CN203521472U - 一种倒装led芯片的焊接电极结构及倒装led芯片 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种倒装LED芯片的焊接电极结构及倒装LED芯片。一种倒装LED芯片的焊接电极结构，电极包括有N型电极和P型电极，P型电极包括位于底层的P型焊接电极，P型焊接电极的底部焊接面为正方形或圆形；N型电极包括位于底层是N型焊接电极，N型焊接电极的底部焊接面为正方形或圆形。所述P型焊接电极和N型焊接电极的底部焊接面分别选自圆形或正方形中的一种且互不相同的形状。所述N型焊接电极的焊接面为正方形，P型焊接电极的焊接面为圆形。这种焊接电极的结构在焊接时，使焊接更牢固，提高的倒装LED芯片的焊接合格率，使电极的焊接接触面更平整，电流稳定均匀。
Description
技术领域
本实用新型属于光电技术领域，具体是涉及一种倒装LED芯片的焊接电极结构及含有该焊接电极结构的倒装LED芯片。
背景技术
倒装LED芯片与正装LED芯片相比,倒装LED芯片具有较好的散热功能和发光效率，具有低电压、高亮度、高可靠性、高饱和电流密度等优点，性能方面有较大的优势，具有良好的发展前景。
目前，倒装LED芯片的封装首先制备具有适合共晶焊接的倒装LED芯片，同时制备相应尺寸的硅底板，并在其上制作共晶焊接电极的金导电层和引出导电层（超声波金丝球焊点）。然后，利用共晶焊接设备将倒装LED芯片与硅底板焊在一起。根据热沉底板不同，目前市场上常见有两种热沉底板的倒装法：一是利用共晶焊接设备，将倒装LED芯片与硅底板焊接在一起，这称为硅底板倒装法；一种是陶瓷底板倒装法，制备具有适合共晶焊接焊接电极结构和大出光面积的LED芯片，并在陶瓷底板制作共晶焊接导电层和引出导电层，利用共晶焊接设备将倒装LED芯片与陶瓷底板焊接在一起。
由于现有的封装方法都是采用共晶焊接，共晶焊接对焊接操作要求较高，且共晶焊接设备昂贵，动则在上千万元，制约了倒装LED芯片的发展，使得倒装LED芯片的制作成本高，难以普遍推广应用。
传统的倒装LED芯片的共晶焊接要求焊接的平面非常平整，如果平面较大 的话，很难做到平整，导致焊接效果非常差，接触部分非常少，不利于共晶焊接，因此，利用共晶焊接封装的倒装LED芯片都是采用点进行焊接，即做成数个点状的焊接电极进行焊接封装，本申请正是针对上述的问题而提出。
实用新型内容
为了解决现有技术的问题，本实用新型的目的是提供一种倒装LED芯片的焊接电极结构，对现有的焊接电极部分进行改进，做成大面积焊接电极焊接面，使锡焊时锡球的内聚力最小，达到最佳焊接效果。
为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：
构造一种倒装LED芯片的焊接电极结构，电极包括有N型电极和P型电极，P型电极包括位于底层的P型焊接电极，P型焊接电极的底部焊接面为正方形或圆形；N型电极包括位于底层的N型焊接电极，N型焊接电极的底部焊接面为正方形或圆形。
以上所述的焊接电极结构，其中所述P型焊接电极和N型焊接电极的底部焊接面分别选自圆形或正方形中的一种且互不相同的形状。这样做的目的在于区分芯片的两个焊接电极，具体的处理方式是一个为正方形，另一个为圆形，优选是，所述N型焊接电极的焊接面为正方形，P型焊接电极的焊接面为圆形。
其中，所述N型电极包括N型焊接电极和N型欧姆接触电极，P型电极包括P型焊接电极和金属电极和P型欧姆接触电极层。
本实用新型还提供了一种含有上述焊接电极结构的倒装LED芯片，包括蓝宝石衬底；N型半导体层，设置在蓝宝石衬底的下侧；发光层，设置在N型半导体层的未设有N型沟槽的部分的下侧；P型半导体层，设置在发光层的下侧；P型欧姆接触电极层，设置于P型半导体层下侧，P型欧姆接触电极层的下侧设有 P型电极；N型欧姆接触电极，设置于N型半导体层沟槽内，N型欧姆接触电极的下侧设有N型电极；其中的P型电极包括位于底层的P型焊接电极，P型焊接电极的底部焊接面为正方形或圆形；N型电极包括位于底层是N型焊接电极，N型焊接电极的底部焊接面为正方形或圆形。
