CN203367239U - 压接装置 - Google Patents

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Abstract

本实用新型提供一种压接装置。该压接装置的特征在于，具有：放置隔着光固化性粘接层与半导体元件连接的光透过性基板的平台；对放置于所述平台上的所述光透过性基板和所述半导体元件进行加压的压接头；在所述光透过性基板的放置区域的周围配置的光照射装置；以及在与所述粘接层相比更靠近所述平台的位置设置的、使来自所述光照射装置的光朝向所述粘接层反射的光反射层。

Description

压接装置
技术领域
本实用新型涉及压接装置。
背景技术
近年来，随着半导体集成电路、显示器等电子部件的小型化、薄型化、高精细化，作为用于高密度地连接电子部件和电路系统的连接材料，各向异性导电性粘接剂受到关注。在以前的各向异性导电性粘接剂中，经常使用使用了热潜在性聚合引发剂和环氧树脂、（甲基）丙烯酸单体的热固化系粘接剂，但担心由于连接时的热导致被连接体劣化、变形。另一方面，在使用光潜在性聚合引发剂的情况下，在加热压接时通过进行光照射能够进行较低温下的连接，并进行了研究。
在使用含有光潜在性聚合引发剂的各向异性导电性粘接剂的半导体装置的制造方法中，例如将分散有金属粒子、对塑料粒子实施金属镀敷而形成的导电粒子的光固化系粘接剂用作各向异性导电性粘接剂。然后，在半导体元件和基板之间夹住该各向异性导电性粘接剂，一边通过加压头加压一边进行光照射（例如参照日本实开平5-41091号公报、日本特开昭62-283581号公报）。由此，加压后的导电粒子成为电连接媒介，通过简单的方法可以同时完成多个电路间的电连接。另外，通过粘接剂的各向异性导电性，使得在连接电路间获得低电阻连接性，在邻接电路间获得高绝缘性。
实用新型内容
另外，在使用上述那样含有光潜在性聚合引发剂的各向异性导电性粘接剂的情况下，一边通过加压头进行半导体元件和基板的加压，一边从半导体元件和基板的周围进行光照射。然而，在仅从周围进行光照射时，对粘接层的光照射不充分，粘接层的固化不充分，结果恐怕无法获得半导体元件和基板的连接性。
对此，在上述的日本实开平5-41091号公报、日本特开昭62-283581号公报的半导体元件的连接方法中记载有如下方法：在放置半导体元件和基板的平台内部配置光照射装置，从基板的背面侧对粘接层照射光。在这样的方法中，认为可充分获得对粘接层的光照射量，但由于平台的结构复杂化，因此存在压接装置的改造成本提高这样的问题。
本实用新型是为了解决上述课题而作出的实用新型，目的在于提供能够通过简单的方法使光固化性粘接层充分地固化而得到半导体元件和基板的良好连接性的半导体装置的制造方法、半导体装置以及压接装置。
为了解决上述课题，本实用新型的一方面的半导体装置的制造方法的特征在于，其是具有如下连接工序的半导体装置的制造方法，该连接工序为：隔着光固化性粘接层在放置于平台上的光透过性基板上配置半导体元件，通过利用压接头进行的加压和利用光照射装置进行的光照射将半导体元件连接在光透过性基板上，在连接工序中，在与粘接层相比更靠近平台的位置设置光反射层，通过光反射层使来自光照射装置的光反射而照射在粘接层上，从而使粘接层固化。
在该半导体装置的制造方法中，通过在与粘接层相比更靠近平台的位置配置的光反射层，能够从粘接层的底面侧照射来自光照射装置的光。因此，与仅从粘接层的周围进行光照射的情况相比，能够对粘接层照射充分量的光，能够得到半导体元件和光透过性基板的良好连接性。另外，本方法通过只是在与粘接层相比更靠近平台的位置设置光反射层的简单结构就能够实现，因此还能够避免压接装置的改造成本提高。
另外，可以在粘接层和平台之间设置光反射层。在这种情况下，能够将来自光照射装置的光对粘接层充分地照射。
