CN104357912A - 一种感应加热炉内的钨坩埚保护方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种感应加热炉内的钨坩埚保护方法。该方法是将耐高温且不与碳反应的支架放置在石墨保温层上，支架有一个直径大于氮化硼圆桶直径的圆盘，用以减少石墨保温层中的碳向钨坩埚扩散。将钨坩埚放置在支架圆盘中心上，将氮化硼圆桶放置在支架圆盘上，并且氮化硼圆桶分别与石墨保温层、钨坩埚之间留有缝隙，使氮化硼圆桶的外壁与石墨保温层的内壁不接触，使氮化硼圆桶的内壁与钨坩埚的外壁不接触，以防止在高温下接触后互相扩散。本方法采用氮化硼圆桶与支架一起把钨坩埚与石墨保温层隔离开，可极大地减慢钨坩锅的碳化过程。本方法使钨坩锅的使用寿命有很大的提高，在温度为2200℃时，至少能使用350小时以上。

Description

一种感应加热炉内的钨坩埚保护方法
技术领域
本发明涉及对高温PVT晶体生长中使用的钨坩埚的保护，尤其涉及一种感应加热炉内的钨坩埚保护方法。
背景技术
钨作为熔点最高的金属广泛应用于高温条件下的晶体生长，石墨保温材料也是在高温保温环境下最常用保温材料，但在高温环境下，石墨保温材料很容易与钨发生反应形成碳化钨，钨元件被快速碳化，以至破坏原有钨元件结构，使钨元件发生变形开裂等问题，致使钨元件失效。
发明内容
为了解决现有技术中存在的问题，本发明提供一种感应加热炉内的钨坩埚保护方法。本方法采用氮化硼圆桶与支架一起把钨坩埚与石墨保温层隔离开，以防止钨坩埚被碳化。氮化硼圆筒和支架在不妨碍钨坩埚的感应加热前提下，起到了保温和隔绝石墨保温层对钨坩埚的污染的作用。
本发明采取的技术方案是：一种感应加热炉内的钨坩埚保护方法，其特征在于：本方法采用氮化硼圆桶与支架一起把钨坩埚与石墨保温层隔离开，其方法有如下步骤：
一.将耐高温且不与碳反应的支架放置在石墨保温层上，支架有一个直径大于氮化硼圆桶直径的圆盘，用以减少石墨保温层中的碳向钨坩埚扩散。
二.将钨坩埚放置在支架圆盘中心上，将氮化硼圆桶放置在支架圆盘上，并且氮化硼圆桶分别与石墨保温层、钨坩埚之间留有缝隙，使氮化硼圆桶的外壁与石墨保温层的内壁不接触，使氮化硼圆桶的内壁与钨坩埚的外壁不接触，以防止在高温下接触后互相扩散。
本发明产生的有益效果是：本方法采用氮化硼圆桶与支架一起把钨坩埚与石墨保温层隔离开，可极大地减慢钨坩锅的碳化过程。本方法使钨坩锅的使用寿命有很大的提高，在温度为2200℃时，至少能使用350小时以上。
附图说明
图1是采用本方法组装后的各部件位置剖视图。
图2是图1中氮化硼圆桶剖视图。
具体实施方式
以下结合实施例对本发明作进一步说明：
参照图1和图2，本发明采用的氮化硼圆桶包括桶壁和桶底，氮化硼圆桶与石墨保温层之间留有缝隙1-2mm，氮化硼圆桶与钨坩埚之间留有缝隙2-5mm，桶内的深度比钨坩埚的高度大1-3mm，以保证安装后氮化硼圆桶与钨坩埚不接触。
本发明在氮化硼圆桶的桶底上开一个测温孔，用于测量氮化硼圆桶内温度。
实施例：1、将耐高温且不与碳反应的支架4（如碳化钽、碳化钨、未完全碳化的钽片等材料）放置在石墨保温层1上，要求支架4必须有一个大于氮化硼圆桶2直径的圆盘，用以有效减少石墨保温层1中的碳向钨坩埚3扩散。
2、将钨坩埚3放置在支架4中心上，将氮化硼圆桶2放置在支架4上，即倒扣在钨坩埚3上。本实施例设计的氮化硼圆桶与石墨保温层之间留有缝隙为1.5mm，氮化硼圆桶与钨坩埚之间留有缝隙为3mm，桶内的深度比钨坩埚的高度大2mm，以保证安装后氮化硼圆桶与钨坩埚不接触。考虑到保温因素，以上缝隙应该在保证不接触的前提下尽量小一些。
3、根据需要，在氮化硼圆桶的桶底上开一个尽可能小的测温孔，用于测量氮化硼圆桶内温度。

