JP2006278757A - 撮像装置 - Google Patents

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洋二 小林
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    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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Abstract

【課題】気密性及び接続信頼性を向上させるとともに、不要光によるノイズを低減させた撮像装置およびセンサーユニットを提供すること。
【解決手段】表面に配線導体3が形成された基板1と、配線導体3に導電性バンプ5を介して接合された電極を有する撮像素子2と、導電性バンプ5を覆うように撮像素子2と基板1との間に設けられた接着剤層8とを有する。接着絶縁粒子7は、無機絶縁粒子7と金属または金属被覆粒子6とが熱硬化性樹脂に含有されて成る。
【選択図】 図1

Description

本発明は、CCDまたはCMOSイメージセンサー等の撮像素子を用いた撮像装置に関するものである。
従来の撮像装置として、例えば、下記特許文献1に記載された構造のものがあった。すなわち、従来の撮像装置は、基板の表面に形成された配線導体に、撮像素子の電極がバンプを介して接続されている。そして、撮像素子と、撮像素子および配線導体の接続部とがポッティング樹脂により覆われていた。
実開平1−87562号公報
しかしながら、従来のポッティング樹脂により気密性を確保する構造においては、僅かな隙間に流れ込む特性を有するポッティング樹脂を使用するため、撮像素子の画像認識部位にも樹脂が流れ込み、特に外周部の画像が欠落する可能性があった。また、基板の画像入射エリア以外からも外光が入射されることにより、撮像素子への不要光の入射および光乱反射が生じ、ノイズが発生する可能性があった。
本発明は上記問題点に鑑みて案出されたものであり、その目的は、気密性及び接続信頼性を向上させるとともに、不要光によるノイズを低減させた撮像装置およびセンサーユニットを提供することである。
本発明の撮像装置は、表面に配線導体が形成された基板と、前記配線導体に導電性バンプを介して接合された電極を有する撮像素子と、無機絶縁粒子と金属または金属被覆粒子とが熱硬化性樹脂に含有されて成り、前記導電性バンプを覆うように前記撮像素子と前記基板との間に設けられた接着剤層とを有することを特徴とするものである。
本発明の撮像装置は、前記無機絶縁粒子が、平均粒径5乃至6μmの球状石英粒子および平均粒径0.5乃至5μmの破砕石英粒子を含んでおり、前記球状石英粒子は、粒径12乃至24μmのものを前記無機絶縁粒子の全量の3乃至6質量%、粒径1.5乃至3μmのものを10乃至18質量%含み、前記破砕石英粒子は、粒径1乃至3μmのものを前記無機絶縁粒子の全量の10乃至16質量%含み、粒径0.1乃至1μmのものを1乃至15質量%含むことを特徴とするものである。
また、本発明の撮像装置は、前記接着剤層の150℃に加熱した際の粘度が1.5Pa・sec以上であることを特徴とするものである。
また、本発明の撮像装置は、前記バンプは金またはアルミニウムであることを特徴とするものである。
また、本発明の撮像装置は、前記接着剤層の400〜600nmの波長の光の透過率が5%以下、前記基板と反対側の表面反射率が8%以下であることを特徴とするものである。
また、本発明の撮像装置は、前記接着剤層の25℃における弾性率が3〜10GPaであり、かつ線熱膨張係数が60〜120ppmであることを特徴とするものである。
本発明のセンサーユニットは、本発明の撮像装置の前記接着剤層に撮像素子を加圧および加熱して接着するとともに前記撮像素子の電極を前記バンプに電気的に接続してなることを特徴とするものである。
本発明の撮像装置は、無機絶縁粒子と金属または金属被覆粒子とが熱硬化性樹脂に含有されて成り、導電性バンプを覆うように撮像素子と基板との間に設けられた接着剤層を有することにより、撮像素子を熱圧着により実装した際に導電性バンプおよび金属被覆粒子が良好に接触し、また、無機絶縁粒子が配線導体間の短絡を防止することができ、信頼性の高い導電経路を形成することができる。