另外，光透过性基板可以为厚度1mm以下的玻璃基板，可以在玻璃基板和平台之间进一步配置光透过性构件，可以在玻璃基板和平台之间设置光反射层。在这种情况下，即使在玻璃基板薄的情况下，也能够将来自光照射装置的光对粘接层充分地照射。
另外，在光透过性构件中，可以在面向玻璃基板侧的面上设置光反射层。在这样的构成中，也能够将来自光照射装置的光对粘接层充分地照射。
另外，在光透过性构件中，可以在面向平台侧的面上设置光反射层。在这样的构成中，也能够将来自光照射装置的光对粘接层充分地照射。
另外，可以在光透过性构件的内部设置光反射层。在这样的构成中，也能够将来自光照射装置的光对粘接层充分地照射。
另外，在光透过性构件的内部，可以以弯曲成平台侧凸出的状态设置光反射层。在这种情况下，能够使光反射层上的光的反射角变大，从而能够将来自光照射装置的光对粘接层更加充分地照射。
另外，可以由光透过性构件形成平台的表面部，可以在光透过性基板和平台的基部之间设置光反射层。在这种情况下，也能够将来自光照射装置的光对粘接层充分地照射。
另外，可以一边相对于光反射层摆动光照射装置一边进行光照射。这样的话，可实现对粘接层照射的光的均匀化。
另外，可以在平台的表面的下方侧配置光照射装置。由于压接头的周围为装置结构容易复杂化的区域，因此，通过在平台的表面的下方侧配置光照射装置，可以确保压接头周围装置的配置自由度。另外，光照射装置的光轴可以相对于平台的上表面倾斜地配置。另外，可以将半导体元件的端子和光透过性基板的配线电连接。
另外，本实用新型的一方面的半导体装置的特征在于，使用上述半导体装置的制造方法而制造。
在该半导体装置中，以充分的连接强度连接半导体元件和光透过性基板。因此，可获得长时间充分地抑制了连接电阻的半导体装置。本实用新型的一方面的压接装置的特征在于，具有：放置隔着光固化性粘接层与半导体元件连接的光透过性基板的平台；对放置于平台上的光透过性基板和半导体元件进行加压的压接头；在光透过性基板的放置区域的周围配置的光照射装置；以及在与粘接层相比更靠近平台的位置设置的、将来自光照射装置的光朝向粘接层反射的光反射层。
在该压接装置中，通过在与粘接层相比更靠近平台的位置配置的光反射层能够从粘接层的底面侧照射来自光照射装置的光。因此，与仅从粘接层的周围进行光照射的情况相比，能够对粘接层照射充分量的光，能够得到半导体元件和光透过性基板的良好连接性。另外，该压接装置通过仅在与粘接层相比更靠近平台的位置设置光反射层的简单结构就能够实现，因此，还能够避免装置的改造成本提高。
另外，可以在粘接层和所述平台之间设置上述光反射层。在这种情况下，能够将来自光照射装置的光对粘接层充分地照射。
另外，光透过性基板可以为厚度1mm以下的玻璃基板，可以在玻璃基板和平台之间进一步配置光透过性构件，可以在玻璃基板和平台之间设置光反射层。在这种情况下，即使在玻璃基板薄的情况下，也能够将来自光照射装置的光对粘接层充分地照射。
另外，在光透过性构件中，可以在面向玻璃基板侧的面上设置光反射层。在这样的构成中，也能够将来自光照射装置的光对粘接层充分地照射。
另外，在光透过性构件中，可以在面向平台侧的面上设置光反射层。在这样的构成中，也能够将来自光照射装置的光对粘接层充分地照射。
另外，可以在光透过性构件的内部设置光反射层。在这样的构成中，也能够将来自光照射装置的光对粘接层充分地照射。
另外，在光透过性构件的内部，可以以弯曲成平台侧凸出的状态设置光反射层。在这种情况下，能够使光反射层上的光的反射角变大，能够将来自光照射装置的光对粘接层更加充分地照射。
另外，可以由光透过性构件形成平台的表面部，可以在光透过性基板和平台的基部之间设置光反射层。在这种情况下，也能够将来自光照射装置的光对粘接层充分地照射。