Claims (3)

1.一种感应加热炉内的钨坩埚保护方法，其特征在于：本方法采用氮化硼圆桶与支架一起把钨坩埚与石墨保温层隔离开，其方法有如下步骤：
一.将耐高温且不与碳反应的支架放置在石墨保温层上，支架有一个直径大于氮化硼圆桶直径的圆盘，用以减少石墨保温层中的碳向钨坩埚扩散；
二.将钨坩埚放置在支架圆盘中心上，将氮化硼圆桶放置在支架圆盘上，并且氮化硼圆桶分别与石墨保温层、钨坩埚之间留有缝隙，使氮化硼圆桶的外壁与石墨保温层的内壁不接触，使氮化硼圆桶的内壁与钨坩埚的外壁不接触，以防止在高温下接触后互相扩散。
2.根据权利要求1所述的一种感应加热炉内的钨坩埚保护方法，其特征在于：所述的氮化硼圆桶包括桶壁和桶底，氮化硼圆桶与石墨保温层之间留有缝隙1-2mm，氮化硼圆桶与钨坩埚之间留有缝隙2-5mm，桶内的深度比钨坩埚的高度大1-3mm，以保证安装后氮化硼圆桶与钨坩埚不接触。
3.根据权利要求2所述的一种感应加热炉内的钨坩埚保护方法，其特征在于：所述的氮化硼圆桶的桶底上开一个测温孔，用于测量氮化硼圆桶内温度。
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Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101351579A (zh) * 2006-03-29 2009-01-21 住友电气工业株式会社 Iii族氮化物单晶生长方法
US20090053125A1 (en) * 2007-08-20 2009-02-26 Il-Vi Incorporated Stabilizing 4H Polytype During Sublimation Growth Of SiC Single Crystals
CN101536168A (zh) * 2006-09-14 2009-09-16 科锐有限公司 无微管碳化硅及其相关制备方法
CN101886290A (zh) * 2010-07-13 2010-11-17 王敬 用于单晶炉的保温筒以及具有其的单晶炉
CN101886291A (zh) * 2010-07-13 2010-11-17 王敬 隔热笼以及具有其的铸锭炉
CN201670893U (zh) * 2010-06-02 2010-12-15 王敬 具有改进加料能力的制造多晶锭的系统
CN102405310A (zh) * 2009-04-24 2012-04-04 独立行政法人产业技术综合研究所 氮化铝单晶的制造装置、氮化铝单晶的制造方法及氮化铝单晶
CN202643905U (zh) * 2012-04-28 2013-01-02 上海硅酸盐研究所中试基地 一种适用于PVT法生长SiC晶体系统的测温结构

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101351579A (zh) * 2006-03-29 2009-01-21 住友电气工业株式会社 Iii族氮化物单晶生长方法
CN101536168A (zh) * 2006-09-14 2009-09-16 科锐有限公司 无微管碳化硅及其相关制备方法
US20090053125A1 (en) * 2007-08-20 2009-02-26 Il-Vi Incorporated Stabilizing 4H Polytype During Sublimation Growth Of SiC Single Crystals
CN102405310A (zh) * 2009-04-24 2012-04-04 独立行政法人产业技术综合研究所 氮化铝单晶的制造装置、氮化铝单晶的制造方法及氮化铝单晶
CN201670893U (zh) * 2010-06-02 2010-12-15 王敬 具有改进加料能力的制造多晶锭的系统
CN101886290A (zh) * 2010-07-13 2010-11-17 王敬 用于单晶炉的保温筒以及具有其的单晶炉
CN101886291A (zh) * 2010-07-13 2010-11-17 王敬 隔热笼以及具有其的铸锭炉
CN202643905U (zh) * 2012-04-28 2013-01-02 上海硅酸盐研究所中试基地 一种适用于PVT法生长SiC晶体系统的测温结构

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