CN203013724U - 用于铁电存储器的铁电薄膜电容 - Google Patents

用于铁电存储器的铁电薄膜电容 Download PDF

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Abstract

用于铁电存储器的铁电薄膜电容，属于铁电薄膜技术领域。它解决了现有PZT铁电电容的性能差及漏电流大的问题。它包括硅基底层，它还包括上电极层、上电极缓冲层、铁电薄膜层、下电极缓冲层、下电极层、粘结层和阻挡层，所述铁电薄膜层为掺钽的铅锆钛薄膜层，该铁电薄膜层的厚度为320nm至380nm；上电极层、上电极缓冲层、铁电薄膜层、下电极缓冲层、下电极层、粘结层和阻挡层按照从上至下的顺序顺次粘结固定在一起，阻挡层粘结固定在硅基底层上。本实用新型为一种铁电薄膜电容。

Description

用于铁电存储器的铁电薄膜电容
技术领域
本实用新型涉及用于铁电存储器的铁电薄膜电容，属于铁电薄膜技术领域。
背景技术
铁电存储器是一种特殊工艺的非易失性的存储器，它采用人工合成的铅锆钛PZT材料形成存储器结晶体。铁电存储器在掉电后仍然能够继续保存数据，写入速度快且具有无限次写入寿命，不容易写坏。因此，与闪存和EEPROM等较早期的非易失性内存技术比较，铁电存储器具有更高的写入速度和更长的读写寿命。
PZT铁电电容作为铁电存储器的主要存储介质，具有较大的疲劳速率和较差的漏电流特性，由于在金属Pt上制备的铁电薄膜结晶性能较差，使得PZT铁电电容的性能差，漏电流大。
发明内容
本实用新型是为了解决现有PZT铁电电容的性能差及漏电流大的问题，提供了一种用于铁电存储器的铁电薄膜电容。
本实用新型所述用于铁电存储器的铁电薄膜电容，它包括硅基底层，它还包括上电极层、上电极缓冲层、铁电薄膜层、下电极缓冲层、下电极层、粘结层和阻挡层，
所述铁电薄膜层为掺钽的铅锆钛薄膜层，该铁电薄膜层的厚度为320nm至380nm；
上电极层、上电极缓冲层、铁电薄膜层、下电极缓冲层、下电极层、粘结层和阻挡层按照从上至下的顺序顺次粘结固定在一起，阻挡层粘结固定在硅基底层上。
所述上电极层和下电极层均为铂电极层。
本实用新型的优点：本实用新型所述铁电薄膜电容的结晶性能好，具有良好的疲劳特性及铁电性，漏电流较小。
本实用新型所述铁电薄膜电容在制备的时候，所需硅基底层的温度较低，与集成工艺的兼容性好。
附图说明
图1是本实用新型所述铁电薄膜电容的结构示意图。
具体实施方式
具体实施方式一：下面结合图1说明本实施方式，本实施方式所述用于铁电存储器的铁电薄膜电容，它包括硅基底层1，它还包括上电极层2、上电极缓冲层3、铁电薄膜层4、下电极缓冲层5、下电极层6、粘结层7和阻挡层8，
所述铁电薄膜层4为掺钽的铅锆钛薄膜层，该铁电薄膜层4的厚度为320nm至380nm；
上电极层2、上电极缓冲层3、铁电薄膜层4、下电极缓冲层5、下电极层6、粘结层7和阻挡层8按照从上至下的顺序顺次粘结固定在一起，阻挡层8粘结固定在硅基底层1上。
本实施方式中，粘结层7可以采用二氧化钛粘结层，厚度为15-25nm；上电极缓冲层3和下电极缓冲层5均采用超大磁电阻材料制成；上电极缓冲层3的厚度为120-180nm；下电极缓冲层5的厚度为10-15nm；阻挡层8为二氧化硅阻挡层。
具体实施方式二：本实施方式为对实施方式一的进一步说明，本实施方式所述上电极层2和下电极层6均为铂电极层。
本实施方式中，下电极层6的厚度可以为120-180nm，上电极层2的厚度为100-120nm。

Claims (2)

1.一种用于铁电存储器的铁电薄膜电容，它包括硅基底层(1)，其特征在于，它还包括上电极层(2)、上电极缓冲层(3)、铁电薄膜层(4)、下电极缓冲层(5)、下电极层(6)、粘结层(7)和阻挡层(8)， 所述铁电薄膜层(4)为掺钽的铅锆钛薄膜层，该铁电薄膜层(4)的厚度为320nm至380nm； 
上电极层(2)、上电极缓冲层(3)、铁电薄膜层(4)、下电极缓冲层(5)、下电极层(6)、粘结层(7)和阻挡层(8)按照从上至下的顺序顺次粘结固定在一起，阻挡层(8)粘结固定在硅基底层(1)上。 
2.根据权利要求1所述的用于铁电存储器的铁电薄膜电容，其特征在于，所述上电极层(2)和下电极层(6)均为铂电极层。 
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103745919A (zh) * 2014-01-26 2014-04-23 江苏巨邦环境工程集团股份有限公司 一种铁电存储器的制造方法
CN112670087A (zh) * 2020-12-09 2021-04-16 南京邮电大学 一种应用于铁电储存器中使用的铁电薄膜电容

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