另外，光照射装置可以相对于光反射层能够摆动。这样的话，可实现对粘接层照射的光的均匀化。
另外，可以在平台的表面的下方侧配置光照射装置。由于压接头的周围为装置结构容易复杂化的区域，因此，通过将光照射装置配置在平台的表面的下方侧，能够确保压接头周围装置的配置自由度。另外，光照射装置的光轴可以相对于平台的上表面倾斜地配置。另外，可以将半导体元件的端子和光透过性基板的配线电连接。
根据本实用新型，能够通过简单的方法使光固化性粘接层充分固化，能够得到半导体元件和基板的良好连接性。
附图说明
图1是表示一实施方式的半导体装置的制造方法的示意图。
图2是表示光反射层的变形例的示意图。
图3是表示光反射层的其它变形例的示意图。
图4是表示光反射层的进一步其它变形例的示意图。
图5是表示变形例的半导体装置的制造方法的示意图。
图6是表示其它变形例的半导体装置的制造方法的示意图。
图7是表示进一步其它变形例的半导体装置的制造方法的示意图。
符号说明
1：热压接装置（压接装置）、2：平台、2a：表面部、2b：基部、3：热压接头（压接头）、11：半导体元件、12：粘接层、13：光透过性基板、14：半导体装置、15：光透过性构件、16：光反射层。
具体实施方式
下面，一边参照附图，一边对半导体装置的制造方法、半导体装置以及压接装置的实施方式进行详细说明。
图1是表示一实施方式的半导体装置的制造方法的示意图。如图1所示，该半导体装置的制造方法具有如下连接工序：隔着光固化性粘接层12在放置于平台2上的光透过性基板13上配置半导体元件11，通过利用热压接头（压接头）3进行的加热·加压和利用光照射装置4进行的光照射将半导体元件11连接在光透过性基板13上。这样的连接工序通过包含平台2、热压接头3、光照射装置4而构成的热压接装置（压接装置）1实现。
半导体元件11为例如IC芯片、LSI芯片、电阻、电容器等各种元件。半导体元件11只要是能够与光透过性基板13连接的元件就没有特别限制。
光透过性基板13为具有与例如半导体元件11的凸块等端子电连接的规定配线的基板。光透过性基板13是例如厚度1mm以下的薄型玻璃基板。另外，作为光透过性基板13，除了玻璃基板以外，还可以使用聚酰亚胺基板、聚对苯二甲酸乙二醇酯基板、聚碳酸酯基板、聚萘二甲酸乙二醇酯基板、玻璃强化环氧基板、纸酚醛基板、陶瓷基板、层叠板等。在这些基板中，优选使用对紫外光的透过性优异的玻璃基板、聚对苯二甲酸乙二醇酯基板、聚碳酸酯基板、聚萘二甲酸乙二醇酯基板。
另外，通过该半导体装置的制造方法制作的半导体装置14只要是将半导体元件11电连接在光透过性基板13上而构成的装置就没有特别限制，也包含例如液晶显示器、有机EL显示器那样仅在光透过性基板13的端部配置半导体元件11那样的装置。
粘接层12由例如含有光潜在性聚合引发剂和聚合性化合物的光固化系粘接材料形成。作为这样的粘接材料，可列举各向异性导电性膜（ACF）、各向异性导电性糊剂（ACP）、绝缘性膜（NCF）、绝缘性糊剂（NCP）等。进一步，通过使上述光固化系粘接材料中含有热潜在性聚合引发剂和聚合性化合物，可以制成通过光和热能够固化的粘接材料。
当粘接层12固化时，可使用引导来自光照射装置4的光的光透过性构件15。光透过性构件15为例如由与上述光透过性基板13同样的材料构成的板状构件，配置在平台2上。光透过性构件15的厚度优选相对于光透过性基板13的厚度而具有充分的厚度，具体地说为1mm～10mm左右。另外，光透过性构件15的平面形状，从确保热压接时半导体元件11和光透过性基板13的姿势稳定性的观点考虑，优选与光透过性基板13的平面形状同等。光透过性构件15可以固定在平台2上，也可以不固定而是放置于平台2上。