また、本発明の撮像装置は、無機絶縁粒子が、平均粒径5乃至6μmの球状石英粒子および平均粒径0.5乃至5μmの破砕石英粒子を含んでおり、球状石英粒子は、粒径12乃至24μmのものを無機絶縁粒子の全量の3乃至6質量%、粒径1.5乃至3μmのものを10乃至18質量%含み、破砕石英粒子は、粒径1乃至3μmのものを無機絶縁粒子の全量の10乃至16質量%含み、粒径0.1乃至1μmのものを1乃至15質量%含むことにより、撮像素子を熱圧着する際に接着剤層が撮像素子の画像認識エリアに過剰に流入することを防止し、高い接合信頼性と画像認識エリアの確保を両立することができる。
また、本発明の撮像装置は、接着剤層の150℃に加熱した際の粘度が1.5Pa・sec以上であることにより、撮像素子を熱圧着する際に接着剤層が撮像素子の画像認識エリアに過剰に流入することを防止し、高い接合信頼性と画像認識エリアの確保を両立することができる。
また、本発明の撮像装置は、バンプが金またはアルミニウムであることにより、金製の撮像素子実装部位に対して高い接続信頼性が得られる。
また、本発明の撮像装置は、接着剤層の400〜600nmの波長の光の透過率が5%以下、基板と反対側の表面反射率が8%以下であることにより、透光性基板の画像認識エリア以外の部位からの不要光の侵入を抑制し、さらに撮像素子の画像認識エリア以外に侵入した光の乱反射を抑制し、光ノイズを低減することができる。
また、本発明の撮像装置は、接着剤層の25℃における弾性率が3〜10GPaであり、かつ線熱膨張係数が60〜120ppmであることにより、熱硬化後の接着剤層が導電性バンプおよび金属被覆粒子との接続に対して絶縁につながるような応力を及ぼすことが無く、高い接続信頼性を確保することができる。
次に本発明の撮像素子実装用基板を添付の図面に基づいて詳細に説明する。
図1は、本発明の撮像素子実装用基板の実施の形態の一例の断面図である。図1に示すように、1は基板、2は撮像素子、3は配線導体、4は基板1と配線導体3からなる撮像素子実装用基板、5はバンプ、8は接着剤層である。図3は、本発明の撮像素子実装用基板の接着剤層の実施の形態の一例の断面図である。図3に示すように、6は金属あるいは金属被覆粒子、7は無機絶縁粒子である。
透光性部材からなる基板1の表面において、撮像素子2が実装される領域に、配線導体3が形成されている。撮像素子2の実装部位に導電性バンプ5が形成されている。そして、無機絶縁粒子7と、金属または金属被覆粒子6とを、熱硬化性樹脂に含有させて成る接着剤層8により、バンプ5を覆っている。導電性バンプ5のみ、または、金属あるいは金属被覆粒子6のみでは、導電性が保たれにくい傾向がある。また、無機絶縁粒子7を含有しない場合には、隣接する端子同士が短絡する可能性が高まる。
また、本発明の撮像装置は、無機絶縁粒子7が、平均粒径5乃至6μmの球状石英粒子および平均粒径0.5乃至5μmの破砕石英粒子を含んでいる。球状石英粒子は、粒径12乃至24μmのものを無機絶縁粒子7の全量の3乃至6質量%、粒径1.5乃至3μmのものを10乃至18質量%含んでいる。また、破砕石英粒子は、粒径1乃至3μmのものを無機絶縁粒子7の全量の10乃至16質量%含み、粒径0.1乃至1μmのものを1乃至15質量%含んでいる。球状石英粒子の平均粒径が5μmより小さいあるいは破砕石英粒子の平均粒径が0.5μmよりも小さい場合、相対的な表面積が大きくなり接着剤層の流動性が低下し、バンプによる導通が確保できなくなる可能性がある。また、球状石英粒子の平均粒径が6μmより大きいあるいは破砕石英粒子の平均粒径が5μmよりも大きい場合、金属あるいは金属被覆粒子の流動を阻害し、導通が確保できなくなる可能性がある。
また、破砕石英粒子は、粒径0.1乃至1μmのものを1質量%未満の場合、金属あるいは金属被覆粒子を均一に分散させることができず沈殿し、安定した導通が確保できず、15質量%を超える場合、接着剤層の流動性が失われ、導通および接合信頼性が低下する可能性がある。
