CN202643905U - 一种适用于PVT法生长SiC晶体系统的测温结构 - Google Patents
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104357912A (zh) * | 2014-12-07 | 2015-02-18 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种感应加热炉内的钨坩埚保护方法 |
CN105420813A (zh) * | 2015-12-22 | 2016-03-23 | 中国电子科技集团公司第二研究所 | 无掺杂元素的高纯半绝缘碳化硅晶体生长装置 |
CN105463573A (zh) * | 2015-12-22 | 2016-04-06 | 中国电子科技集团公司第二研究所 | 降低碳化硅晶体杂质并获得高纯半绝缘碳化硅晶体的方法 |
CN105531405A (zh) * | 2013-09-06 | 2016-04-27 | Gtat公司 | 用来生产大块硅碳化物的器具 |
CN106222739A (zh) * | 2016-09-13 | 2016-12-14 | 山东省科学院能源研究所 | 一种改善物理气相传输法晶体生长炉温度场分布的装置 |
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TR01 | Transfer of patent right |
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