在该光透过性构件15上，形成有使来自光照射装置4的光反射的光反射层16。本实施方式的光反射层16通过在光透过性构件15的底面，即在面向平台2侧的面的整面范围上形成。光反射层16优选例如相对于360nm波长的光的镜面反射率为50%以上。作为形成这样的光反射层16的材料，可列举例如铝、铜、铍、银、金、钛、铁或包含这些金属中的一种的合金等。另外，上述镜面反射率可以通过例如JIS Z8741-1997所记载的方针测定。
为了提高光反射层16的反射率，可以在金属的表面上通过电解研磨、化学研磨而实施光泽加工。另外，也可以与此相反地通过氧化铝膜处理等处理使金属表面粗糙化。在这种情况下，在来自光反射层16的反射光中包含很多散射成分。
作为光反射层16，可以使用起到增强光作用的多层膜。作为这样的多层膜，可列举例如交替层叠有钼层和硅层的Mo/Si多层膜、或者交替层叠有钼层和铍层的Mo/Be多层膜等。
光照射装置4为例如照射紫外线等活性光线的装置，靠近平台2上的光透过性基板13的放置区域而配置。另外，光照射装置4的光轴以相对于平台2的上表面具有规定角度θ的方式配置，从光照射装置4出射的光通过光透过性构件15的底面侧的光反射层16反射后，入射到粘接层12。来自光照射装置4的光的入射位置，例如可以在光透过性基板13的上表面或者侧面，也可以在粘接层12的侧面。
在将光照射装置4的光轴相对于平台2的角度θ固定的情况下，优选根据粘接层12与光反射层16之间的距离来决定角度θ。例如，在距离为1mm以下的情况下，θ优选为35°以下，在距离为3mm以下的情况下，θ优选为50°以下。另外，在距离为10mm以下的情况下，θ优选为80°以下。另外，通过摆动装置（未图示）支撑光照射装置4，可以在光照射中使光轴与平台上表面的角度θ以规定的周期变动。另外，在本实施方式中，显示了使用一个光照射装置4的方式，但也可以使用多个光照射装置4。
在使用如上的热压接装置1的半导体装置的制造方法中，通过在与粘接层12相比更靠近平台2的位置配置的光反射层16，能够从粘接层12的底面侧照射来自光照射装置4的光。因此，与仅从粘接层12的周围进行光照射的情况相比，能够对粘接层12照射充分量的光，能够得到半导体元件11和光透过性基板13的良好连接性。另外，通过仅在与粘接层12相比更靠近平台2的位置设置光反射层16的简单结构就能够实现，因此，还可以避免热压接装置1的改造成本提高。
另外，在该半导体装置的制造方法中，在厚度1mm以下的光透过性基板13的底面侧进一步配置相对于光透过性基板13充分厚的光透过性构件15，在该光透过性构件15的底面侧设有光反射层16。因此，即使是光透过性基板13薄的玻璃基板，也可通过光透过性构件15来确保光相对粘接层12的到达距离，能够对粘接层12的底面整体充分地照射来自光照射装置4的光。在相对于光反射层16摆动光照射装置4的情况下，可实现对粘接层12照射的光的均匀化，半导体元件11和光透过性基板13的连接性更加良好。
另外，在使用该半导体装置的制造方法得到的半导体装置14中，以充分的连接强度连接半导体元件11和光透过性基板13。其结果是能够得到长时间充分抑制了连接电阻的半导体装置14。
在上述的实施方式中，在光透过性构件15的底面侧形成光反射层16，但也可以如图2所示，在光透过性构件15的上表面侧形成光反射层16，还可以如图3所示，在光透过性构件15的内部形成光反射层16。另外，在如图2所示在光透过性构件15的上表面侧形成光反射层16的情况下，可以在不具有光透过性的构件的上表面侧形成光反射层16。
在光透过性构件15的内部形成光反射层16的情况下，如图4所示，可以以弯曲成平台2侧凸出的状态设置光反射层16。在这种情况下，能够使光反射层16上的光的反射角变大，能够对粘接层12的底面整体更充分地照射来自光照射装置4的光。另外，光反射层16和光透过性构件15可以为一体的构件，也可以为各自独立的构件。