以上所述的倒装LED芯片，进一步的还包括有反射层，覆盖P型欧姆接触电极层未设有P型电极的部分。以及保护层，在制作P型电极和N型电极前，在未设有电极的反射层的下侧、N型沟槽内的侧壁和N型半导体层的下侧制作一保护层，具有绝缘作用。
本实用新型的技术方案的有益效果在于：这种焊接电极的结构在焊接时，使焊接更牢固，提高的倒装LED芯片的焊接合格率，使电极的焊接接触面更平整，电流稳定均匀。
附图说明
图1是实施例的倒装LED芯片的焊接电极结构的示意图。
图2是实施例的倒装LED芯片的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图与具体实施例对本实用新型的技术方案作详细说明。
参照图1、图2所示，图1为本实施例的倒装LED芯片的焊接电极结构，芯片的电极包括有N型电极1和P型电极2，其中P型电极包括位于底层的P型焊接电极22和金属电极21，P型焊接电极的底部焊接面220为正方形，N型电极1包括位于底层是N型焊接电极12，N型焊接电极的底部焊接面120为圆形。
图2是本实施例的倒装LED芯片的结构示意图，采用GaN作为半导体发光 材料，倒装LED芯片包括蓝宝石衬底3；设置在蓝宝石衬底的下侧的N-GaN层4；发光层5设置在N-GaN层的未设有N型沟槽41的部分的下侧；P-GaN层6设置在发光层5的下侧；设置于P-GaN层下侧的是P型欧姆接触电极层7，P型欧姆接触电极层的下侧是P型电极，P型电极由金属电极21和P型焊接电极22组成；设置于N-GaN层沟槽内的是N型欧姆接触电极8，N型欧姆接触电极的下侧是N型焊接电极。
制作P型焊接电极和N型焊接电极前，还需要在P型欧姆接触电极层的下侧，除金属电极的部分镀上一反射层9，用于反射向下发出的光，之后在N型沟槽内的侧壁和反射层的下侧制作一保护层10，具有绝缘作用，防止低部焊接是会粘上焊料，导到短路。
以上实施例为本实用新型的优选实施例，本实用新型不限于上述实施例，对于本领域普通技术人员而言，在不背离本实用新型技术原理的基础上所做的任何显而易见的改动，都属于本实用新型的构思和所附权利要求的保护范围。
Claims (6)
1.一种倒装LED芯片的焊接电极结构，电极包括有N型电极和P型电极，其特征在于：P型电极包括位于底层的P型焊接电极，P型焊接电极的底部焊接面为正方形或圆形；N型电极包括位于底层的N型焊接电极，N型焊接电极的底部焊接面为正方形或圆形；所述P型焊接电极和N型焊接电极的底部焊接面分别选自圆形或正方形中的一种且互不相同的形状。
2.根据权利要求1所述的焊接电极结构，其特征在于：所述N型焊接电极的焊接面为正方形，P型焊接电极的焊接面为圆形。
3.根据权利要求1所述的焊接电极结构，其特征在于：所述N型电极包括N型焊接电极和N型欧姆接触电极，P型电极包括P型焊接电极和金属电极和P型欧姆接触电极层。
4.一种倒装LED芯片，包括蓝宝石衬底；N型半导体层，设置在蓝宝石衬底的下侧；发光层，设置在N型半导体层的未设有N型沟槽的部分的下侧；P型半导体层，设置在发光层的下侧；P型欧姆接触电极层，设置于P型半导体层下侧，P型欧姆接触电极层的下侧设有P型电极；N型欧姆接触电极，设置于N型半导体层沟槽内，N型欧姆接触电极的下侧设有N型电极；其特征于：所述的倒装芯片的P型电极和N型电极含有如权利要求1～3任意项所述的焊接电极结构。
5.根据权利要求4所述的倒装LED芯片，其特征在于：还包括有反射层，覆盖P型欧姆接触电极层未设有P型电极的部分。
6.根据权利要求5所述的倒装LED芯片，其特征在于：还包括有保护层，在制作P型电极和N型电极前，在未设有电极的反射层的下侧、N型沟槽内的侧壁和N型半导体层的下侧制作一保护层，具有绝缘作用。
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