CN203351567U - 真空交换腔室 - Google Patents

真空交换腔室 Download PDF

Info

Publication number
CN203351567U
CN203351567U CN 201320336038 CN201320336038U CN203351567U CN 203351567 U CN203351567 U CN 203351567U CN 201320336038 CN201320336038 CN 201320336038 CN 201320336038 U CN201320336038 U CN 201320336038U CN 203351567 U CN203351567 U CN 203351567U
Authority
CN
China
Prior art keywords
load lock
chamber
lock chambers
air vent
vent hole
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN 201320336038
Other languages
English (en)
Inventor
杨小军
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp
Original Assignee
Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp filed Critical Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp
Priority to CN 201320336038 priority Critical patent/CN203351567U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN203351567U publication Critical patent/CN203351567U/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本实用新型提供了一种真空交换腔室,包括:腔体;抽气装置,连接于所述腔体,可抽出该腔体内的气体至真空状态;供气装置,连接于所述腔体;以及通气装置,位于所述腔体内,与所述供气装置相连接。所述通气装置上设置有若干均匀分布的通气孔,可以使气体均匀的通入腔体中,增加气体的流量不会对承载装置上的晶圆造成影响,气体流量的增加降低了真空交换腔室的通气时间,减小单片晶圆的生产时间,从而提高机台每小时能够处理的晶圆数量,最终达到提高机台生产速率的目的。