另外，图5是表示变形例的半导体装置的制造方法的示意图。该图所示的半导体装置的制造方法，在不使用光透过性构件15而是在光透过性基板13的底面侧直接设有光反射层16这一点上与上述实施方式不同。在这种情况下，光反射层16和光透过性基板13可以为一体的构件，也可以为各自独立的构件。
在这种半导体装置的制造方法中，通过在与粘接层12相比更靠近平台2的位置配置的光反射层16，也能够从粘接层12的底面侧照射来自光照射装置4的光。因此，与仅从粘接层12的周围进行光照射的情况相比，可以对粘接层12照射充分量的光，能够得到半导体元件11和光透过性基板13的良好连接性。另外，通过仅在与粘接层12相比更靠近平台2的位置设置光反射层16的简单结构就能够实现，因此，还能够避免热压接装置1的改造成本提高。
另外，图6是表示其它变形例的半导体装置的制造方法的示意图。该图所示的半导体装置的制造方法，在平台2上设有光透过性构件15这一点上与上述实施方式不同。
即，在该半导体装置的制造方法中，通过由光透过性构件15形成平台2的表面部2a，在表面部2a的底面侧设置光反射层16，从而在光透过性基板13和平台2的基部2b之间配置光反射层。
在这种半导体装置的制造方法中，通过在与粘接层12相比更靠近平台2的位置配置的光反射层16，能够从粘接层12的底面侧照射来自光照射装置4的光。因此，与仅从粘接层12的周围进行光照射的情况相比，能够对粘接层12照射充分量的光，能够得到半导体元件11和光透过性基板13的良好连接性。另外，通过仅在与粘接层12相比更靠近平台2的位置设置光反射层16的简单结构就能够实现，因此，还可以避免热压接装置1的改造成本提高。
另外，图7是表示进一步其它变形例的半导体装置的制造方法的示意图。该图所示的半导体装置的制造方法，在不是从平台2的上方侧、而是从平台2的下方侧入射来自光照射装置4的光这一点上与上述实施方式不同。该方法适用于例如在光透过性基板13的上表面侧形成有由铝系合金形成的电极图案的情况。
更具体地说，在该半导体装置的制造方法中，相对于光透过性基板13充分地减小平台2的尺寸，并且在平台2的上表面设置光反射层16。另外，在平台2的上表面的下方侧，在平台2的两侧分别配置光照射装置4。
在这种半导体装置的制造方法中，能够通过光透过性基板13从粘接层12的底面侧照射来自光照射装置4的光。另外，通过在光透过性基板13的上表面侧形成的电极图案、半导体元件背面（与粘接层连接侧的面）反射到平台2侧的一部分光通过平台2上表面的光反射层16反射，能够确保光相对粘接层12的到达距离。因此，与仅从粘接层12的周围进行光照射的情况相比，能够对粘接层12照射充分量的光，能够得到半导体元件11和光透过性基板13的良好连接性。另外，通过仅在与粘接层12相比更靠近平台2的位置设置光反射层16的简单结构就能够实现，因此，还能够避免热压接装置1的改造成本提高。
进一步，在该半导体装置的制造方法中，将光照射装置4配置在平台2的上表面的下方侧。由于热压接头3的周围为装置结构容易复杂化的区域，因此，通过将光照射装置4配置在平台2的上表面的下方侧，能够确保热压接头3周围装置的配置自由度。
下面，对实施例进行说明。
[各向异性导电性粘接剂]
用作粘接层的各向异性导电性粘接剂中，使用苯氧树脂（东都化成制，商品名：PKHC，40质量%甲苯溶液）、双酚A型环氧树脂（东都化成制，商品名：YD-127）、光固化剂（ADEKA、商品名：SP-170）、添加剂（东丽道康宁有机硅制、商品名：SH6040）和导电粒子（积水化学制、商品名：AU-203A）。然后，以质量比40:55:5:5:30的比例将它们混合后，使用刮刀涂布机将其涂布在厚度40μm的PET树脂膜上，通过70℃、5分钟的热风干燥，得到厚度为20μm的膜状粘接层。
