CN107127413A - 一种去除smt元器件引脚氧化的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种去除SMT元器件引脚氧化的方法,属于元器件焊接技术领域。所述方法包括:将助焊剂与松香以3:1的质量比混合并搅拌直到松香完全溶于助焊剂中;将混合后的助焊剂涂抹于元器件引脚上,然后在180℃的温度下烘烤3min后,将烘焙后的元器件在1小时内完成焊接。本发明方法可去除元器件引脚表面的氧化层,使元器件在焊接时能充分润湿,焊接良好,确保焊接质量满足要求,同时可以使引脚氧化的元器件得到利用,可降低材料成本、时间成本。本发明方法适用于间距小的集成电路引脚氧化的去除,尤其适用于引脚间距为0.5mm及以下的集成电路。本发明去除引脚氧化的方法不会产生引脚连锡的问题;焊接良好,无虚焊、假焊等问题,保证焊接质量。
Description
技术领域
本发明属于元器件焊接技术领域,具体为一种去除SMT元器件引脚氧化的方法。
背景技术
在以通孔元器件为主的电子装联时代,器件引脚的氧化对工艺人员来说并不是一个难处理的问题,处理方式比较简单,通过对引脚搪锡便可去除,但该方法无法应用于SMT元器件引脚氧化的去除,由于SMT元器件引脚间距小,搪锡处理后容易出现引脚连锡的问题。为了提高产品的可靠性,电子设备向高集成化发展,SMT元器件被广泛应用于电子设备中。同时,由于SMT元器件引脚氧化而导致的虚焊、开路、假焊等问题也日益成为影响电子产品功能和性能的一个重要因素。
发明内容
本申请发明人经研究发现高温高湿是形成氧化的主要原因,而导致SMT元器件引脚氧化的主要原因是暴露在空气中的时间过长,或者是超过器件的存储周期。由于SMT元器件需经过采购、检验、存储和装配等环节,经过上述过程中可能会导致暴露在空气中或由于存放时间过长,而出现元器件引脚氧化。
基于上述原因,本发明的目的在在于提供一种去除SMT元器件引脚氧化的方法,采用混合松香的助焊剂在高温下将元器件引脚表面的氧化物去除,增加引脚可焊性,确保在焊接时无虚焊、开路、假焊等问题,保证焊接质量。
本发明目的通过以下技术方案来实现:
一种去除SMT元器件引脚氧化的方法,所述方法包括:将助焊剂与松香混合并搅拌直到松香完全溶于助焊剂中;将混合后的助焊剂涂抹于元器件引脚上,经烘烤后完成焊接。
本发明提供的去除SMT元器件引脚氧化的方法,将助焊剂和松香构成的混合助焊剂涂抹于元器件引脚上,然后再经高温烘烤,利用高温的作用将元器件引脚上的氧化物去除,从而达到去除引脚氧化的目的。
作为本发明一种去除SMT元器件引脚氧化的方法的一个具体实施例,所述助焊剂与松香的混合比例为2~5:1,进一步优选为3:1。
作为本发明一种去除SMT元器件引脚氧化的方法的一个具体实施例,所述烘烤温度为150~200℃,时间为1~5min。进一步优选为烘烤温度为180℃,时间为3min。
作为本发明一种去除SMT元器件引脚氧化的方法的一个具体实施例,所述烘烤后的元器件需要在1小时内完成焊接。限定烘烤后1小时内完成焊接是为了防止放置时间过长对元器件引脚造成再次氧化。
本发明助焊剂是本领域的常规助剂,只要是能实现助焊剂目的均可,在此对其成分进行具体限定。
本发明的有益效果:
1、本发明提供一种去除SMT元器件引脚氧化的方法,可通过该方法去除元器件引脚表面的氧化层,使元器件在焊接时能充分润湿,焊接良好,确保焊接质量满足要求,同时可以使引脚氧化的元器件得到利用,可降低材料成本、时间成本。
2、本发明方法适用于间距小的集成电路引脚氧化的去除,尤其适用于引脚间距为0.5mm及以下的集成电路。相对传统的搪锡去除氧化法,本发明去除引脚氧化的方法不会产生引脚连锡的问题;焊接良好,无虚焊、假焊等问题,保证焊接质量。
附图说明
图1为实施例1去除氧化前焊接效果图。
图2为实施例1去除氧化后焊接效果图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
实施例1
本实施例去除SMT元器件引脚氧化的方法具体操作如下:
将助焊剂CSF898与松香按质量比为3:1的比例混合,并充分搅拌,直到松香完全溶于助焊剂中;然后用毛笔蘸混合后的助焊剂涂抹在元器件引脚上,放入高温箱中在烘180℃温度下烘烤3分钟;最后将烘焙后的元器件在1小时内完成焊接。
