CN203521412U - 一种显示基板和含有该显示基板的柔性显示装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种显示基板、柔性显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有技术中显示基板上的易损构件可靠性差的问题。本实用新型的显示基板，包括：基板和设置在该基板上的易损构件，还包括设于所述的基板和所述的易损构件之间的应力吸收层；所述的易损构件在基板上的投影不超出所述的应力吸收层在基板上的投影区域；所述基板的部分位置没有所述应力吸收层。本实用新型的显示基板、柔性显示装置具有应力吸收层，在弯曲时产生的应力可通过应力吸收层之间的空隙进行分散，保护易损构件不受损坏，从而提高显示基板和柔性显示装置的可靠性。
Description
技术领域
本实用新型属于显示技术领域，具体涉及一种显示基板，含有该显示基板的柔性显示装置。
背景技术
柔性显示技术是近几年比较热门的前瞻技术，柔性显示装置具有轻薄、可弯曲甚至卷曲、机械性能好的特点，越来越受到人们的重视。柔性显示装置包括显示基板，显示基板包括基板和位于基板上的结构，基板为柔性基板，如聚酰亚胺（PI）基板，聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）基板，不锈钢基板等，相比于普通玻璃基板，柔性基板具有可弯折的特性，而这就对器件的可靠性，尤其是易损构件提出更高的要求。
随着弯折次数的增加，弯折时产生应力的聚集，使柔性显示装置的柔性基板上的各种易损构件容易发生损坏。例如，作为易损构件的薄膜晶体管（TFT）结构由于弯折时应力的聚集，可能导致膜层断裂，势必会对TFT性能产生影响，从而影响柔性显示装置的可靠性。因此，避免易损构件被应力破坏对柔性显示装置的可靠性至关重要。
实用新型内容
本实用新型的目的是解决现有技术中显示基板上的易损构件可靠性差的问题，提供一种增强易损构件可靠性的显示基板。
解决本实用新型技术问题所采用的技术方案是一种显示基板，包括：基板和设置在该基板上的易损构件，还包括设于所述的基板和所述的易损构件之间的应力吸收层；
所述的易损构件在基板上的投影不超出所述的应力吸收层在基板上的投影区域。
优选的是，所述的易损构件在基板上的投影与所述的应力吸收层在基板上的投影重合。
优选的是，所述的应力吸收层的厚度为200nm-400nm。
优选的是，所述的应力吸收层的材料为氮化硅或氧化硅。
优选的是，在所述的基板和所述的易损构件之间还设有缓冲层。
进一步优选的是，所述的应力吸收层设于所述的缓冲层与基板之间，所述的易损构件设于所述的缓冲层上。
优选的是，所述的缓冲层设于所述的应力吸收层与所述的基板之间，所述的易损构件设于所述的应力吸收层上。
优选的是，所述的缓冲层的材料为氮化硅或氧化硅。
优选的是，所述的易损构件包括薄膜晶体管、栅极线、数据线中的一种或几种。
本实用新型的另一个目的是解决现有技术中柔性显示装置的易损构件可靠性差的问题，提供一种柔性显示装置，所述的柔性显示装置包括上述的显示基板。
优选的是，所述柔性显示装置为柔性有机发光二极管显示装置。
本实用新型的显示基板和柔性显示装置由于只在易损构件的下方设有应力吸收层，而在其他位置没有应力吸收层，因此在弯曲时产生的应力可通过应力吸收层之间的空隙进行分散，避免易损构件处（即应力吸收层处）产生应力集中，由此保护易损构件（例如TFT）不受损坏，从而提高显示基板和柔性显示装置的可靠性。
附图说明
图1为本实用新型实施例1中显示基板制备应力吸收层后的结构示意图。
图2为本实用新型实施例1中显示基板制备缓冲层后的结构示意图。
图3为本实用新型实施例1中显示基板制备TFT后的结构示意图。
图4为本实用新型实施例2中显示基板制备应力吸收层后的结构示意图。
图5为本实用新型实施例2中显示基板制备缓冲层后的结构示意图。
图6为本实用新型实施例2中显示基板制备TFT后的结构示意图。
