CN203013788U - 一种chip-led - Google Patents

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殷小平
钟金文
王高阳
王跃飞
周小泉
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Abstract

本实用新型公开了一种CHIP-LED，包括基板及LED芯片，所述的基板包括本体、设在本体上表面上的正面线路层、设在本体下表面上的背面线路层、设在本体上的导电过孔及将正面线路层和背面线路层进行电性连接的设在导电过孔内壁上的连接线路层；LED芯片通过固晶焊线工序安装到正面线路层上；在导电过孔内填充有堵塞件。利用本实用新型LED结构，能防止在模压成型过程中出现溢胶的现象，提高产品的质量。

Description

一种CHIP-LED
技术领域
本实用新型涉及LED。
背景技术
     现有的CHIP-LED主要由基板、LED芯片及光学镜组成，其中基板包括本体、设在本体上表面上的正面线路层、设在本体下表面上的背面线路层、设在本体上的导电过孔及将正面线路层和背面线路层进行电性连接的设在导电过孔内壁上的连接线路层，LED芯片安装在正面线路层上，LED芯片通过固晶焊线的工序实现LED芯片与正面线路层的电性连接，正面线路层通过设在导电过孔内壁上的连接线路层和背面线路层进行电性连接，光学透镜通过模压成型工序实现。上述CHIP-LED，由于在基板上形成了导电过孔，在模压成型时，会在导电过孔处出现溢胶的现象，从而影响产品质量。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种CHIP-LED结构，能防止在模压成型过程中出现溢胶的现象，提高产品的质量。
为达到上述目的，一种CHIP-LED，包括基板、LED芯片及光学透镜，所述的基板包括本体、设在本体上表面上的正面线路层、设在本体下表面上的背面线路层、设在本体上的导电过孔及将正面线路层和背面线路层进行电性连接的设在导电过孔内壁上的连接线路层；LED芯片通过固晶焊线工序安装到正面线路层上；在导电过孔内填充有堵塞件。
作为具体化，所述的堵塞件为松香堵塞件。
本实用新型的有益效果是：由于在模压成型前在导电过孔内填充了松香堵塞件，则在模压成型过程中，能防止出现透镜成型胶水从导电过孔溢胶的现象，从而提高了产品的质量。由于在制造本实用新型的CHIP-LED时，所有工序的温度都小于160℃，而采用松香堵塞件时，则松香的熔化温度为180-185℃，因此，不管在器件生产的哪一工序，都不会造成松香熔化；另外，松香堵塞件被填充到导电过孔中后，一直留存在内，当在CHIP-LED器件应用时焊接到电路当中，可以快速、便捷的为焊接工艺提供松香并作为助焊剂使用，松香作为助焊剂，能清除焊料和被焊母材表面的氧化物，使金属表面达到必要的清洁度，它防止焊接时表面的再次氧化，降低焊料表面张力，提高焊接性能.助焊剂性能的优劣，直接影响到电子产品的质量。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
图2为CHIP-LED未切割前的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型进行进一步详细说明。
如图1所示，CHIP-LED包括基板1、LED芯片2及光学透镜3，所述的基板1包括本体11、设在本体上表面上的正面线路层12、设在本体下表面上的背面线路层13、设在本体上的导电过孔14及将正面线路层和背面线路层进行电性连接的设在导电过孔内壁上的连接线路层；LED芯片2通过固晶焊线工序安装到正面线路层上；在导电过孔内填充有松香堵塞件5。
制造上述CHIP-LED的方法如下。 如图2所示。
（1）制作基板1。
（2）在基板1的下表面安装一垫板；在基板的上表面上安装具有通孔的钢网，并使通孔与导电过孔的位置对应。
（3）向导电过孔中填充松香直到松香将导电过孔填满并形成松香堵塞件，其中，松香堵塞件的熔化温度为180-185℃。
（4）待松香固化后拆除掉垫板和钢网。
（5）在基板的固晶区进行固晶焊线，在此工序里，固晶烘烤温度为120-160。
（6）模压成型。
（7）胶水固化烘烤，其中，烘烤的温度为140-160℃。
（8）切割，完成CHIP-LED的制作。
本实用新型的CHIP-LED，由于在模压成型前在导电过孔内填充了松香堵塞件，则在模压成型过程中，能防止出现透镜成型胶水从导电过孔溢出的现象，从而提高了产品的质量。由于在制造本实用新型的CHIP-LED时，所有工序的温度都小于160℃，而松香的熔化温度为180-185℃，因此，不管在哪一工序，都不会造成松香熔化；另外，松香被填充到导电过孔中后，一直留存在内，当在CHIP-LED器件应用时焊接到电路当中，可以快速、便捷的为焊接工艺提供松香并作为助焊剂使用，松香作为助焊剂，能清除焊料和被焊母材表面的氧化物，使金属表面达到必要的清洁度，它防止焊接时表面的再次氧化，降低焊料表面张力，提高焊接性能.助焊剂性能的优劣，直接影响到电子产品的质量。
在本实施方式中，CHIP-LED为小型表面贴装LED。

Claims (2)

1.一种CHIP-LED，包括基板、LED芯片及光学透镜，所述的基板包括本体、设在本体上表面上的正面线路层、设在本体下表面上的背面线路层、设在本体上的导电过孔及将正面线路层和背面线路层进行电性连接的设在导电过孔内壁上的连接线路层；LED芯片通过固晶焊线工序安装到正面线路层上；其特征在于：在导电过孔内填充有堵塞件。
2.根据权利要求1所述的CHIP-LED，其特征在于：所述的堵塞件为松香堵塞件。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103022321A (zh) * 2012-12-28 2013-04-03 广州市鸿利光电股份有限公司 一种chip-led的制作方法及chip-led
WO2015078004A1 (zh) * 2013-11-29 2015-06-04 广州市鸿利光电股份有限公司 一种chip-led的制作方法及chip-led
CN107127413A (zh) * 2017-06-14 2017-09-05 四川九洲空管科技有限责任公司 一种去除smt元器件引脚氧化的方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103022321A (zh) * 2012-12-28 2013-04-03 广州市鸿利光电股份有限公司 一种chip-led的制作方法及chip-led
CN103022321B (zh) * 2012-12-28 2015-04-01 广州市鸿利光电股份有限公司 一种chip-led的制作方法及chip-led
WO2015078004A1 (zh) * 2013-11-29 2015-06-04 广州市鸿利光电股份有限公司 一种chip-led的制作方法及chip-led
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