Description

真空交换腔室
技术领域
本实用新型涉及一种真空交换腔室,特别是指一种半导体设备的真空交换腔室。
背景技术
在半导体制程中,晶圆常因为制程的关系需要在真空状态下进行加工,因此半导体机台就必须在真空与一大气压力之间不断地进行压力转换。为了使机台内的反应区能保持在一个稳定的状态,通常半导体机台内部会设置一与外面洁净室相连接的交换腔体,以放置由标准机械口传递进来的晶圆,或是在反应室已完成加工的晶圆,并由此交换腔体进行真空与一大气压之间的压力转换,而此交换腔体一般称为真空交换腔室或者加载互锁真空室(Load LockChamber)。
图1是现有技术中真空交换腔室的示意图。如图1所示,腔体100内设置有承载座103,用于承载晶圆104;抽气装置101连接在所述腔体100上,用于抽出该腔体100内的空气至真空状态;供气装置102用于破真空时向腔体100内通入气体,将腔体100压力回复到一大气压,防止真空交换腔室内外压力差太大而使晶圆104破损,造成合格率下降;所述供气装置102包括手动阀105和106以及针阀107,用于控制真空隔绝室破真空时的气体流量。但是,当真空隔绝室进行破真空时,必须先进行慢速通气,在压力大于一定值(200Torr)之后再开始进行全流量通气,如此通气时间比较长,增加单片晶圆的生产时间。
衡量机台生产速率的一个指标是每小时能够处理的晶圆数量(WPH,WaferPer Hour)。现有技术中WPH低于45,其中的一个瓶颈工艺就是真空交换腔室的通气时间过长,要高于50s,由此造成机台的生产速率过低。
实用新型内容
鉴于以上所述现有技术的问题,本实用新型的目的在于提供一种真空交换腔室,用于提高现有技术中机台生产速率过低的问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本实用新型提供一种真空交换腔室,其包括:
腔体;
抽气装置,连接于所述腔体;
供气装置,连接于所述腔体。
以及通气装置,位于所述腔体内,与所述供气装置相连接,所述通气装置上设置有若干均匀分布的通气孔。
进一步的,所述通气装置包括圆弧状的壳体和底面,所述壳体和底面组成一密闭结构。所述壳体连接于所述供气装置,所述底面上设置有所述均匀分布的通气孔。
进一步的,所述通气孔为圆形。
进一步的,所述通气孔的孔径为2~3mm
进一步的,所述通气孔为椭圆形。
进一步的,所述通气孔的长轴直径为2~3mm。
进一步的,所述底面上的通气孔数量为70~90个。
进一步的,所述通气装置为长方体,所述长方体上面积最大的两面中的一面连接于所述供气装置,其对面上设置有所述均匀分布的通气孔。
进一步的,所述通气孔为狭缝型。
进一步的,所述通气孔的长度为30~40mm。
进一步的,所述供气装置设置有气体流量控制器。
进一步的,所述气体流量控制器包括一个针阀、两个手动阀,所述针阀位于所述两个手动阀之间。
进一步的,所述供气装置提供的是氮气。
进一步的,所述氮气的流量是5000~6000sccm。
进一步的,所述真空交换腔室还包括一承载座,设置于所述真空交换腔室中供气装置正对的位置,所述承载座用于承载晶圆。
进一步的,所述晶圆的尺寸为200~450mm。
与现有技术相比,本实用新型所提供的真空交换腔室的有益效果是:
所述真空交换腔室的通气装置上设置有若干均匀分布的通气孔,可以使气体均匀的通入腔体中,增加气体的流量不会对承载装置上的晶圆造成影响,气体流量的增加降低了真空交换腔室的通气时间,减小单片晶圆的生产时间,从而提高每小时能够处理的晶圆数量,最终达到提高机台生产速率的目的。
附图说明
图1为现有技术中真空交换腔室的示意图。
图2为本实用新型一实施例所提供的真空交换腔室的示意图。
图3为本实用新型一实施例所提供的真空交换腔室通气装置底面的示意图。
图4为本实用新型一实施例所提供的真空交换腔室的示意图。
图5为本实用新型一实施例所提供的真空交换腔室通气装置的示意图。
具体实施方式
为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做详细的说明。
本实用新型的真空交换腔室可广泛应用于多种领域,并且可以利用多种替换方式实现,下面通过较佳的实施例来加以说明,当然本实用新型并不局限于该具体实施例,本领域内的普通技术人员所熟知的一般的替换无疑涵盖在本实用新型的保护范围内。
其次,本实用新型利用示意图进行了详细的描述,在详述本实用新型实施例时,为了便于说明,示意图不依一般比例局部放大,不应以此作为对本实用新型的限定。
请参考图2,其为本实用新型一实施例所提供的真空交换腔室的示意图,如图所示,真空交换腔室包括腔体200、抽气装置201、供气装置202以及通气装置203。
所述抽气装置201连接于所述腔体200,可抽出该腔体200内的气体至真空状态;
所述供气装置202连接于所述腔体200,用于向腔体200通入气体以对真空交换腔室进行破真空;
以及通气装置203,位于所述腔体200内,与所述供气装置202相连接。所述通气装置203上设置有若干均匀分布的通气孔。
在本实施例中,所述通气装置203包括圆弧状的壳体209和底面210,所述壳体209和底面210组成一密闭结构。所述壳体209连接于所述供气装置202,所述底面210上设置有均匀分布的通气孔211,如图3所示。所述通气孔211为圆形,孔径为2~3mm,例如2mm,2.5mm,3mm,其中较佳的孔径为2.5mm;也可以是椭圆形,长轴直径为2~3mm,例如2mm,2.5mm,3mm,其中较佳的长轴直径为2.5mm。所述底面210上的通气孔数211的数量为70~90个,例如70个,80个,90个,其中较佳的数量为80个。
所述供气装置202上设置有气体流量控制器,包括一个针阀(Needle valve)208和两个手动阀(Manual valve)206和207,用于控制气体流量,针阀208位于两个手动阀206和207之间;所述供气装置202提供的是氮气;所述真空交换腔室还包括一承载座204,,设置于所述真空交换腔室中供气装置202正对的位置,用于承载晶圆205,所述承载座204可以承载的晶圆205的尺寸为200~450mm。
在所述通气装置203上设置有均匀分布的通气孔211,通入的气体可以均匀的进入所述腔体200中,不会由于瞬间通入的气体流量过大对晶圆205造成影响,因此在所述真空交换腔室的基础上,可以增大氮气的流量,所述氮气的流量为5000~6000sccm,例如5000sccm,5500sccm,6000sccm,其中较佳的氮气流量为5500sccm。增大氮气的流量,进而减小真空交换腔室的通气时间,提高每小时能够处理的晶圆数量。
请参考图4,显示为本实用新型一实施例所提供的真空交换腔室的示意图,如图所示,在上一实施例的基础上,通气装置203为长方体,所述长方体上面积最大的两面中的一面连接于所述供气装置202,其对面上设置有均匀分布的通气孔209,所述通气孔209为狭缝型,如图5所示。所述狭缝型通气孔209的长度为30~40mm,例如30mm,35mm,40mm,其中较佳的为35mm。
上述的两个实施例中,所述通气装置都设置有均匀分布的通气孔,用于使气体均匀的通入腔室,在此基础上可以增加氮气的流量,请参考表1,相对于现有技术,氮气流量提高1200sccm之后,真空交换腔室的通气时间降低为37s,使得机台每小时能够处理的晶圆数量(WPH)由44个增加到55个,大幅提高了机台的生产速率。
表1
项目 现有技术 本实施例
N2流量(sccm) 4300 5500
通气时间(s) 51 37
每小时能够处理的晶圆数量(WPH) 44 55
综上所述,本实用新型通过在真空交换腔室的通气装置上设置有若干均匀分布的通气孔,可以使气体均匀的通入腔体中,增加气体的流量不会对承载装置上的晶圆造成影响,气体流量的增加降低了真空交换腔室的通气时间,减小单片晶圆的生产时间,从而提高每小时能够处理的晶圆数量,最终达到提高机台生产速率的目的。
上述描述仅是对本实用新型较佳实施例的描述,并非对本实用新型范围的任何限定,本实用新型领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰,均属于权利要求书的保护范围。