また、本発明の撮像装置は、接着剤層8の150℃に加熱した際の粘度が1.5Pa・sec以上である。1.5Pa・Sec未満の場合、接着剤が撮像素子の画像認識エリアに毛細管現象により侵入し、撮像エラーを起こす可能性がある。
本発明の撮像装置は、バンプ5が、金またはアルミニウムである。本発明の撮像装置は、このような構成により、撮像素子側の金端子に良好な接続が可能となる。
また、本発明の撮像装置は、接着剤層8の400〜600nmの波長の光の透過率が5%以下、基板と反対側の表面反射率が8%以下である。透過率が5%を超える場合、画像認識エリア外から侵入した光がノイズとなり、表面反射率が8%を超える場合、基板と撮像素子の空間にて乱反射が発生しノイズとなる可能性がある。
また、本発明の撮像装置は、接着剤層8の25℃における弾性率が3〜10GPaであり、かつ線熱膨張係数が60〜120ppmである。弾性率が3GPa未満の場合、落下等の衝撃により接着剤層が弾性変形し、導通が確保されない可能性があり、10GPaを超える場合、熱ストレスによる基板と撮像素子間との応力差を吸収できず接合が破壊される可能性がある。また、線熱膨張係数が60ppm未満の場合および120ppmを超える場合、熱ストレスにより配線導体とバンプ間に応力が発生し接合が破壊される可能性がある。
本発明の基板1は、溶解したガラス材をダウンドロー法による板状に成型あるいはインゴット状に成型した後にスライス加工により板材として加工し、ガラス板材表面をアルカリ溶液により脱脂洗浄した後、真空蒸着あるいはスパッタリング法により例えばアルミニウムの配線導体3を形成する。しかる後にダイシングソーにより個片に切断し形成する。近赤外線遮蔽フィルターを兼ね備える場合にはアルミニウム配線面の裏面に誘電体多層膜を形成する。
本発明の撮像素子2は、Si基板上に形成されたCCDあるいはCMOSセンサーの上にRGBカラーフィルターを形成し、ダイシングソーにより個片に切断され形成する。
本発明の接着剤層8は、エポキシ樹脂またはアクリル樹脂等の樹脂から成り、耐湿性あるいは接合強度の観点からは緻密な3次元網目構造を有するエポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性樹脂が好ましく、ビスフェノールA型エポキシ樹脂やビスフェノールA変性エポキシ樹脂,ビスフェノールF型エポキシ樹脂,フェノールノボラック型エポキシ樹脂,クレゾールノボラック型エポキシ樹脂,特殊ノボラック型エポキシ樹脂,フェノール誘導体エポキシ樹脂,ビフェノール骨格型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂に、イミダゾール系,アミン系,リン系,ヒドラジン系,イミダゾールアダクト系,アミンアダクト系,カチオン重合系,ジシアンジアミド系等の硬化剤を添加したもので形成する。なお、2種類以上のエポキシ樹脂を混合して用いてもよい。
これらの主成分および硬化剤に対して、平均粒径5乃至6μmの球状石英粒子および平均粒径0.5乃至5μmの破砕石英粒子を添加し、球状石英粒子は、粒径12乃至24μmのものを無機絶縁粒子の全量の3乃至6質量%、粒径1.5乃至3μmのものを10乃至18質量%含み、破砕石英粒子は、粒径1乃至3μmのものを無機絶縁粒子の全量の10乃至16質量%含み、粒径0.1乃至1μmのものを1乃至15質量%含有させる。
このようにして作成した樹脂ワニスをスクリーン印刷法あるいはディスペンサー法により基板1の表面に塗布し、加熱乾燥により再溶融可能な仮硬化状態を形成する。
本発明の撮像装置の実施例を以下に説明する。
基板1にホウケイ酸ガラス(SCHOTT社製D263T材)からなる0.50mm厚みのガラス板を使用し、配線導体3として基板1上にスパッタリング法によりアルミニウム層を形成し、実装基板4を作成する。
実装基板4の撮像素子2の端子部と対向する位置に金ワイヤーを超音波圧着と150℃の熱圧着を併用することにより金製のバンプ5を形成し、しかる後、樹脂ワニスをスクリーン印刷法により金製のバンプ5を覆いかつ撮像素子2の有効エリア外の部位を覆うように塗布する。
