CN203733805U - 低功耗整流器件 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开一种低功耗整流器件，包括二极管芯片、第一铜引线和第二铜引线；二极管芯片包括具有P区和N区的硅片衬底，P区周边覆盖保护膜层，P区中央为正极金属层，N区下表面为负极金属层，P区与N区为弧形接触面；位于第一焊接区一端的第一引线端头通过焊膏层与所述二极管芯片的正极金属层连接，位于第二焊接区一端的第二引线端头通过焊膏层与所述二极管芯片的负极金属层连接；所述第一铜引线的第一焊接区、第二铜引线的第二焊接区中部均设有凸条。本实用新型增加了PN结有效面积，从而显著降低二极管在电路中应用时的功耗，且大大减低了环氧封装体与铜引线之间开裂和二极管芯片与铜引线焊接不牢的风险。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种低功耗整流器件，属于半导体元器件领域。
背景技术
整流器件是最基本的半导体器件，主要作用为将交流电转变为直流电，广泛应用于各种电子线路。现有的整流二极管器件体积较大，安装不方便，且安装时，容易造成环氧封装体与铜引线开裂，以及影响二极管芯片与铜引线焊接牢度。因此，如何设计一种安装方便且可靠性高的整流二极管器件，是本实用新型研究的问题。
发明内容
本实用新型提供一种低功耗整流器件，该低功耗整流器件增加了PN结有效面积，从而显著降低二极管在电路中应用时的功耗，且大大减低了环氧封装体与铜引线之间开裂，以及大大减少后续使用中导致二极管芯片与铜引线焊接不牢的风险。
为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种低功耗整流器件，包括二极管芯片、第一铜引线和第二铜引线；
所述二极管芯片包括具有P区和N区的硅片衬底，所述P区周边覆盖保护膜层，P区中央为正极金属层，N区下表面为负极金属层，所述P区与N区为弧形接触面；
所述第一铜引线，此第一铜引线一端为第一焊接区，此第一铜引线另一端作为整流二极管器件的阳极端子区；
所述第二铜引线，此第二铜引线一端为第二焊接区，此第二铜引线另一端作为整流二极管器件的阴极端子区；
位于第一焊接区一端的第一引线端头通过焊膏层与所述二极管芯片的正极金属层连接，位于第二焊接区一端的第二引线端头通过焊膏层与所述二极管芯片的负极金属层连接；
所述第一铜引线的第一焊接区、第二铜引线的第二焊接区中部均设有凸条；
一环氧封装体包覆所述二极管芯片、第一焊接区、第二焊接区和凸条。
上述技术方案中进一步改进的方案如下：
1. 上述方案中，所述凸条分别与第一焊接区、第二焊接区垂直设置。
2. 上述方案中，所述凸条的长度大于第一引线端头、第二引线端头的长度。
由于上述技术方案运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点：
本实用新型整流二极管器件，其P区与N区之间的接触面呈弧形，增加了PN结有效面积，从而显著降低二极管在电路中应用时的功耗；其次，其包括二极管芯片、第一铜引线、第二铜引线，第一铜引线的第一焊接区、第二铜引线的第二焊接区中部均设有凸条，一环氧封装体包覆所述二极管芯片、第一焊接区和第二焊接区，大大减低了环氧封装体与铜引线之间开裂，以及大大减少后续使用中导致二极管芯片与铜引线焊接不牢的风险。
附图说明
附图1为本实用新型低功耗整流器件结构示意图；
附图2为本实用新型整流器件中二极管芯片结构示意图。
以上附图中：1、二极管芯片；2、第一铜引线；21、第一焊接区；22、阳极端子区；3、第二铜引线；31、第二焊接区；32、阴极端子区；4、第一引线端头；5、焊膏层；6、第二引线端头；7、环氧封装体；8、凸条；9、硅片衬底；91、P区；92、N区；10、保护膜层；11、弧形接触面。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述：
实施例：一种低功耗整流器件，包括二极管芯片1、第一铜引线2和第二铜引线3；
所述二极管芯片1包括具有P区91和N区92的硅片衬底9，所述P区91周边覆盖保护膜层10，P区91中央为正极金属层，N区92下表面为负极金属层，所述P区91与N区92为弧形接触面11；
所述第一铜引线2，此第一铜引线2一端为第一焊接区21，此第一铜引线2另一端作为整流二极管器件的阳极端子区22；
所述第二铜引线3，此第二铜引线3一端为第二焊接区31，此第二铜引线3另一端作为整流二极管器件的阴极端子区32；
位于第一焊接区21一端的第一引线端头4通过焊膏层5与所述二极管芯片1的正极金属层连接，位于第二焊接区31一端的第二引线端头6通过焊膏层5与所述二极管芯片1的负极金属层连接；
所述第一铜引线2的第一焊接区21、第二铜引线3的第二焊接区31中部均设有凸条8；
一环氧封装体7包覆所述二极管芯片2、第一焊接区21、第二焊接区31和凸条8。
上述凸条8分别与第一焊接区21、第二焊接区31垂直设置；上述凸条8的长度大于第一引线端头4、第二引线端头6的长度。
采用上述低功耗整流器件时，其P区与N区之间的接触面呈弧形，增加了PN结有效面积，从而显著降低二极管在电路中应用时的功耗；其次，其包括二极管芯片、第一铜引线、第二铜引线，第一铜引线的第一焊接区、第二铜引线的第二焊接区中部均设有凸条，一环氧封装体包覆所述二极管芯片、第一焊接区和第二焊接区，大大减低了环氧封装体与铜引线之间开裂，以及大大减少后续使用中导致二极管芯片与铜引线焊接不牢的风险。
上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
Claims (3)
1. 一种低功耗整流器件，其特征在于：包括二极管芯片（1）、第一铜引线（2）和第二铜引线（3）；
所述二极管芯片（1）包括具有P区（91）和N区（92）的硅片衬底（9），所述P区（91）周边覆盖保护膜层（10），P区（91）中央为正极金属层，N区（92）下表面为负极金属层，所述P区（91）与N区（92）为弧形接触面（11）；
所述第一铜引线（2），此第一铜引线（2）一端为第一焊接区（21），此第一铜引线（2）另一端作为整流二极管器件的阳极端子区（22）；
所述第二铜引线（3），此第二铜引线（3）一端为第二焊接区（31），此第二铜引线（3）另一端作为整流二极管器件的阴极端子区（32）；
位于第一焊接区（21）一端的第一引线端头（4）通过焊膏层（5）与所述二极管芯片（1）的正极金属层连接，位于第二焊接区（31）一端的第二引线端头（6）通过焊膏层（5）与所述二极管芯片（1）的负极金属层连接；
所述第一铜引线（2）的第一焊接区（21）、第二铜引线（3）的第二焊接区（31）中部均设有凸条（8）；
一环氧封装体（7）包覆所述二极管芯片（2）、第一焊接区（21）、第二焊接区（31）和凸条（8）。
2. 根据权利要求1所述的低功耗整流器件，其特征在于：所述凸条（8）分别与第一焊接区（21）、第二焊接区（31）垂直设置。
3. 根据权利要求1所述的低功耗整流器件，其特征在于：所述凸条（8）的长度大于第一引线端头（4）、第二引线端头（6）的长度。
Priority Applications (1)
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| CN201420073787.XU Expired - Fee Related CN203733805U (zh) | 2014-02-21 | 2014-02-21 | 低功耗整流器件 |
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2014
- 2014-02-21 CN CN201420073787.XU patent/CN203733805U/zh not_active Expired - Fee Related
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