Claims (16)

1.一种真空交换腔室,其特征在于,包括: 
腔体; 
抽气装置,连接于所述腔体; 
供气装置,连接于所述腔体; 
以及通气装置,位于所述腔体内,与所述供气装置相连接,所述通气装置上设置有若干均匀分布的通气孔。 
2.如权利要求1所述的真空交换腔室,其特征在于,所述通气装置包括圆弧状的壳体和底面,所述壳体和底面组成一密闭结构,所述壳体连接于所述供气装置,所述底面上设置有所述均匀分布的通气孔。 
3.如权利要求2所述的真空交换腔室,其特征在于,所述通气孔为圆形。 
4.如权利要求3所述的真空交换腔室,其特征在于,所述通气孔的孔径为2~3mm。 
5.如权利要求2所述的真空交换腔室,其特征在于,所述通气孔为椭圆形。 
6.如权利要求5所述的真空交换腔室,其特征在于,所述通气孔的长轴直径为2~3mm。 
7.如权利要求2所述的真空交换腔室,其特征在于,所述底面上的通气孔数量为70~90个。 
8.如权利要求1所述的真空交换腔室,其特征在于,所述通气装置为长方体,所述长方体上面积最大的两面中的一面连接于所述供气装置,其对面上设置有所述均匀分布的通气孔。 
9.如权利要求8所述的真空交换腔室,其特征在于,所述通气孔为狭缝型。 
10.如权利要求9所述的真空交换腔室,其特征在于,所述通气孔的长度为30~40mm。 
11.如权利要求1所述的真空交换腔室,其特征在于,所述供气装置设置有气体流量控制器。 
12.如权利要求11所述的真空交换腔室,其特征在于,所述气体流量控制器包括一个针阀和两个手动阀,所述针阀位于所述两个手动阀之间。 
13.如权利要求1至12中任意一项所述的真空交换腔室,其特征在于,所 述供气装置提供的是氮气。 
14.如权利要求13所述的真空交换腔室,其特征在于,所述氮气的流量是5000~6000sccm。 
15.如权利要求1至12中任意一项所述的真空交换腔室,其特征在于,所述真空交换腔室还包括一承载座,设置于所述真空交换腔室中供气装置正对的位置,所述承载座用于承载晶圆。 
16.如权利要求15所述的真空交换腔室,其特征在于,所述晶圆的尺寸为200~450mm。 
CN 201320336038 2013-06-09 2013-06-09 真空交换腔室 Expired - Fee Related CN203351567U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201320336038 CN203351567U (zh) 2013-06-09 2013-06-09 真空交换腔室

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201320336038 CN203351567U (zh) 2013-06-09 2013-06-09 真空交换腔室

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN203351567U true CN203351567U (zh) 2013-12-18

Family

ID=49751433

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 201320336038 Expired - Fee Related CN203351567U (zh) 2013-06-09 2013-06-09 真空交换腔室

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN203351567U (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105091506A (zh) * 2015-08-31 2015-11-25 武汉华星光电技术有限公司 真空干燥装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105091506A (zh) * 2015-08-31 2015-11-25 武汉华星光电技术有限公司 真空干燥装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
PH12014502088A1 (en) Solar cell having an emitter region with wide bandgap semiconductor material
CN104538333A (zh) 一种消除晶圆片翘曲的托盘
CN203351567U (zh) 真空交换腔室
KR102242966B1 (ko) 입계 확산 및 열처리를 연속 수행하는 장치 및 방법
JP2019537843A (ja) 焼鈍処理方法、処理チャンバ、及び焼鈍装置
CN204315534U (zh) 一种消除晶圆片翘曲的托盘
CN101740448B (zh) 等离子体处理设备及其基片载板
CN101764050B (zh) 半导体基板加工设备
CN203313789U (zh) 养菌室
CN203976978U (zh) 一种新型扩散炉
CN202888138U (zh) 玻封二极管用晶片吸盘的面板
CN203929317U (zh) 一种真空计的保护装置
CN202549900U (zh) 太阳能硅片制造工艺用传输载板
CN207139608U (zh) 一种新型真空吸盘夹具
CN101826479B (zh) 非封闭式高速气流吸附传输装置
CN102064095A (zh) 半导体基板加工设备
CN206340566U (zh) 一种用于板式pecvd整排手动下料装置
CN204144235U (zh) 硅片自动分选真空吸盘
CN201194231Y (zh) 喷淋式扩散源输送装置
CN201844682U (zh) 一种高温炉工艺腔
CN204643075U (zh) 一种陈化下料装置
CN220934031U (zh) 具有侧吸结构的基板处理装置
CN109735687B (zh) 一种连续进行晶界扩散和热处理的装置以及方法
CN204651286U (zh) 一种稳定输出的考夫曼离子源
CN218705512U (zh) 一种晶圆备料箱总成

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20131218

Termination date: 20190609