本实施例去除氧化前SMT元器件引脚焊接效果如图1所示,去除氧化后SMT元器件引脚焊接效果如图2所示。从图1和图2可以看出,去除氧化前图1中的1和2脚为虚焊,去除氧化后1和2脚的焊接效果良好。
实施例2
本实施例去除SMT元器件引脚氧化的方法具体操作如下:
将助焊剂CSF898与松香按质量比为2:1的比例混合,并充分搅拌,直到松香完全溶于助焊剂中;然后用毛笔蘸混合后的助焊剂涂抹在元器件引脚上,放入高温箱中在烘200℃温度下烘烤3分钟;最后将烘焙后的元器件在40min内完成焊接。
采用本实施例可以有效实现对SMT元器件引脚氧化的去除,引脚全部焊接好,无虚焊。
实施例3
本实施例去除SMT元器件引脚氧化的方法具体操作如下:
将助焊剂CSF898与松香按质量比为5:1的比例混合,并充分搅拌,直到松香完全溶于助焊剂中;然后用毛笔蘸混合后的助焊剂涂抹在元器件引脚上,放入高温箱中在烘160℃温度下烘烤4分钟;最后将烘焙后的元器件在1h内完成焊接。
采用本实施例可以有效实现对SMT元器件引脚氧化的去除,引脚全部焊接好,无虚焊。
实施例4
本实施例去除SMT元器件引脚氧化的方法具体操作如下:
将助焊剂CSF898与松香按质量比为4:1的比例混合,并充分搅拌,直到松香完全溶于助焊剂中;然后用毛笔蘸混合后的助焊剂涂抹在元器件引脚上,放入高温箱中在烘180℃温度下烘烤2分钟;最后将烘焙后的元器件在1h内完成焊接。
采用本实施例可以有效实现对SMT元器件引脚氧化的去除,引脚全部焊接好,无虚焊。
另外,上述实施例中的助焊剂CSF898只是助焊剂其中的一个类型,只要能实现本发明用于SMT元器件引脚焊接效果的助焊剂均可,也可以用其它常规助焊剂代替,对本领域技术人员来说是常规且容易实现的。
对比例
1、将实施例1中的助焊剂与松香按质量比改为4:1或的比例混合,其它操作与实施例1完全一致,结果SMT元器件引脚焊接出现了虚焊。这是因为助焊剂加入量过多,容易在元器件引脚上进行堆积,不利于后续焊接。
2、将实施例1中的烘烤温度改为130℃或220℃,其它操作及参数与实施例完全一致,结果SMT元器件引脚焊接出现了虚焊,这是因为温度不够,对引脚氧化效果去除不好,在后续焊接过程中出现虚焊;温度过高,引脚氧化经高温除去后,由于SMT元器件本身受到高温烘烤,其表面氧化强度过大,在后续放置过程中容易被再次氧化,从而造成引脚焊接效果不好,造成虚焊。
3、将实施例1中的烘烤时间改为0.5min或6min,其它操作及参数与实施例完全一致,结果SMT元器件引脚焊接也出现虚焊,这是因为烘烤时间不够,对引脚氧化效果去除不好,在后续焊接过程中出现虚焊;时间过长,引脚氧化经高温除去后,由于SMT元器件本身受到高温烘烤时间过长,其表面氧化强度过大,在后续放置过程中容易被再次氧化,从而造成引脚焊接效果不好,造成虚焊。
4、将实施例1中元器件放置时间延长为70min,其它操作及参数与实施例完全一致,结果SMT元器件引脚焊接也出现虚焊,这是因为放置时间过长,烘烤去氧化后的SMT元器件在放置过程中与空气接触,由于放置时间过长而被再次氧化,从而造成引脚焊接效果不好,造成虚焊。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种去除SMT元器件引脚氧化的方法,其特征在于,所述方法包括:将助焊剂与松香混合并搅拌直到松香完全溶于助焊剂中;将混合后的助焊剂涂抹于元器件引脚上,经烘烤后完成焊接。
2.如权利要求1所述一种去除SMT元器件引脚氧化的方法,其特征在于,所述助焊剂与松香的混合比例为2~5:1。
3.如权利要求2所述一种去除SMT元器件引脚氧化的方法,其特征在于,所述助焊剂与松香的混合比例为3:1。
4.如权利要求1所述一种去除SMT元器件引脚氧化的方法,其特征在于,所述烘烤温度为150~200℃,时间为1~5min。
5.如权利要求5所述一种去除SMT元器件引脚氧化的方法,其特征在于,所述烘烤温度为180℃,时间为3min。
6.如权利要求1所述一种去除SMT元器件引脚氧化的方法,其特征在于,所述烘烤后的元器件需要在1小时内完成焊接。
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