其中：1.基板；2.缓冲层；3.应力吸收层；4.栅极绝缘层；5.刻蚀阻挡层；6.平坦化层；7.氧化铟锡层；8.栅极；9.有源层；10.源漏极。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本实用新型的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述。
本实用新型提供一种显示基板，包括：基板和设置在该基板上的易损构件，还包括设于所述的基板和所述的易损构件之间的应力吸收层；所述的易损构件在基板上的投影不超出所述的应力吸收层在基板上的投影区域；所述基板的部分位置没有所述应力吸收层。
其中，所述的基板可以为聚酰亚胺（PI）基板，聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）基板，不锈钢基板中一种；所述的易损构件为薄膜晶体管、栅极线、数据线中的一种或几种。
优选的是，所述的易损构件在基板上的投影与所述的应力吸收层在基板上的投影重合。
优选的是，所述的应力吸收层的厚度为200nm-400nm。
优选的是，所述的应力吸收层的材料为氮化硅或氧化硅。
优选的是，在所述的基板和所述的易损构件之间还设有缓冲层。
进一步优选的是，所述的应力吸收层设于所述的缓冲层与基板之间，所述的易损构件设于所述的缓冲层上。
优选的是，所述的缓冲层设于所述的应力吸收层与所述的基板之间，所述的易损构件设于所述的应力吸收层上。
优选的是，所述的缓冲层的材料为氮化硅或氧化硅。
本实用新型还提供一种柔性显示装置，所述的柔性显示装置包括上述的显示基板。
优选的是，所述柔性显示装置为柔性有机发光二极管显示装置。
实施例1
如图1-3所示，本实施例提供一种显示基板，包括：聚酰亚胺（PI）基板1和设置在该PI基板上的TFT（易损构件），在所述的PI基板1和所述的TFT之间设有应力吸收层3；所述的应力吸收层3是经过图形化处理的，即对应力吸收层3采用与TFT形状相对应的掩膜板进行图形化处理。
如图3所示，所述的TFT在PI基板1上的投影不超出所述的应力吸收层3在PI基板1上的投影区域，优选的，所述的TFT在基板上的投影与所述的应力吸收层3在基板上的投影重合，即所述的应力吸收层3只在TFT的下方设置，其它部分没有设置。因此在弯曲时产生的应力可通过应力吸收层3之间的空隙进行分散，避免TFT处（即应力吸收层3处）产生应力集中，由此保护TFT不受损坏，从而提高显示基板和柔性显示装置的可靠性。
优选的，所述的应力吸收层3的厚度为200nm-400nm，实验发现在该厚度范围的应力吸收层3更合适，太薄无法起到吸收应力的作用，太厚了影响其它功能层的制作并且浪费材料。
优选的，所述的应力吸收层3的材料为氮化硅或氧化硅，实验发现氮化硅或氧化硅制作的应力吸收层3其应力吸收效果更为明显。
优选的，如图2所示，在所述的应力吸收层3上方设有缓冲层2，所述的缓冲层2也能部分吸收弯折产生的应力；如图3所示，所述的TFT设置于该缓冲层2上。
优选的，所述的缓冲层2的采用氮化硅或氧化硅制备，例如，可以采用等离子体增强化学气相沉积法制备。
可以理解的是，本实施例中的TFT也可以是栅极线、数据线中的一种或几种，当然，只要是在柔性显示装置弯折时易于损坏的器件都可以适用。
上述的显示基板按以下步骤制作：
步骤1，制备应力吸收层。
在PI基板1上沉积应力吸收层3，该应力吸收层3为采用等离子体增强化学气相沉积法沉积氮化硅获得，沉积条件为：温度350℃，NH3/SiH4=8︰1，总气体流量为4320sccm，压力为170Pa，沉积时间为2100s，得到厚度为200nm的应力吸收层3。当然也可以调整沉积时间等参数，使应力吸收层3的厚度在200nm-400nm之间。
对沉积得到的应力吸收层3采用与易损构件形状相对应的掩膜板进行图形化处理，本实施例中易损构件为TFT，当然也可以为其它需要保护的器件，例如数据线、栅极线等。具体的图形化处理方法为现有技术，在此不再一一赘述。
这样就能获得如图1所示的图形化的应力吸收层3。
步骤2，制备缓冲层。