[光反射层]
作为光反射层，制作下面的光反射层A～C。在光反射层A中，在40mm×40mm、厚度6mm的铝平面镜TFA-40S06-1（西格玛光机株式会社制）的与铝反射层侧相反侧的面上，使用粘接剂HIGH SUPER5（CEMEDINE株式会社制），层叠40mm×40mm、厚度1mm的康宁制派勒斯玻璃（pyrex glass）。
在光反射层B中，在铝平面镜TFA-40S06-1的铝反射层侧的面上，使用粘接剂HIGH SUPER5（CEMEDINE株式会社制），层叠40mm×40mm、厚度1mm的康宁制派勒斯玻璃。
在光反射层C中，在铝平面镜TFA-40S06-1的铝反射层侧的面上，使用粘接剂HIGH SUPER5（CEMEDINE株式会社制），层叠40mm×40mm、厚度6mm的康宁制派勒斯玻璃。然后，在倒装芯片接合机FCB-3（日本松下公司制）的平台上分别配置各光反射层。
[光照射装置]
作为光照射装置，使用高压水银灯SPOTCURE SP-7（牛尾电机株式会社制）。在倒装芯片接合机FCB-3（日本松下公司制）的平台上配置该装置，以光纤的光出射端的光轴相对于光反射层为规定的入射角θ的方式保持该装置。另外，在光透过性基板的底面的光照射装置侧一边的附近配置光照射装置的曝光量的测定点。光照射装置的光出射端与测定点的距离约为4cm。
[半导体元件的连接]
（实施例）
以2mm×20mm大小从PET树脂膜将通过上述制法得到的膜状粘接层转印在玻璃基板（康宁#1737、外形38mm×28mm、厚度0.5mm、表面具有ITO（氧化铟锡）配线图案（图案宽50μm、间距50μm）的基板）上。然后，在平台上的光反射层上配置该玻璃基板，一边进行曝光一边通过倒装芯片接合机FCB-3（日本松下公司制）进行加热·加压而安装IC芯片（外形1.7mm×17.2mm、厚度0.55mm、凸块的大小50μm×50μm、凸块的间距50μm）。从粘接层的底面到光反射层的上表面的距离，在光反射层A的情况下为0.5mm，在光反射层B的情况下为1.5mm，在光反射层C的情况下为6.5mm。关于实施例1～12的光的入射角θ、光反射层的种类、粘接层与光反射层之间的距离、曝光量、连接温度、时间以及压力，如表1所示。另外，加热压接与曝光同时实施。
（比较例）
在比较例1中，在平台上的光反射层上配置与实施例2同样的玻璃基板，不进行粘接层的曝光，除此之外，在同样的条件下实施半导体元件与玻璃基板的连接。另外，在比较例2中，不夹着层叠有派勒斯玻璃的铝平面镜而在平台上配置与实施例2同样的玻璃基板，除此之外，在与实施例2同样的条件下实施半导体元件与玻璃基板的连接。
[效果确认试验]
从在如表1所示的条件下进行连接的实施例1～12和比较例1、2的连接体除去半导体元件，收集露出的粘接层。然后，通过红外线吸收光谱，基于连接前的环氧基的信号强度的面积与连接后的环氧基的信号强度的面积之比算出了粘接层的固化率。另外，关于半导体元件和玻璃基板的连接体，使用焊接强度测试仪（Bond Tester）（Dage公司制）测定了刚连接后的剪切粘接强度。进一步，关于半导体元件和玻璃基板的连接体，测定了邻接电路间的电阻值（全部14端子中的最大值）。在温度85℃、湿度85%、100小时的耐湿试验后也再次实施了该电阻值的测定。
表2是表示其试验结果的表。如该表所示，在比较例1中未进行粘接层的固化，在比较例2中为15%左右的固化，与此相对，在实施例1～12中与比较例相比观察到粘接层的充分固化。在使用了光反射层A的实施例1～4中，通过减小光的入射角θ，有固化率提高的倾向，但在使用了光反射层B、C的实施例5～12中，几乎未见对入射角θ的依存性，除了实施例5以外，均为96%～98%的高固化率。
