。
优选的,所述门极电极的材料为铜或钼。
进一步的,所述门极电极的形状为圆形或多边形。
为方便焊接时不容易造成晶闸管芯片的损伤,所述晶闸管芯片的周边设置有绝缘材料,为防止焊接时门极和阴极造成短路,门极电极和阴极电极间也填充有绝缘材料。
优选的,所述绝缘材料为硅橡胶。
本实用新型的有益效果:通过在门极上设置门极电极,避免原来引线直接焊接在门极上,由于焊锡较厚,应力大,门极易产生硅裂,造成损坏的问题。所述的门极电极的高度大于等于阴极电极的高度,防止在涂抹硅橡胶保护的时候,硅橡胶覆盖在门极电极上,造成焊接门极虚焊和门极与阴极短路的问题。所述门极电极采用铜片或钼片,导电效果更好。所述晶闸管芯片的周边设置有绝缘材料,避免在焊接时,阴极和阳极造成短路,提高绝缘性能。同时,由于周边设置有绝缘材料,在搬运和焊接时,避免晶闸管芯片由于外力造成损伤。所述门极电极和阴极电极间填充有绝缘材料,避免阴极和门极焊接短路。
以下将结合附图和实施例,对本实用新型进行较为详细的说明。
附图说明
图1为本实用新型的剖视图。
具体实施方式
实施例,如图1所示,一种晶闸管芯片,包括硅片1,硅片1上设有阴极和门极,硅片1的另一面设置有阳极,阳极上设有阳极电极4。所述阴极上设有阴极电极2;所述门极上设有门极电极3。所述硅片1与阴极电极2、门极电极3及阳极电极4间通过焊料5焊接。所述门极电极,避免原来引线直接焊接在门极上,由于焊锡较厚,应力大,门极易产生硅裂,造成损坏的问题。进一步的,所述门极电极3高度大于等于阴极电极2的高度,防止在涂抹硅橡胶保护的时候,硅橡胶覆盖在门极上,造成焊接门极虚焊和门极与阴极短路的问题。优选的,所述门极电极3的材料为铜或钼;所述门极电极3的形状为圆形或多边形。
所述晶闸管芯片的周边设置有绝缘材料6,避免在焊接时,阴极和阳极造成短路,同时,由于周边设置有绝缘材料,在搬运和焊接时,避免晶闸管芯片由于外力造成损伤。门极电极3和阴极电极2间也填充有绝缘材料6,避免焊接时阴极和门极短路。
优选的,所述绝缘材料6为硅橡胶。

Claims (4)

1.一种晶闸管芯片,包括硅片(1),硅片(1)上设有阴极和门极,所述阴极上设有阴极电极(2);其特征在于:所述门极上设有门极电极(3);所述门极电极(3)高度大于等于阴极电极(2)的高度; 
所述晶闸管芯片的周边设置有绝缘材料(6),门极电极(3)和阴极电极(2)间也填充有绝缘材料(6)。 
2.如权利要求1所述的晶闸管芯片,其特征在于:所述门极电极(3)的材料为铜或钼。 
3.如权利要求1或2所述的晶闸管芯片,其特征在于:所述门极电极(3)的形状为圆形或多边形。 
4.如权利要求1所述的晶闸管芯片,其特征在于:所述绝缘材料(6)为硅橡胶。 
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN111128900A (zh) * 2018-10-30 2020-05-08 株洲中车时代电气股份有限公司 Igbt芯片子单元的封装结构及其制造方法

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CP03 Change of name, title or address
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Patentee after: Huangshan core Microelectronics Co.,Ltd.

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Patentee before: HUANGSHAN ELECTRIC APPLIANCE Co.,Ltd.

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