在完成步骤1的PI基板1上，缓冲层2为采用等离子体增强化学气相沉积法沉积氮化硅获得，沉积条件为：温度350℃，NH3/SiH4=8︰1，总气体流量为4320sccm，压力为170Pa，沉积时间为1800s，得到厚度为150nm的缓冲层2。
该缓冲层2将聚酰亚胺PI基板1整面覆盖，获得如图2所示的PI基板1。
上述的缓冲层2起到如下作用：将基板1表面平坦化；使器件与基板1更好的结合；阻隔水、氧气，保证器件性能。
步骤3，制备其它必要功能层。
在步骤2的PI基板1上制作其它必要功能层，如图3所示的栅极绝缘层4、刻蚀阻挡层5、平坦化层6、氧化铟锡层7、栅极8、有源层9、源漏极10。上述功能层的制作为现有技术，在此不再一一赘述。形成TFT以及其它必要的器件，从而完成柔性显示基板制作，得到如图3所示的显示基板，其中，只在TFT（易损构件）的下方保留应力吸收层3（图形化处理获得），即TFT（易损构件）在PI基板1上的投影位于所述的应力吸收层3在PI基板1上的投影区域内。当然，也可以使TFT（易损构件）在PI基板1上的投影与所述的应力吸收层3在PI基板1上的投影相重合，主要取决于掩膜板的形状，本领域的技术人员可以通过控制掩膜板的形状，获得应力吸收层3的形状。
本实施例制备的具有应力吸收层3显示基板，在弯曲时产生的应力可通过应力吸收层3之间的空隙进行分散，保护TFT（例如易损构件）不受损坏，从而提高显示基板的可靠性。
实施例2
如图4-6所示，本实施例提供一种显示基板，包括：聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）基板1和设置在该PET基板1上的TFT（易损构件），在所述的PET基板1和所述的TFT之间设有应力吸收层3；所述的应力吸收层3是经过图形化处理的，即对应力吸收层3采用与TFT（易损构件）形状相对应的掩膜板进行图形化处理。
如图6所示，所述的TFT在PET基板1上的投影不超出所述的应力吸收层3在PET基板1上的投影区域，优选的，所述的易损构件在基板上的投影与所述的应力吸收层3在基板上的投影重合。所述PI基板的部分位置没有所述应力吸收层3，即所述的应力吸收层3只在TFT的下方设置，其它部分没有。因此在弯曲时产生的应力可通过应力吸收层3之间的空隙进行分散，避免TFT处（即应力吸收层3处）产生应力集中，由此保护TFT不受损坏，从而提高显示基板和柔性显示装置的可靠性。
优选的，所述的应力吸收层3的厚度为200nm-400nm，实验发现在该厚度范围的应力吸收层3更合适，太薄无法起到吸收应力的作用，太厚了影响其它功能层的制作并且浪费材料。
优选的，所述的应力吸收层3的材料为氮化硅或氧化硅，实验发现氮化硅或氧化硅制作的应力吸收层3其应力吸收效果更为明显。
优选的，如图5所示，在所述的应力吸收层3下方设有缓冲层2，所述的缓冲层2也能部分吸收弯折产生的应力；如图6所示，所述的TFT设置于该应力吸收层3上。
优选的，所述的缓冲层2的采用氮化硅或氧化硅制备，例如，可以采用等离子体增强化学气相沉积法制备。
可以理解的是，本实施例中的TFT也可以是栅极线、数据线中的一种或几种，当然，只要是在柔性显示装置弯折时易于损坏的器件都可以适用。
上述的显示基板按以下步骤制作：
步骤1，制备缓冲层。
在PET基板1上采用等离子体增强化学气相沉积法沉积氧化硅获得缓冲层2。沉积条件为：温度350℃，NH3/SiH4=8︰1，总气体流量为4320sccm，压力为170Pa，沉积时间为2000s得到厚度为200nm的缓冲层2。
该缓冲层2将PET基板1整面覆盖，获得如图4所示的PET基板1。
上述的缓冲层2起到如下作用：将基板1表面平坦化；使器件与基板1更好的结合；阻隔水、氧气，保证器件性能。
步骤2，制备应力吸收层。
在完成步骤1的PET基板1上沉积应力吸收层3，该应力吸收层3为采用等离子体增强化学气相沉积法沉积氧化硅获得，沉积条件为：温度350℃，NH3/SiH4=8︰1，总气体流量为4320sccm，压力为170Pa，沉积时间为4200s得到厚度为400nm的应力吸收层3。当然也可以调整沉积时间等参数，使应力吸收层3的厚度在200nm-400nm之间。