詳細には接着剤層8として、ビスフェノールA型エポキシ樹脂にアミン系硬化剤を添加し、充填材として平均粒径5.2μmの球状石英粒子および平均粒径0.7μmの破砕石英粒子を添加し、球状石英粒子は、粒径12乃至24μmのものを無機絶縁粒子の全量の5.3質量%、粒径1.5乃至3μmのものを14.5質量%含み、破砕石英粒子は、粒径1乃至3μmのものを無機絶縁粒子の全量の10.3質量%含み、粒径0.1乃至1μmのものを3.6質量%添加し、さらに表面に金メッキを施したアクリル樹脂粒子を添加した樹脂ワニスを使用した。
各材料の量比検証結果を表1〜6に示す。
Figure 2006278757
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Figure 2006278757
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樹脂ワニスをスクリーン印刷法により塗布した後、ファインオーブンにて80℃の温度で6時間加熱し、仮硬化状態を形成することにより撮像素子実装用基板を作成した。
このように作成した実装基板4の導体配線を有する面に撮像素子2の画像認識エリアを対向させ、加圧しながら150℃の温度で30分間加熱し、樹脂ワニスを硬化させ基板実装を終了する。
続いて、アクリル樹脂を金型モールド成型することにより非球面レンズを作成したものを、ポリエチレン樹脂を金型射出成型することにより成型したバレルにかしめ、ポリエチレン樹脂を金型射出成型することによりレンズバレルを固定する部位にネジきりを有する形状に成型したレンズホルダにレンズバレルを組み合わせ鏡筒を作成する。
しかる後に、撮像素子2を実装した実装基板4と鏡筒を組み合わせセンサーユニットを完成させる。
なお、本発明は上述の最良の形態および実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更を行うことは何等差し支えない。
本発明の撮像素子実装用基板の実施の形態の一例を示す断面図である。 本発明の撮像素子実装用基板の実施の形態の一例を示す上面図である。 本発明の撮像素子実装用基板の接着剤層実施の形態の一例を示す拡大図である。 本発明の撮像素子実装用基板を用いたセンサーユニットの実施の形態の一例を示す断面図である。 従来のセンサーユニットの図である。
符号の説明
1:基板
2:撮像素子
3:配線導体
4:実装基板
5:バンプ
6:金属または金属被覆粒子
7:無機絶縁粒子
8:接着剤層

Claims (6)

  1. 表面に配線導体が形成された基板と、前記配線導体に導電性バンプを介して接合された電極を有する撮像素子と、無機絶縁粒子と金属または金属被覆粒子とが熱硬化性樹脂に含有されて成り、前記導電性バンプを覆うように前記撮像素子と前記基板との間に設けられた接着剤層とを有することを特徴とする撮像装置。
  2. 前記無機絶縁粒子が、平均粒径5乃至6μmの球状石英粒子および平均粒径0.5乃至5μmの破砕石英粒子を含んでおり、前記球状石英粒子は、粒径12乃至24μmのものを前記無機絶縁粒子の全量の3乃至6質量%、粒径1.5乃至3μmのものを10乃至18質量%含み、前記破砕石英粒子は、粒径1乃至3μmのものを前記無機絶縁粒子の全量の10乃至16質量%含み、粒径0.1乃至1μmのものを1乃至15質量%含むことを特徴とする請求項1記載の撮像装置。
  3. 前記接着剤層の150℃に加熱した際の粘度が1.5Pa・sec以上であることを特徴とする請求項1または請求項2記載の撮像素子実装用基板。
  4. 前記バンプは金またはアルミニウムであることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の撮像装置。
  5. 前記接着剤層の400〜600nmの波長の光の透過率が5%以下、前記基板と反対側の表面反射率が8%以下であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の撮像装置。
  6. 前記接着剤層の25℃における弾性率が3〜10GPaであり、かつ線熱膨張係数が60〜120ppmであることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の撮像装置。
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