从以上的结果可确认，通过光反射层可以促进粘接层的固化。另外可确认，通过充分地设置粘接层和光反射层的距离，可使粘接层的固化进一步确实。另外，在粘接强度大致与粘接层的固化率成比例，且固化率超过90%的实施例4、6～12中，可实现40N/m以上的高粘接强度。
关于连接电阻，在比较例1、2中，电阻值升高并超过测定范围，半导体元件与玻璃基板之间未进行电连接。与此相对，虽然在一部分实施例中，连接电阻变大，但在固化率超过90%的实施例4、6～12中，可确认到在实施耐湿试验后也可维持小于5Ω的低连接电阻。
表1
Figure BDA00003472079500131
表2
Figure BDA00003472079500141

Claims (19)

1.一种压接装置，其特征在于，具有： 
放置隔着光固化性粘接层与半导体元件连接的光透过性基板的平台； 
对放置于所述平台上的所述光透过性基板和所述半导体元件进行加压的压接头； 
在所述光透过性基板的放置区域的周围配置的光照射装置；以及 
在与所述粘接层相比更靠近所述平台的位置设置的、使来自所述光照射装置的光朝向所述粘接层反射的光反射层。 
2.根据权利要求1所述的压接装置，其特征在于，在所述粘接层和所述平台之间设有所述光反射层。 
3.根据权利要求1或2所述的压接装置，其特征在于，所述光透过性基板为厚度1mm以下的玻璃基板， 
在所述玻璃基板和所述平台之间进一步配置光透过性构件， 
在所述玻璃基板和所述平台之间设有所述光反射层。 
4.根据权利要求3所述的压接装置，其特征在于，在所述光透过性构件中，在面向所述玻璃基板侧的面上设有所述光反射层。 
5.根据权利要求3所述的压接装置，其特征在于，在所述光透过性构件中，在面向所述平台侧的面上设有所述光反射层。 
6.根据权利要求3所述的压接装置，其特征在于，在所述光透过性构件的内部设有所述光反射层。 
7.根据权利要求6所述的压接装置，其特征在于，在所述光透过性构件的内部，以弯曲成所述平台侧凸出的状态设有所述光反射层。 
8.根据权利要求1所述的压接装置，其特征在于，由光透过性构件形成所述平台的表面部，在所述光透过性基板和所述平台的基部之间设有所述光反射层。 
9.根据权利要求1或2所述的压接装置，其特征在于，所述光照射装置相对于所述光反射层能够摆动。 
10.根据权利要求1或2所述的压接装置，其特征在于，在所述平台的表 面的下方侧配置有所述光照射装置。 
11.根据权利要求1或2所述的压接装置，其特征在于，所述光照射装置的光轴相对于所述平台的上表面倾斜地配置。 
12.根据权利要求1或2所述的压接装置，其特征在于，将所述半导体元件的端子和所述光透过性基板的配线电连接。 
13.根据权利要求1所述的压接装置，其特征在于，所述光透过性基板为玻璃基板、聚酰亚胺基板、聚对苯二甲酸乙二醇酯基板、聚碳酸酯基板、聚萘二甲酸乙二醇酯基板、玻璃强化环氧基板、纸酚醛基板、陶瓷基板以及层叠板中的任一种。 
14.根据权利要求1所述的压接装置，其特征在于，所述光反射层对于360nm波长的光的镜面反射率为50％以上。 
15.根据权利要求1所述的压接装置，其特征在于，所述光反射层为铝、铜、铍、银、金、钛、铁或包含这些金属中的一种的合金。 
16.根据权利要求1所述的压接装置，其特征在于，所述光反射层实施有光泽加工。 
17.根据权利要求1所述的压接装置，其特征在于，所述光反射层的表面被粗糙化。 
18.根据权利要求1所述的压接装置，其特征在于，所述光反射层为起到相互增强光的作用的多层膜。 
19.根据权利要求18所述的压接装置，其特征在于，所述多层膜为交替层叠有钼层和硅层的多层膜、或者交替层叠有钼层和铍层的多层膜。 
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