对沉积得到的应力吸收层3采用与TFT形状相对应的掩膜板进行图形化处理，本实施例中易损构件为TFT，当然也可以为其它需要保护的器件，例如数据线、栅极线等。具体的图形化处理方法为现有技术，在此不再一一赘述。
这样就能获得如图5所示的图形化的应力吸收层3。
步骤3，制备其它必要功能层。
在步骤2的PET基板1上制作其它必要功能层，如图6所示的栅极绝缘层4、刻蚀阻挡层5、平坦化层6、氧化铟锡层7、栅极8、有源层9、源漏极10。上述功能层的制作为现有技术，在此不再一一赘述。形成TFT以及其它必要的器件，从而完成柔性显示基板制作，得到如图3所示的显示基板，其中，只在TFT（易损构件）的下方保留应力吸收层3（图形化处理获得），即TFT（易损构件）在PET基板1上的投影位于所述的应力吸收层3在PET基板1上的投影区域内。当然，也可以使TFT（易损构件）在PET基板1上的投影与所述的应力吸收层3在PET基板1上的投影相重合，主要取决于掩膜板的形状，本领域的技术人员可以通过控制掩膜板的形状，获得应力吸收层3的形状。
本实施例制备的具有应力吸收层3的显示基板，在弯曲时产生的应力可通过应力吸收层3之间的空隙进行分散，保护TFT（例如易损构件）不受损坏，从而提高显示基板的可靠性。
实施例3
本实施例提供一种柔性显示装置，该柔性显示装置包括上述显示基板和其它必要组件。优选地，所述柔性显示装置为柔性有机发光二极管显示装置。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本实用新型的原理而采用的示例性实施方式，然而本实用新型并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本实用新型的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本实用新型的保护范围。
Claims (11)
1.一种显示基板，包括：基板和设置在该基板上的易损构件，其特征在于，还包括设于所述的基板和所述的易损构件之间的应力吸收层；
所述的易损构件在基板上的投影不超出所述的应力吸收层在基板上的投影区域。
2.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述的易损构件在基板上的投影与所述的应力吸收层在基板上的投影重合。
3.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述的应力吸收层的厚度为200nm-400nm。
4.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述的应力吸收层的材料为氮化硅或氧化硅。
5.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，在所述的基板和所述的易损构件之间还设有缓冲层。
6.如权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述的应力吸收层设于所述的缓冲层与基板之间，所述的易损构件设于所述的缓冲层上。
7.如权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述的缓冲层设于所述的应力吸收层与所述的基板之间，所述的易损构件设于所述的应力吸收层上。
8.如权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述的缓冲层的材料为氮化硅或氧化硅。
9.如权利要求1-8任一所述的显示基板，其特征在于，所述的易损构件包括薄膜晶体管、栅极线、数据线中的一种或几种。
10.一种柔性显示装置，其特征在于，所述的柔性显示装置包括：如权利要求1-8任一所述的显示基板。
11.如权利要求10所述的柔性显示装置，其特征在于，所述柔性显示装置为柔性有机发光二极管显示装置。
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